JPH0518187B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0518187B2 JPH0518187B2 JP60278459A JP27845985A JPH0518187B2 JP H0518187 B2 JPH0518187 B2 JP H0518187B2 JP 60278459 A JP60278459 A JP 60278459A JP 27845985 A JP27845985 A JP 27845985A JP H0518187 B2 JPH0518187 B2 JP H0518187B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- refractive index
- optical recording
- sputtering
- recording device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、光によつて情報の読出しを行う光記
録装置に於いて、記録媒体に何等かの変化を起こ
させて情報の記録を行ない、反射光で情報を読出
す光記録デバイスの製造方法に関するものであ
る。
録装置に於いて、記録媒体に何等かの変化を起こ
させて情報の記録を行ない、反射光で情報を読出
す光記録デバイスの製造方法に関するものであ
る。
＜従来の技術＞
従来、希土類遷移金属合金（TbFe、GdTbFe、
TbFeCo、TbCo、GdTbCo、GdCo等）の記録媒
体を用いた光磁気記録では、カー回転角が小さい
為に、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を高めることが
困難であつた。この為、SiO、SiO2等の酸化物や
AlN、Si3N4の窒化物、ZnS等の硫化物若しくは
MgF2等の弗化物を記録媒体上に形成し、反射防
止層として、カー回転角を増大し、再生性能を高
める工夫がなされていた。
TbFeCo、TbCo、GdTbCo、GdCo等）の記録媒
体を用いた光磁気記録では、カー回転角が小さい
為に、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を高めることが
困難であつた。この為、SiO、SiO2等の酸化物や
AlN、Si3N4の窒化物、ZnS等の硫化物若しくは
MgF2等の弗化物を記録媒体上に形成し、反射防
止層として、カー回転角を増大し、再生性能を高
める工夫がなされていた。
又、As−Te−Ge系等の非晶質半導体にレーザ
光を照射し、照射部分の非晶質半導体を結晶化さ
せて、非晶質部分と結晶化部分との反射率の違い
を利用して記録を行なう方式の場合にも、非晶質
部分と結晶化部分との反射率の比が小さく、Ｓ／
Ｎ比が悪いため、やはり記録媒体上に上記の誘電
体層を形成し、非晶質部分の反射防止層として反
射率比を増大させ、Ｓ／Ｎ比を高める工夫がなさ
れていた。
光を照射し、照射部分の非晶質半導体を結晶化さ
せて、非晶質部分と結晶化部分との反射率の違い
を利用して記録を行なう方式の場合にも、非晶質
部分と結晶化部分との反射率の比が小さく、Ｓ／
Ｎ比が悪いため、やはり記録媒体上に上記の誘電
体層を形成し、非晶質部分の反射防止層として反
射率比を増大させ、Ｓ／Ｎ比を高める工夫がなさ
れていた。
＜発明が解決しようとする問題点＞
しかし、実際に形成される上記誘電体層の屈折
率は、物質に固有の値を取るため、完全な反射防
止層とはなり得ず、十分にコントラストを高める
ことは困難であつた。
率は、物質に固有の値を取るため、完全な反射防
止層とはなり得ず、十分にコントラストを高める
ことは困難であつた。
そこで、記録媒体上に光学的膜厚が読み出し光
の波長の1/4となるような反射防止層を複数積層
することによつて反射防止機能を高め、例えば、
光磁気記録の場合、カー回転角を十分に増大させ
た例が報告されている｛Y.Tomita、T.Yoshino、
J.Opt.Soc.Am.Vol.1、No.８、（1984）、809｝。
の波長の1/4となるような反射防止層を複数積層
することによつて反射防止機能を高め、例えば、
光磁気記録の場合、カー回転角を十分に増大させ
た例が報告されている｛Y.Tomita、T.Yoshino、
J.Opt.Soc.Am.Vol.1、No.８、（1984）、809｝。
しかしながら、上記反射防止層を積層させる場
合、少なくとも２種類以上の屈折率の異なる誘電
体層が必要であり、信頼性に優れた屈折率の異な
る誘電体を形成する難しさとともに、真空蒸着法
やスパツタリング法で作成する場合、複数の蒸着
源やターゲツトを備えた装置が必要となつてしま
うため、装置の大型化、コスト高につながり、実
用に適さなかつた。
合、少なくとも２種類以上の屈折率の異なる誘電
体層が必要であり、信頼性に優れた屈折率の異な
る誘電体を形成する難しさとともに、真空蒸着法
やスパツタリング法で作成する場合、複数の蒸着
源やターゲツトを備えた装置が必要となつてしま
うため、装置の大型化、コスト高につながり、実
用に適さなかつた。
又、窒化シリコン膜は、緻密で、酸素を含まな
い窒化膜であるため、光磁気記録媒体の酸化を防
ぐ保護膜として非常に優れた膜であることが報告
されている｛有宗、前田ら、電気学会研究会資料
MAG−85−81（1985）｝。
い窒化膜であるため、光磁気記録媒体の酸化を防
ぐ保護膜として非常に優れた膜であることが報告
されている｛有宗、前田ら、電気学会研究会資料
MAG−85−81（1985）｝。
ところが、窒化シリコン膜をスパツタリング法
で形成する場合、ターゲツトとして窒化シリコン
の焼結体を用いる従来の方法では、焼結体ターゲ
ツト中に含まれる酸素がスパツタリング中に放出
されて記録媒体を酸化する場合があり、あまり好
ましくないという問題点を有していた。
で形成する場合、ターゲツトとして窒化シリコン
の焼結体を用いる従来の方法では、焼結体ターゲ
ツト中に含まれる酸素がスパツタリング中に放出
されて記録媒体を酸化する場合があり、あまり好
ましくないという問題点を有していた。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので
あり、反射防止機能を十分に果たし得る複数の反
射防止層を形成した光記録デバイスを提供するこ
とを目的としてなされたものである。
あり、反射防止機能を十分に果たし得る複数の反
射防止層を形成した光記録デバイスを提供するこ
とを目的としてなされたものである。
＜問題点を解決するための手段＞
上記の目的を達成するため、本発明では、窒素
雰囲気中でシリコンターゲツトを用いてスパツタ
リングを行うと共に、その際の窒素分圧を変化さ
せることにより、形成される反射防止層の屈折率
を調整することにした。
雰囲気中でシリコンターゲツトを用いてスパツタ
リングを行うと共に、その際の窒素分圧を変化さ
せることにより、形成される反射防止層の屈折率
を調整することにした。
＜実施例＞
以下、図示の一実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の光記録デバイスの一実施例
の構成を示したものであり、１は、ガラス又はポ
リ炭酸エステル重合体（ｐolyｃarbonate；PC）
やアクリル酸樹脂｛例えばメタクリル酸メチル重
合体（ｐolyｍethyl ｍethａcrylate；
PMMA）｝、エポキシ樹脂その他のプラスチツク
基板等の基板、２は、屈折率2.3で膜厚850［Å］
の窒化シリコン膜、３は、屈折率2.0で膜厚970
［Å］の窒化シリコン膜、４は、屈折率2.3で膜厚
650［Å］の窒化シリコン膜、５は、膜厚1000［Å］
のTbFeCo非晶質合金膜、６は、屈折率2.0で膜
厚500［Å］の窒化シリコン膜である。
の構成を示したものであり、１は、ガラス又はポ
リ炭酸エステル重合体（ｐolyｃarbonate；PC）
やアクリル酸樹脂｛例えばメタクリル酸メチル重
合体（ｐolyｍethyl ｍethａcrylate；
PMMA）｝、エポキシ樹脂その他のプラスチツク
基板等の基板、２は、屈折率2.3で膜厚850［Å］
の窒化シリコン膜、３は、屈折率2.0で膜厚970
［Å］の窒化シリコン膜、４は、屈折率2.3で膜厚
650［Å］の窒化シリコン膜、５は、膜厚1000［Å］
のTbFeCo非晶質合金膜、６は、屈折率2.0で膜
厚500［Å］の窒化シリコン膜である。
ここで、上記窒化シリコン２，３，４，６は、
シリコン（Si）ターゲツトを用いて窒素雰囲気中
でスパツタリングすることにより形成する。この
時、スパツタリング時の窒素分圧を変化させるこ
とによつて上記窒化シリコン膜の屈折率が変化す
る。例えば、Siターゲツトを用いた高周波二極マ
グネトロンスパツタリング装置で、アルゴン及び
窒素雰囲気中、入射力１［kw］、反応室内ガス圧
力を６［mTorr］に保ちながら窒素分圧を変化さ
せて、反応性スパツタリングを行なつた時、上記
窒化シリコン膜の屈折率の実数部分について、第
２図に示すような結果が得られた。但し、屈折率
は波長780［ｎｍ］のレーザ光を照射した時の値で
あり、窒素分圧が３×10-4［Torr］以下では、波
長780［ｎｍ］のレーザ光に対して光の吸収が現れ
た。ここで、光記録デバイスの反射防止層として
用いることができる材料としては、情報の記録及
び読み出しに用いる光に対して透明であることが
必要であるので、波長780［ｎｍ］の半導体レーザ
光に対して透明な膜を考えると、第２図から解る
ように、窒素分圧を夫々3.75×10-4［Torr］及び
1.5×10-3［Torr］に設定することにより、屈折率
2.3及び2.0の窒化シリコン膜を形成することがで
きる。
シリコン（Si）ターゲツトを用いて窒素雰囲気中
でスパツタリングすることにより形成する。この
時、スパツタリング時の窒素分圧を変化させるこ
とによつて上記窒化シリコン膜の屈折率が変化す
る。例えば、Siターゲツトを用いた高周波二極マ
グネトロンスパツタリング装置で、アルゴン及び
窒素雰囲気中、入射力１［kw］、反応室内ガス圧
力を６［mTorr］に保ちながら窒素分圧を変化さ
せて、反応性スパツタリングを行なつた時、上記
窒化シリコン膜の屈折率の実数部分について、第
２図に示すような結果が得られた。但し、屈折率
は波長780［ｎｍ］のレーザ光を照射した時の値で
あり、窒素分圧が３×10-4［Torr］以下では、波
長780［ｎｍ］のレーザ光に対して光の吸収が現れ
た。ここで、光記録デバイスの反射防止層として
用いることができる材料としては、情報の記録及
び読み出しに用いる光に対して透明であることが
必要であるので、波長780［ｎｍ］の半導体レーザ
光に対して透明な膜を考えると、第２図から解る
ように、窒素分圧を夫々3.75×10-4［Torr］及び
1.5×10-3［Torr］に設定することにより、屈折率
2.3及び2.0の窒化シリコン膜を形成することがで
きる。
上述の実施例のように、反射防止層をSiターゲ
ツトを用いた反応性スパツタリングにより形成し
た場合、屈折率の異なる２種類の窒化シリコン膜
即ち誘電体層を形成するために、ひとつのターゲ
ツトのみで良いため、スパツタリング装置の大型
化を防ぎ、コストダウンを実現でき、窒化シリコ
ンの焼結体ターゲツトを用いた場合に比べて、酸
素を取り込む虞れがなく、保護膜として信頼性の
高い窒化シリコン膜を形成できるという利点を有
する。
ツトを用いた反応性スパツタリングにより形成し
た場合、屈折率の異なる２種類の窒化シリコン膜
即ち誘電体層を形成するために、ひとつのターゲ
ツトのみで良いため、スパツタリング装置の大型
化を防ぎ、コストダウンを実現でき、窒化シリコ
ンの焼結体ターゲツトを用いた場合に比べて、酸
素を取り込む虞れがなく、保護膜として信頼性の
高い窒化シリコン膜を形成できるという利点を有
する。
尚、本実施例に於いては、記録媒体として
TbFeCo非晶質合金膜を用いたが、他の希土類遷
移金属合金（TbFe、GdTbFe、TbCo、GdTbCo
等）や反射率変化を利用して記録・再生を行なう
記録媒体（TeGe、AsTeGe、SnTeSe、TeOx
等）にも適用可能である。更に、本発明の光記録
デバイスの各膜の膜厚、屈折率、形成条件等は、
上記実施例に示すものに限定されず、適宜選択す
れば良い。
TbFeCo非晶質合金膜を用いたが、他の希土類遷
移金属合金（TbFe、GdTbFe、TbCo、GdTbCo
等）や反射率変化を利用して記録・再生を行なう
記録媒体（TeGe、AsTeGe、SnTeSe、TeOx
等）にも適用可能である。更に、本発明の光記録
デバイスの各膜の膜厚、屈折率、形成条件等は、
上記実施例に示すものに限定されず、適宜選択す
れば良い。
＜発明の効果＞
以上のように、本発明の光記録デバイスの製造
方法では、単一のターゲツトで最適な屈折率を有
する窒化物からなる誘電体層を容易に形成でき
る。又、屈折率の異なつた、酸素を含まない複数
の誘電体膜即ち反射防止層を形成することが可能
となり、光記録デバイスの再生性能及び信頼性の
著しい向上が期待できる。
方法では、単一のターゲツトで最適な屈折率を有
する窒化物からなる誘電体層を容易に形成でき
る。又、屈折率の異なつた、酸素を含まない複数
の誘電体膜即ち反射防止層を形成することが可能
となり、光記録デバイスの再生性能及び信頼性の
著しい向上が期待できる。
第１図は、本発明の光記録デバイスの一実施例
の構成を示す縦断面図、第２図は、同上、本発明
のSiターゲツトの反応性スパツタリングによる窒
化シリコンの屈折率の実数部と窒素分圧との関係
を示す図である。 １……ガラス基板、２，３，４，６……窒化シ
リコン膜、５……TbFeCo非晶質合金膜。
の構成を示す縦断面図、第２図は、同上、本発明
のSiターゲツトの反応性スパツタリングによる窒
化シリコンの屈折率の実数部と窒素分圧との関係
を示す図である。 １……ガラス基板、２，３，４，６……窒化シ
リコン膜、５……TbFeCo非晶質合金膜。
Claims (1)
- １ 基板と、窒化物からなる誘電体層と、記録媒
体層とを備えた光記録デバイスの製造方法におい
て、前記窒化物からなる誘電体層をスパツタリン
グによつて形成するに際して、スパツタリング時
の窒素分圧を変化させることによつて前記窒化物
からなる誘電体層の屈折率を調整することを特徴
とする光記録デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278459A JPS62139156A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光記録デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278459A JPS62139156A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光記録デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7259892A Division JPH08190740A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光記録デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139156A JPS62139156A (ja) | 1987-06-22 |
| JPH0518187B2 true JPH0518187B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=17597625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278459A Granted JPS62139156A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 光記録デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139156A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08190740A (ja) * | 1995-10-06 | 1996-07-23 | Sharp Corp | 光記録デバイスの製造方法 |
| TW466472B (en) * | 1997-02-24 | 2001-12-01 | Seiko Epson Corp | Original board for manufacturing optical disk stampers, optical disk stamper manufacturing method, and optical disk |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| NL8301072A (nl) * | 1983-03-28 | 1984-10-16 | Philips Nv | Optische registratieschijf. |
| JPS62114141A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP60278459A patent/JPS62139156A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62139156A (ja) | 1987-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |