KR950021063A - 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 - Google Patents
반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자제조 공정에 있어서, 반도체소자 표면의 스탭 커버리지를 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히, 경사 프로파일을 가진 감광막을 이용하여 하부 절연층을 식각하고, 경사진 프로파일을 갖는 하부 절연층에 도전물질을 증착하여 반도체소자 표면의 스텝 커버리지를 향상 시키는 경사프로파일을 갖는 감광막을 이용한 스텝 커버리지 향상방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명에 의한 방법으로 과다노광, 디포커스에 의하여 크고 경사진 감광막 프로파일을 도시한 단면도,
제2b도는 제2a도의 감광막 프로파일을 이용하여 하부 절연막층을 식각한 상태를 도시한 단면도,
제2c도는 절연막층의 경사식각이 완료된 후 적정 노광 에너지에 의하여 콘택홀 감광막 패턴을 형성한 상태의 단면도,
제2d도는 제2c도의 상태에서 절연막층을 식각한 후 도전물질을 콘택홀에 증착한 상태의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조공정중 콘택홀에 도전물질을 증착함에 있어서, 경사 프로파일을 갖는 감광막을 형성하여 감광막에 형성된 경사막을 따라 하부 절연층을 식각하고, 상기 감광막의 경사면을 따라 식각되어 경사 프로파일이 형성된 하부 절연층 상부에 감광막 패턴을 형성한 후, 하부 절연층을 식각하고, 상기 식각에 의해 하부 절연층 상부에 경사 프로파일을 가는 콘택홀을 형성함으로써, 도전성 물질 증착시, 반도체 소자 표면에서의 스텝 커버리지를 향상시키도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경사 프로파일을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 방법은 디포커스, 과다 노광의 방법을 이용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경사 프로파일을 갖는 감광막 패턴을 마스크로 하여 하부 절연층을 식각하되, 건식식각 또는 이방성 식각으로 하여 감광막 패턴의 경사면을 따라 하부 절연층을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930026885A KR950021063A (ko) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019930026885A KR950021063A (ko) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021063A true KR950021063A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66826661
Family Applications (1)
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| KR1019930026885A KR950021063A (ko) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021063A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6107138A (en) * | 1995-11-06 | 2000-08-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device having a tapered contact hole |
| KR100414949B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
-
1993
- 1993-12-08 KR KR1019930026885A patent/KR950021063A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| US6107138A (en) * | 1995-11-06 | 2000-08-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device having a tapered contact hole |
| KR100414949B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19931208 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
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| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |