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JPH04305950A - 半導体ウエハの測定方法 - Google Patents

半導体ウエハの測定方法

Info

Publication number
JPH04305950A
JPH04305950A JP9494291A JP9494291A JPH04305950A JP H04305950 A JPH04305950 A JP H04305950A JP 9494291 A JP9494291 A JP 9494291A JP 9494291 A JP9494291 A JP 9494291A JP H04305950 A JPH04305950 A JP H04305950A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
semiconductor
image data
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9494291A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshito Marumo
丸茂 芳人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority to JP9494291A priority Critical patent/JPH04305950A/ja
Publication of JPH04305950A publication Critical patent/JPH04305950A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハの測定方
法に関するもので、更に詳細には、半導体ウエハの円周
付近の半導体チップの形状を認識する半導体ウエハの測
定方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ(以下にウエハと
いう)上に形成された半導体チップ(以下にチップとい
う)の電気的特性を検査するプローバにおいては、水平
及び垂直の三次元方向に移動可能なウエハ載置台上に載
置されたウエハの位置合せを行った後、ウエハに多数規
則的に配列されたチップの電極と対応する位置に測定用
触針であるプローブ針を植設したプローブカードをプロ
ーバのプローブヘッドに装着し、プローブ針とチップの
各電極を接触させて、各チップ毎に順次電気的検査を行
っている。
【0003】このようなプローバによるウエハ検査工程
においてウエハの検査を効率良く行うには、ウエハの円
周付近に存在する完全でない形状の不良チップの無駄な
検査を省く必要がある。したがって、ウエハaの位置合
せ及びプローブカードとチップの位置合せ等の測定を高
精度に行うことは検査効率上極めて重要である。
【0004】そこで、従来では、ウエハの表面に形成さ
れたチップを測定する方法として、例えば特開昭63−
42137号公報等に記載のものが開発されている。こ
れら従来の測定方法は、ウエハ載置台の中心をウエハ載
置台上面と対向する方向に設置した容量型センサーによ
り求める方法である。
【0005】すなわち、ウエハ載置台を容量型センサー
の下で移動させ、ウエハ載置台上面と上面を外れた位置
において容量型センサーの出力に差があることに注目し
、ウエハ載置台の円周上のエッジを3点以上検出し、容
量型センサー下でのウエハ載置台の中心座標を求める。 次に、ウエハ載置台の中心に予め付されたマークを、ウ
エハパターン認識用に設けたTVカメラの下に移動させ
、予め付されたTV画面上のマークに一致させ、TVカ
メラ下でTV画面にマークを表示する位置での、ウエハ
載置台の中心座標を求める。また、容量型センサーとT
Vカメラ下でのTV画面上にマークを表示する位置との
距離を測定し、記録する。
【0006】次に、ウエハ載置台にウエハを搭載し、容
量型センサーの下にウエハ載置台を移動し、ウエハ表面
とウエハ表面外とで容量型センサーの出力に差があるこ
とに注目し、ウエハ円周上のエッジを3点以上検出し、
ウエハ中心とウエハの半径を求める。また、ウエハ載置
台の中心と、ウエハの中心とのX軸方向及びY軸方向の
ズレ量を計算し求める。
【0007】次に、ウエハ載置台をTVカメラの下に移
動させ、TV画面上のマークにウエハ上のチップのー点
、例えば左上のチップ角を合わせる。この時点において
、TVカメラの下のTV画面にマークを表示する位置に
おいての、ウエハの中心とウエハの半径及びチップ上の
ー点の相互の座標関係が判明し、予め、プローバにパラ
メータとして入力したチップのX方向長さ、及びY方向
長さを使用し、演算を行えば、ウエハの円周付近のチッ
プの面積も求められ、完全でない形状の不良チップを検
査前に知ることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの測定方法では、オペレータがTV画面上
のマークにウエハ載置台の中心に付されたマークを一致
させる必要があり、また、ウエハ載置台の中心に付され
たマークが容量型センサーで測定するウエハ載置台の中
心に正しく一致しているとは限らなかった。このため、
TVカメラ下でのウエハの中心位置と、チップの位置と
の相互関係に誤差が生ずることがあった。この誤差は、
結果としてウエハ円周付近でのチップの面積が実際のも
のと異なるということでオペレータに判っても、ウエハ
の中心がどの方向にどれ位ずれているか判らず修正も不
可能で有った。
【0009】このため、本来完全な形状でない不良チッ
プが完全な形状の検査対象のチップと認識されたり、あ
るいは、逆に完全な形状のチップが完全な形状でないチ
ップと認識されることがあった。したがって、以後のウ
エハ検査において、プローブカードのプローブ針が検査
対象となる全てのチップの電極に正確に接触されなかっ
たり、逆に検査対象外の完全な形状でないチップに接触
されてしまい、検査効率の低下を招くばかりか、検査の
信頼性も低下し、更には、プローブ針の寿命の低下等の
問題もあった。
【0010】また、ウエハ上に形成されたチップを砥石
でカットするダイシング工程においても同様に不良チッ
プの存在によりカット効率の低下が生じるという問題が
あった。
【0011】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
、簡単な操作によってウエハの円周付近のチップの形状
を正確に認識して、ウエハの検査効率の向上、信頼性の
向上等を図ることを目的とした半導体ウエハの測定方法
を提供しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の半導体ウエハの測定方法は、半導
体ウエハの形状を検出すると共に、半導体ウエハ上に多
数規則的に配列された半導体チップの配列位置を検出し
て、上記半導体ウエハの半導体チップの形状を認識する
に当って、半導体ウエハを載置する前のウエハ載置台の
画像データを基準データとして記憶し、上記基準データ
と半導体ウエハを載置後のウエハ載置台の画像データと
を比較して、半導体ウエハの中心及び半径を検出するこ
とを特徴とするものである。また、この発明の第2の半
導体ウエハの測定方法は、第1の半導体ウエハの測定方
法において、半導体ウエハ上の隣接する半導体チップの
縦横方向の画像データを検出し、半導体チップの配列位
置を検出することを特徴とするものである。
【0013】この発明において、上記画像データの比較
演算手段は半導体ウエハを載置する前のウエハ載置台の
画像データすなわち基準データと半導体ウエハを載置後
のウエハ載置台の画像データとを比較演算できるもので
あれば任意のものでよく、例えばCCDカメラにて撮像
された信号を中央演算処理装置(CPU)にて比較演算
処理することができる。
【0014】半導体ウエハの中心及び半径を検出するに
は、上記基準データと半導体ウエハを載置後の載置台の
画像データとの比較は少なくとも半導体ウエハの円周上
の3点における基準データとの比較を行えばよく、この
3点の比較により半導体ウエハの中心及び半径が検出で
きる。この場合、基準データは、例えばウエハ載置台の
画像データそのままを使用するか、あるいは、画像デー
タの比較演算が容易なようにウエハ載置台に模様を付け
、特殊な画像データとしてもよい。また、半導体チップ
の配列位置を検出するには、載置台に載った半導体ウエ
ハの画像データを画像表示装置に映し、1つの半導体チ
ップの範囲をオペレータに指示させ、その画像データを
基準データとして記憶装置に記録し、以後ウエハ載置台
に載った半導体ウエハの画像データと基準データを比較
し、一致する画像データの位置により位置検出ができる
【0015】
【作用】上記のように構成されるこの発明の半導体ウエ
ハの測定方法によれば、半導体ウエハのない画像データ
を基準データとして記憶すると共に、この基準データと
半導体ウエハの画像データとを比較することにより、半
導体ウエハの中心及び半径を検出することができ、半導
体ウエハの形状を認識することができる。
【0016】また、半導体チップの画像データと予め記
憶された半導体チップパターンデータとを比較すること
により、半導体チップの配列位置を検出することができ
る。
【0017】したがって、半導体ウエハの中心及び半径
の検出と半導体チップの配列位置の検出から容易に半導
体ウエハの円周付近の半導体チップの形状を認識するこ
とができる。
【0018】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。
【0019】図1はこの発明の半導体ウエハの測定方法
を用いるプローバの概略構成図が示されている。
【0020】このプローバは、ウエハ搬送装置1によっ
て搬送された被測定用の半導体ウエハ2(以下にウエハ
という)を真空吸着するウエハ載置台3と、このウエハ
載置台3を水平及び垂直の三次元方向に移動するウエハ
載置台駆動装置4と、ウエハ載置台3の上方に配設され
てウエハ2上に形成された半導体チップ(以下にチップ
という)の電気的特性を検査するプローブカード5と、
ウエハ2の円周及びチップの中心位置等を検出するCC
Dカメラ7と、CCDカメラ7からの検出信号を制御処
理する制御部8とで構成されている。
【0021】制御部8は、CCDカメラ7からの検出信
号と予め記憶された測定に必要なパラメータ(例えばチ
ップパターンデータ、移動量データ、ウエハ中心データ
等)とを比較演算してウエハ搬送装置1及びウエハ載置
台駆動装置4に制御信号を伝達するCPU9と、このC
PU9を介してCCDカメラ7からの検出信号を画像情
報として表示する画像表示装置10とで構成されている
【0022】なお、プローブカード5にはチップの電極
位置に対応するプローブ針5aが植設されている。
【0023】次に、この発明の半導体ウエハの測定方法
について説明する。
【0024】◎ウエハの半径及び半径の検出まず、ウエ
ハ載置台3を移動して、ウエハ載置台3の円周上にCC
Dカメラ7を位置させる。そして、CCDカメラ7によ
り撮像された信号をCPU9に取込み、ウエハ載置台3
の円周付近3aの画像データを基準データ11として、
CPU9のメモリ記憶装置18にて記憶する(図2参照
)。
【0025】次に、パターンを一度に焼付けて全面にチ
ップ2a,2bが形成されて製造された複数枚のウエハ
2を収容するカセット(図示せず)からウエハ2が搬送
装置1によってウエハ載置台3の上に置かれた後、CC
Dカメラ7によりウエハ載置台3の円周付近3aが撮像
され、その信号がCPU9により画像データ12として
認識される(図3参照)。
【0026】そして、基準データ11とウエハ2搭載後
の画像データ12とがCPU9にて比較演算されて、ウ
エハ2の円周の曲率が求められ、この曲率とウエハ2の
中心点O及び半径rによってウエハ2の形状(大きさ、
面積等)が検出される。この場合、図2及び図3に示す
ように、ウエハ載置台3の円周とウエハ2の円周2cに
おける少なくとも3点3a,3b,3cの基準データ1
1と画像データ12を比較することにより、ウエハ2の
中心O及び半径rが求められる。
【0027】◎チップの配列位置の検出上記のウエハ中
心を求めた後、画像表示装置10にウエハ2上のチップ
2aと、予めパラメータとしてCPU9に入力されたチ
ップ2aのX方向の長さ及びY方向の長さと、CCDカ
メラ7の倍率を考慮して、チップ2aと同形状のフレー
ム19が表示される(図4参照)。オペレータがCPU
9に接続されるマウス又は、ジョイステック(図示せず
)によりフレーム19をチップ2aに一致させ(図5参
照)、CPU9に接続されるスイッチ(図示せず)等の
手段によりCPU9に知らせる。すると、CPU9はフ
レーム19内の画像データ20を1つのチップ2aの基
準データとしてメモリ記憶装置18に記憶すると同時に
、既に計算して求めたウエハ2の円周とチップ2aの配
列位置とを計算する。
【0028】2枚目以降のウエハに関しては、基準デー
タとして記憶した画像データ20とウエハ2の画像デー
タをメモリ記憶装置18内で比較し、一致する場所を検
出することによりオペレータの介在なしに、ウエハ2内
のチップ2aの配列を求めることができる。
【0029】したがって、ウエハ2の円周付近に存在す
る不完全な形状の不良チップ2bと、その他の正確な形
状のチップ2aとを正確に判別することができ、プロー
ブカード5によるウエハ検査を効率良く行うことができ
ると共に、検査の信頼性を向上でき、更には、不良チッ
プ2bにプローブ針5aを接触させることがないので、
プローブ針5aの摩耗を少なくでき、プローブ針5aの
寿命の増大が図れる。
【0030】2枚目以降のウエハ2の測定においては、
1枚目のウエハ2の測定データをCPU9に記憶させて
おけば、簡単にウエハ2の測定を行うことができる。
【0031】なお、上記実施例ではCCDカメラ7を用
いて基準データ11、画像データ12等を検出する場合
について説明したが、必ずしも、CCDカメラ7による
データ検出である必要はなく、例えばレーザー光線等の
光学手段を走査させて基準データ11、画像データ12
等を検出させるものであってもよい。
【0032】また、上記実施例ではプローバによるウエ
ハ検査工程におけるウエハの測定について説明したが、
上記実施例に限定されるものではなく、ウエハ2上に形
成されたチップ2aを砥石でカットするダイシング工程
においても同様に使用することができる。
【0033】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の半導
体ウエハの測定方法によれば、半導体ウエハの中心及び
半径の検出による半導体ウエハの形状を簡単に検出でき
、また、半導体チップの配列位置を簡単に検出すること
ができるので、半導体ウエハの円周付近の半導体チップ
の形状を認識することができる。したがって、不良半導
体チップの無駄な検査を省くことができ、半導体ウエハ
の検査の効率の向上が図れると共に、検査の信頼性の向
上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体ウエハの測定方法を用いたプ
ローバの概略構成図である。
【図2】この発明における基準データを示す説明図であ
る。
【図3】この発明における画像データの1点を示す説明
図である。
【図4】チップ位置を指示するため画像表示装置に表示
するフレームの説明図である。
【図5】この発明における半導体チップの検出状態を示
す半導体ウエハの拡大平面図である。
【図6】半導体ウエハの説明図である。
【符号の説明】
2  半導体ウエハ 2a  半導体チップ 2b  不良チップ 2c  半導体チップの円周 3  ウエハ載置台 3a  ウエハ載置台の円周 9  CPU(中央演算処理装置) 10  画像表示装置 11  基準データ 12  画像データ 19  チップと同形状のフレーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体ウエハの形状を検出すると共に
    、半導体ウエハ上に多数規則的に配列された半導体チッ
    プの配列位置を検出して、上記半導体ウエハの半導体チ
    ップの形状を認識するに当って、半導体ウエハを載置す
    る前のウエハ載置台の画像データを基準データとして記
    憶し、上記基準データと半導体ウエハを載置後のウエハ
    載置台の画像データとを比較して、半導体ウエハの中心
    及び半径を検出することを特徴とする半導体ウエハの測
    定方法。
  2. 【請求項2】  請求項1記載の半導体ウエハの測定方
    法において、半導体ウエハ上の隣接する半導体チップの
    縦横方向の画像データを検出し、半導体チップの配列位
    置を検出することを特徴とする半導体ウエハの測定方法
JP9494291A 1991-04-02 1991-04-02 半導体ウエハの測定方法 Pending JPH04305950A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9494291A JPH04305950A (ja) 1991-04-02 1991-04-02 半導体ウエハの測定方法

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JP9494291A JPH04305950A (ja) 1991-04-02 1991-04-02 半導体ウエハの測定方法

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JPH04305950A true JPH04305950A (ja) 1992-10-28

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ID=14124004

Family Applications (1)

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JP9494291A Pending JPH04305950A (ja) 1991-04-02 1991-04-02 半導体ウエハの測定方法

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JP (1) JPH04305950A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013055233A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバにおけるウエハ上のチップ配列検出方法
JP5987976B2 (ja) * 2013-04-18 2016-09-07 株式会社島津製作所 基板検出システム及び基板検出方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013055233A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバにおけるウエハ上のチップ配列検出方法
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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990813