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JPH04225214A - 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法 - Google Patents

照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法

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Publication number
JPH04225214A
JPH04225214A JP2407624A JP40762490A JPH04225214A JP H04225214 A JPH04225214 A JP H04225214A JP 2407624 A JP2407624 A JP 2407624A JP 40762490 A JP40762490 A JP 40762490A JP H04225214 A JPH04225214 A JP H04225214A
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JP
Japan
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optical
optical integrator
integrator
size
light source
Prior art date
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Application number
JP2407624A
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English (en)
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Inventor
Yuji Kudo
工藤祐司
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP40762490A priority Critical patent/JP3360686B2/ja
Priority to US07/811,665 priority patent/US5237367A/en
Publication of JPH04225214A publication Critical patent/JPH04225214A/ja
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Publication of JP3360686B2 publication Critical patent/JP3360686B2/ja
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    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0062Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70183Zoom systems for adjusting beam diameter

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用の露光装置
に好適な照明光学装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIや超LSI等の極微細パタ
ーンからなる半導体素子の製造に縮小投影型露光装置が
使用されており、より一層微細なパターンを転写するた
めに多大の努力が続けられている。このようなパターン
の微細化に対応するために、露光光の短波長化と共に、
投影光学系の開口数(以下、NAと略称する。)の増大
が図られてきており、NA=0.5 を越える投影光学
系も実現されてきている。
【0003】そして、このように大きなNAを有する投
影光学系を用いた実際の投影露光においては、照明条件
を最適化することが重要となっている。このために、投
影光学系のNAに対する照明光学系のNAの比に相当す
る所謂σ値の調節によって、所定のパターンについての
解像力とコントラストとの適切なバランスを得るように
両光学系のNAの比を調整することが、例えば特開昭5
9−155843 号公報等により提案されている。
【0004】この提案されている装置では、照明光学系
における2次光源像が形成されるフライアイレンズの射
出側の位置に開口部が可変な可変開口絞りを配置し、こ
の可変開口絞りの開口部の大きさを変化させて、光源像
の大きさを制御していた。すなわち、σ値は投影光学系
の瞳の大きさに対する投影光学系の瞳上に形成される照
明光学系の光源像の大きさの比に対応する。このため、
実際に形成される光源像の遮光の度合いを変化させて、
光源像の大きさを可変とすることにより、実質的に照明
光学系のNAを変化させていた。これにより、投影露光
するパターンの微細化の程度に応じて、所定のパターン
についての解像力とコントラストとが最適状態となるよ
うに照明条件の最適化、すなわちσ値の最適化を図って
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に、この種の照明
光学装置では、微細なパターンの露光焼付に際のスルー
プットを向上させるために、被照射面(マスクあるいは
レチクル)上では、より高い照度が要求される。ところ
が、上記の従来の装置においては、投影露光するパター
ンの微細化の程度に応じて、所定のパターンについての
解像力とコントラストとが最適状態となるような照明条
件としてのσ値の最適化を達成するために、可変開口絞
りの開口部の大きさを小さくした場合には、2次光源像
の周辺部が可変開口絞りにより遮光されて光量損失が大
きくなる。つまり、σ値を最大とした時(可変開口絞り
の口径を最大とした時)には、被照射面(マスクあるい
はレチクル)上で最大の照度が得られるものの、その値
よりも小さくした時(可変開口絞りの口径を小さくした
時)には、被照射面上での照度の低下が生じるため、ス
ループットの低下を免れないという致命的な欠点があっ
た。
【0006】本発明は上記の欠点を克服して、σ値を変
化させた際にも常に光量損失によるスループットの低下
を招くことなく、照射光の有効利用を図って効率良く被
照射面へ導き、より高い照度で均一に照射できる高性能
な照明光学装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1図に示し
た如く、平行光束を供給するための平行光束供給手段と
、該平行光束供給手段からの光束によって複数の2次光
源を形成するための第1オプティカルインテグレータ2
0と、該複数の2次光源Aからの光束を集光する第1集
光光学系(第1コンデンサーレンズ4)と、該第1集光
光学系によって集光された複数の光束からより複数の3
次光源Cを形成するための第2オプティカルインテグレ
ータ5と、該第2オプティカルインテグレータ4により
形成された複数の3次光源Bからの光束を集光して被照
射面Rを重畳的に照明する集光光学系(第2コンデンサ
ーレンズ7)とを有する照明光学装置において、前記第
1オプティカルインテグレータ20または前記第1集光
光学系4を焦点距離可変に構成し、該第1オプティカル
インテグレータ20または前記第1集光光学系4の焦点
距離を変化させることにより、被照射領域Rの大きさを
一定に保ちながら、前記複数の3次光源Cの大きさを可
変とするようにしたものである。
【0008】
【作用】図9には、本発明の構成の前提となる照明光学
系のレンズ構成及び光路図を示している。図9に示す如
く、レーザ等の光源1からの平行光束は、第1オプティ
カルインテグレータ2によりこれの射出側Aに多数の2
次光源が形成され、この位置に固定開口絞り3が設けら
れている。そして、2次光源からの多数の光束は、第1
コンデンサーレンズ4により第2オプティカルインテグ
レータ5の入射面上を重畳的に照射する。その後、第2
オプティカルインテグレータ5によりこれの射出側によ
り多数の3次光源が形成され、この位置に可変開口絞り
6が設けられている。この3次光源らの多数の光束は、
第2コンデンサーレンズ7により被照射面(レチクル)
Rを重畳的に照明し、より均一な照明がなされる。そし
てレチクルR上の所定のパターンが投影対物レンズ8に
よってウエハW上に転写される。このような照明装置に
より、投影レンズ8の瞳P上に3次光源像が形成される
、所謂ケーラー照明が達成される。
【0009】図9の照明装置において、上述の如きσ値
を変更するには、3次光源が形成される位置に設けられ
た可変開口絞り6の口径を点線で示す如く絞り込んで、
光束の一部を遮光することにより達成することができる
。しかしながら、光量損失を招くため、最適なσ値のも
とで効率の良い照明を行うことは不可能である。そこで
、本発明は、σ値が投影対物レンズの瞳上に形成される
照明光学系の光源像の大きさと投影対物レンズの瞳の大
きさの比に対応するため、光量損失を全く招くことなく
照明光学系の光源像の大きさ変化させることに着目した
。そして、複数の2次光源を形成する第1オプティカル
インテグレータを変倍系、あるいは第1コンデンサーレ
ンズを変倍系で構成し、被照射領域の大きさを一定に保
ちながら、第2オプティカルインテグレータによって形
成される3次光源の大きさを可変とすることにより、照
射光の光量損失を全く招くことなく被照射領域をより均
一かつ高効率で照射しながら、σ値を変化させることが
原理的に可能となった。
【0010】
【実施例】図1は本発明による露光用照明装置の原理的
な光学構成を示す光路図であり、(A)は第1オプティ
カルインテグレータ20の最短焦点距離状態、(B)は
第1オプティカルインテグレータ20の最長焦点距離状
態を示している。図1に示す如く、エキシマレーザ等の
レーザ光源1(平行光束供給手段)からの矩形状の光束
断面形状を有する平行光束は、変倍機能を有する第1オ
プティカルインテグレータ20に入射する。第1オプテ
ィカルインテグレータ20は、第1光学素子群21及び
第2光学素子群22とを有し、後述する3次光源の大き
さを可変にするために、双方の光学素子群21, 22
とも相対的間隔が変化するように光軸方向に移動可能に
設けられている。この第1及び第2光学素子群21,2
2 とも並列的に配置された複数の棒状レンズ素子21
0,220 から成っている。
【0011】このように、上記の第1オプティカルイン
テグレータ20の構成によってレーザ光源1からの平行
光束は、第1及び第2光学素子群21,22 での個々
のレンズ素子210,220 の集光作用を受けてこの
レンズ素子と同数の集光点を形成し、第1オプティカル
インテグレータ20の射出側に実質的に面光源(2次光
源)Aを形成する。 ここでは、レーザ光源を用いているため光源1からの光
束はほぼ完全にコリメートされており、面A上に形成さ
れている個々の集光点には実質的に大きさがないと考え
られる。
【0012】第1オプティカルインテグレータ20中の
第1及び第2光学素子群21,22 を構成する個々の
レンズ素子210,220 は、図2の斜示図に示す如
く、光束断面形状に対応して断面が四角形でその入射側
に凸レンズ面210a,220a を有し、射出側には
平面210b,220b を有している。図3は第1オ
プティカルインテグレータの光路図を示しており、(A
)は第1オプティカルインテグレータ20の最短焦点距
離状態、(B)は第1オプティカルインテグレータ20
の最長焦点距離状態を示している。図示の如く、互いに
対向する2つのレンズ素子210,220 の合成の後
側焦点位置20F は変倍した際にも不変で常に射出側
の空間内にある。従って、第1オプティカルインテグレ
ータ20によって形成される実質的面光源Aは、変倍し
た際にも常に位置及び大きさを変えることなく第1オプ
ティカルインテグレータ20の射出側空間内の面A上に
存在する。このため、強力な出力を持つエキシマレーザ
等のレーザ光の集光に伴う熱によって第1オプティカル
インテグレータ20が破壊されるのが防止されている。
【0013】特に、ズームオプティカルインテグレータ
20中の第1光学素子群21を構成するレンズ素子21
0 が入射側面210aにレンズ面を、射出側210b
に平面を有する形状は、球面収差の発生をより小さく抑
え、この球面収差の起因により後述する第2オプティカ
ルインテグレータの入射面にて発生する歪曲収差の発生
を軽減させることが可能となる。これにより、3次光源
にて生ずる周辺光量を低下を抑えることが可能となる。 逆に、この棒状素子210 の入射側面に平面を、射出
側にレンズ面となるように構成すると、発散角を持つ光
束や棒状素子20a の僅かな倒れによる被照射面での
照明状態への悪影響や、また迷光が発生するため好まし
くない。
【0014】なお、本実施例では第2光学素子群22を
構成する個々のレンズ素子220 の入射側面にレンズ
面を、射出側に平面を有しているが、この射出側面にレ
ンズ作用を持たせることも可能である。図1に示した如
く、ズームオプティカルインテグレータ20によって形
成される実質的面光源(2次光源)Aは、これが形成さ
れる位置Aまたはその近傍に設けられて所定形状の開口
部を有する固定開口絞り3によりこの面光源Aを所定の
大きさに設定し、この実質的面光源(2次光源)Aから
の光束は、第1コンデンサーレンズ4により平行光束化
されて、固定の第2オプティカルインテグレータ6へ導
かれる。ここで、第1のズームオプティカルインテグレ
ータ20の各レンズ素子210,220 による複数の
集光点(2次光源)Aからの光束が、第2の固定オプテ
ィカルインテグレータ6の入射側面B上を重畳的に照射
する。
【0015】この第2オプティカルインテグレータ6は
、並列的に配置された複数のレンズ素子から構成されて
おり、図4に示す如く、四角形の棒状レンズ素子50が
複数束ねられて構成されたものである。そして、各棒状
レンズ素子50の入射側面50a 及び射出側面50b
 は凸レンズ面に構成されており、個々の棒状レンズ素
子50の射出側面、即ち後側焦点位置に集光点が形成さ
れ、この点に光源像が形成される。従って、第2オプテ
ィカルインテグレータ全体として見れば、これの射出側
(後側焦点位置)に多数の集光点が形成され、これは第
1オプティカルインテグレータ2の内の一方の光学素子
群21(22)の棒状レンズ素子の数210(220)
と、第2オプティカルインテグレータを構成する棒状レ
ンズ素子50の数との積に相当する数の集光点が形成さ
れ、この面C上により均一な面光源(3次光源)が形成
される。
【0016】なお、第1コンデンサーレンズ4と第2オ
プティカルインテグレータの入射側面50a1を含めた
系に関して、複数の集光点が形成される2次光源として
のA面と、複数の集光点が形成される3次光源としての
第2オプティカルインテグレータ5の射出側面Cとが共
役に構成されている。また、本実施例では3次光源を第
2オプティカルインテグレータ5の射出側面に形成して
いるが、レンズ素子面あるいは内部での強い強度の光の
集光によるレンズの破壊を避けるために、第2オプティ
カルインテグレータ5の棒状レンズ素子50の射出側面
50b のレンズ作用を弱めて等の手法により3次光源
を第2オプティカルインテグレータ2の射出側空間に形
成することが可能であることは言うまでもない。
【0017】以上の如く、第2オプティカルインテグレ
ータ5の構成によって、形成される実質的面光源(3次
光源)Cの大きさは、第2オプティカルインテグレータ
2の移動に伴う変倍により変化する。このため、実質的
面光源(3次光源)が形成される位置Cまたはそれの近
傍には、口径が可変で所定形状の開口部を有する可変開
口絞り6が設けられており、この可変開口絞り6は、こ
の実質的面光源(3次光源)Cの大きさの変化に伴い口
径が適切の大きさに変化する機能を有する。そして、可
変開口絞り6により適切な大きさに設定された実質的面
光源(3次光源)Cからの光束は、第2コンデンサーレ
ンズ7(第2集光光学系)により平行光束化されて、被
照射面としてのレチクル(マスク)R上へ導かれ、第2
オプティカルインテグレータ5の各棒状レンズ素子50
による複数の集光点(3次光源)Cからの光束が、レチ
クルR上を重畳的に照射し、極めて均一な照明がなされ
る。
【0018】このレチクルRには、所定の回路パターン
が形成されており、投影レンズ8に関してこのレチクル
Rと共役な位置に配置されたウエハW上にレチクルR上
の所定の回路パターンの像が投影される。一般には微細
なパターンの露光焼付けに際して、投影対物レンズのN
Aを大きくすると限界解像力が良くなる反面焦点深度が
浅くなり、逆にNAを小さくすると限界解像力が悪化す
る反面焦点深度が深くなる。このため、これに対応する
ために、投影レンズ8の瞳位置Pには口径が可変な可変
開口絞り8aが設けられている。従って、これの口径を
適宜変化させることにより、露光焼付けすべき所定の最
小線幅パターンに最適な口径に設定され、比較的大きな
焦点深度を維持しつつ微細パターンをより鮮明にウエハ
上に転写することが可能となる。
【0019】なお、3次光源が形成される位置Cに設け
られた照明光学系の可変開口絞り6と投影対物レンズ8
の瞳位置Pに設けられた可変開口絞り8aは互いに共役
に構成されている。また、第1オプティカルインテグレ
ータ20により形成される2次光源Aからの多数の光束
が重畳する位置、すなわち第2オプティカルインテグレ
ータ20の入射側面(第2オプティカルインテグレータ
の前側焦点位置)Bは、第2オプティカルインテグレー
タの射出側のレンズ面50b と第2コンデンサーレン
ズ7に関して、レチクル(被照射面)Rと共役に構成さ
れている。
【0020】以上の如き本発明の基本構成において、第
1オプティカルインテグレータ20の焦点距離が最小の
状態の時には、第2オプティカルインテグレータ5の入
射面Bを重畳的に照射する光束は、この第2オプティカ
ルインテグレータ5の入射面Bのほぼ全体をカバーする
の大きさ(光束径または光束幅)に形成されている。そ
して、第1オプティカルインテグレータ20を最小焦点
距離状態から最大焦点距離状態へ変倍は、図1及び図3
に示す如く、第1オプティカルインテグレータ20を構
成する正の屈折力の第1光学素子群21を光源側へ、正
の屈折力の第2光学素子群22を被照射面側へ移動させ
る。これによって、第1オプティカルインテグレータ2
0の射出側空間Aに形成される実質的な面光源(2次光
源)の大きさ及び位置を変化させることなく射出角が変
化し、変倍が達成される。そして、第2オプティカルイ
ンテグレータ5の入射面Bを重畳的に照射する光束の大
きさは変化し、第2オプティカルインテグレータ5の棒
状レンズ素子50を少なくとも2つ以上含む大きさ(光
束径または光束幅)に形成される。このように変倍が達
成されると、2次光源と共役な位置、すなわち第2オプ
ティカルインテグレータ5の射出面Cに形成されるより
複数の実質的面光源(3次光源)の位置を変化させるこ
となく、大きさのみを効率良く変化させることか可能と
なる。その結果、図1に示す如く、第1オプティカルイ
ンテグレータ20の焦点距離の最小状態から最大状態へ
の変倍によって、照明光学系の開口数がNA=sin 
θW からNA=sinθT へ変化し、照明光学系の
実質的な開口数NAは小さくなる。
【0021】この様に、第1オプティカルインテグレー
タ20に変倍機能を持たせることによって、レチクル(
被照射面)Rでの照射領域を変化させることなく、この
レチクルRを照射する照明光学系からの光束の実質的な
開口数(NA)の変更が達成され、高い照明効率を維持
させながら最適なσ値に変更することが可能となる。ま
た、図5に示す如く、第1オプティカルインテグレータ
20を構成する第1光学素子群21及び第2光学素子群
22にそれぞれ正の屈折力,負の屈折力を持たせても良
い。図5における(A)は第1オプティカルインテグレ
ータ20の最短焦点距離状態、(B)は第1オプティカ
ルインテグレータ20の最長焦点距離状態を示している
。この時、第1光学素子群21は、断面が四角形でその
入射側に凸レンズ面210aを、射出側には平面210
bを有しており、第2光学素子群23は、断面が四角形
でその入射側に平面230aを、射出側には凹レンズ面
230bを有している。この構成による第1オプティカ
ルインテグレータ20を最大焦点距離状態から最小焦点
距離状態に変倍する際には、第1光学素子群21と第2
光学素子群22との相対間隔が拡大するように両者がと
もに被照射面側へ移動する。これにより、第1オプティ
カルインテグレータ20の射出側空間に形成される多数
の集光点(2次光源)Aの位置及び大きさを変化させる
ことなく、不図示の第2オプティカルインテグレータ5
の射出側に形成される多数の集光点より形成される実質
的な面光源(3次光源)Cの位置を変えることなく、こ
れの大きさのみを変化させることが可能となる。その結
果、被照射面をより均一かつ高い照度に維持しながら最
適なσ値に変更することが可能となる。
【0022】なお、不図示ではあるが、変倍機能を有す
る第1オプティカルインテグレータ20を構成する第1
光学素子群21及び第2光学素子群22にそれぞれ負の
屈折力,正の屈折力を持たせても良い。さらには、第1
オプティカルインテグレータ20を構成する光学素子群
は原理的に2群構成で変倍機能を十分に持たせることが
可能であるが、これを3群以上の構成にしても良い。
【0023】以上においては、主に光学的構成について
説明したが、次に、最適なσ値の設定についての動作を
図1を参照しながら説明する。露光焼付けを行うべき最
小線幅、投影対物レンズ8の焦点深度、σ値あるいは照
明光学系の開口数NAと投影対物レンズの開口数NA等
の情報を入力手段11に入力すると、この入力手段11
のメモリー部に格納される一方、これらの情報が不図示
の表示部等のCRTモニターにこれらの情報が表示され
る。 次に、入力手段11のメモリー部に格納された情報が制
御手段12へ出力され、この制御手段12内部のCPU
によって、投影対物レンズのNAが最適値となるように
、可変開口絞り8aの最適な口径の大きさに見合う口径
の変化量が算出される。また、制御手段12内部のCP
Uは、投影対物レンズの最適なNA値に基づいて、第2
オプティカルインテグレータ6により形成される最適な
3次光源像Cの大きさを算出すると共に、これに見合う
第1のズームオプティカルインテグレータ20を構成す
る第1光学素子群21及び第2光学素子群22の適切な
変倍量、即ち移動量を算出する。
【0024】次に、制御手段12は、投影対物レンズ8
の可変開口絞り8aを適切な大きさの口径に変化される
旨を第2口径可変手段15へ指令し、照明光学系の可変
開口絞り6を適切な大きさの口径に変化される旨を第1
口径可変手段14へ指令すると共に、3次光源像Cが最
適な大きさとなるように,第1のズームオプティカルイ
ンテグレータ20を構成する第1光学素子群21及び第
2光学素子群22をそれぞれ移動させる旨を駆動手段1
3へ指令する。駆動手段13には、モータ等を含む駆動
部の他に、第1光学素子群21及び第2光学素子群22
の変位位置を検知するエンコーダ等の変位検出器が内蔵
されており、また第1口径可変手段14及び第2口径可
変手段15もモータ等を含む駆動部の他に、口径の大き
さを検知できる口径変位検出器が内蔵されている。従っ
て、制御手段12からの出力により、投影対物レンズ8
の可変開口絞り8a及び照明光学系の可変開口絞り6の
口径の大きさが正確に設定されると共に、第1のズーム
オプティカルインテグレータ20の変倍が正確に行われ
る。よって、第2オプティカルインテグレータ5により
形成される3次光源像Cの大きさと、投影対物レンズ8
の瞳Pの大きさが適切に設定されため、高い照明効率状
態のもとで所望の最適なσ値での露光焼付けが可能とな
る。
【0025】このように、高い照明効率のもとで、適切
なσ値に変更できるため、スループットの低下を招くこ
となく、焼付けるべきパターンの最小線幅及び焦点深度
に応じた最適な照明状態での照明が達成できる。なお、
図1に示した入力手段11は、入力された最小線幅のみ
の情報から適切なσ値を算出し、このσ値の算出結果に
基づいて制御手段12は投影レンズ8の可変開口絞り8
a及び照明光学系の可変開口絞り6の絞り量を算出する
と共に、第1のズームオプティカルインテグレータ20
の変倍のための第1及び第2光学素子群の移動量を算出
して、投影レンズ8の可変開口絞り8aの口径、照明光
学系の可変開口絞り6の口径及びズームオプティカルイ
ンテグレータ20の移動量を制御しても良い。
【0026】また、例えばウエハ上での最小線幅等の情
報が盛り込まれたバーコード等のマークがレチクルRの
照射領域外に刻印されたレチクルRを用いた場合、この
マークを検知するマーク検知手段を適切な箇所に設け、
マーク検知手段により出力された情報に基づいて、制御
手段12が投影レンズ8の可変開口絞り8aの口径、照
明光学系の可変開口絞り6の口径及びズームオプティカ
ルインテグレータ20の移動量を制御するようにしても
良い。 さらには、ズームオプティカルインテグレータ20の移
動に連動して照明光学系の開口絞り6の口径が変化する
ように電気的または機械的な連動機構を設けても良い。 また、開口部の口径の大きさが変化する照明光学系の可
変開口絞り6の代わりに、円形形状等を有する基板上に
互いに異なる口径を有する開口部を円周方向に複数設け
、σ値を変更する際に、この基板を回転させるターレッ
ト式(レボルバー式)の可変開口絞りとしても良い。
【0027】次に、本発明による別の実施例について図
6を参照しながら説明する。図6の(A)は第1コンデ
ンサーレンズ40の最小焦点距離状態、(B)は第1コ
ンデンサーレンズ40の最小焦点距離状態を示している
。なお、図1に示した同一の機能を持つ部材については
同一の符号を付してある。本実施例において図1に示し
た実施例と異なる所は、変倍機能を持つ第1オプティカ
ルインテグレータを固定のオプティカルインテグレータ
とし、第1コンデンサーレンズを変倍系とした点である
【0028】まず、第1オプティカルインテグレータ2
は、図7の斜示図に示す如く、断面が四角形でその入射
側に凸レンズ面200aを有し、射出側には平面200
bを有している。そして、図8の断面光路図に示す如く
、実質的面光源Aは、第1オプティカルインテグレータ
2の射出側空間(後側焦点位置200F)の面A上に存
在する。このため、強力な出力を持つエキシマレーザ等
のレーザ光の集光に伴う熱によって第1オプティカルイ
ンテグレータ2が破壊されるのが防止されている。
【0029】変倍機能を有する第1コンデンサーレンズ
40は、正の屈折力の第1レンズ群41, 正の屈折力
の第2レンズ群42, 正の屈折力の第3レンズ群43
を有しており、図6の(A)及び(B)に示す如く、第
1コンデンサーレンズ40の最小焦点距離状態から最大
焦点距離状態への変倍に際して、第1レンズ群41が光
源側へ移動し、第2レンズ群42及び第3レンズ群43
が互いに異なる移動量で被照射面側へ移動する。これに
より、第1オプティカルインテグレータ2で形成される
多数の2次光源からの光束は、第2オプティカルインテ
グレータ4の入射面Bを重畳的に照射する位置を変える
ことなく照射領域の大きさを変化させることができるの
で、第2オプティカルインテグレータ4により形成され
る実質的面光源(3次光源)Cの位置を変えることなく
大きさのみを可変にすることが可能となる。
【0030】従って、本実施例によれば、第1オプティ
カルインテグレータにより形成される2次光源Aの位置
及び大きさを変化させることなく、第2オプティカルイ
ンテグレータにより形成される3次光源の大きさのみを
コントロールできる。その結果、図6に示す如く、第1
コンデンサーレンズ40の焦点距離の最小状態から最大
状態への変倍によって、照明光学系の開口数がNA=s
inθW からNA=sin θT へ変化し、照明光
学系の実質的な開口数NAは小さくなり、第1実施例と
同様な効果を達成することが可能となる。なお、変倍機
能を有する第1コンデンサーレンズ40を変倍した際に
も常に、第1コンデンサーレンズ40の前側焦点位置に
2次光源Aが、後側焦点位置には第2オプティカルイン
テグレータの入射面(前側焦点位置)Bが位置するよう
に第1コンデンサーレンズ40が構成されている。また
、変倍機能を有する第1コンデンサーレンズ40を構成
する各レンズ群は、3群以上の構成にしても良く、さら
には正・負の屈折力を持つレンズ群を適宜組み合わせて
構成しても良い。
【0031】なお、最適なσ値の自動設定は、第1実施
例で述べた如き手法により達成できるため、説明を省略
する。また、図1及び図6に示した本発明による各実施
例とも、第1オプティカルインテグレータ2,20の射
出側空間に形成される2次光源の大きさを規定する開口
絞り3は原理的に固定絞りで構成することができるが、
光量調節のためにこの開口絞り3の口径を可変にするこ
とも可能である。さらに、本実施例では平行光束供給手
段として平行光束を供給するレーザ等の光源を用いたが
、これに限ることなく、高圧水銀アーク灯等からの光束
を楕円鏡で集光し、その後コリメータレンズで平行光束
化したものを用いても良いことは言うまでもない。また
、各オプティカルインテグレータを構成する棒状レンズ
素子の断面形状を適宜、円形、多角形にすることも可能
である。
【0032】また、第1オプティカルインテグレータと
第1コンデンサーレンズとを同時にズーム化することも
可能である。
【0033】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、光量損失
を招くことなく、高い照度で被照射面を均一に照射する
ことができるので、露光焼付けを行うべき最小線幅,焦
点深度に応じて、最適なσ値に設定した際にも、スルー
プットの低下を全く招くことが全くない高性能な照明光
学装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は本発明による第1実施例の構成及び光路図を
示す図である。
【図2】は本発明による第1実施例の第1オプティカル
インテグレータを構成するレンズ素子の様子を示す斜示
図である。
【図3】は本発明による第1実施例の第1オプティカル
インテグレータの光路図である。
【図4】は本発明による第1実施例の第2オプティカル
インテグレータを構成するレンズ素子の様子を示す斜示
図である。
【図5】は本発明による第1実施例の第1オプティカル
インテグレータを正のレンズ素子群と負のレンズ素子群
とで構成した時の光路図である。
【図6】は本発明による第2実施例の構成及び光路図を
示す図である。
【図7】は本発明による第2実施例の第1オプティカル
インテグレータを構成するレンズ素子の様子を示す斜示
図である。
【図8】は本発明による第2実施例の第1オプティカル
インテグレータを構成するレンズ素子の光路図である。
【図9】は本発明の照明光学装置の構成の前提となる照
明光学系のレンズ構成及び光路図を示している。
【主要部分の符号の説明】
1・・・・・ 光源 2,200・・・・・ 第1オプティカルインテグレー
タ3・・・・・ 固定開口絞り 4・・・・・ 第1コンデンサーレンズ5・・・・・ 
第2オプティカルインテグレータ6・・・・・ 可変開
口絞り 7・・・・・ 第2コンデンサーレンズ8・・・・・ 
投影対物レンズ 8a・・・・・ 可変開口絞り R・・・・・ レチクル W・・・・・ ウエハ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平行光束を供給するための平行光束供給手
    段と、該平行光束供給手段からの光束によって複数の2
    次光源を形成するための第1オプティカルインテグレー
    タと、該複数の2次光源からの光束を集光する第1集光
    光学系と、該第1集光光学系によって集光された複数の
    光束からより複数の3次光源を形成するための第2オプ
    ティカルインテグレータと、該第2オプティカルインテ
    グレータにより形成された複数の3次光源からの光束を
    集光して被照射面を重畳的に照明する第2集光光学系と
    を有する照明光学装置において、前記第1オプティカル
    インテグレータを焦点距離可変に構成し、該第1オプテ
    ィカルインテグレータの焦点距離を変化させることによ
    り、被照射領域の大きさを一定に保ちながら、前記複数
    の3次光源の大きさを可変とすることを特徴とする照明
    光学装置。
  2. 【請求項2】前記第1オプティカルインテグレータは、
    第1光学素子群と第2光学素子群とを有し、該両光学素
    子群との間隔を変化させて、前記第1オプティカルイン
    テグレータの焦点距離を変化させることを特徴とする請
    求項1記載の照明光学装置。
  3. 【請求項3】前記第1オプティカルインテグレータの後
    側焦点位置と前記第2オプティカルインテグレータの後
    側焦点位置とが共役関係となるように構成することを特
    徴とする請求項1または請求項2記載の照明光学装置。
  4. 【請求項4】前記第1オプティカルインテグレータの焦
    点距離が最小の時には、前記第2オプティカルインテグ
    レータに入射する2次光源からの複数の光束は、前記第
    2オプティカルインテグレータのほぼ全体をカバーする
    大きさに形成され、前記第1オプティカルインテグレー
    タの焦点距離が最大の時には、前記第2オプティカルイ
    ンテグレータに入射する2次光源からの複数の光束は、
    前記第2オプティカルインテグレータを構成する光学素
    子の内、2つ以上含む大きさに形成されることを特徴と
    する請求項1乃至請求項3記載の照明光学装置。
  5. 【請求項5】前記第2オプティカルインテグレータの被
    照射面側の焦点位置あるいはそれの近傍に、大きさが可
    変な所定形状の開口部を有する可変開口絞りを有し、該
    可変開口絞りは、前記第1オプティカルインテグレータ
    の焦点距離を変化に連動して、前記開口部の大きさを変
    化させることを特徴とする請求項1乃至請求項4記載の
    照明光学装置。
  6. 【請求項6】前記第1光学素子群及び第2光学素子は、
    正の屈折力を有するレンズ素子または負の屈折力を有す
    るレンズ素子の集合よりなることを特徴とする請求項1
    乃至請求項5記載の照明光学装置。
  7. 【請求項7】平行光束を供給するための平行光束供給手
    段と、該平行光束供給手段からの光束によって複数の2
    次光源を形成するための第1オプティカルインテグレー
    タと、該複数の2次光源からの光束を集光する第1集光
    光学系と、該第1集光光学系によって集光された複数の
    光束からより複数の3次光源を形成するための第2オプ
    ティカルインテグレータと、該第2オプティカルインテ
    グレータにより形成された複数の3次光源からの光束を
    集光して被照射面を重畳的に照明する第2集光光学系と
    を有する照明光学装置において、前記第1集光光学系を
    焦点距離可変に構成し、該第1集光光学系の焦点距離を
    変化させることにより、被照射領域の大きさを一定に保
    ちながら、前記複数の3次光源の大きさを可変とするこ
    とを特徴とする照明光学装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392094A (en) * 1992-08-07 1995-02-21 Nikon Corporation Illumination optical system and exposure apparatus including the same system
JPH09232226A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Sony Corp スキャン式露光装置
US5867319A (en) * 1996-10-25 1999-02-02 Nikon Corporation Illumination optical system, an exposure apparatus having the illumination system, and a method for manufacturing a semiconductor device
JP2001033875A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6285855B1 (en) 1997-03-24 2001-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and exposure apparatus having the same
JP2003178963A (ja) * 2001-09-05 2003-06-27 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag 照射装置のためのズームシステム
WO2010090190A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ露光装置
WO2018168993A1 (ja) * 2017-03-17 2018-09-20 株式会社ニコン 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5638211A (en) 1990-08-21 1997-06-10 Nikon Corporation Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system
US7656504B1 (en) 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
US6885433B2 (en) * 1990-11-15 2005-04-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5719704A (en) 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6897942B2 (en) * 1990-11-15 2005-05-24 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6967710B2 (en) 1990-11-15 2005-11-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5673102A (en) * 1991-02-22 1997-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US5305054A (en) 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
JPH0536586A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Canon Inc 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
JP3102076B2 (ja) * 1991-08-09 2000-10-23 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5703675A (en) * 1992-01-17 1997-12-30 Nikon Corporation Projection-exposing apparatus with deflecting grating member
JPH05217855A (ja) * 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
JP3075381B2 (ja) * 1992-02-17 2000-08-14 株式会社ニコン 投影露光装置及び転写方法
US5309198A (en) * 1992-02-25 1994-05-03 Nikon Corporation Light exposure system
JP3278896B2 (ja) * 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
DE4220705C2 (de) * 1992-06-24 2003-03-13 Lambda Physik Ag Vorrichtung zum Aufteilen eines Lichtstrahles in homogene Teilstrahlen
JP2917704B2 (ja) * 1992-10-01 1999-07-12 日本電気株式会社 露光装置
NL194929C (nl) * 1992-10-20 2003-07-04 Samsung Electronics Co Ltd Projectiebelichtingssysteem.
US5636003A (en) 1992-11-05 1997-06-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and scanning exposure apparatus
NL9301973A (nl) * 1992-11-20 1994-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Belichtingssysteem voor een projectiebelichtingsapparaat.
KR100234357B1 (ko) * 1992-11-21 1999-12-15 윤종용 투영노광장치
JP3440458B2 (ja) * 1993-06-18 2003-08-25 株式会社ニコン 照明装置、パターン投影方法及び半導体素子の製造方法
JPH07142369A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Nec Corp 露光装置
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
JPH07226357A (ja) * 1993-12-16 1995-08-22 Nikon Corp 位置検出装置
JP3368653B2 (ja) * 1994-03-11 2003-01-20 株式会社ニコン 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置
US5695274A (en) * 1994-03-23 1997-12-09 Olympus Optical Co., Ltd. Illuminating optical system for use in projecting exposure device
US5453814A (en) * 1994-04-13 1995-09-26 Nikon Precision Inc. Illumination source and method for microlithography
JP3633002B2 (ja) * 1994-05-09 2005-03-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及び露光方法
EP0687956B2 (de) * 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5619245A (en) * 1994-07-29 1997-04-08 Eastman Kodak Company Multi-beam optical system using lenslet arrays in laser multi-beam printers and recorders
JPH08179237A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nikon Corp 照明光学装置
JP3600869B2 (ja) * 1995-02-10 2004-12-15 株式会社ニコン 投影光学系及び該光学系を備えた投影露光装置
US5986744A (en) * 1995-02-17 1999-11-16 Nikon Corporation Projection optical system, illumination apparatus, and exposure apparatus
KR100422887B1 (ko) * 1995-03-16 2005-02-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치및방법
JP3608580B2 (ja) * 1995-03-22 2005-01-12 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、露光方法、及びフライアイレンズ
JPH08293461A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Nikon Corp 照明装置および該装置を備えた投影露光装置
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5724122A (en) * 1995-05-24 1998-03-03 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system having spatially separate vertical and horizontal image planes for use in photolithography
JPH0950958A (ja) * 1995-05-29 1997-02-18 Nikon Corp 照明光学装置及びそれを備えた投影露光装置
JP3491212B2 (ja) * 1995-06-23 2004-01-26 株式会社ニコン 露光装置、照明光学装置、照明光学系の設計方法及び露光方法
US5801821A (en) * 1995-06-30 1998-09-01 Intel Corporation Photolithography method using coherence distance control
US5896188A (en) * 1996-11-25 1999-04-20 Svg Lithography Systems, Inc. Reduction of pattern noise in scanning lithographic system illuminators
KR100496078B1 (ko) * 1996-11-25 2005-11-22 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. 주사형 리소그래피에서 사용되는 조명 시스템
JP4310816B2 (ja) * 1997-03-14 2009-08-12 株式会社ニコン 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法
JPH116957A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法
JP3925576B2 (ja) 1997-07-24 2007-06-06 株式会社ニコン 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
US5856884A (en) * 1997-09-05 1999-01-05 Nikon Corporation Projection lens systems
JPH11176742A (ja) * 1997-12-12 1999-07-02 Nikon Corp 照明光学系と露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US6700645B1 (en) 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
JPH11214293A (ja) 1998-01-22 1999-08-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
KR20010042098A (ko) * 1998-03-24 2001-05-25 오노 시게오 조명 장치, 노광 방법 및 장치와 디바이스 제조 방법
US6532047B1 (en) * 1998-10-27 2003-03-11 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Irradiation device for polarized light for optical alignment of a liquid crystal cell element
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6282027B1 (en) 1999-03-26 2001-08-28 Vari-Lite, Inc. Zoomable beamspreader with matched optical surfaces for non-imaging illumination applications
US6307682B1 (en) 2000-02-16 2001-10-23 Silicon Valley Group, Inc. Zoom illumination system for use in photolithography
TW508653B (en) 2000-03-24 2002-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
EP1202100A3 (de) * 2000-10-27 2005-04-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung
DE10144243A1 (de) * 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System für eine Beleuchtungseinrichtung
DE10144244A1 (de) * 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System, insbesondere für eine Beleuchtungseinrichtung
JP4316829B2 (ja) * 2001-09-20 2009-08-19 富士フイルム株式会社 露光装置及び結像倍率調整方法
US6993701B2 (en) * 2001-12-28 2006-01-31 Network Appliance, Inc. Row-diagonal parity technique for enabling efficient recovery from double failures in a storage array
JP2004004169A (ja) 2002-05-30 2004-01-08 Nikon Corp 顕微鏡照明装置及び顕微鏡装置
US6809869B2 (en) 2002-08-28 2004-10-26 Genlyte Thomas Group Llc Zoomable beamspreader for non-imaging illumination applications
JP3961963B2 (ja) * 2003-01-23 2007-08-22 富士フイルム株式会社 露光装置
WO2005015314A2 (en) * 2003-07-30 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag An illumination system for microlithography
JP3984950B2 (ja) * 2003-11-12 2007-10-03 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
JPWO2006070580A1 (ja) * 2004-12-27 2008-06-12 株式会社ニコン オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2006208700A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Olympus Corp 顕微鏡装置、顕微鏡の制御方法、及びプログラム
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
JP2009069691A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Olympus Corp 顕微鏡照明装置
US8167469B2 (en) * 2008-03-20 2012-05-01 Panasonic Corporation Surface light emitting apparatus emitting laser light
US8016449B2 (en) * 2008-03-20 2011-09-13 Panasonic Corporation Surface light emitting apparatus emitting laser light
DE102009006685A1 (de) 2009-01-29 2010-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die Mikro-Lithographie
JP5403255B2 (ja) * 2009-11-17 2014-01-29 セイコーエプソン株式会社 照明装置およびプロジェクター
JP5532210B2 (ja) * 2009-11-17 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 照明装置およびプロジェクター
US9134537B2 (en) * 2011-04-05 2015-09-15 V Technology Co., Ltd. Laser lighting device
US9002138B2 (en) * 2011-12-19 2015-04-07 Ziva Corporation Computational imaging using variable optical transfer function
US9921396B2 (en) 2011-07-17 2018-03-20 Ziva Corp. Optical imaging and communications
CN103170732A (zh) * 2013-03-19 2013-06-26 启东文鑫电子有限公司 一种激光器的运作系统
WO2019058176A1 (en) * 2017-09-21 2019-03-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. LENS ARRANGEMENTS FOR VARYING A DIGITAL OPENING IN LASER DISTRIBUTION SYSTEMS
DE102022205273B3 (de) * 2022-05-25 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
JPS59155843A (ja) * 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
JPH0786647B2 (ja) * 1986-12-24 1995-09-20 株式会社ニコン 照明装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392094A (en) * 1992-08-07 1995-02-21 Nikon Corporation Illumination optical system and exposure apparatus including the same system
JPH09232226A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Sony Corp スキャン式露光装置
US5867319A (en) * 1996-10-25 1999-02-02 Nikon Corporation Illumination optical system, an exposure apparatus having the illumination system, and a method for manufacturing a semiconductor device
US6285855B1 (en) 1997-03-24 2001-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and exposure apparatus having the same
KR100305657B1 (ko) * 1997-03-24 2001-10-19 미다라이 후지오 조명장치및이조명장치를가진노광장치
JP2001033875A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2003178963A (ja) * 2001-09-05 2003-06-27 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag 照射装置のためのズームシステム
WO2010090190A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ露光装置
JP2010182731A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 V Technology Co Ltd レーザ露光装置
KR20110120872A (ko) * 2009-02-03 2011-11-04 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 레이저 노광 장치
TWI463270B (zh) * 2009-02-03 2014-12-01 V Technology Co Ltd 雷射曝光裝置
WO2018168993A1 (ja) * 2017-03-17 2018-09-20 株式会社ニコン 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
KR20190117642A (ko) * 2017-03-17 2019-10-16 가부시키가이샤 니콘 조명 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법
JPWO2018168993A1 (ja) * 2017-03-17 2019-12-19 株式会社ニコン 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法

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JP3360686B2 (ja) 2002-12-24

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