JPH0542832B2 - - Google Patents
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- JPH0542832B2 JPH0542832B2 JP15705090A JP15705090A JPH0542832B2 JP H0542832 B2 JPH0542832 B2 JP H0542832B2 JP 15705090 A JP15705090 A JP 15705090A JP 15705090 A JP15705090 A JP 15705090A JP H0542832 B2 JPH0542832 B2 JP H0542832B2
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- liquid crystal
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- thin film
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- polycrystalline silicon
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多結晶シリコン又はアモルフアスシ
リコン及び導電性透明電極を構成部材とする半導
体装置に関し、詳しくは上記両部材間のオーミツ
クコンタクトを取る方法に関するものである。
リコン及び導電性透明電極を構成部材とする半導
体装置に関し、詳しくは上記両部材間のオーミツ
クコンタクトを取る方法に関するものである。
液晶を用いた大容量表示装置としては各画素の
スイツチングデバイスとしてトランジスターを用
いたアクテイブマトリツクス方式が理想的であり
理論的に表示容量は無限である。この方式は従来
シリコン基板あるいはSOS基板にトランジスター
アレイーを構成し、この基板とガラス板との間に
液晶を封入して液晶パネルを構成した。しかし、
シリコン基板あるいはSOS基板にトランジスター
アレイを構成する方式は、従来の半導体製造技術
により容易に製造可能であるが、シリコンウエハ
ーあるいはSOS基板の価格が高くさらに半導体製
造コストが高いために、アクテイブマトリツクス
方式の液晶パネルは非常に高価となつてしまうと
いう欠点を有する。アクテイブマトリツクス方式
による液晶パネルを、より低価格で製造する方法
として、ガラス板の上に多結晶シリコン又はアモ
ルフアスシリコン等により薄膜トランジスター
（T.F.T.）のアレイーを構成し、アクテイブマト
リツクスとすると方法が提案されている。従来の
アクテイブマトリツクス式式による液晶表示装置
に用いられる画素の構成を第１図に一例として示
す。
スイツチングデバイスとしてトランジスターを用
いたアクテイブマトリツクス方式が理想的であり
理論的に表示容量は無限である。この方式は従来
シリコン基板あるいはSOS基板にトランジスター
アレイーを構成し、この基板とガラス板との間に
液晶を封入して液晶パネルを構成した。しかし、
シリコン基板あるいはSOS基板にトランジスター
アレイを構成する方式は、従来の半導体製造技術
により容易に製造可能であるが、シリコンウエハ
ーあるいはSOS基板の価格が高くさらに半導体製
造コストが高いために、アクテイブマトリツクス
方式の液晶パネルは非常に高価となつてしまうと
いう欠点を有する。アクテイブマトリツクス方式
による液晶パネルを、より低価格で製造する方法
として、ガラス板の上に多結晶シリコン又はアモ
ルフアスシリコン等により薄膜トランジスター
（T.F.T.）のアレイーを構成し、アクテイブマト
リツクスとすると方法が提案されている。従来の
アクテイブマトリツクス式式による液晶表示装置
に用いられる画素の構成を第１図に一例として示
す。
第１図において、スイツチングトランジスター
１のゲート電極はゲートライン４に、ソース電極
はソースライン５にそれぞれ接続され、ドレイン
電極は液晶３の駆動電極及び、コンデンサー２の
一方の電極に接続されている。
１のゲート電極はゲートライン４に、ソース電極
はソースライン５にそれぞれ接続され、ドレイン
電極は液晶３の駆動電極及び、コンデンサー２の
一方の電極に接続されている。
第２図はT.F.T.を用いたガラス板上にアクテ
イブマトリツクスを構成した場合の一画素の構成
の平面図の一例を示したものである。６はT.F.
T.のドレイン、チヤンネル、ソースを形成する
多結晶シリコンであり、ゲート電極はゲートライ
ン４に接続され、又ソース電極はソースライン５
に接続されている。一方、液晶駆動電極１１は図
からわかるようにT.F.Tのドレインを構成する多
結晶シリコンを延在して設ければ、液晶駆動電極
１１を製造工程をそのために設ける必要がなくな
る。しかるに光透過型の液晶表示装置の場合、液
晶表示電極１１は、導電性を有する透明電極でな
ければならない。T.F.T.６の材料として用いら
れる多結晶シリコンは、その厚みを1000オングス
トローム程度に薄くしても光を余り通さず、さら
に又、干渉色による着色が発生し駆動電極として
用いると液晶表示体の表示品質は著しく低下す
る。
イブマトリツクスを構成した場合の一画素の構成
の平面図の一例を示したものである。６はT.F.
T.のドレイン、チヤンネル、ソースを形成する
多結晶シリコンであり、ゲート電極はゲートライ
ン４に接続され、又ソース電極はソースライン５
に接続されている。一方、液晶駆動電極１１は図
からわかるようにT.F.Tのドレインを構成する多
結晶シリコンを延在して設ければ、液晶駆動電極
１１を製造工程をそのために設ける必要がなくな
る。しかるに光透過型の液晶表示装置の場合、液
晶表示電極１１は、導電性を有する透明電極でな
ければならない。T.F.T.６の材料として用いら
れる多結晶シリコンは、その厚みを1000オングス
トローム程度に薄くしても光を余り通さず、さら
に又、干渉色による着色が発生し駆動電極として
用いると液晶表示体の表示品質は著しく低下す
る。
このようなことから、液晶駆動電極として導電
性透明物質を用いなければならない。導電性の透
明物質としては酸化スズ又は酸化イソジウムを用
いるのが液晶を用いた表示装置の一般的な方法で
あつて、安定性、導電性、光の透過性が非常に良
く、透明電極として理想的である。
性透明物質を用いなければならない。導電性の透
明物質としては酸化スズ又は酸化イソジウムを用
いるのが液晶を用いた表示装置の一般的な方法で
あつて、安定性、導電性、光の透過性が非常に良
く、透明電極として理想的である。
ところが、第２図に示される様に透明電極１１
と多結晶シリコン６とは電気的コンタクトを取ら
なければならないが、ドレイン電極上の絶縁層に
コンタクトホール９を開孔し多結晶シリコン６と
透明電極１１を直接接続させても電気的接触が全
くとれないか又は、接触があつても、完全にオー
ミツクとはならない。
と多結晶シリコン６とは電気的コンタクトを取ら
なければならないが、ドレイン電極上の絶縁層に
コンタクトホール９を開孔し多結晶シリコン６と
透明電極１１を直接接続させても電気的接触が全
くとれないか又は、接触があつても、完全にオー
ミツクとはならない。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであつ
て、トランジスタのソース、ドレイン領域を含む
多結晶シリコンと、導電性透明電極との間にアル
ミニユウム等の金属を挟む事により両者の間に完
全なオーミツクコンタクトを可能とするものであ
る。
て、トランジスタのソース、ドレイン領域を含む
多結晶シリコンと、導電性透明電極との間にアル
ミニユウム等の金属を挟む事により両者の間に完
全なオーミツクコンタクトを可能とするものであ
る。
以下本発明を図面におつて詳細に説明する。
第３図はT.F.T.を用いたアクテイブマトリツ
クス液晶表示装置の本発明による製造工程を説明
するものであつて、特にT.F.T.のドレインと、
液晶駆動用透明電極とのコンタクト領域につい
て、その製造工程の一例をその工程順に示した断
面図である。第３図ａではガラス板１２の表面上
に多結晶シリコン薄膜１３を形成し、T.F.T.の
ドレイン、チヤンネル、ソース領域とすべき部分
以外をエツチング除去した時の断面を示したもの
である。T.F.T.のドレイン及びソース領域には
高濃度の不純物が拡散される。
クス液晶表示装置の本発明による製造工程を説明
するものであつて、特にT.F.T.のドレインと、
液晶駆動用透明電極とのコンタクト領域につい
て、その製造工程の一例をその工程順に示した断
面図である。第３図ａではガラス板１２の表面上
に多結晶シリコン薄膜１３を形成し、T.F.T.の
ドレイン、チヤンネル、ソース領域とすべき部分
以外をエツチング除去した時の断面を示したもの
である。T.F.T.のドレイン及びソース領域には
高濃度の不純物が拡散される。
次に第３図ｂに示される様に多結晶シリコン薄
膜１３の表面に延在してシリコン酸化膜１４を形
成する。このシリコン酸化膜は多結晶シリコン１
３の表面を熱酸化して得たものでも、又気相反応
成長法によつて得たものでも良い。さらにはシリ
コン酸化膜でなく他の絶縁膜、例えばシリコン窒
化膜、アルミナ膜等でも良い。次にドレイン領域
上のシリコン酸化膜１４にコンタクトホールを開
孔し、ドレイン電極取り出し窓を作る。次に第３
図ｃにおける様に少なくとも第３図ｂで開孔した
コンタクトホール部全部に延在させてアルミニユ
ウム薄膜１５を形成する。このためには、ガラス
板表面全部にアルミニユウム薄膜を形成した後、
フオトリソグラフイー技術を用い所望の領域にア
ルミニユウムを残し、他はエツチング除去するこ
とにより第３図ｃの構成が可能となる。
膜１３の表面に延在してシリコン酸化膜１４を形
成する。このシリコン酸化膜は多結晶シリコン１
３の表面を熱酸化して得たものでも、又気相反応
成長法によつて得たものでも良い。さらにはシリ
コン酸化膜でなく他の絶縁膜、例えばシリコン窒
化膜、アルミナ膜等でも良い。次にドレイン領域
上のシリコン酸化膜１４にコンタクトホールを開
孔し、ドレイン電極取り出し窓を作る。次に第３
図ｃにおける様に少なくとも第３図ｂで開孔した
コンタクトホール部全部に延在させてアルミニユ
ウム薄膜１５を形成する。このためには、ガラス
板表面全部にアルミニユウム薄膜を形成した後、
フオトリソグラフイー技術を用い所望の領域にア
ルミニユウムを残し、他はエツチング除去するこ
とにより第３図ｃの構成が可能となる。
次に液晶駆動用電極として酸化スズ、酸化イン
ジウム等の導電性透明材料を全面に形成し、フオ
トリソグラフイー技術により所望のパターンの液
晶駆動用電極を得る。この時の基板の断面構造は
第５図ｄに示される様であつて、ドレイン領域の
他結晶シリコン１３は、アルミニユウム１５を介
して透明電極１６と接触している。この様な構成
により、これを300〜400℃に加熱する事によつて
多結晶シリコン１３と透明電極１６とはアルミニ
ユウムを介して低い接触抵抗で且つ完全なオーミ
ツク導通状態となる。アルミニユウム薄膜は1000
オングストローム程度に薄くしても不透明である
が、本発明で用いるアルミニユウムは多結晶シリ
コンの上部のみに形成するので、アルミニユウム
が不透明であることの欠点は全く生じない。
ジウム等の導電性透明材料を全面に形成し、フオ
トリソグラフイー技術により所望のパターンの液
晶駆動用電極を得る。この時の基板の断面構造は
第５図ｄに示される様であつて、ドレイン領域の
他結晶シリコン１３は、アルミニユウム１５を介
して透明電極１６と接触している。この様な構成
により、これを300〜400℃に加熱する事によつて
多結晶シリコン１３と透明電極１６とはアルミニ
ユウムを介して低い接触抵抗で且つ完全なオーミ
ツク導通状態となる。アルミニユウム薄膜は1000
オングストローム程度に薄くしても不透明である
が、本発明で用いるアルミニユウムは多結晶シリ
コンの上部のみに形成するので、アルミニユウム
が不透明であることの欠点は全く生じない。
最後にガラス板表面全体に液晶の配向処理を行
つて、液晶表示装置の一方のパネル板が完成す
る。
つて、液晶表示装置の一方のパネル板が完成す
る。
この様に本発明によれば、多結晶シリコンと酸
化スズ、酸化イソジウムとうの透明電極とを接続
するコンタクトホールのみに実質的にアルミニユ
ウムを延在させることにより簡単に両者のオーミ
ツクコンタクトを低抵抗で可能とするものであつ
て、しかもアルミニユウムの介在による表示装置
の特性への影響は全く無い。
化スズ、酸化イソジウムとうの透明電極とを接続
するコンタクトホールのみに実質的にアルミニユ
ウムを延在させることにより簡単に両者のオーミ
ツクコンタクトを低抵抗で可能とするものであつ
て、しかもアルミニユウムの介在による表示装置
の特性への影響は全く無い。
尚、本発明でのTFTの材料としては多結晶シ
リコンのみでなく、アモルフアスシリコン等の非
単結晶シリコンであれば良く、ドレインと透明電
極との間にかいする金属はアルミニユウムに限る
事はなく他の金属でも本発明の効果は変わらな
い。
リコンのみでなく、アモルフアスシリコン等の非
単結晶シリコンであれば良く、ドレインと透明電
極との間にかいする金属はアルミニユウムに限る
事はなく他の金属でも本発明の効果は変わらな
い。
第１図はアクテイブマトリツクス液晶表示装置
の１つの画素の構成例を示した図である。第２図
は従来におけるT.F.T.を用いたアクテイブマト
リツクス液晶表示装置の１つの画素のパネル上で
の構成の一例を示した平面図である。第３図ａ〜
ｄは本発明によりアクテイブマトリツクスを製造
する方法の一例を工程順に示した断面図である。 １，６……T.F.T.、２……コンデンサー、３
……液晶、４，７……ゲートライン、５，８……
ソースライン、９，１０……コンタクトホール、
１１……液晶駆動用透明電極、１２……ガラス
板、１３……多結晶シリコン、１４……酸化シリ
コン、１５……アルミニユウム、１６……導電性
透明電極。
の１つの画素の構成例を示した図である。第２図
は従来におけるT.F.T.を用いたアクテイブマト
リツクス液晶表示装置の１つの画素のパネル上で
の構成の一例を示した平面図である。第３図ａ〜
ｄは本発明によりアクテイブマトリツクスを製造
する方法の一例を工程順に示した断面図である。 １，６……T.F.T.、２……コンデンサー、３
……液晶、４，７……ゲートライン、５，８……
ソースライン、９，１０……コンタクトホール、
１１……液晶駆動用透明電極、１２……ガラス
板、１３……多結晶シリコン、１４……酸化シリ
コン、１５……アルミニユウム、１６……導電性
透明電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相対する２つの透明基板間に液晶が狭持さ
れ、一方の該透明基板上には、マトリツクス状に
配列された透明電極を有し、該透明電極には薄膜
トランジスタが接続されてなるアクテイブマトリ
ツクス液晶表示装置において、 該薄膜トランジスタは非単結晶シリコン薄膜で
形成され、 該薄膜トランジスタは不純物がドープされたソ
ース、ドレイン領域を有し、 該非単結晶シリコンの該ソース、ドレイン領域
と該透明電極とは、該ソース、ドレイン領域上に
該ソース、ドレイン領域を越えることなく配設さ
れた導電性の金属を上下方向に挟持してなること
を特徴とするアクテイブマトリツクス液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157050A JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157050A JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10429381A Division JPS585905A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6723094A Division JP2514166B2 (ja) | 1994-04-05 | 1994-04-05 | アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0367409A JPH0367409A (ja) | 1991-03-22 |
| JPH0542832B2 true JPH0542832B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=15641102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157050A Granted JPH0367409A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0367409A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5803909A (en) | 1994-10-06 | 1998-09-08 | Hitachi, Ltd. | Optical system for measuring metabolism in a body and imaging method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157050A patent/JPH0367409A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0367409A (ja) | 1991-03-22 |
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