JPH04294624A - 無基板樹脂モールド電子回路の実装構造 - Google Patents
無基板樹脂モールド電子回路の実装構造Info
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- JPH04294624A JPH04294624A JP6028191A JP6028191A JPH04294624A JP H04294624 A JPH04294624 A JP H04294624A JP 6028191 A JP6028191 A JP 6028191A JP 6028191 A JP6028191 A JP 6028191A JP H04294624 A JPH04294624 A JP H04294624A
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- Japan
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- electronic circuit
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- Pending
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N lithium molybdate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路の実装構造、と
くに無基板樹脂モールド型の電子回路における圧電デバ
イスの実装構造に関する。
くに無基板樹脂モールド型の電子回路における圧電デバ
イスの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品を回路パターン上に実装し所要
の電子回路を構成するに際し、製造コストを極力減少せ
しめるためプリント基板を用いず予めリードフレームの
枠内に形成した回路パターン上に電子部品を実装した後
全体をトランスファー・モールド樹脂にてモールドし最
後にリードフレームの枠部を切断除去したものが広く用
いられている。
の電子回路を構成するに際し、製造コストを極力減少せ
しめるためプリント基板を用いず予めリードフレームの
枠内に形成した回路パターン上に電子部品を実装した後
全体をトランスファー・モールド樹脂にてモールドし最
後にリードフレームの枠部を切断除去したものが広く用
いられている。
【0003】このようなタイプの電子回路にて例えば水
晶発振器の如く圧電デバイスを組み込んだ回路を製造す
るに際し、従来の上記圧電デバインの実装構造は、リー
ドフレームの圧電デバイスの配置用空隙に圧電デバイス
のパッケージである金属ケースが納まるよう配置し、圧
電デバイスのリード線を回路パターンに半田などで接続
していた。
晶発振器の如く圧電デバイスを組み込んだ回路を製造す
るに際し、従来の上記圧電デバインの実装構造は、リー
ドフレームの圧電デバイスの配置用空隙に圧電デバイス
のパッケージである金属ケースが納まるよう配置し、圧
電デバイスのリード線を回路パターンに半田などで接続
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では出力リード配線である回路パターンが持つ寄生シ
ンダクタンスにより、近傍に設置された電子回路装置の
配線に誘導結合によるノイズを与え半導体集積回路素子
の誤動作や速度の遅れが生じることがある。また、出力
リード配線である回路パターンと近傍に設置された電子
回路装置の配線との間に生じる静電容量による静電結合
により、近傍に設置された電子回路装置の配線にノイズ
を与え半導体集積回路素子の誤動作や速度の遅れが生じ
ることがあるという問題点を有していた。
術では出力リード配線である回路パターンが持つ寄生シ
ンダクタンスにより、近傍に設置された電子回路装置の
配線に誘導結合によるノイズを与え半導体集積回路素子
の誤動作や速度の遅れが生じることがある。また、出力
リード配線である回路パターンと近傍に設置された電子
回路装置の配線との間に生じる静電容量による静電結合
により、近傍に設置された電子回路装置の配線にノイズ
を与え半導体集積回路素子の誤動作や速度の遅れが生じ
ることがあるという問題点を有していた。
【0005】そこで本発明は、このような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、圧電デバイスの
金属ケースを電磁遮蔽板として用いることにより、電子
回路からのノイズを抑止し得る無基板樹脂モールド電子
回路の実装構造を提供することにある。
するもので、その目的とするところは、圧電デバイスの
金属ケースを電磁遮蔽板として用いることにより、電子
回路からのノイズを抑止し得る無基板樹脂モールド電子
回路の実装構造を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の無基板樹脂モー
ルド電子回路の実装構造は、リードフレームに形成した
回路パターン上に電子部品を接続したのち樹脂モールド
してチップ化する無基板樹脂モールド電子回路において
、実装すべき圧電デバイスを前記回路パターン出力信号
線の近傍に配置するとともに、前記圧電デバイスの金属
ケースを前記回路パターン接地線に固着ならびに電気接
続したことを特徴とする。
ルド電子回路の実装構造は、リードフレームに形成した
回路パターン上に電子部品を接続したのち樹脂モールド
してチップ化する無基板樹脂モールド電子回路において
、実装すべき圧電デバイスを前記回路パターン出力信号
線の近傍に配置するとともに、前記圧電デバイスの金属
ケースを前記回路パターン接地線に固着ならびに電気接
続したことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明の上記の構成によれば、出力リード配線
である回路パターンと近傍の電子回路装置配線との間で
誘導結合により伝播されるノイズは、出力リード配線で
ある回路パターンの近傍に配置した圧電デバイスの接地
された金属ケースに導入され、金属ケースの内部で反抗
電流と反抗磁束とが生じノイズは打ち消される。
である回路パターンと近傍の電子回路装置配線との間で
誘導結合により伝播されるノイズは、出力リード配線で
ある回路パターンの近傍に配置した圧電デバイスの接地
された金属ケースに導入され、金属ケースの内部で反抗
電流と反抗磁束とが生じノイズは打ち消される。
【0008】また、出力リード配線である回路パターン
と近傍の電子回路装置配線との間で静電結合により伝播
されるノイズは、出力リード配線である回路パターンの
近傍に配置した圧電デバイスの接地された金属ケースに
より出力リード配線とグランド間のインピーダンスが低
下し、雑音電圧を減少させるための静電遮蔽となる。
と近傍の電子回路装置配線との間で静電結合により伝播
されるノイズは、出力リード配線である回路パターンの
近傍に配置した圧電デバイスの接地された金属ケースに
より出力リード配線とグランド間のインピーダンスが低
下し、雑音電圧を減少させるための静電遮蔽となる。
【0009】
【実施例】本発明による実施例を圧電デバイスとして水
晶振動子を用いた例を図1により説明する。(a)は本
発明を適用した発振回路の一実施例を示す平面図であり
、(b)は(a)におけるA−A断面図である。
晶振動子を用いた例を図1により説明する。(a)は本
発明を適用した発振回路の一実施例を示す平面図であり
、(b)は(a)におけるA−A断面図である。
【0010】金属板でリードフレームを構成し、接地用
リード配線1に接続され上方にタブ上げ加工されたダイ
パッド2下面に半導体素子3を固着し、ボンディングワ
イヤー4により接地用リード配線1、電源用リーヘド配
線5、出力信号用リード配線6、水晶振動子接続用リー
ド配線7へワイヤーボンディング接続し、水晶振動子8
をダイパッド2を挟んで半導体素子3の裏面近傍に配置
し、水晶振動子8のリード線9を水晶振動子接続用リー
ド配線7に半田付け10などによって接続する。
リード配線1に接続され上方にタブ上げ加工されたダイ
パッド2下面に半導体素子3を固着し、ボンディングワ
イヤー4により接地用リード配線1、電源用リーヘド配
線5、出力信号用リード配線6、水晶振動子接続用リー
ド配線7へワイヤーボンディング接続し、水晶振動子8
をダイパッド2を挟んで半導体素子3の裏面近傍に配置
し、水晶振動子8のリード線9を水晶振動子接続用リー
ド配線7に半田付け10などによって接続する。
【0011】ここで、水晶振動子8は出力信号用リード
配線6の近傍になるように予め配置しておく。
配線6の近傍になるように予め配置しておく。
【0012】そして、水晶振動子8を構成する金属ケー
ス11をダイパッド2の上部に半田付け10などによっ
て固着し、ダイパッド2、半導体素子3、接地用リード
配線1、電源用リード配線5、出力信号用リード配線6
、水晶振動子用リード配線7、水晶振動子8などをモー
ルド樹脂を用いたトランスファー・モールド成形によっ
てパッケージ12を構成する。
ス11をダイパッド2の上部に半田付け10などによっ
て固着し、ダイパッド2、半導体素子3、接地用リード
配線1、電源用リード配線5、出力信号用リード配線6
、水晶振動子用リード配線7、水晶振動子8などをモー
ルド樹脂を用いたトランスファー・モールド成形によっ
てパッケージ12を構成する。
【0013】本発明の構造はパッケージのタイプ(例え
ばDIP、SIP、SOPなど)は問わない。また、圧
電振動子についても以上の実施例に示す水晶振動子に限
らず、タンタル酸リチウム振動子、モリブデン酸リチウ
ム振動子、セラミック振動子などを用いた発振回路でも
その効果は変わりない。
ばDIP、SIP、SOPなど)は問わない。また、圧
電振動子についても以上の実施例に示す水晶振動子に限
らず、タンタル酸リチウム振動子、モリブデン酸リチウ
ム振動子、セラミック振動子などを用いた発振回路でも
その効果は変わりない。
【0014】以上、本発明を圧電振動子を含む発振回路
を例に説明したが、本発明はこれのみに限定されるもの
ではなく、例えば圧電フィルタを含む電子回路、水晶温
度センサを含む電子回路など他の圧電デバイスを用いた
無基板樹脂モールド電子回路の実装構造にも同様に適用
可能である。
を例に説明したが、本発明はこれのみに限定されるもの
ではなく、例えば圧電フィルタを含む電子回路、水晶温
度センサを含む電子回路など他の圧電デバイスを用いた
無基板樹脂モールド電子回路の実装構造にも同様に適用
可能である。
【0015】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、誘導
結合、容量結合によるノイズを圧電デバイスの金属ケー
スにより遮蔽できるので、ノイズが出ない無基板樹脂モ
ールド電子回路の実装構造が得られるという優れた効果
を奏する。
結合、容量結合によるノイズを圧電デバイスの金属ケー
スにより遮蔽できるので、ノイズが出ない無基板樹脂モ
ールド電子回路の実装構造が得られるという優れた効果
を奏する。
【図1】(a)および(b)は本発明を適用した発振回
路の一実施例を示す平面図およびA−A断面図である。
路の一実施例を示す平面図およびA−A断面図である。
【図2】(a)および(b)は従来の無基板樹脂モール
ド電子回路の一例を示す平面図およびA−A断面図であ
る。
ド電子回路の一例を示す平面図およびA−A断面図であ
る。
1、21 接地用リード配線
2、22 ダイパッド
3、23 半導体素子
4、24 ボンディングワイヤー
5、25 電源用リート配線
6、26 出力信号用リード配線
7、27 圧電デバイス接続用リード配線8、28
圧電デバイス 9、29 圧電デバイスのリード線 10、30 半田付け 11、31 金属ケース 12、32 パッケージ 13、33 リードフレーム
圧電デバイス 9、29 圧電デバイスのリード線 10、30 半田付け 11、31 金属ケース 12、32 パッケージ 13、33 リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項1】リードフレームに形成した回路パターン上
に電子部品を接続したのち樹脂モールドしてチップ化す
る無基板樹脂モールド電子回路の実装構造において、実
装すべき圧電デバイスを前記回路パターン出力信号線の
近傍に配置するとともに、前記圧電デバイスの金属ケー
スを前記回路パターン接地線に固着ならびに電気接続し
たことを特徴とする無基板樹脂モールド電子回路の実装
構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6028191A JPH04294624A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 無基板樹脂モールド電子回路の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6028191A JPH04294624A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 無基板樹脂モールド電子回路の実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04294624A true JPH04294624A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13137610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6028191A Pending JPH04294624A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 無基板樹脂モールド電子回路の実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04294624A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996001524A1 (en) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6028191A patent/JPH04294624A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996001524A1 (en) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator |
US5912592A (en) * | 1994-07-04 | 1999-06-15 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator |
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