JPH0521325A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0521325A JPH0521325A JP3172519A JP17251991A JPH0521325A JP H0521325 A JPH0521325 A JP H0521325A JP 3172519 A JP3172519 A JP 3172519A JP 17251991 A JP17251991 A JP 17251991A JP H0521325 A JPH0521325 A JP H0521325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- electron beam
- sensitive resist
- charged particle
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 エッチング工程を簡略化し、しかも、低コス
トでのコンタクトホールの配線形成を可能にするレジス
トパターンの形成方法を提供する 【構成】 荷電粒子ビーム感応レジストの感度よりは低
い露光量で、かつビームエッジスロープの大きい第１の
可変成形荷電粒子ビームで露光を行い、次に前記第１の
パターンよりは幅が狭くて前記１の露光量との和が前記
荷電粒子ビーム感応レジストの感度と等しくなる露光量
で、かつビームエッジスロープの大きい第２の可変成形
荷電粒子ビームで露光することにより、２段構成のテー
パ形状を有するコンタクト開口部１０を有するレジスト
パターンを形成することができる。さらにこのレジスト
パターンをマスクに絶縁膜２をドライエッチングすれ
ば、２段構成のテーパ形状を有するコンタクトホールが
形成でき、配線材料のカバレッジが良好となり、エッチ
ング工程は、１工程となって、簡略化できる。
トでのコンタクトホールの配線形成を可能にするレジス
トパターンの形成方法を提供する 【構成】 荷電粒子ビーム感応レジストの感度よりは低
い露光量で、かつビームエッジスロープの大きい第１の
可変成形荷電粒子ビームで露光を行い、次に前記第１の
パターンよりは幅が狭くて前記１の露光量との和が前記
荷電粒子ビーム感応レジストの感度と等しくなる露光量
で、かつビームエッジスロープの大きい第２の可変成形
荷電粒子ビームで露光することにより、２段構成のテー
パ形状を有するコンタクト開口部１０を有するレジスト
パターンを形成することができる。さらにこのレジスト
パターンをマスクに絶縁膜２をドライエッチングすれ
ば、２段構成のテーパ形状を有するコンタクトホールが
形成でき、配線材料のカバレッジが良好となり、エッチ
ング工程は、１工程となって、簡略化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストパターンの形
成方法に関し、特にコンタクトホールのエッチングマス
クとして用いられるレジストパターンの形成方法に関す
るものである。
成方法に関し、特にコンタクトホールのエッチングマス
クとして用いられるレジストパターンの形成方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置のコンタクトホール形
成方法としては、図１１〜図１４の工程断面図で示すよ
うな方法が採用されている。すなわち、この従来方法で
は、まず、図１１で示すように、半導体基板１を覆う絶
縁膜２の表面上に形成された荷電粒子ビーム感応レジス
ト膜３をパターンニングし、コンタクトホール用パター
ン４を形成する。そして、このコンタクトホール用パタ
ーン４を介して等方性ウエットエッチングを行い絶縁膜
２の上部をサイドエッチングすることにより、図１２で
示すような、凹部５を形成する。
成方法としては、図１１〜図１４の工程断面図で示すよ
うな方法が採用されている。すなわち、この従来方法で
は、まず、図１１で示すように、半導体基板１を覆う絶
縁膜２の表面上に形成された荷電粒子ビーム感応レジス
ト膜３をパターンニングし、コンタクトホール用パター
ン４を形成する。そして、このコンタクトホール用パタ
ーン４を介して等方性ウエットエッチングを行い絶縁膜
２の上部をサイドエッチングすることにより、図１２で
示すような、凹部５を形成する。
【０００３】つぎに、コンタクトホール用パターン４を
介して異方性ドライエッチングを行うことにより凹部５
の下側の絶縁膜２に、図１３で示すようなコンタクトホ
ール用パターン４とほぼ同じ幅の凹部６を形成する。
介して異方性ドライエッチングを行うことにより凹部５
の下側の絶縁膜２に、図１３で示すようなコンタクトホ
ール用パターン４とほぼ同じ幅の凹部６を形成する。
【０００４】そののち、荷電粒子ビーム感応レジスト膜
３を除去すれば、図１４で示すようなテーパ状のコンタ
クトホール７を形成することができる。このテーパ状の
コンタクトホール７を用いれば、この上に形成する配線
材料のカバレッジを良好にし、下地との導通を十分に確
保できるようにしたものである。
３を除去すれば、図１４で示すようなテーパ状のコンタ
クトホール７を形成することができる。このテーパ状の
コンタクトホール７を用いれば、この上に形成する配線
材料のカバレッジを良好にし、下地との導通を十分に確
保できるようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記し
たような従来例においては、等方性ウエットエッチング
を行った後に異方性ドライエッチングを行なわなければ
ならず、プロセスが複雑になるという問題点を有してい
る。
たような従来例においては、等方性ウエットエッチング
を行った後に異方性ドライエッチングを行なわなければ
ならず、プロセスが複雑になるという問題点を有してい
る。
【０００６】本発明はかかる点に鑑み、エッチング工程
を簡略化し、しかも、低コストでのコンタクトホールの
配線形成を可能にするレジストパターンの形成方法を提
供することを目的とする。
を簡略化し、しかも、低コストでのコンタクトホールの
配線形成を可能にするレジストパターンの形成方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のレジストパターンの形成方法は、荷電粒子
ビーム感応レジストの感度よりは低い露光量で、かつビ
ームエッジスロープの大きい可変成形荷電粒子ビームで
第１の露光を行い、次に前記第１のパターンよりは幅が
狭くて前記第１の露光量との和が前記荷電粒子ビーム感
応レジストの感度と等しくなる露光量で、かつビームエ
ッジスロープの大きい可変成形荷電粒子ビームで第２の
露光をするという構成を備えたものである。
めに本発明のレジストパターンの形成方法は、荷電粒子
ビーム感応レジストの感度よりは低い露光量で、かつビ
ームエッジスロープの大きい可変成形荷電粒子ビームで
第１の露光を行い、次に前記第１のパターンよりは幅が
狭くて前記第１の露光量との和が前記荷電粒子ビーム感
応レジストの感度と等しくなる露光量で、かつビームエ
ッジスロープの大きい可変成形荷電粒子ビームで第２の
露光をするという構成を備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成により、荷電粒子ビーム
感応レジスト膜の露光部の中央領域では、露光量がレジ
ストの感度に達しているため、現像すれば荷電粒子ビー
ム感応レジスト膜の底部に至るまで開口が形成される。
一方、荷電粒子ビーム感応レジスト膜の露光部の周辺部
では、露光量がレジストの感度に達していないため、現
像すれば荷電粒子ビーム感応レジスト膜の表面付近のみ
が開口される。また、可変成形荷電粒子ビームのエッジ
スロープが大きいため、現像後の荷電粒子ビーム感応レ
ジスト膜の断面形状は、テーパ状となる。このような荷
電粒子ビーム感応レジスト膜をマスクとして、下地絶縁
膜をドライエッチすれば、２段構成のテーパ形状を有す
るコンタクトホールが形成でき、配線材料のカバレッジ
が良好となる。また、エッチング工程は、１工程となっ
て、簡略化することができる。
感応レジスト膜の露光部の中央領域では、露光量がレジ
ストの感度に達しているため、現像すれば荷電粒子ビー
ム感応レジスト膜の底部に至るまで開口が形成される。
一方、荷電粒子ビーム感応レジスト膜の露光部の周辺部
では、露光量がレジストの感度に達していないため、現
像すれば荷電粒子ビーム感応レジスト膜の表面付近のみ
が開口される。また、可変成形荷電粒子ビームのエッジ
スロープが大きいため、現像後の荷電粒子ビーム感応レ
ジスト膜の断面形状は、テーパ状となる。このような荷
電粒子ビーム感応レジスト膜をマスクとして、下地絶縁
膜をドライエッチすれば、２段構成のテーパ形状を有す
るコンタクトホールが形成でき、配線材料のカバレッジ
が良好となる。また、エッチング工程は、１工程となっ
て、簡略化することができる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例におけるレジストパ
ターンの形成方法を図面を用いて詳細に説明する。
ターンの形成方法を図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】図１〜図８は本発明の実施例におけるレジ
ストパターンの形成方法の工程断面図を示すものであ
る。図１において、１は半導体基板としてシリコン基
板、２は絶縁膜としての１．０μｍ厚のＳｉＯ2膜２で
ある。
ストパターンの形成方法の工程断面図を示すものであ
る。図１において、１は半導体基板としてシリコン基
板、２は絶縁膜としての１．０μｍ厚のＳｉＯ2膜２で
ある。
【００１１】本実施例においては、先ず、図１ａに示す
ように、ＳｉＯ2膜２の上にポジ型の電子ビーム感応レ
ジスト膜３を１．２μｍ厚塗布する。
ように、ＳｉＯ2膜２の上にポジ型の電子ビーム感応レ
ジスト膜３を１．２μｍ厚塗布する。
【００１２】次に、図１０の電子ビーム強度プロファイ
ルに示すような、第１のビームエッジスロープの大きい
可変成形電子ビームを用いて第１の露光を行い、図２に
示すような第１の露光部８を電子ビーム感応レジスト膜
３に形成する。かかる第１の露光における露光量は、電
子ビーム感応レジスト膜３の感度の半分である。
ルに示すような、第１のビームエッジスロープの大きい
可変成形電子ビームを用いて第１の露光を行い、図２に
示すような第１の露光部８を電子ビーム感応レジスト膜
３に形成する。かかる第１の露光における露光量は、電
子ビーム感応レジスト膜３の感度の半分である。
【００１３】次いで、図１０の電子ビーム強度プロファ
イルに示すような、第２のビームエッジスロープの大き
い可変成形電子ビームを用いて第２の露光を行い、図３
に示すように、第１の露光部８よりは幅の狭い第２の露
光部９を電子ビーム感応レジスト膜３に形成する。かか
る第２の露光における露光量は、第１の露光をするとき
の露光量との和が、電子ビーム感応レジスト膜３の感度
になるようにする。すなわち、本実施例では、電子ビー
ム感応レジスト膜３の感度の半分とする。
イルに示すような、第２のビームエッジスロープの大き
い可変成形電子ビームを用いて第２の露光を行い、図３
に示すように、第１の露光部８よりは幅の狭い第２の露
光部９を電子ビーム感応レジスト膜３に形成する。かか
る第２の露光における露光量は、第１の露光をするとき
の露光量との和が、電子ビーム感応レジスト膜３の感度
になるようにする。すなわち、本実施例では、電子ビー
ム感応レジスト膜３の感度の半分とする。
【００１４】次いで、電子ビーム感応レジスト膜３を現
像して図４に示すような開口部１０を形成する。このと
き、ビームエッジスロープの大きい可変成形電子ビーム
を用いて第１および第２の露光を行っているため、テー
パを有する電子ビーム感応レジスト膜３の断面形状が得
られる。
像して図４に示すような開口部１０を形成する。このと
き、ビームエッジスロープの大きい可変成形電子ビーム
を用いて第１および第２の露光を行っているため、テー
パを有する電子ビーム感応レジスト膜３の断面形状が得
られる。
【００１５】このよにして形成されたレジストパターン
をマスクとして、ドライエッチングを行うと、電子ビー
ム感応レジスト膜３もエッチングされながら図５から図
６をへて、図７に示すようなテーパ形状のコンタクトホ
ール７がＳｉＯ2膜２に形成される。
をマスクとして、ドライエッチングを行うと、電子ビー
ム感応レジスト膜３もエッチングされながら図５から図
６をへて、図７に示すようなテーパ形状のコンタクトホ
ール７がＳｉＯ2膜２に形成される。
【００１６】次に、電子ビーム感応レジスト膜３を除去
した後、配線材料としてアルミニウム１１を堆積しパタ
ーンニングすることにより、図８に示すごとくコンタク
トホール７およびＳｉＯ2膜２上に配線を形成すること
ができる。
した後、配線材料としてアルミニウム１１を堆積しパタ
ーンニングすることにより、図８に示すごとくコンタク
トホール７およびＳｉＯ2膜２上に配線を形成すること
ができる。
【００１７】なお、本実施例において、電子ビーム露光
を用いて説明したが、イオンビーム露光などの荷電粒子
ビーム露光を用いてもよい。
を用いて説明したが、イオンビーム露光などの荷電粒子
ビーム露光を用いてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明は、荷電粒子ビーム
感応レジストの感度よりは低い露光量で、かつビームエ
ッジスロープの大きい第１の可変成形荷電粒子ビームで
露光を行い、次に前記第１のパターンよりは幅が狭くて
前記１の露光量との和が前記荷電粒子ビーム感応レジス
トの感度と等しくなる露光量で、かつビームエッジスロ
ープの大きい第２の可変成形荷電粒子ビームで露光する
ことにより、２段構成のテーパ形状を有するコンタクト
ホール用レジストパターンを形成することができる。さ
らにこのレジストパターンをマスクに絶縁膜をドライエ
ッチングすれば、２段構成のテーパ形状を有するコンタ
クトホールが形成でき、配線材料のカバレッジが良好と
なり、エッチング工程は、１工程となって、簡略化する
ことができる。
感応レジストの感度よりは低い露光量で、かつビームエ
ッジスロープの大きい第１の可変成形荷電粒子ビームで
露光を行い、次に前記第１のパターンよりは幅が狭くて
前記１の露光量との和が前記荷電粒子ビーム感応レジス
トの感度と等しくなる露光量で、かつビームエッジスロ
ープの大きい第２の可変成形荷電粒子ビームで露光する
ことにより、２段構成のテーパ形状を有するコンタクト
ホール用レジストパターンを形成することができる。さ
らにこのレジストパターンをマスクに絶縁膜をドライエ
ッチングすれば、２段構成のテーパ形状を有するコンタ
クトホールが形成でき、配線材料のカバレッジが良好と
なり、エッチング工程は、１工程となって、簡略化する
ことができる。
【図１】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図２】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図３】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図４】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図５】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図６】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図７】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図８】本発明の実施例におけるレジストパターンの形
成方法の工程断面図
成方法の工程断面図
【図９】従来例における電子ビーム強度プロファイルを
示す図
示す図
【図１０】本発明の電子例における電子ビーム強度プロ
ファイルを示す図
ファイルを示す図
【図１１】従来例を示す工程断面図
【図１２】従来例を示す工程断面図
【図１３】従来例を示す工程断面図
【図１４】従来例を示す工程断面図
１ 半導体基板としてシリコン基板
２ 絶縁膜としてのＳｉＯ２膜
３ 電子ビーム感応レジスト膜
７ コンタクトホール
Claims (2)
- 【請求項１】可変成形荷電粒子ビームを用い、半導体基
板上に荷電粒子ビーム感応レジストを塗布し、前記荷電
粒子ビーム感応レジストの感度よりは低い露光量で第１
のパターンの露光を行い、次に前記第１のパターンより
は、幅の狭い第２のパターンで前記第１のショットとの
露光量の和が前記荷電粒子ビーム感応レジストの感度と
等しくなる露光量で露光することを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。 - 【請求項２】前記第１および第２のパターンの露光を行
うに際し、前記第１および第２のパターンを構成するシ
ョットのビームエッジスロープを大きくして露光するこ
とを特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172519A JPH0521325A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172519A JPH0521325A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521325A true JPH0521325A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15943458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172519A Pending JPH0521325A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612014B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-08-11 | 삼성전자주식회사 | 광픽업 및 렌즈 조립 장치 및 방법 |
| JP2013041903A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法及び装置 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3172519A patent/JPH0521325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612014B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-08-11 | 삼성전자주식회사 | 광픽업 및 렌즈 조립 장치 및 방법 |
| JP2013041903A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法及び装置 |
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