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JP2917704B2 - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JP2917704B2
JP2917704B2 JP4263451A JP26345192A JP2917704B2 JP 2917704 B2 JP2917704 B2 JP 2917704B2 JP 4263451 A JP4263451 A JP 4263451A JP 26345192 A JP26345192 A JP 26345192A JP 2917704 B2 JP2917704 B2 JP 2917704B2
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JP
Japan
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light source
integrator
shape
illumination
secondary light
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JP4263451A
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JPH06118657A (ja
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圭一郎 東内
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に使
用する露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の技術について添付の図面を
参照して説明する。図3は従来の技術による露光装置照
明系の概略を示す光路図である。従来の露光装置では、
光源31から照明光32を楕円ミラー33により反射さ
せた後、リレーレンズ34によりコニカル(コーン)レ
ンズ35に導く。楕円ミラー33は中央部が欠落した形
状となっているため、照明光32も中央部が欠落した輪
帯状となる。そこで、コニカルレンズ35により照明光
32の中央部の欠落部分がなくなるように照明光32を
成形する。
【0003】次に、インテグレータ36により均一化さ
れた二次光源像を形成する。その後、二次光源像を開口
絞り37により任意の形状に成形し、コンデンサーレン
ズ38を通してレチクル39を照明する。実際の照明系
ではさらに波長フィルター、ビームスプリッター、照度
計及びレチクルの視野絞り等が搭載されている。
【0004】開口絞り37は通常円形開口が用いられて
いるが、照明光の可干渉度は開口径の大きさにより決ま
るコヒーレンスファクターσにより変化し、σにより露
光装置の解像度及び焦点深度が変化する。可干渉度の最
適値は、レチクル上のパターンの形状及び大きさにより
異なるが、微細なパターンに対しては、コヒーレンスフ
ァクターσが0.5から0.7程度が良い。
【0005】また、近年レチクルの透過パターン上に透
過光の位相を変化させる位相シフターを配置し、解像度
と焦点深度を向上させる方法が検討されている。この場
合、前記円形開口絞りの径を小さくし、コヒーレンスフ
ァクターσを約0.3 以下と小さくした方が解像度及び焦
点深度が向上する。
【0006】また、輪帯形状の開口絞りにすると、特定
のレチクルパターンにおいて解像度及び焦点深度が向上
するため、これを用いた輪帯照明法が検討されている。
この場合、照明光の可干渉度は輪帯の外径と内径で決ま
る夫々コヒーレンスファクターσとσ′とで決定され、
検討の結果、σは0.7程度、σ′はσの70%程度が
焦点深度等の点で良いことがわかった。
【0007】このように、投影するレチクルの種類及び
パターン形状により最適な二次光源形状が異なる。従来
の露光装置で二次光源形状を変更するには、開口絞り3
7を交換する方法を用いていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチク
ルの種類により二次光源形状を最適形状に切り替えて使
用する場合、従来の方法では均一な円形に形成された二
次光源の一部を開口絞り37により遮光して所望の二次
光源形状を得るため、露光部分が大きいと照度が低下
し、露光作業の処理能力が低下するという問題点があ
る。
【0009】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、照度の低下をもたらすこと無く、光源形状
の切り替えが可能であり、処理能力を向上できる露光装
置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願第1発明に係る露光
装置は、その照明系において、光源と、インテグレータ
と、前記光源とインテグレータとの間の光路に設けられ
照明光の輪帯形状を調整する複数枚のレンズからなる
輪帯形状調整手段と、倍率切り替えレンズ手段と、前記
インテグレータの出口側に設けられた開口絞りとを有
し、前記輪帯形状調整手段で照明光の輪帯の外径と内径
との比率を調整し、前記倍率切換レンズ手段は複数種類
用意された倍率切り替えレンズを切り替えることにより
照明光の二次光源像を拡大縮小して任意の外径及び内径
をもつ輪帯状二次光源を形成すると共に、前記開口絞り
により前記二次光源の形状を決定することを特徴とす
る。
【0011】また、本願第2発明に係る露光装置は、そ
の照明系において、光源と、インテグレータと、前記光
源とインテグレータとの間の光路に設けられ相互間の距
離を調節可能の1対の光学部品とを有し、前記光学部品
の一方は片面に凸型三角錘面を持ち、他方は片面に前記
凸型三角錘面に対向して凹型三角錘面を持つことを特徴
とする。
【0012】
【作用】本願第1発明においては、倍率切り替えレンズ
手段が複数種類用意された倍率切り替えレンズを切り替
えることにより、照明光の二次光源像を倍率切り替えで
拡大縮小して二次光源を形成すると共に、前記開口絞り
により前記二次光源の形状を決定する。これにより、照
明光の損失を低減して二次光源の大きさを可変形成する
ことができる。
【0013】また、本願第2発明においては、前記光学
部品により照明光の二次光源形状を輪帯形状にし、前記
光学部品の相互間の距離を変えることにより輪帯形状の
二次光源の外径と内径との比率を変えることができる。
そこで、本願第1発明と本願第2発明とを組み合わせる
と、前述の如くして輪帯形状の二次光源を成形した後、
倍率切り替えレンズにより照明光の二次光源形状を倍率
切り替えで拡大縮小することができる。このように組み
合わせることにより、照明損失を低減して、輪帯形状の
二次光源の外径と内径との大きさを任意に設定すること
ができる。
【0014】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
【0015】図1は本発明の第1の実施例に係る露光装
置の照明系の概略を示す光路図である。従来の方法と同
様にして光源である水銀ランプ11からの照明光12を
楕円ミラー13により反射させた後、リレーレンズ14
を介してコーンレンズ15に導き、このコーンレンズ1
5により円形状に成形した後、この照明光12を倍率切
り替えレンズ16へ導く。
【0016】本実施例は、このコーンレンズ15とイン
テグレータ17との間に、複数の倍率切り換えレンズ1
6を備えた倍率切り換えレンズ手段を設けたことに特徴
を有する。この倍率切り替えレンズ16は円形状の照明
光12を拡大又は縮小する。また、倍率切り換えレンズ
16は複数種類用意されており、この倍率切り換えレン
ズ16を切り換えて二次光源の大きさを任意に変更する
ことができる。
【0017】その後、インテグレータ17により均一化
された二次光源を得る。次いで、開口絞り18により二
次光源形状を所望の円形形状に成形する。このようにし
て、形成された二次光源によりコンデンサーレンズ19
を通してレチクル20を照明する。
【0018】本実施例においては、倍率切り換えレンズ
16を切り換えて二次光源の大きさを拡大縮小するか
ら、照度の低下を防止することができる。即ち、本実施
例の照明光学系によれば、予め光源11からの照明光1
2を倍率切り換えレンズ16により低損失で所望の二次
光源形状に近い形状に形成した後、開口絞り18により
所望の二次光源形状に成形するため、開口絞りにより遮
光される光が少ない。
【0019】なお、倍率切り替えレンズ16は、レンズ
間距離を変えて倍率を変更するものであっても良い。
【0020】図2は本発明の第2の実施例に係る露光装
置の照明系の概略を示す光路図である。本実施例は、第
1の実施例の露光装置に1対の光学部品23,24を組
み合わせたものである。即ち、第1の実施例のコーンレ
ンズ15と、倍率切り換えレンズ16との間に、1対の
光学部品23,24が設置されている。この一方の光学
部品23は片面を凸型円錘面としたものであり、他方の
光学部品24は片面を凹型円錘面としてこの凹型円錘面
を光学部品23の凸型円錘面に対向させて光路上に配置
されている。この光学部品23と光学部品24との間の
距離Lは可変である。
【0021】本実施例においては、第1の実施例と同様
にして、光源である水銀灯(図2に図示せず)からの照
明光21を楕円ミラー及びリレーレンズ(図示せず)に
よりコーンレンズ15に導く。コーンレンズ15により
円形状にした照明光21を、片面を凸型円錘面とした光
学部品23と片面を凹型円錘面とした光学部品24によ
り再度輪帯状の分布に形成する。このとき、光学部品2
3と光学部品24との間の距離Lを変えることにより、
輪帯分布の外径aと内径bとの比率を調節する。この
際、距離Lを0にすれば照明光は円形分布となり、距離
Lを大きくすれば内径bの外径aに対する比率が大きく
なる。
【0022】その後、第1の実施例と同様にして、倍率
切り替えレンズにより輪帯状の照明光を縮小する。この
とき、縮小率を切り替えて所望の大きさにし、インテグ
レータにより輪帯形状の均一化された二次光源を得る。
このようにして輪帯の外径対内径比率及び縮小率の調節
により、任意の外径及び内径を持つ輪帯状二次光源を形
成することが可能となる。その後、開口絞りにより正確
に二次光源形状を成形する。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、倍率切り換えレンズ手
段により、光源からの照明光を低損失で所望の二次光源
形状に近い形状に成形するので、照度の低下を招来する
ことなく、二次光源の形状を切り換えることができる。
また、1対の光学レンズを組み込めば、開口絞りにより
遮光される光が少なく、任意の外径と内径を持つ輪帯光
源及び円形光源を低損失で可変形成可能となる。
【0024】これにより、露光装置において、各種のレ
チクルパターンに合わせて最適な輪帯又は円形光源に切
り替えて露光する場合においても、照度の低下を招くこ
となく光源の切り替えが可能となり、本発明によれば、
従来の露光装置で問題であった処理能力の低下を回避で
きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る露光装置の照明系
の概略を示す光路図である。
【図2】本発明の第2の実施例に係る露光装置の照明系
の概略を示す光路図である。
【図3】従来の露光装置の照明系の概略を示す光路図で
ある。
【符号の説明】
11,31;水銀ランプ 12,21,32;照明光 13,33;楕円ミラー 14,34;リレーレンズ 15,22,35;コーンレンズ 16;倍率切り替えレンズ 17,36;インテグレータ 18,37;開口絞り 19,38;コンデンサーレンズ 20,39;レチクル 23,24;光学部品

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 その照明系において、光源と、インテグ
    レータと、前記光源とインテグレータとの間の光路に設
    けられ照明光の輪帯形状を調整する複数枚のレンズから
    なる輪帯形状調整手段と、倍率切り替えレンズ手段と、
    前記インテグレータの出口側に設けられた開口絞りとを
    有し、前記輪帯形状調整手段で照明光の輪帯の外径と内
    径との比率を調整し、前記倍率切換レンズ手段は複数種
    類用意された倍率切り替えレンズを切り替えることによ
    り照明光の二次光源像を拡大縮小して任意の外径及び内
    径をもつ輪帯状二次光源を形成すると共に、前記開口絞
    りにより前記二次光源の形状を決定することを特徴とす
    る露光装置。
  2. 【請求項2】 その照明系において、光源と、インテグ
    レータと、前記光源とインテグレータとの間の光路に設
    けられ相互間の距離を調節可能の1対の光学部品とを有
    し、前記光学部品の一方は片面に凸型三角錘面を持ち、
    他方は片面に前記凸型三角錘面に対向して凹型三角錘面
    を持つことを特徴とする露光装置。
JP4263451A 1992-10-01 1992-10-01 露光装置 Expired - Lifetime JP2917704B2 (ja)

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US08/128,002 US5357312A (en) 1992-10-01 1993-09-28 Illuminating system in exposure apparatus for photolithography

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424803A (en) * 1991-08-09 1995-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP3316937B2 (ja) * 1992-11-24 2002-08-19 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び該露光装置を用いた転写方法
US5432588A (en) * 1993-02-08 1995-07-11 Mitsubishi Denk Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of making the semiconductor device
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
US6304317B1 (en) 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
EP0658810B1 (de) * 1993-12-13 1998-11-25 Carl Zeiss Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Maskierungssystem
JP3368653B2 (ja) * 1994-03-11 2003-01-20 株式会社ニコン 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5473408A (en) * 1994-07-01 1995-12-05 Anvik Corporation High-efficiency, energy-recycling exposure system
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5639668A (en) * 1995-09-14 1997-06-17 Boehringer Mannheim Corporation Optical apparatus for performing an immunoassay
US5715040A (en) * 1995-10-12 1998-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Illumination aperture of low intensity loss
US6259513B1 (en) 1996-11-25 2001-07-10 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system with spatially controllable partial coherence
US5896188A (en) * 1996-11-25 1999-04-20 Svg Lithography Systems, Inc. Reduction of pattern noise in scanning lithographic system illuminators
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6573975B2 (en) 2001-04-04 2003-06-03 Pradeep K. Govil DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation
KR100431883B1 (ko) * 2001-11-05 2004-05-17 삼성전자주식회사 노광방법 및 투영 노광 장치
US6784976B2 (en) * 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
US6888615B2 (en) * 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
JP3950732B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP3950731B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
DE10322375A1 (de) * 2003-05-13 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsoptimiertes Axiconsystem und Beleuchtungssystem mit einem solchen Axiconsystem
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
US7542217B2 (en) * 2003-12-19 2009-06-02 Carl Zeiss Smt Ag Beam reshaping unit for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2007115034A2 (en) 2006-03-31 2007-10-11 Alcon, Inc. Method and system for correcting an optical beam
US8688401B2 (en) 2011-12-22 2014-04-01 Alcon Research, Ltd. Providing consistent output from an endoilluminator system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01216361A (ja) * 1988-02-24 1989-08-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 紫外線露光装置の照明光学系並びにフライズアイレンズ及びその製造方法
JP3360686B2 (ja) * 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
JPH04369209A (ja) * 1991-06-17 1992-12-22 Nikon Corp 露光用照明装置
JP2803934B2 (ja) * 1991-12-10 1998-09-24 三菱電機株式会社 投影露光装置及び露光方法
US5309198A (en) * 1992-02-25 1994-05-03 Nikon Corporation Light exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
KR970003882B1 (ko) 1997-03-22
US5357312A (en) 1994-10-18
JPH06118657A (ja) 1994-04-28
KR940010218A (ko) 1994-05-24

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