JPS5972757A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5972757A JPS5972757A JP57184371A JP18437182A JPS5972757A JP S5972757 A JPS5972757 A JP S5972757A JP 57184371 A JP57184371 A JP 57184371A JP 18437182 A JP18437182 A JP 18437182A JP S5972757 A JPS5972757 A JP S5972757A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特にチップコン
デンサをリードフレームの電源−接地間に接続した半導
体装置に関する。
デンサをリードフレームの電源−接地間に接続した半導
体装置に関する。
(2) 技術の背景
近時、半導体装置の集積度が向上するとともに処理スピ
ードが上がってきたために、集積回路を駆動するための
電源供給時に付加するバイパス用コンデンサを接続する
ためのリード線の長さ、すなわちインダクタンス成分や
、プリント基板に取り付けられるバイパス用コンデンサ
自体の大きさによって実装時に大型化する等の問題がク
ローズアップされてきている。
ードが上がってきたために、集積回路を駆動するための
電源供給時に付加するバイパス用コンデンサを接続する
ためのリード線の長さ、すなわちインダクタンス成分や
、プリント基板に取り付けられるバイパス用コンデンサ
自体の大きさによって実装時に大型化する等の問題がク
ローズアップされてきている。
すなわち、従来はプリント基板上に集積回路をパッケー
ジした半導体装置を複数個ハンダ付けした場合に複数の
半導体装置に対して一つのバイパス用コンデンサを付加
して電源よりのパルス性雑音の吸収を行わせていたが、
複数の集積回路自体も個々に種々の動作を行っているた
めに集積回路自体もノイズを発生し、複数の集積回路相
互間に影響を及ぼす問題があり、集積回路をパッケージ
した複数の半導体装置の個々にバイパス用コンデンサを
付加するようになってきている。
ジした半導体装置を複数個ハンダ付けした場合に複数の
半導体装置に対して一つのバイパス用コンデンサを付加
して電源よりのパルス性雑音の吸収を行わせていたが、
複数の集積回路自体も個々に種々の動作を行っているた
めに集積回路自体もノイズを発生し、複数の集積回路相
互間に影響を及ぼす問題があり、集積回路をパッケージ
した複数の半導体装置の個々にバイパス用コンデンサを
付加するようになってきている。
この場合1個々のパッケージされた集積回路に外付けの
バイパス用コンデンサを接続するためにリード線が長く
なり、不用なインダクタンスを含むことになり、実装密
度も大きくなる欠点があり。
バイパス用コンデンサを接続するためにリード線が長く
なり、不用なインダクタンスを含むことになり、実装密
度も大きくなる欠点があり。
これらの問題を解決するような要望があった。
(3) 従来技術と問題点
第1図は従来の複数の集積回路をパッケージした半導体
装置2a、2bをプリント基板1上に実装置した場合の
斜視図であり、プリント基板lに穿たれた透孔に集積回
路をパッケージした半導体装置2a、 2bの外部リ
ードを挿入し、ハンダイ二1けでプリント板上の外部回
路(図示せず)に接続するとともに半導体装置2a、
2bはプリント基板上に固定され2例えば電源用端子
3a′。
装置2a、2bをプリント基板1上に実装置した場合の
斜視図であり、プリント基板lに穿たれた透孔に集積回
路をパッケージした半導体装置2a、 2bの外部リ
ードを挿入し、ハンダイ二1けでプリント板上の外部回
路(図示せず)に接続するとともに半導体装置2a、
2bはプリント基板上に固定され2例えば電源用端子
3a′。
3b’と接地端子3a、3b間にそれぞれバイパス用コ
ンデンサ4a、4bが外付けされて、上記したように電
源よりのパルス性雑音及び集積回路2a、 2bの個
々の回路より発生するパルス性雑音を吸収させている。
ンデンサ4a、4bが外付けされて、上記したように電
源よりのパルス性雑音及び集積回路2a、 2bの個
々の回路より発生するパルス性雑音を吸収させている。
しかし、上述の構成による実装構造では電源用端子3a
’、3b’からコンデンサ4a、4bに至るリード線及
び接地端子3a、3bからコンデンサ4a、4.bに至
るリード線(実際にはプリント基板にバターニングされ
るがリード4a′。
’、3b’からコンデンサ4a、4bに至るリード線及
び接地端子3a、3bからコンデンサ4a、4.bに至
るリード線(実際にはプリント基板にバターニングされ
るがリード4a′。
4b’として示す)が長くなり、不要なインダクタンス
を含むだけでなくパルス性ノイズをひろい更に実装密度
が低下する欠点を生ずる。
を含むだけでなくパルス性ノイズをひろい更に実装密度
が低下する欠点を生ずる。
(4) 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、半導体リードフ
レームの電源−接地間にチップコンデンサを取り付ける
ことによって実装密度が大で、チップコンデンサの接続
部のインダクタンスの小さいモールド型半導体装置を提
供することにある。
レームの電源−接地間にチップコンデンサを取り付ける
ことによって実装密度が大で、チップコンデンサの接続
部のインダクタンスの小さいモールド型半導体装置を提
供することにある。
(5) 発明の構成
本発明の特徴とするところは、リードフレームにおける
チップ搭載用のステージを支持するタイバーと第1の電
源供給用リードが接続され、該タイバーと第2の電源供
給用リード間にチップコンデンサが取り付けられ、樹脂
封止されてなることを特徴とする半導体装置を提供する
ことによって達成される。
チップ搭載用のステージを支持するタイバーと第1の電
源供給用リードが接続され、該タイバーと第2の電源供
給用リード間にチップコンデンサが取り付けられ、樹脂
封止されてなることを特徴とする半導体装置を提供する
ことによって達成される。
(6) 発明の実施例
以下9本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第2図は2本発明を構成するICパッケージにおけるモ
ールディング成型前のリードフレームの平面図である。
ールディング成型前のリードフレームの平面図である。
第2図において1例えばコバール(F e−N 1−C
o合金)等の金属に所定のパターニングを行いエツチン
グ或いはプレス型で打抜いて形成したリードフレームの
足状の複数の外リード部5と。
o合金)等の金属に所定のパターニングを行いエツチン
グ或いはプレス型で打抜いて形成したリードフレームの
足状の複数の外リード部5と。
中央部に設けられた矩形状のステージ6上に搭載したI
Cチップ7とはワイヤー8にてボンディングされ電気的
接続がなされている。
Cチップ7とはワイヤー8にてボンディングされ電気的
接続がなされている。
ここで1本実施例においては例えば16ピンの半導体装
置であるために、ステージ部を支持するタイバー10a
、10bを除き左右に各々8本づつの足が?&11から
陽16まで都合16本設けられている。そのうち最外端
のピンすなわち11h8. Th16のピン5a、5b
は通常接地用及び電源用のリードとして各々用いられて
いるが本実施例でも同様に構成されている。そして電源
用ピンすなわち陥8のピン5aのリード部の一部にはチ
ップコンデンサ搭載用のランド部11が設けてありステ
5− −ジ6に樹脂もしくはメタル等で取り付けられて搭載さ
れたICチップ7があり、更にチップコンデンサ9が前
記ランド部11とタイバー108に亘って例えばハンダ
等にて接結されている。また。
置であるために、ステージ部を支持するタイバー10a
、10bを除き左右に各々8本づつの足が?&11から
陽16まで都合16本設けられている。そのうち最外端
のピンすなわち11h8. Th16のピン5a、5b
は通常接地用及び電源用のリードとして各々用いられて
いるが本実施例でも同様に構成されている。そして電源
用ピンすなわち陥8のピン5aのリード部の一部にはチ
ップコンデンサ搭載用のランド部11が設けてありステ
5− −ジ6に樹脂もしくはメタル等で取り付けられて搭載さ
れたICチップ7があり、更にチップコンデンサ9が前
記ランド部11とタイバー108に亘って例えばハンダ
等にて接結されている。また。
接地用ピンすなわち階16ピン5bとタイバー10bと
の間に予めショートパー12を設けである。なお、隔1
6のピン5bのリード部の一部はタイバー10bと例え
ばワイヤボンディングを行ってショートさせてもよい。
の間に予めショートパー12を設けである。なお、隔1
6のピン5bのリード部の一部はタイバー10bと例え
ばワイヤボンディングを行ってショートさせてもよい。
以上の如くしてチップコンデンサー9は電源と接地間に
接続されたことになる。
接続されたことになる。
また、タイバー10a、10bはインダクタンスの低下
のためからも或いはチップコンデンサーの搭載及びピン
との接続上の面からも外リード部1よりも相対的に幅広
に形成しておく方が好都合である。
のためからも或いはチップコンデンサーの搭載及びピン
との接続上の面からも外リード部1よりも相対的に幅広
に形成しておく方が好都合である。
なお2以上述べてきた構成の半導体装置はICチップの
背面を接地として実装した場合であったが1例えばIC
チップ自体に基板電位が設定されている場合のICチッ
プの固定については係る6一 ICチップを樹脂にて接着させておくことにより可能と
なる。すなわち外リード部からバンドを介して基板に電
位を与える様に構成することにより。
背面を接地として実装した場合であったが1例えばIC
チップ自体に基板電位が設定されている場合のICチッ
プの固定については係る6一 ICチップを樹脂にて接着させておくことにより可能と
なる。すなわち外リード部からバンドを介して基板に電
位を与える様に構成することにより。
ICチップのステージから電位を取る必要がないためチ
ップコンデンサーを上記と同様に搭載することが可能と
なる。
ップコンデンサーを上記と同様に搭載することが可能と
なる。
(7) 発明の効果
以上述べて来たよう1こ1本発明を用いるとチップコン
デンサを外リード部と幅広ムこ形成したタイバーとの間
のリードフレーム上に実装してモールディングされてい
るため、インダクタンスが小で実装密度が改善された半
導体装置を得る効果を有する。
デンサを外リード部と幅広ムこ形成したタイバーとの間
のリードフレーム上に実装してモールディングされてい
るため、インダクタンスが小で実装密度が改善された半
導体装置を得る効果を有する。
第1図は従来でのモールド型ICパッケージの実装状態
を示す斜視図、第2図は本発明を用いたICパンケージ
のモールディング前のリードフレームの構成を示す平面
図である。 1・・・プリント基板、 2a、2b・・・半導体
装置、 3a、3b・・・接地端子、3a′、3b′
−・・電源用端子、 4a。 4b・・・バイパス用コンデンサ、 5.5a。 5b・・・外リード部(ピン)、 6・・・ステージ
、 7・・・ICチップ、 9・・・チップコ
ンデンサ、 IOa、10b・・・タイバー、
11・・・ランド部。 特許出願人 富士通株式会社 第 1 図 3α′ 笛 2 図
を示す斜視図、第2図は本発明を用いたICパンケージ
のモールディング前のリードフレームの構成を示す平面
図である。 1・・・プリント基板、 2a、2b・・・半導体
装置、 3a、3b・・・接地端子、3a′、3b′
−・・電源用端子、 4a。 4b・・・バイパス用コンデンサ、 5.5a。 5b・・・外リード部(ピン)、 6・・・ステージ
、 7・・・ICチップ、 9・・・チップコ
ンデンサ、 IOa、10b・・・タイバー、
11・・・ランド部。 特許出願人 富士通株式会社 第 1 図 3α′ 笛 2 図
Claims (2)
- (1)リードフレームにおけるチップ搭載用のステージ
を支持するタイバーと第1の電源供給用リードが接続さ
れ、該タイバーと第2の電源供給用リード間にチップコ
ンデンサが取り付けられ、樹脂封止されてなることを特
徴とする半導体装置。 - (2)該タイバーと該第1の電源供給用リードが連続し
て形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57184371A JPS5972757A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57184371A JPS5972757A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5972757A true JPS5972757A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16152043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57184371A Pending JPS5972757A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5972757A (ja) |
Cited By (12)
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---|---|---|---|---|
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WO2014038066A1 (ja) | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
IT201700055987A1 (it) * | 2017-05-23 | 2018-11-23 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e corrispondente prodotto |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57184371A patent/JPS5972757A/ja active Pending
Cited By (18)
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EP1602130A4 (en) * | 2003-02-21 | 2008-11-05 | Advanced Interconnect Tech Ltd | PIPE WITH INCLUDED PASSIVE DEVICES |
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WO2014038066A1 (ja) | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
EP2894952A1 (en) | 2012-09-07 | 2015-07-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
US9620444B2 (en) | 2012-09-07 | 2017-04-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
IT201700055987A1 (it) * | 2017-05-23 | 2018-11-23 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e corrispondente prodotto |
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