JPH05194943A - Organic electroluminescent device - Google Patents
Organic electroluminescent deviceInfo
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- JPH05194943A JPH05194943A JP4203318A JP20331892A JPH05194943A JP H05194943 A JPH05194943 A JP H05194943A JP 4203318 A JP4203318 A JP 4203318A JP 20331892 A JP20331892 A JP 20331892A JP H05194943 A JPH05194943 A JP H05194943A
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- carbon atoms
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Tgおよび融点が高く長寿命の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を開発すること。
【構成】一般式(I)
【化1】
(式中、R1 ,R2 ,R7 ,R8 およびXは明細書に記
載した通りである。)または、一般式(II)
【化2】
(式中、R1 ,R2 ,R7 ,R8 およびXは明細書に記
載した通りである。)で表される化合物を正孔注入材料
として用いる有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。(57) [Abstract] [Purpose] To develop an organic electroluminescence device having a high Tg and melting point and a long life. [Structure] General formula (I) (In the formulae, R 1 , R 2 , R 7 , R 8 and X are as described in the specification.) Or, the compound represented by the general formula (II): (In the formula, R 1 , R 2 , R 7 , R 8 and X are as described in the specification.) An organic electroluminescence device using a compound as a hole injection material.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくはガラス転移温度(Tg)お
よび融点の高い正孔注入材料を用いた、長寿命の有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device, and more particularly to a long-life organic electroluminescence device using a hole injection material having a high glass transition temperature (Tg) and a high melting point.
【0002】[0002]
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】エレ
クトロルミネッセンス素子(EL素子)は、自己発光の
ため視認性が高く、また、完全固体素子であり、耐衝撃
性に優れるという特徴を有していることから、現在、無
機・有機化合物を用いた様々な素子が提案され、かつ、
実用化が試みられている。これらの素子のうち、有機E
L素子は印加電圧を大幅に低下させることができるの
で、各種材料や素子の開発が進められている。前記有機
EL素子の構成については、様々なものがあるがITO
/正孔注入層/発光層/陰極の素子構成における正孔注
入層の材料として、芳香族第3級アミンを用いることが
開示されている(特開昭63−295695号公報)。
この芳香族第3級アミンの特に好ましい例としては、Q
1 −G−Q2 の構造式で表されている。ここで、Q1 と
Q2 はそれぞれ独立に芳香族第3級アミンであり、Gは
アリーレン,シクロアルキレンあるいはアルキレン基の
ような連結基または炭素−炭素結合基である。この素子
構成により20V以上の印加電圧で数百cd/m 2 の高
輝度を可能とした。しかし、ここで用いられる正孔注入
材料である例えば、N,N,N’,N’−テトラフェニ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4
−ジ−p−トリルアミノフェニル)−シクロヘキサン等
を用いた正孔注入層は、時間とともに再結晶化が生じる
ため、素子のピンホールの形成や通電劣化が時間ととも
に進行し、長寿命の素子を得るためには問題があった。
これは、正孔注入材料として用いた芳香族第3級アミン
の融点が200℃以下と低く、また非晶状態においては
ガラス転移温度(Tg)が90℃以下であり、その結
果、耐熱性が小さく、熱的劣化が室温においても進行す
るためであった。また、スチリルアミン誘導体を正孔注
入層として用いた技術が開示されている(特開平3−5
4289号公報)が、これもまた正孔注入層のTgが9
0℃以下であり上記問題点は解決されていなかった。さ
らに、素子材料としてジスチリルベンゼン誘導体を用い
た技術が開示されている(特開平3−163187号公
報)が、これも正孔注入層のTgが90℃以下であり上
記問題点は解決されていなかった。PRIOR ART AND PROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION
Ctroluminescence elements (EL elements) are self-luminous.
Therefore, it has high visibility, and it is a solid-state element, and it is shock resistant.
Since it has excellent characteristics,
Various devices using organic and organic compounds have been proposed, and
Practical application is being attempted. Of these elements, organic E
L element can significantly reduce the applied voltage
Therefore, the development of various materials and devices is in progress. The organic
There are various EL element configurations, but ITO
/ Hole injection layer / light-emitting layer / hole injection in cathode device configuration
The use of aromatic tertiary amines as the material for the layer
It has been disclosed (JP-A-63-295695).
Particularly preferable examples of the aromatic tertiary amine include Q
1-G-Q2It is represented by the structural formula. Where Q1When
Q2Are each independently an aromatic tertiary amine, and G is
Of arylene, cycloalkylene or alkylene groups
Such linking groups or carbon-carbon bonding groups. This element
Depending on the configuration, an applied voltage of 20 V or more will cause several hundred cd / m 2High
Brightness made possible. However, the hole injection used here
The material is, for example, N, N, N ', N'-tetraphenyl
Ru-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4
-Di-p-tolylaminophenyl) -cyclohexane etc.
Recrystallization occurs in the hole injection layer using
Therefore, the formation of pinholes in the element and deterioration of energization over time
However, there was a problem in obtaining a device having a long life.
This is an aromatic tertiary amine used as a hole injection material.
Has a low melting point of less than 200 ° C, and in the amorphous state
The glass transition temperature (Tg) is 90 ° C or lower,
As a result, heat resistance is low, and thermal deterioration progresses even at room temperature.
Because it was. Also, inject the styrylamine derivative with holes.
A technique used as an entrance layer is disclosed (JP-A-3-5).
4289), the Tg of the hole injection layer is also 9
Since the temperature was 0 ° C. or lower, the above problems were not solved. It
In addition, a distyrylbenzene derivative was used as the device material.
Japanese Patent Laid-Open No. 3-163187
However, this also shows that the Tg of the hole injection layer is below 90 ° C.
The problem was not solved.
【0003】[0003]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、Tgおよび
融点が高いジスチリルベンゼン誘導体を正孔注入材料に
用いることにより、長寿命の有機EL素子が得られるこ
とを見出した。Therefore, the present inventors have
As a result of intensive studies to solve the above problems, it was found that a long-life organic EL device can be obtained by using a distyrylbenzene derivative having a high Tg and a high melting point as a hole injection material.
【0004】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式(I)The present invention has been completed based on such findings. That is, the present invention has the general formula (I)
【0005】[0005]
【化4】 [Chemical 4]
【0006】(式中、R1 およびR2 はそれぞれ独立に
炭素数1〜10のアルキル基,炭素数6〜20のアリー
ル基,炭素数6〜20のアルキル基置換アリール基,炭
素数6〜20のアリールオキシ基置換アリール基または
炭素数6〜20のアルコキシ基置換アリール基を示す。
R7 およびR8 はそれぞれ独立に水素,炭素数1〜10
のアルキル基,炭素数6〜20のアリール基,炭素数1
〜10のアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール
オキシ基を示す。また、Xは式(In the formula, R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkyl group-substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms. 20 shows an aryloxy group-substituted aryl group having 20 or an alkoxy group-substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
R 7 and R 8 are each independently hydrogen and having 1 to 10 carbon atoms.
Alkyl group, C6-20 aryl group, C1
It shows an alkoxy group having 10 to 10 or an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms. Also, X is the formula
【0007】[0007]
【化5】 [Chemical 5]
【0008】(ここで、R3 〜R6 はそれぞれ独立に水
素,炭素数1〜10のアルキル基または炭素数1〜10
のアルコキシ基を示す。)で表される2価の基を示
す。)または、一般式(II)(Here, R 3 to R 6 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or 1 to 10 carbon atoms.
Is an alkoxy group. ) Is a divalent group. ) Or general formula (II)
【0009】[0009]
【化6】 [Chemical 6]
【0010】(式中、R1 ,R2 ,R7 ,R8 およびX
は前記と同じである。)で表される化合物を正孔注入材
料として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供するものである。(Wherein R 1 , R 2 , R 7 , R 8 and X
Is the same as above. The present invention provides an organic electroluminescence device characterized by using the compound represented by the formula (1) as a hole injection material.
【0011】本発明において、正孔注入材料として用い
られる化合物は、上記一般式(I)または(II)で表さ
れる化合物である。ここで、R1 ,R2 はそれぞれ独立
に炭素数1〜10のアルキル基(メチル基,エチル基,
n−プロピル基,i−プロピル基,n−ブチル基,i−
ブチル基,sec −ブチル基,tert−ブチル基,イソペン
チル基,t-ペンチル基,ネオペンチル基,イソヘキシル
基,ヘプチル基,オクチル基,ノニル基,デシル基
等)、炭素数6〜20のアリール基(フェニル基,ナフ
チル基,ビフェニル基,アントラニル基,フェナントラ
ニル基等)、炭素数6〜20のアルキル基置換アリール
基(トリル基,ジメチルフェニル基,エチルフェニル
基,メチルナフチル基,ジメチルナフチル基等)、炭素
数6〜20のアルコキシ基置換アリール基(メトキシフ
ェニル基,エトキシフェニル基,メトキシナフチル基,
エトキシナフチル基等)、炭素数6〜20のアリールオ
キシ基置換アリール基(フェノキシフェニル基,ナフソ
オキシフェニル基,フェノキシナフチル基,フェノキシ
アントラニル基等)を示し、R7 ,R8 はそれぞれ独立
に水素,炭素数1〜10のアルキル基(メチル基,エチ
ル基,n−プロピル基,i−プロピル基,n−ブチル
基,i−ブチル基,sec −ブチル基,tert−ブチル基,
イソペンチル基,tert−ペンチル基,ネオペンチル基,
イソヘキシル基,ヘプチル基,オクチル基,ノニル基,
デシル基等)、炭素数6〜20のアリール基(フェニル
基,ナフチル基,ビフェニル基,アントラニル基,フェ
ナントラニル基等)、炭素数1〜10のアルコキシ基
(メトキシ基,エトキシ基,n−プロポキシ基,i−プ
ロポキシ基,n−ブトキシ基,i−ブトキシ基,sec −
ブトキシ基,tert−ブトキシ基,t-ペントキシ基等)ま
たは炭素数6〜10のアリールオキシ基(フェノキシ
基,ナフチルオキシ基等)をを示す。さらに、Xは式In the present invention, the compound used as the hole injecting material is a compound represented by the above general formula (I) or (II). Here, R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (methyl group, ethyl group,
n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-
Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, isopentyl group, t-pentyl group, neopentyl group, isohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, etc.), aryl group having 6 to 20 carbon atoms ( Phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthranyl group, phenanthranyl group, etc.), alkyl group-substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms (tolyl group, dimethylphenyl group, ethylphenyl group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group, etc.), C6-C20 alkoxy group-substituted aryl group (methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, methoxynaphthyl group,
Ethoxynaphthyl group, etc.), aryloxy group-substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms (phenoxyphenyl group, naphthooxyphenyl group, phenoxynaphthyl group, phenoxyanthranyl group, etc.), and R 7 and R 8 are independently hydrogen. , An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group,
Isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group,
Isohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group,
Decyl group), aryl group having 6 to 20 carbon atoms (phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthranyl group, phenanthranyl group, etc.), alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group) , I-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-
Butoxy group, tert-butoxy group, t-pentoxy group, etc.) or aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms (phenoxy group, naphthyloxy group, etc.). Furthermore, X is an expression
【0012】[0012]
【化7】 [Chemical 7]
【0013】で表される2価の基を示す。ここで、R3
〜R6 はそれぞれ独立に水素,炭素数1〜10のアルキ
ル基(メチル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロ
ピル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec −ブチル
基,tert−ブチル基,イソペンチル基,t-ペンチル基,
ネオペンチル基,イソヘキシル基,ヘプチル基,オクチ
ル基,ノニル基,デシル基等)、または炭素数1〜10
のアルコキシ基(メトキシ基,エトキシ基,n−プロポ
キシ基,i−プロポキシ基,n−ブトキシ基,i−ブト
キシ基,sec −ブトキシ基,tert−ブトキシ基,イソペ
ンチルオキシ基,t-ペンチルオキシ基,ネオペンチルオ
キシ基,イソヘキシルオキシ基,ヘプチルオキシ基,オ
クチルオキシ基,ノニルオキシ基,デシルオキシ基等)
を示す。A divalent group represented by: Where R 3
To R 6 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert. -Butyl group, isopentyl group, t-pentyl group,
Neopentyl group, isohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, etc.), or C1-10
Alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, isopentyloxy group, t-pentyloxy group , Neopentyloxy group, isohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, etc.)
Indicates.
【0014】本発明で用いられる一般式(I)または一
般式(II)で表される化合物は、1分子中に2つのメチ
リディン(−HC=CH−)単位を有し、このメチリデ
ィン単位の幾何異性によって、4通りの組合わせ、すな
わち、シス−シス,トランス−シス,シス−トランスお
よびトランス−トランスの構造がある。本発明の正孔注
入材料は、それらのいずれのものであってもよいし、幾
何異性体の混合したものでもよい。特に好ましくは、全
てトランス体のものである。The compound represented by the general formula (I) or the general formula (II) used in the present invention has two methylidyne (-HC = CH-) units in one molecule, and the geometry of the methylidyne unit is Depending on the isomerism, there are four possible combinations: cis-cis, trans-cis, cis-trans and trans-trans. The hole injection material of the present invention may be any of them, or may be a mixture of geometric isomers. Particularly preferably, all are trans.
【0015】本発明のEL素子における一般式(I)ま
たは一般式(II)で表される化合物では、Xとして上述
したような2価の基を用い、またTgが90℃を超える
ような構造を選択することが好ましい。例えば、結合位
置については、フェニレン基では1,4結合位、ビフェ
ニレンでは4,4’結合位またはターフェニレン基では
4,4''' 結合位であり、共役系を切る2価の基として
は、In the compound represented by the general formula (I) or the general formula (II) in the EL device of the present invention, the divalent group as described above is used as X, and the structure in which Tg exceeds 90 ° C. Is preferably selected. For example, the bonding position is 1,4 bond position for phenylene group, 4,4 'bond position for biphenylene or 4,4''' bond position for terphenylene group, and as a divalent group that cuts the conjugated system, ,
【0016】[0016]
【化8】 [Chemical 8]
【0017】等が挙げられる。このような一般式(I)
または(II)で表される正孔注入材料の具体例としてはAnd the like. Such a general formula (I)
Or as a specific example of the hole injection material represented by (II),
【0018】[0018]
【化9】 [Chemical 9]
【0019】[0019]
【化10】 [Chemical 10]
【0020】[0020]
【化11】 [Chemical 11]
【0021】[0021]
【化12】 [Chemical formula 12]
【0022】[0022]
【化13】 [Chemical 13]
【0023】[0023]
【化14】 [Chemical 14]
【0024】[0024]
【化15】 [Chemical 15]
【0025】[0025]
【化16】 [Chemical 16]
【0026】[0026]
【化17】 [Chemical 17]
【0027】[0027]
【化18】 [Chemical 18]
【0028】[0028]
【化19】 [Chemical 19]
【0029】等が挙げられる。上記一般式(I)または
(II)で表される化合物H1〜H30は、ホスホン酸エ
ステルとアルデヒドの混合溶液(溶媒:エタノール,ベ
ンゼン,テトラヒドロフラン(THF),N,N−ジメ
チルホルムアミド(DMF),ジメチルスルホキシド
(DMSO)等)を塩基(NaH,NaNH2 ,ROM
(R:アルキル基,M:Li,Na,K等))の存在下
で反応させ、高収率のオレフィンを与えるWittig-Horne
r反応により容易に合成することができる (Horner L,;
HoffmannH.; Wippel H.G.; Chem. Be r.,(1959) 92, 24
99参照)。And the like. The compounds H1 to H30 represented by the general formula (I) or (II) are mixed solutions of phosphonate ester and aldehyde (solvent: ethanol, benzene, tetrahydrofuran (THF), N, N-dimethylformamide (DMF), Dimethyl sulfoxide (DMSO) etc. is used as a base (NaH, NaNH 2 , ROM)
(R: alkyl group, M: Li, Na, K, etc.) to give a high yield of olefin.
It can be easily synthesized by the r reaction (Horner L ,;
HoffmannH .; Wippel HG; Chem. Be r., (1959) 92, 24
99).
【0030】本発明で用いられる正孔注入材料は、上記
一般式(I)または(II)で表される化合物からなり、
これは正孔注入層の材料としては勿論、発光層の材料と
しても利用することができる。本発明の有機EL素子に
おける正孔注入層は、上記正孔注入材料よりなり、陽極
より注入された正孔を、発光層に伝達する機能を持つ。
この層をEL素子の陽極と発光層間に挟むことにより低
電圧でより多くの正孔が発光層に注入され、素子の輝度
は向上する。この正孔注入層の正孔注入材料は、電場を
与えられた二個の電極間に配置されて陽極からの正孔の
注入を容易にすると共に、正孔を適切に発光層へ伝達す
ることができる化合物である。正孔注入層を陽極と発光
層との間に挟むことにより、より低い電界で多くの正孔
が発光層に注入される。さらに、陰極や電子注入層から
発光層に注入された電子は、発光層と正孔注入層の界面
に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付近
に蓄積され発光効率が向上する。ここで好ましい正孔注
入材料は、104 〜106 ボルト/cmの電場を与えら
れた電極間に層が配置された場合、少なくとも10-6c
m2 /ボルト・秒の正孔移動度をもつ。The hole injection material used in the present invention comprises a compound represented by the above general formula (I) or (II),
This can be used not only as a material for the hole injection layer but also as a material for the light emitting layer. The hole injection layer in the organic EL device of the present invention is made of the above hole injection material and has a function of transmitting the holes injected from the anode to the light emitting layer.
By sandwiching this layer between the anode of the EL element and the light emitting layer, more holes are injected into the light emitting layer at a low voltage, and the brightness of the element is improved. The hole injecting material of the hole injecting layer is disposed between two electrodes provided with an electric field to facilitate the injection of holes from the anode, and at the same time, appropriately transfer the holes to the light emitting layer. It is a compound that can By sandwiching the hole injection layer between the anode and the light emitting layer, many holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field. Further, the electrons injected from the cathode or the electron injection layer into the light emitting layer are accumulated near the interface in the light emitting layer due to the electron barrier existing at the interface between the light emitting layer and the hole injection layer, and the luminous efficiency is improved. Preferred hole injecting materials herein are at least 10 -6 c when the layer is placed between electrodes that are provided with an electric field of 10 4 -10 6 volts / cm.
It has a hole mobility of m 2 / volt · second.
【0031】本発明の有機EL素子における積層構造
は、(1)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰
極の順に積層,(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
の順に積層,(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極の
順に積層あるいは(4)陽極/発光層/陰極をこの順序
で積層したものが好ましい。なお、これらの有機EL素
子は、支持基板上に形成することが好ましい。本発明の
有機EL素子において使用できる基板は、透明性を有す
るものが好ましく、一般にガラス,透明プラスチック,
石英等が充当される。このEL素子における正極として
は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例
としてはAuなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,
ZnOなどの導電性透明材料が挙げられる。該正極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより作製することができ
る。この電極より発光を取り出す場合には、透過率を1
0%より大きくすることが望ましく、また、電極として
のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚
は材料にもよるが、通常10nm〜1μm,好ましくは
10〜200nmの範囲で選ばれる。一方、陰極として
は、仕事関数の小さい(4eV以下)金属,合金,電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが用いられる。このような電極物質の具体例として
は、ナトリウム,ナトリウム−カリウム合金,マグネシ
ウム,リチウム,マグネシウム/銅混合物,Al/Al
2 O3 ,インジウムなどが挙げられる。該陰極は、これ
らの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が
好ましく、膜厚は通常10〜500nm,好ましくは5
0〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過さ
せるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一
方が、透明または半透明であれば発光効率が向上し好都
合である。The laminated structure in the organic EL device of the present invention is as follows: (1) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode laminated in this order, (2) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode. It is preferable that the layers are laminated in this order, (3) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode are laminated in this order, or (4) anode / light emitting layer / cathode are laminated in this order. It should be noted that these organic EL elements are preferably formed on a supporting substrate. The substrate that can be used in the organic EL device of the present invention is preferably a substrate having transparency, and generally glass, transparent plastic,
Quartz or the like is used. As the positive electrode in this EL element, a material having an electrode substance of a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a large work function (4 eV or more) and a mixture thereof is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, ITO, SnO 2 ,
A conductive transparent material such as ZnO may be used. The positive electrode is
These electrode materials can be produced by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering. When taking out light emission from this electrode, the transmittance is set to 1
It is desirable to make it larger than 0%, and the sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm. On the other hand, as the cathode, one having a low work function (4 eV or less) metal, alloy, electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloys, magnesium, lithium, magnesium / copper mixtures, Al / Al.
Examples include 2 O 3 and indium. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance of the electrode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 to 500 nm, preferably 5
It is selected in the range of 0 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, it is convenient that either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent so that the luminous efficiency is improved.
【0032】また、本発明では、発光層の発光材料につ
いて特に制限されることはなく、従来公知の化合物の中
から任意のものを選択して用いることができる。なお、
上記一般式(I)または(II)で表される化合物を発光
層の一部に混入することもできる。Further, in the present invention, the light emitting material of the light emitting layer is not particularly limited, and any one of conventionally known compounds can be selected and used. In addition,
The compound represented by the general formula (I) or (II) can be mixed in a part of the light emitting layer.
【0033】発光材料としては、例えば、多環縮合芳香
族化合物、ベンゾオキサゾール系,ベンゾチアゾール
系,ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物
等薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。ここ
で、上記多環縮合芳香族化合物としては、例えばアント
ラセン,ナフタレン,フェナントレン,ピレン,クリセ
ン,ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約8個の縮
合環を含む他の縮合環発光物質等を挙げることができ
る。Examples of the light-emitting material include polycyclic condensed aromatic compounds, benzoxazole-based, benzothiazole-based, benzimidazole-based optical brighteners, metal chelated oxanoide compounds, distyrylbenzene-based compounds, and the like. It is possible to use a compound having a good Here, as the polycyclic fused aromatic compound, for example, a condensed ring light-emitting substance containing anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, and perylene skeleton, or another condensed ring light-emitting substance containing about eight condensed rings is used. Can be mentioned.
【0034】上記ベンゾオキサゾール系,ベンゾチアゾ
ール系,ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤として
は、例えば特開昭59−194393号公報に記載され
ているものを用いることができ、その代表例としては、
2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾ
オキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール;4,
4’−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサ
ゾリル)スチルベン;4,4’−ビス(5,7−ジ−
(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル)スチルベン;2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−
ビス(5−(α,α,−ジメチルベンジル)−2−ベン
ゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−ビス(5,7−
ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾ
リル)−3,4−ジフェニルチオフェン;2,5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;
4,4’−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニ
ル;5−メチル−2−(2−(4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサゾリル)フェニル)ビニル)ベンゾオキサ
ゾール;2−(2−(4−クロロフェニル)ビニル)ナ
フト(1,2−d)オキサゾール等のベンゾオキサゾー
ル系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)−ビス
ベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、2−(2−
(4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル)ビニル)
ベンゾイミダゾール;2−(2−(4−カルボキシフェ
ニル)ビニル)ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾ
ール系等の蛍光増白剤が挙げられる。As the above-mentioned fluorescent whitening agents of the benzoxazole type, benzothiazole type, benzimidazole type and the like, for example, those described in JP-A-59-194393 can be used, and representative examples thereof can be used. ,
2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole; 4,
4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene; 4,4'-bis (5,7-di-
(2-Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl) stilbene; 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophene; 2,5-
Bis (5- (α, α, -dimethylbenzyl) -2-benzoxazolyl) thiophene; 2,5-bis (5,7-
Di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl) -3,4-diphenylthiophene; 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thiophene;
4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl; 5-methyl-2- (2- (4- (5-methyl-2-
Benzoxazolyl) phenyl) vinyl) benzoxazole; benzoxazoles such as 2- (2- (4-chlorophenyl) vinyl) naphtho (1,2-d) oxazole, 2,2 '-(p-phenylenedivinylene) ) -Bisbenzothiazole and other benzothiazoles, 2- (2-
(4- (2-benzimidazolyl) phenyl) vinyl)
Benzimidazole; Fluorescent brighteners such as benzimidazole series such as 2- (2- (4-carboxyphenyl) vinyl) benzimidazole.
【0035】上記金属キレート化オキサノイド化合物と
しては、例えば特開昭63−295695号公報に記載
されているものを用いることができる。その代表例とし
ては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム,ビス
(8−キノリノール)マグネシウム,ビス(ベンゾ
(f)−8−キノリノール)亜鉛,ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)アルミニウムオキシド,トリス
(8−キノリノール)インジウム,トリス(5−メチル
−8−キノリノール)アルミニウム,8−キノリノール
リチウム,トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム,ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシ
ウム,ポリ(亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリノニル)メタン)等の8−ヒドロキシキノリン系
金属鎖体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられ
る。As the metal chelated oxanoide compound, for example, those described in JP-A-63-295695 can be used. Typical examples are tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo (f) -8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-).
8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis (5-chloro-) 8-quinolinol) calcium, poly (zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-
Examples thereof include 8-hydroxyquinoline-based metal chain bodies such as quinolinonyl) methane) and dilithium epindridione.
【0036】他には、欧州特許第0373582号明細
書に記載のジスチリルベンゼン誘導体,同038876
8号明細書に記載のジメチリデン誘導体、特開平2−1
91694号公報のクマリン誘導体、特開平2−252
793号公報のジスチリルピラジン誘導体、特開平2−
196885号公報のペリレン誘導体、特開平2−25
5789号公報のナフタレン誘導体、特開平2−289
676号公報および同2−88689号公報のフタロペ
リノン誘導体、特開平2−250292号公報のスチリ
ルアミン誘導体および同2−289675号公報のシク
ロペンタジエン誘導体等、目的とする発光色および性能
等から適宜選択することができる。上記の有機化合物か
らなる発光層は、所望に応じて2層以上の積層構造でも
よく、米国特許第4,769,292号明細書に開示さ
れているように蛍光物質を加えて形成してもよい。この
場合上記有機化合物は薄膜状の層であり、発光領域の機
能の注入機能および発光機能の一部を受持ち、一方、蛍
光物質はその有機化合物の層の中に微量(数モル%以
下)存在させ、電子と正孔の再結合に応答して発光する
といった発光機能の一部を担っている。さらに、発光領
域に用いる有機化合物は薄膜性を有していない化合物で
あってもよく、このような化合物の例としては、1,4
−ジフェニル−1,3−ブタジエン;1,1,4,4−
テトラフェニル−1,3−ブタジエン;テトラフェニル
シクロペンタジエン等が挙げられる。しかし、これらの
薄膜性を有しない材料は、素子の寿命が短い欠点を有す
る。一方、本発明の有機EL素子では、電子注入層はな
くてもよいが、電子注入層を有するものが更に好まし
く、発光性能が一段と向上する。電子注入層は電子を伝
達する化合物よりなる。電子注入層を形成する電子注入
材料の好ましい例としては、Besides, distyrylbenzene derivatives described in European Patent No. 0373582, 038876.
Dimethylidene derivative described in Japanese Patent No.
Coumarin derivative of Japanese Patent No. 91694, JP-A-2-252
Distyrylpyrazine derivatives disclosed in Japanese Patent No. 793, JP-A-2-
Perylene derivative of 196885, JP-A 2-25
Naphthalene derivatives disclosed in Japanese Patent No. 5789, JP-A-2-289
The phthaloperinone derivative of JP-A No. 676 and JP-A No. 2-88689, the styrylamine derivative of JP-A No. 2-250292, and the cyclopentadiene derivative of JP-A No. 2-289675 are appropriately selected depending on the desired emission color and performance. be able to. The light emitting layer made of the above organic compound may have a laminated structure of two or more layers as desired, and may be formed by adding a fluorescent substance as disclosed in US Pat. No. 4,769,292. Good. In this case, the above-mentioned organic compound is a thin film-like layer and is responsible for a part of the injection function and the light-emitting function of the function of the light emitting region, while the fluorescent substance is present in the layer of the organic compound in a trace amount (several mol% or less). It plays a part of a light emitting function of emitting light in response to recombination of electrons and holes. Further, the organic compound used in the light emitting region may be a compound having no thin film property, and examples of such a compound include 1,4
-Diphenyl-1,3-butadiene; 1,1,4,4-
Tetraphenyl-1,3-butadiene; tetraphenylcyclopentadiene and the like. However, these materials that do not have a thin film property have a shortcoming that the life of the device is short. On the other hand, in the organic EL device of the present invention, the electron injection layer may be omitted, but a device having an electron injection layer is more preferable, and the light emission performance is further improved. The electron injection layer is composed of a compound that transmits electrons. Preferred examples of the electron injection material forming the electron injection layer include:
【0037】[0037]
【化20】 [Chemical 20]
【0038】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、特
開昭57−149259号,同58−55450号,同
63−104061号公報等に記載されているアントラ
キノジメタン誘導体、Polymer Preprints, Japan Vol.
37, No. 3(1988),p.681等に記載されているNitro-substituted fluorenone derivatives such as those described above, anthraquinodimethane derivatives described in JP-A-57-149259, 58-55450, 63-104061 and the like, Polymer Preprints, Japan Vol.
37, No. 3 (1988), p.681 etc.
【0039】[0039]
【化21】 [Chemical 21]
【0040】などのジフェニルキノン誘導体、などのチ
オピランジオキシド誘導体、J. J. APPl. Phys., 27, L
269(1988)等に記載されているDiphenylquinone derivatives such as thiopyran dioxide derivatives such as JJ APPl. Phys., 27, L
269 (1988) etc.
【0041】[0041]
【化22】 [Chemical formula 22]
【0042】などのチオピランジオキシド誘導体、J.
J. Appl. Phys., 27, L 269(1988)等に記載されているThiopyran dioxide derivatives such as J.
J. Appl. Phys., 27, L 269 (1988) etc.
【0043】[0043]
【化23】 [Chemical formula 23]
【0044】で表される化合物、特開昭60−6965
7号,同61−143764号,同61−148159
号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘導
体、特開昭61−225151号,同61−23375
0号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導
体およびアントロン誘導体などをあげることができる。
また、次の一般式(III)および(IV)A compound represented by: JP-A-60-6965
No. 7, No. 61-143764, No. 61-148159.
Fluorenylidene methane derivatives described in JP-A Nos. 61-225151 and 61-23375.
Examples thereof include the anthraquinodimethane derivative and anthrone derivative described in JP-A-0.
In addition, the following general formulas (III) and (IV)
【0045】[0045]
【化24】 [Chemical formula 24]
【0046】(式中、Ar3 〜Ar5 およびAr7 はそ
れぞれ独立にアリール基を示し、Ar 6 はアリーレン基
を示す。これらのアリール基およびアリーレン基は置換
されていても、置換されていなくてもよい。)で表され
る化合物を挙げることができる。ここで、アリール基と
しては、フェニル基,ナフチル基,ビフェニル基,アン
トラニル基,ペリレニル基,ピレニル基等が挙げられ、
アリーレン基としては、フェニレン基,ナフチレン基,
ビフェニレン基,アントラセニレン基,ペリレニレン
基,ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基として
は、炭素数1〜10のアルキル基,炭素数1〜10のア
ルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この一般式
(III)および(IV)で表される化合物は、薄膜形成性の
ものが好ましい。この一般式(III)および(IV)で表さ
れる化合物の具体例としては、(In the formula, Ar3~ ArFiveAnd Ar7Haso
Each independently represents an aryl group, Ar 6Is an arylene group
Indicates. These aryl and arylene groups are substituted
It may or may not be substituted. )
Compounds can be mentioned. Where the aryl group and
Phenyl group, naphthyl group, biphenyl group,
Examples thereof include a tolanyl group, a perylenyl group, a pyrenyl group, and the like,
As the arylene group, a phenylene group, a naphthylene group,
Biphenylene group, Anthracenylene group, Perylene
Group, pyrenylene group and the like. Also, as a substituent
Is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
Examples thereof include lucoxy group and cyano group. This general formula
The compounds represented by (III) and (IV) are thin film-forming compounds.
Those are preferable. This is represented by the general formulas (III) and (IV)
Specific examples of the compound
【0047】[0047]
【化25】 [Chemical 25]
【0048】[0048]
【化26】 [Chemical formula 26]
【0049】[0049]
【化27】 [Chemical 27]
【0050】等が挙げられる。このような素子材料を用
いて、前述した(1)陽極/正孔注入層/発光層/電子
注入層/陰極の構成の有機EL素子を作成するには、例
えば次の如き手順にしたがえばよい。即ち、まず、基板
上に電極を蒸着もしくはスパッタ法にて製膜する。この
際、膜状の電極の膜厚は、一般に10nm〜1μm、特
に200nm以下が、発光の透過率を高める上で好まし
い。次に、この電極の上に正孔注入材料を薄膜状に形成
して正孔注入層とする。この際の薄膜化方法は、スピン
コート,キャスト,蒸着法等があるが、均一な膜が得や
すいこと、およびピンホールが生成しないことから、と
りわけ真空蒸着法が好ましい。薄膜化に際して蒸着法を
採用する場合、その蒸着の条件は、例えばボート加熱温
度50〜400℃,真空度10-5〜10-3Pa ,蒸着速
度0.01〜50nm/秒,基板温度−50〜+300℃
の範囲で膜厚5nm〜5μmとなるように選定すればよ
い。なお、上述した条件は、化合物の種類および分子堆
積膜の目的とする結晶構造,会合構造等により異なり、
一義的に定めることはできないが、ボートの加熱温度を
化合物が分解しない温度にとどめることが好ましい。こ
の正孔注入層の形成後、発光材料を例えば真空蒸着法に
より、上記発光層の上に積層薄膜化する。この際の蒸着
条件は、前記発光層の形成の際の条件と同様である。次
いで、電子注入層も同様にして形成する。その後、対向
電極を蒸着法やスパッタ法にて膜厚50〜200nmで
形成すれば、目的の有機EL素子が作成される。ここ
で、正孔注入層/発光層/電子注入層の順序を、電子注
入層/発光層/正孔注入層に変えて、電極/電子注入層
/発光層/正孔注入層/電極の順に作製してもよい。And the like. In order to prepare an organic EL device having the above-mentioned constitution (1) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode using such a device material, for example, the following procedure is used. Good. That is, first, an electrode is formed on the substrate by vapor deposition or sputtering. At this time, the film thickness of the film-like electrode is generally 10 nm to 1 μm, and particularly preferably 200 nm or less in order to increase the transmittance of light emission. Next, a hole injection material is formed in a thin film on this electrode to form a hole injection layer. The thinning method at this time includes spin coating, casting, vapor deposition and the like, but the vacuum vapor deposition is particularly preferable because a uniform film is easily obtained and pinholes are not formed. When the vapor deposition method is adopted for thinning, the vapor deposition conditions are, for example, boat heating temperature 50 to 400 ° C., vacuum degree 10 −5 to 10 −3 Pa, vapor deposition rate 0.01 to 50 nm / sec, substrate temperature −50. ~ + 300 ℃
The film thickness may be selected to be 5 nm to 5 μm in the range. The above-mentioned conditions differ depending on the type of compound and the target crystal structure, association structure, etc. of the molecular deposited film,
Although it cannot be uniquely determined, it is preferable to keep the heating temperature of the boat at a temperature at which the compound does not decompose. After forming the hole injection layer, a light emitting material is laminated on the light emitting layer to form a thin film by, for example, a vacuum deposition method. The vapor deposition conditions at this time are the same as the conditions at the time of forming the said light emitting layer. Then, the electron injection layer is formed in the same manner. After that, a counter electrode is formed by a vapor deposition method or a sputtering method to have a film thickness of 50 to 200 nm, whereby a target organic EL element is prepared. Here, the order of hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer is changed to electron injection layer / light emitting layer / hole injection layer, and the order of electrode / electron injection layer / light emitting layer / hole injection layer / electrode is changed. You may produce.
【0051】また、(2)陽極/正孔注入層/発光層/
陰極の構成のEL素子を作成するには、まず電極,正孔
注入輸送層,発光層,対向電極を上記(1)の有機EL
素子と同様に形成すれば、目的とする上記(2)の構成
の有機EL素子が作成される。(2) Anode / hole injection layer / light emitting layer /
In order to prepare an EL device having a cathode structure, first, the electrode, the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer, and the counter electrode are formed by the organic EL device of (1)
If formed in the same manner as the element, the intended organic EL element having the above-mentioned configuration (2) is produced.
【0052】さらに、(3)陽極/発光層/陰極の構成
の有機EL素子を作成するには、前述の(1)の構成の
有機EL素子を作成する際に、正孔注入層および電子注
入層の形成を省略すればよい。また、一対の電極間に正
孔注入材料,発光材料,電子注入材料を混合させた形で
電極間に挟持させ発光層とした、陽極/発光層/陰極か
らなる素子の場合の作製方法としては、例えば適当な基
板の上に、陽極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入
材料,発光材料,電子注入材料,ポリビニルカルバゾー
ル等の結着剤等からなる溶液を塗布するか、またはこの
溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させるものがあ
る。ここで、作製した発光層上に、さらに発光層の材料
となる素子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質から
なる薄膜を形成させてもよい。Further, (3) to prepare an organic EL device having the structure of anode / light emitting layer / cathode, a hole injection layer and an electron injection are carried out when the organic EL device of the above structure (1) is prepared. The formation of layers may be omitted. Further, as a manufacturing method in the case of an element composed of an anode / a light emitting layer / a cathode, in which a hole injecting material, a light emitting material and an electron injecting material are mixed between a pair of electrodes and sandwiched between the electrodes to form a light emitting layer, , For example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate, and a solution of a hole injecting material, a light emitting material, an electron injecting material, a binder such as polyvinylcarbazole, or the like is applied, or this solution is applied. To form a thin film by a dip coating method from
There is one in which a thin film made of a substance for a cathode is formed thereon. Here, an element material which is a material of the light emitting layer may be further vacuum-deposited on the manufactured light emitting layer, and a thin film made of a substance for a cathode may be formed thereon.
【0053】以上のようにして得られた本発明の有機E
L素子は、印加電圧が交流の場合(交流駆動)には、陽
極側にプラスの電圧が印加されているバイアス状態の時
のみ発光が観測される。また、印加電圧が直流の場合
(直流駆動)には、陽極側にプラスの電圧を印加するこ
とにより常に発光が観測される。Organic E of the present invention obtained as described above
When the voltage applied to the L element is AC (AC drive), light emission is observed only in the bias state in which a positive voltage is applied to the anode side. Further, when the applied voltage is DC (DC drive), light emission is always observed by applying a positive voltage to the anode side.
【0054】[0054]
【実施例】次に本発明を合成例,実施例および比較例に
よりさらに詳しく説明する。 合成例1EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to synthesis examples, examples and comparative examples. Synthesis example 1
【0055】[0055]
【化28】 [Chemical 28]
【0056】で表されるホスホン酸エステル1.8gをア
ルゴン雰囲気下でDMSO20ミリリットルに溶解し、
カリウム−t−ブトキシド(tBuOK)1.0gを加え
た。その後、N−エチルカルバゾール−3−カルボキシ
アルデヒド2.0gを加え、室温で5時間攪拌した。得ら
れた反応物へメタノール100ミリリットルを加た結
果、黄色の粉末が析出した。この粉末にI2 を含むベン
ゼン溶液を加え再結晶させたところ、0.8gの黄色の粉
末を得た。得られた生成物の融点は300℃以上であっ
た。1.8 g of a phosphonate ester represented by is dissolved in 20 ml of DMSO under an argon atmosphere,
1.0 g of potassium-t-butoxide (tBuOK) was added. Then, 2.0 g of N-ethylcarbazole-3-carboxaldehyde was added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. As a result of adding 100 ml of methanol to the obtained reaction product, a yellow powder was deposited. A benzene solution containing I 2 was added to this powder and recrystallized to obtain 0.8 g of a yellow powder. The melting point of the obtained product was 300 ° C. or higher.
【0057】また、プロトン核磁気共鳴( 1H−NMR
スペクトル),赤外吸収(IR)スペクトルおよび元素
分析の測定結果を以下に示す。 1 H−NMR(溶媒:CDCl2 ,標準:テトラメチ
ルシラン(TMS)) δ(ppm)=6.9〜8.5(m,26H:中心ビフェニ
レン環およびカルバゾール環のH) δ(ppm)=4.3(q,4H:エチル基のメチレン
(−CH2 −)) δ(ppm)=1.4(t,6H:エチル基のメチル(−
CH3 −)) IRスペクトル(KBr錠剤法) νC=C ;1600cm-1 (C=Cの伸縮振動) δC-H ; 975cm-1 (C−Hの面外変角振動) 元素分析(カッコ内は理論値) C:88.82%(89.15) H: 5.98%( 6.12) N: 4.45%( 4.73) 元素構成:C44H36N2 上記の測定結果より、得られた化合物はFurther, proton nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR
Spectrum), infrared absorption (IR) spectrum, and measurement results of elemental analysis are shown below. 1 H-NMR (solvent: CDCl 2 , standard: tetramethylsilane (TMS)) δ (ppm) = 6.9 to 8.5 (m, 26H: H of central biphenylene ring and carbazole ring) δ (ppm) = 4.3 (q, 4H: methylene (—CH 2 —) of ethyl group) δ (ppm) = 1.4 (t, 6H: methyl of ethyl group (−)
CH 3 -)) IR spectrum (KBr tablet method) ν C = C; 1600cm -1 ( stretching vibration of C = C) δ CH; 975cm -1 ( out-of-plane deformation vibration of CH) Elemental analysis (in parentheses Is the theoretical value) C: 88.82% (89.15) H: 5.98% (6.12) N: 4.45% (4.73) Elemental composition: C 44 H 36 N 2 Therefore, the obtained compound is
【0058】[0058]
【化29】 [Chemical 29]
【0059】であることが確認された。It was confirmed that
【0060】合成例2Synthesis Example 2
【0061】[0061]
【化30】 [Chemical 30]
【0062】で表されるホスホン酸エステル1.8gをア
ルゴン雰囲気下でDMSO20ミリリットルに溶解し、
tBuOK1.0gを加えた。その後、N−エチルカルバ
ゾール−3−カルボキシアルデヒド2.0gを加え、室温
で5時間攪拌した。得られた反応物へメタノール100
ミリリットルを加た結果、白色の粉末が析出した。この
粉末にI2 を含むベンゼン溶液を加え再結晶させたとこ
ろ、0.8gの白色の粉末を得た。得られた生成物の融点
は237〜238℃であった。1.8 g of a phosphonate ester represented by is dissolved in 20 ml of DMSO under an argon atmosphere,
1.0 g of tBuOK was added. Then, 2.0 g of N-ethylcarbazole-3-carboxaldehyde was added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. 100 to the obtained reaction product
As a result of adding milliliter, a white powder was deposited. When a benzene solution containing I 2 was added to this powder for recrystallization, 0.8 g of a white powder was obtained. The melting point of the obtained product was 237 to 238 ° C.
【0063】また、プロトン核磁気共鳴( 1H−NM
R)スペクトル,赤外吸収(IR)スペクトルおよび元
素分析の測定結果を以下に示す。 1 H−NMR(溶媒:CDCl2 ,標準:テトラメチ
ルシラン(TMS)) δ(ppm)=6.9〜8.1(m,28H:芳香族環およ
びカルバゾール環のH) δ(ppm)=4.25(q,
4H:エチル基のメチレン(−CH2 −)) δ(ppm)=1.4(t,6H:エチル基のメチル(−
CH3 −)) IRスペクトル(KBr錠剤法) νC=C ;1600cm-1 (C=Cの伸縮振動) δC-H ; 975cm-1 (C−Hの面外変角振動) 元素分析(カッコ内は理論値) C:86.53%(86.81) H: 5.72%( 5.96) N: 4.32%( 4.60) 元素構成:C44H36N2 O 上記の測定結果より、得られた化合物はFurther, proton nuclear magnetic resonance ( 1 H-NM
The measurement results of R) spectrum, infrared absorption (IR) spectrum and elemental analysis are shown below. 1 H-NMR (solvent: CDCl 2 , standard: tetramethylsilane (TMS)) δ (ppm) = 6.9 to 8.1 (m, 28 H: H of aromatic ring and carbazole ring) δ (ppm) = 4.25 (q,
4H: methylene of ethyl group (—CH 2 —)) δ (ppm) = 1.4 (t, 6H: methyl of ethyl group (−)
CH 3 -)) IR spectrum (KBr tablet method) ν C = C; 1600cm -1 ( stretching vibration of C = C) δ CH; 975cm -1 ( out-of-plane deformation vibration of CH) Elemental analysis (in parentheses Is the theoretical value) C: 86.53% (86.81) H: 5.72% (5.96) N: 4.32% (4.60) Elemental composition: C 44 H 36 N 2 O From the results, the obtained compound is
【0064】[0064]
【化31】 [Chemical 31]
【0065】であることが確認された。It was confirmed that
【0066】合成例3〜20 下記第1表に示したホスホン酸エステル,アルデヒド,
溶媒および塩基を用いたこと以外は、合成例1と同様の
反応を行った。Synthesis Examples 3 to 20 Phosphonates, aldehydes shown in Table 1 below,
The same reaction as in Synthesis Example 1 was performed except that a solvent and a base were used.
【0067】[0067]
【表1】 [Table 1]
【0068】[0068]
【表2】 [Table 2]
【0069】[0069]
【表3】 [Table 3]
【0070】[0070]
【表4】 [Table 4]
【0071】[0071]
【表5】 [Table 5]
【0072】[0072]
【表6】 [Table 6]
【0073】参考例1(正孔注入材料の耐性試験) 本発明で用いる正孔注入材料(H1),(H2),(H
15),(H16)とその他の正孔注入材料(米国特許
第4,127,412号明細書参照)である1,1−ビ
ス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−シクロヘキ
サン(TPAC);N,N,N’,N’−テトラフェニ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)の融点お
よびTgを、融点測定機および示差走査熱量計(DS
C)を用いて測定した。得られた結果を第2表に示す。Reference Example 1 (Tolerance test of hole injection material) Hole injection materials (H1), (H2), (H) used in the present invention.
15), (H16) and other hole injection materials (see US Pat. No. 4,127,412), 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -cyclohexane (TPAC). The melting point and Tg of N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl (TPD) are measured by a melting point measuring device and a differential scanning calorimeter (DS).
It measured using C). The results obtained are shown in Table 2.
【0074】[0074]
【表7】 [Table 7]
【0075】参考例2(熱的劣化測定1) 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板をイソプロ
ピルアルコールを用いて3分間超音波洗浄を行った後、
乾燥窒素を吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さら
に、このガラス基板をUV/O3 ドライストリッパー
(サムコインターナショナル製)で3分間処理し、基板
表面の有機物を除去した。このガラス基板を市販の蒸着
装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダーに固定
し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに正孔注入材料(H
2)を200mg入れ、真空槽を1.5×10-4Paまで
減圧した。その後、前記ボートを330℃まで加熱し、
H2を蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚60nmの層を製膜した。このときの基
板温度は室温であった。得られた薄膜を空気中に放置し
た結果、3週間後も再結晶が生じないことを確認した。Reference Example 2 (Measurement of Thermal Deterioration 1) A 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 3 minutes, and then,
The solvent was removed from the substrate surface by blowing dry nitrogen. Further, this glass substrate was treated with a UV / O 3 dry stripper (manufactured by Samco International) for 3 minutes to remove organic substances on the substrate surface. This glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.), and a hole injection material (H
200 mg of 2) was added and the vacuum chamber was evacuated to 1.5 × 10 −4 Pa. Then heat the boat to 330 ° C,
H2 was vapor-deposited on the transparent supporting substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to form a layer having a thickness of 60 nm. The substrate temperature at this time was room temperature. As a result of leaving the obtained thin film in the air, it was confirmed that recrystallization did not occur even after 3 weeks.
【0076】参考例3(熱的劣化測定2) モリブテン製の抵抗加熱ボートにTPDを200mg入
れ、前記ボートを220℃まで加熱したこと以外は、参
考例2と同様にして製膜した。得られた薄膜を空気中に
放置した結果、約2週間後、透明薄膜中に白濁点が生じ
始めた。この白濁点を光学顕微鏡で観察したところ結晶
成長であることがわかり、再結晶が生じていることが判
明した。上記参考例1〜3で得られた結果より、本発明
で用いられる正孔注入材料は、融点およびTgが高く熱
的劣化が小さいことがわかる。Reference Example 3 (Measurement of Thermal Degradation 2) A film was formed in the same manner as in Reference Example 2 except that 200 mg of TPD was put in a resistance heating boat made of molybdenum and the boat was heated to 220 ° C. As a result of leaving the obtained thin film in the air, after about 2 weeks, a cloudy point began to appear in the transparent thin film. Observation of this cloudy point with an optical microscope revealed that it was crystal growth, and it was found that recrystallization occurred. From the results obtained in Reference Examples 1 to 3 above, it can be seen that the hole injection material used in the present invention has a high melting point and Tg, and a small thermal deterioration.
【0077】実施例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール,純水,イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をUV/O3 ドライストリッパー(サムコインタ
ーナショナル製)で3分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置(日本真
空技術(株)製)の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートに8−ヒドロキシキノリンのAl錯体
(Alq)を200mg入れ、また別のモリブデン製ボ
ートに正孔注入材料(H2:BCzVBi)を200m
g入れて真空槽を1×10-4Paまで減圧した。その
後、H2入りの前記ボートを330℃まで加熱し、H2
を蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着
して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜した。このとき
の基板温度は室温であった。次いで、これを真空槽より
取り出すことなく、正孔注入層上に、もう一つのボート
よりAlqを発光層として50nm積層蒸着した。この
ときのボート温度は240〜250℃、蒸着速度は0.2
〜0.4nm/秒、基板温度は室温であった。得られた積
層を真空槽より取り出し、ステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン1gを入
れ、また別のタングステン製の抵抗加熱フィラメントに
Ag500mgを装着した。その後、真空槽を2×10
-4Paまで減圧し、上記ボートを加熱しAgを蒸着速度
0.1〜0.2nm/秒、同時にもう一方のボートも加熱し
マグネシウムを蒸着速度1〜2nm/秒で蒸着した。こ
のようにして、マグネシウムとAgの混合金属電極を発
光層上に150nm積層蒸着し対向電極とした。この混
合金属電極を陰極、ITO電極を陽極として直流8Vを
印加した結果電流が23mA/cm2 程度流れ、緑色の
均一光を得た。分光測定の結果、発光輝度は700cd
/m2 ,発光効率は1.2ルーメン/Wであった。また、
この素子を窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結
果、初期輝度100cd/m2 の半減期は600時間で
あった。Example 1 ITO was formed on a glass substrate of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm.
A film formed by vapor deposition to a thickness of 100 nm (HOY
A product) was used as a transparent support substrate. Next, this transparent supporting substrate was ultrasonically cleaned in order using propyl alcohol, pure water and isopropyl alcohol, and then dry nitrogen was blown to remove the solvent from the substrate surface. Further, this transparent supporting substrate was treated with a UV / O 3 dry stripper (manufactured by Samco International) for 3 minutes to remove organic substances on the substrate surface. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Japan Vacuum Technology Co., Ltd.), 200 mg of Al complex (Alq) of 8-hydroxyquinoline was put in a resistance heating boat made of molybdenum, and another molybdenum product was made. Hole injection material (H2: BCzVBi) 200m in the boat
g, and the vacuum chamber was evacuated to 1 × 10 −4 Pa. After that, the boat containing H2 is heated to 330 ° C.
Was vapor-deposited on the transparent supporting substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to form a hole injection layer having a film thickness of 60 nm. The substrate temperature at this time was room temperature. Next, without taking this out from the vacuum chamber, Alq was laminated and vapor-deposited to a thickness of 50 nm on the hole injection layer from another boat as a light emitting layer. At this time, the boat temperature is 240 to 250 ° C, and the vapor deposition rate is 0.2.
˜0.4 nm / sec, the substrate temperature was room temperature. The obtained laminate was taken out of the vacuum chamber, a stainless steel mask was set, and the substrate was again fixed to the substrate holder. Next, 1 g of a magnesium ribbon was placed in a resistance heating boat made of molybden, and 500 mg of Ag was attached to another resistance heating filament made of tungsten. Then, the vacuum chamber is set to 2 x 10
-Decompress to -4 Pa, heat the above boat to deposit Ag.
Magnesium was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 1-2 nm / sec by heating the other boat at the same time of 0.1-0.2 nm / sec. In this way, a mixed metal electrode of magnesium and Ag was laminated and vapor-deposited on the light emitting layer in a thickness of 150 nm to form a counter electrode. A DC current of 8 V was applied using the mixed metal electrode as a cathode and the ITO electrode as an anode, and as a result, a current of about 23 mA / cm 2 flowed and a uniform green light was obtained. As a result of the spectroscopic measurement, the emission luminance is 700 cd.
/ M 2 , and the luminous efficiency was 1.2 lumen / W. Also,
As a result of carrying out a life test on this element in a nitrogen gas atmosphere, the half-life at an initial luminance of 100 cd / m 2 was 600 hours.
【0078】実施例2〜19 正孔注入材料として、第3表に示した化合物を用いたこ
と以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製し
た。実施例1と同様にして行った評価試験の結果を第3
表に示す。Examples 2 to 19 Organic EL devices were prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 3 were used as the hole injection material. The result of the evaluation test conducted in the same manner as in Example 1 is the third.
Shown in the table.
【0079】[0079]
【表8】 [Table 8]
【0080】比較例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール,純水,イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をUV/O3 ドライストリッパー(サムコインタ
ーナショナル製)で3分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置(日本真
空技術(株)製)の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートにTPDを200mg入れ、また別の
モリブデン製ボートにAlqを200mg入れて真空槽
を1×10-4Paまで減圧した。その後、TPD入りの
前記ボートを220℃まで加熱し、TPDを蒸着速度0.
1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚6
0nmの正孔注入層を製膜した。このときの基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層上に、もう一つのボートよりAlqを
発光層として50nm積層蒸着した。このときのボート
温度は240〜250℃、蒸着速度は0.2〜0.4nm/
秒、基板温度は室温であった。得られた積層を真空槽よ
り取り出し、ステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定した。次にモリブテン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムリボン1gを入れ、また別の
タングステン製の抵抗加熱フィラメントにAg500m
gを装着した。その後、真空槽を2×10-4Paまで減
圧し、上記ボートを加熱しAgを蒸着速度0.1〜0.2n
m/秒、同時にもう一方のボートも加熱しマグネシウム
を蒸着速度1〜2nm/秒で蒸着した。このようにし
て、マグネシウムとAgの混合金属電極を発光層上に1
50nm積層蒸着し対向電極とした。この混合金属電極
を陰極、ITO電極を陽極として直流6Vを印加した結
果電流が32mA/cm2 程度流れ、緑色の均一光を得
た。分光測定の結果、発光輝度は900cd/m2 ,発
光効率は1.5ルーメン/Wであった。また、この素子を
窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結果、初期輝度
100cd/m2 の半減期は100時間であった。この
比較例は、初期の発光効率は優れているが、通電による
劣化および熱的劣化により素子寿命が短いという欠点を
有する。Comparative Example 1 ITO was formed on a glass substrate of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm.
A film formed by vapor deposition to a thickness of 100 nm (HOY
A product) was used as a transparent support substrate. Next, this transparent supporting substrate was ultrasonically cleaned in order using propyl alcohol, pure water and isopropyl alcohol, and then dry nitrogen was blown to remove the solvent from the substrate surface. Further, this transparent supporting substrate was treated with a UV / O 3 dry stripper (manufactured by Samco International) for 3 minutes to remove organic substances on the substrate surface. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Japan Vacuum Technology Co., Ltd.), 200 mg of TPD was put in a resistance heating boat made of molybdenum, and 200 mg of Alq was put in another molybdenum boat to make a vacuum chamber. Was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Then, the boat containing TPD is heated to 220 ° C., and the deposition rate of TPD is reduced to 0.2.
Deposition is performed on a transparent supporting substrate at a film thickness of 1 to 0.3 nm / sec.
A 0 nm hole injection layer was formed. The substrate temperature at this time was room temperature. Next, without taking this out from the vacuum chamber, Alq was laminated and vapor-deposited to a thickness of 50 nm on the hole injection layer from another boat as a light emitting layer. At this time, the boat temperature is 240 to 250 ° C, and the vapor deposition rate is 0.2 to 0.4 nm /
Second, the substrate temperature was room temperature. Take out the obtained laminate from the vacuum chamber, install a stainless steel mask,
It was fixed to the substrate holder again. Next, put 1g of magnesium ribbon into a molybdenum resistance heating boat and add 500m Ag to another tungsten resistance heating filament.
g was attached. After that, the vacuum chamber was decompressed to 2 × 10 −4 Pa, the boat was heated, and Ag was deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2
The other boat was also heated at the same time for m / sec to deposit magnesium at a deposition rate of 1 to 2 nm / sec. In this way, a mixed metal electrode of magnesium and Ag is formed on the light emitting layer.
A 50 nm laminated vapor deposition was carried out to form a counter electrode. A DC voltage of 6 V was applied using the mixed metal electrode as a cathode and the ITO electrode as an anode. As a result, an electric current of about 32 mA / cm 2 flowed and a uniform green light was obtained. As a result of the spectroscopic measurement, the emission luminance was 900 cd / m 2 and the emission efficiency was 1.5 lumen / W. Further, as a result of performing a life test on this element in a nitrogen gas atmosphere, the half-life at an initial luminance of 100 cd / m 2 was 100 hours. This comparative example is excellent in the initial luminous efficiency, but has a drawback that the device life is short due to deterioration due to energization and thermal deterioration.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上の如く、本発明の有機EL素子は、
通電劣化,熱的劣化およびピンホール形成を防ぎ、素子
の長寿命化を可能にしたものである。従って、本発明の
有機EL素子は、各種機器のディスプレイ,発光素子等
の表示用素子として有効な利用が期待される。As described above, the organic EL device of the present invention is
It prevents the energization deterioration, the thermal deterioration and the pinhole formation and enables the life of the element to be extended. Therefore, the organic EL element of the present invention is expected to be effectively used as a display element for various devices, a display element such as a light emitting element.
Claims (2)
0のアルキル基,炭素数6〜20のアリール基,炭素数
6〜20のアルキル基置換アリール基,炭素数6〜20
のアリールオキシ基置換アリール基または炭素数6〜2
0のアルコキシ基置換アリール基を示す。R7 およびR
8 はそれぞれ独立に水素,炭素数1〜10のアルキル
基,炭素数6〜20のアリール基,炭素数1〜10のア
ルコキシ基または炭素数6〜20のアリールオキシ基を
示す。また、Xは式 【化2】 (ここで、R3 〜R6 はそれぞれ独立に水素,炭素数1
〜10のアルキル基または炭素数1〜10のアルコキシ
基を示す。)で表される2価の基を示す。)または、一
般式(II) 【化3】 (式中、R1 ,R2 ,R7 ,R8 およびXは前記と同じ
である。)で表される化合物を正孔注入材料として用い
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。1. A compound represented by the general formula (I): (In the formula, R 1 and R 2 each independently have 1 to 1 carbon atoms.
0 alkyl group, C 6-20 aryl group, C 6-20 alkyl group-substituted aryl group, C 6-20
Aryloxy group-substituted aryl group having 6 to 2 carbon atoms
And 0 represents an aryl group substituted with an alkoxy group. R 7 and R
8 independently represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms. In addition, X is the formula (Here, R 3 to R 6 are independently hydrogen and a carbon number of 1
It shows an alkyl group having 10 to 10 or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. ) Is a divalent group. ) Or general formula (II) (In the formula, R 1 , R 2 , R 7 , R 8 and X are the same as the above.) An organic electroluminescence device using a compound as a hole injection material.
孔注入層として用いる有機エレクトロルミネッセンス素
子。2. An organic electroluminescent device using a thin film made of the compound according to claim 1 as a hole injection layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4203318A JPH05194943A (en) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | Organic electroluminescent device |
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JP3-195250 | 1991-08-05 | ||
JP19525091 | 1991-08-05 | ||
JP4203318A JPH05194943A (en) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | Organic electroluminescent device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH05194943A true JPH05194943A (en) | 1993-08-03 |
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ID=26509009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP4203318A Pending JPH05194943A (en) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | Organic electroluminescent device |
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