JPH04225554A - 樹脂パッケージ - Google Patents
樹脂パッケージInfo
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- JPH04225554A JPH04225554A JP2408521A JP40852190A JPH04225554A JP H04225554 A JPH04225554 A JP H04225554A JP 2408521 A JP2408521 A JP 2408521A JP 40852190 A JP40852190 A JP 40852190A JP H04225554 A JPH04225554 A JP H04225554A
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- resin
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- molded
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂パッケージに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩやＩＣなどの半導体素子（
以下、チップという）は、組立・加工工程などにおける
気密封止性や耐熱性、機械的強度、化学的安定性などの
各種の要求性能を満たして素子の劣化防止や信頼性向上
を図るべくパッケージが施されるのが一般的である。 このパッケージには主材料としてセラミックと樹脂の２
種類があり、量産性がよく材料コストが安い樹脂パッケ
ージが多く使用されている。このような樹脂パッケージ
は、通常、図２に示すように、アイランドと称する金属
フレーム２上にＡｕメタライズなどののりで接着されて
搭載されたチップ１をワイヤ３を用いてリード線４にボ
ンディングした後、樹脂５で全体をモールドして構成さ
れている。
以下、チップという）は、組立・加工工程などにおける
気密封止性や耐熱性、機械的強度、化学的安定性などの
各種の要求性能を満たして素子の劣化防止や信頼性向上
を図るべくパッケージが施されるのが一般的である。 このパッケージには主材料としてセラミックと樹脂の２
種類があり、量産性がよく材料コストが安い樹脂パッケ
ージが多く使用されている。このような樹脂パッケージ
は、通常、図２に示すように、アイランドと称する金属
フレーム２上にＡｕメタライズなどののりで接着されて
搭載されたチップ１をワイヤ３を用いてリード線４にボ
ンディングした後、樹脂５で全体をモールドして構成さ
れている。
【０００３】ところで、図３に示すように、多端子化さ
れたたとえばＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などの樹脂パッケージの場合は、そのリード線４
と製品基板の接続の際にはんだ液にどぶ漬けするいわゆ
る全面はんだディップの採用の要請が高まっている。そ
の理由は、全面はんだディップにはリードへのはんだ付
けの簡易化や高速化あるいははんだ均一性などのメリッ
トがあるからである。
れたたとえばＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などの樹脂パッケージの場合は、そのリード線４
と製品基板の接続の際にはんだ液にどぶ漬けするいわゆ
る全面はんだディップの採用の要請が高まっている。そ
の理由は、全面はんだディップにはリードへのはんだ付
けの簡易化や高速化あるいははんだ均一性などのメリッ
トがあるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た全面はんだディップでたとえば６４ピン以上のＱＦＰ
を製造する場合は、２６０ ℃もの温度を有するはんだ
槽の熱衝撃により吸収されていた水分が膨張し、モール
ド内のチップの下部側にいわゆるパッケージクラックが
発生するという問題があり、技術的に相当の困難を伴っ
ていた。本発明は、このような課題を解決した樹脂パッ
ケージを提供することを目的とする。
た全面はんだディップでたとえば６４ピン以上のＱＦＰ
を製造する場合は、２６０ ℃もの温度を有するはんだ
槽の熱衝撃により吸収されていた水分が膨張し、モール
ド内のチップの下部側にいわゆるパッケージクラックが
発生するという問題があり、技術的に相当の困難を伴っ
ていた。本発明は、このような課題を解決した樹脂パッ
ケージを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属フレーム
上に搭載された半導体素子をリード線にワイヤボンディ
ングした後樹脂で全体をモールドする樹脂パッケージに
おいて、前記半導体素子を所定の面積を有する金属基板
に搭載し、該基板の上端部に絶縁体を介して支持された
前記リード線をワイヤボンディングし、その後前記基板
の上部全体をモールドすることを特徴とする樹脂パッケ
ージである。
上に搭載された半導体素子をリード線にワイヤボンディ
ングした後樹脂で全体をモールドする樹脂パッケージに
おいて、前記半導体素子を所定の面積を有する金属基板
に搭載し、該基板の上端部に絶縁体を介して支持された
前記リード線をワイヤボンディングし、その後前記基板
の上部全体をモールドすることを特徴とする樹脂パッケ
ージである。
【０００６】
【作 用】本発明によれば、チップ（半導体素子）を
搭載する金属フレームにチップの熱膨張率と同程度の特
性を有する金属基板を用いて、その基板の上部のみをモ
ールドするようにしたので、どぶ漬け時の熱応力による
パッケージクラックを未然に防ぐことができる。また、
金属基板の下面を露出するようにしているので、チップ
の放熱効果を高めることができる。なお、ここで用いら
れる金属基板とする金属には半金属も含まれ、シリコン
，Ｆｅなどが好適である。
搭載する金属フレームにチップの熱膨張率と同程度の特
性を有する金属基板を用いて、その基板の上部のみをモ
ールドするようにしたので、どぶ漬け時の熱応力による
パッケージクラックを未然に防ぐことができる。また、
金属基板の下面を露出するようにしているので、チップ
の放熱効果を高めることができる。なお、ここで用いら
れる金属基板とする金属には半金属も含まれ、シリコン
，Ｆｅなどが好適である。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例を示したもので、チッ
プ１はシリコン基板６上に搭載される。このシリコン基
板６の厚さｔはモールドされる樹脂５の厚さとほぼ同程
度とされる。また、リード線４はそのシリコン基板６の
上端部にたとえばポリイミドなどの絶縁物７を介して支
持され、ワイヤ３によってチップ１とボンディングされ
る。そして、プラスチックなどの樹脂５を用いてシリコ
ン基板６の上部全体を所定の厚さにモールドする。
プ１はシリコン基板６上に搭載される。このシリコン基
板６の厚さｔはモールドされる樹脂５の厚さとほぼ同程
度とされる。また、リード線４はそのシリコン基板６の
上端部にたとえばポリイミドなどの絶縁物７を介して支
持され、ワイヤ３によってチップ１とボンディングされ
る。そして、プラスチックなどの樹脂５を用いてシリコ
ン基板６の上部全体を所定の厚さにモールドする。
【０００８】このような樹脂パッケージを構成すること
により、パッケージクラックの発生の少ない多ピンのパ
ッケージあるいは全面はんだディップが可能なパッケー
ジを製造することができる。なお、シリコン基板６の下
面は露出した状態であるから、素子の発熱を速やかに放
出し得るという効果を上げることができる。
により、パッケージクラックの発生の少ない多ピンのパ
ッケージあるいは全面はんだディップが可能なパッケー
ジを製造することができる。なお、シリコン基板６の下
面は露出した状態であるから、素子の発熱を速やかに放
出し得るという効果を上げることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チップを金属基板に搭載してその基板の上部のみをモー
ルドするようにしたので、どぶ漬け時の熱応力によるパ
ッケージクラックを未然に防ぐことができ、製品の品質
や歩留りの向上に寄与するというすぐれた効果を奏する
。
チップを金属基板に搭載してその基板の上部のみをモー
ルドするようにしたので、どぶ漬け時の熱応力によるパ
ッケージクラックを未然に防ぐことができ、製品の品質
や歩留りの向上に寄与するというすぐれた効果を奏する
。
【図１】本発明の実施例の構成を示す概要図である。
【図２】従来例の構成を示す概要図である。
【図３】従来のフラットパッケージを示す平面図である
。
。
１ チップ（半導体素子）
３ ワイヤ
４ リード線
５ 樹脂
６ シリコン基板（金属基板）
７ 絶縁物
Claims (1)
- 【請求項１】 金属フレーム上に搭載された半導体素
子をリード線にワイヤボンディングした後樹脂で全体を
モールドする樹脂パッケージにおいて、前記半導体素子
を所定の面積を有する金属基板に搭載し、該基板の上端
部に絶縁体を介して支持された前記リード線をワイヤボ
ンディングし、その後前記基板の上部全体をモールドす
ることを特徴とする樹脂パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408521A JPH04225554A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 樹脂パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408521A JPH04225554A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 樹脂パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225554A true JPH04225554A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408521A Pending JPH04225554A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 樹脂パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225554A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818105A (en) * | 1994-07-22 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device with plastic material covering a semiconductor chip mounted on a substrate of the device |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408521A patent/JPH04225554A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818105A (en) * | 1994-07-22 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device with plastic material covering a semiconductor chip mounted on a substrate of the device |
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