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JPH0381321B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0381321B2
JPH0381321B2 JP58044995A JP4499583A JPH0381321B2 JP H0381321 B2 JPH0381321 B2 JP H0381321B2 JP 58044995 A JP58044995 A JP 58044995A JP 4499583 A JP4499583 A JP 4499583A JP H0381321 B2 JPH0381321 B2 JP H0381321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric resonator
metal
microstrip
chassis
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58044995A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59169212A (ja
Inventor
Motoo Mizumura
Kenzo Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58044995A priority Critical patent/JPS59169212A/ja
Priority to CA000449653A priority patent/CA1210461A/en
Priority to DE8484102852T priority patent/DE3483789D1/de
Priority to AU25641/84A priority patent/AU575807B2/en
Priority to EP84102852A priority patent/EP0121824B1/en
Publication of JPS59169212A publication Critical patent/JPS59169212A/ja
Publication of JPH0381321B2 publication Critical patent/JPH0381321B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
    • H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
    • H—ELECTRICITY
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    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
    • H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マイクロ波発振装置に関し、特に、
発振用の半導体能動素子のチツプを使用して誘電
体共振器により発振周波数を安定化した誘電体制
御集積化発振器に関するものである。
従来、考えられている誘電体制御集積化発振器
の構成例を第１図ａ，ｂに示す。第１図ａは従来
例をカバーを除去して上からみた平面図、第１図
ｂは第１図ａのＡ−A′線に沿つた断面図である。
第１図ａ，ｂにおいて、１はアルミナセラミツ
ク等の高誘電率基板を示し、該高誘電率基板１の
上に、出力取り出し用のパターン３、誘電体共振
器２と半導体能動素子６とを電磁界結合させる為
の結合パターン４及び半導体能動素子６をろう付
けする為のパターン５がさらに高誘電率基板１の
裏面には接地導体パターンが形成されている。す
なわち高誘電率基板１はマイクロストリツプ基板
となつている。
７は金属のシヤーシであり、８は金属のカバ
ー、９は発振出力取り出し用の端子、１０，１１
は半導体能動素子にDCバイアスを供給する為の
端子をそれぞれ示す。
第１図に示した従来例では、半導体能動素子チ
ツプ６はGaAsFETチツプの場合を示しており、
ゲート電極がパターン４に接続されドレイン電極
が接地されている。
半導体能動素子チツプを使用する場合には、チ
ツプを外気（特に湿気）から保護する為にシヤー
シ７とカバー８とからなる発振器パツケージを気
密構造にすることが必要である。第１図に示した
従来例では端子９，１０，１１とシヤーシ７は気
密構造になつており、又シヤーシ７とカバー８は
はんだ付け等により気密構造とすることができ
る。
しかしながら、第１図に示す如き従来例には以
下に述べる欠点がある。すなわち、第１図に示し
た従来例の発振器が気密封止完了後に、経年変
化、温度変化等により周波数変動をおこした場合
には周波数調整ができないという事である。
又、気密封止前の発振器の調整時に於いても誘
電体共振器の寸法公差からくる周波数偏差を吸収
し、周波数を必要な値にセツトすることができな
い。もし、カバー８に第２図に示す様なタツプ孔
をあけて周波数調整用の金属ねじ１２を取り付け
て周波数をあわせられる様にすると、こんどは気
密封止を保つことができなくなり、半導体チツプ
が外気にさらされることになり信頼度が著しく劣
化する。
以上述べた如く、従来の構成方法では、気密封
止と周波数調整という２つの重要な要求を同時に
満足することはできなかつた。
本発明は従来の上記事情に鑑みてなされたもの
であり、従つて本発明の目的は、従来の上記欠点
を改善し、気密封止と周波数調整を同時に行うこ
とができる新規な発振器を提供することにある。
上記目的を達成する為に、本発明に係るマイク
ロ波発振装置は、マイクロ波能動素子のチツプを
使用し誘電体共振器により周波数を安定化してい
る誘電体制御集積化発振器において、金属シヤー
シの底部にタツプ孔を設け、該タツプ孔を、集積
回路を構成しトランジスタチツプを搭載している
高誘電率基板によつて被覆すると共に前記金属シ
ヤーシの上部に金属カバーを被冠して、前記高誘
電率基板の上部に前記タツプ孔に対向するように
搭載された誘電体共振器の気密封止パツケージを
形成し、前記誘電体共振器の下面部分に対応する
前記高誘電率基板の裏面導体部分を一部削除する
と共に、前記誘電体共振器に向つて前記タツプ孔
に金属ねじを入れて構成され、上記誘電体共振器
と上記金属ねじとの距離を変えることにより周波
数調整を行うことを特徴とする。
次に本発明をその好ましい一実施例について図
面を参照しながら具体的に説明する。
第３図ａは本発明に係るマイクロ波発振装置の
一実施例をカバーを除去して示す平面図、第３図
ｂは第３図ａのＢ−Ｂ線に沿つて切断し矢印の方
向に見た断面図である。第３図ａ，ｂに於いて第
１図と同等の機能を有するものには同一の参照番
号を付している。
第３図において、発振器のパツケージは、金属
シヤーシ１７と、カバー８と、マイクロストリツ
プ基板である高誘電率基板１により構成されてい
る。
本発明においては、金属シヤーシ１７の底部は
肉厚に形成されており、しかも誘電体共振器２の
位置の部分にタツプ孔１７ａがあけられている。
該タツプ孔１７ａに周波数調整用の金属ねじ２２
が螺合されている。更に、本発明では、高誘電率
基板１の裏面導体パターンは、誘電体共振器２の
下面部分が一部削除されている。この様に高誘電
率基板１の裏面パターンを一部削除することによ
り、誘電体共振器２に励振されている電磁界の一
部がシヤーシ１７のタツプ孔１７ａへ漏れ出すこ
とができる。従つて、金属ねじ２２の位置を変え
ることにより、発振周波数を調整することができ
る。この場合に、電磁界的なシールドは、金属シ
ヤーシ１７とねじ２２により保たれているので、
放射損失により誘電体共振器の無負荷Ｑが低下す
る心配は殆んどない。
又、気密封止は金属シヤーシ１７、カバー８及
び高誘電率基板１により確実に行うことができる
為に、半導体チツプ６が外気により影響を受ける
ことがない。
以上述べた如く、本発明によれば、気密封止に
より半導体チツプの信頼度を保つた上でなおかつ
簡単な構成により気密封止後においても容易にし
かも的確に発振周波数の調整を行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来におけるこの種の装置の構成例
をカバーを除去して示す平面図、第１図ｂは第１
図ａのＡ−A′線に沿つて切断し矢印の方向に見
た断面図、第２図は本発明を説明する為の断面
図、第３図ａは本発明の一実施例をカバーを除去
して示す平面図、第３図ｂは第３図ａのＢ−
B′線に沿つて切断し矢印の方向に見た断面図で
ある。 １……高誘電率基板、２……誘電体共振器、
３，４，５……パターン、６……半導体能動素
子、７，１７……金属シヤーシ、８……金属カバ
ー、９，１０，１１……端子、１２，２２……ね
じ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波能動素子のチツプおよび誘電体共
    振器をマイクロストリツプ基板に搭載した誘電体
    制御集積化発振器に於いて、 金属シヤーシの底部にタツプ孔を設け、 該タツプ孔を、前記マイクロストリツプ基板の
    裏面により被覆するとともに前記金属シヤーシの
    上部に金属カバーを被冠して気密封止パツケージ
    を形成し、 前記誘電体共振器を前記マイクロストリツプ基
    板に前記タツプ孔と対向するように搭載し、 前記誘電体共振器搭載位置に対応する前記マイ
    クロストリツプ基板の裏面導体部分を一部削除す
    るとともに、前記タツプ孔に周波数調整用金属ね
    じを挿入したことを特徴とするマイクロ波発振装
    置。
JP58044995A 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置 Granted JPS59169212A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044995A JPS59169212A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置
CA000449653A CA1210461A (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator
DE8484102852T DE3483789D1 (de) 1983-03-16 1984-03-15 Mikrowellenoszillator.
AU25641/84A AU575807B2 (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator
EP84102852A EP0121824B1 (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044995A JPS59169212A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59169212A JPS59169212A (ja) 1984-09-25
JPH0381321B2 true JPH0381321B2 (ja) 1991-12-27

Family

ID=12707009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58044995A Granted JPS59169212A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0121824B1 (ja)
JP (1) JPS59169212A (ja)
AU (1) AU575807B2 (ja)
CA (1) CA1210461A (ja)
DE (1) DE3483789D1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE3483789D1 (de) 1991-02-07
EP0121824A1 (en) 1984-10-17
AU2564184A (en) 1984-09-20
JPS59169212A (ja) 1984-09-25
CA1210461A (en) 1986-08-26
EP0121824B1 (en) 1991-01-02
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