JPH0358111A - 半導体デイスク装置 - Google Patents
半導体デイスク装置Info
- Publication number
- JPH0358111A JPH0358111A JP1192598A JP19259889A JPH0358111A JP H0358111 A JPH0358111 A JP H0358111A JP 1192598 A JP1192598 A JP 1192598A JP 19259889 A JP19259889 A JP 19259889A JP H0358111 A JPH0358111 A JP H0358111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- power supply
- semiconductor memory
- supplied
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はバッテリによりバックアップされる半導体デ
ィスク装置に関し、特にバックアップ用バッテリとして
一次電池および二次電池を有する半導体ディスク装置に
関する。
ィスク装置に関し、特にバックアップ用バッテリとして
一次電池および二次電池を有する半導体ディスク装置に
関する。
［従来の技術］
従来、半導体ディスク装置においてバックアップ用のバ
ッテリとしては次の２種類の電池のうちのどちらかが使
用されている。
ッテリとしては次の２種類の電池のうちのどちらかが使
用されている。
■一次電池，すなわち、水根電池，リチウム電池などの
ようにいったん放電すると、充電によってもとの状態に
戻せない電池。
ようにいったん放電すると、充電によってもとの状態に
戻せない電池。
■二次電池，すなわち、鉛蓄電池，ニッケルーカドミウ
ム蓄電池などのように放電させた後、外部電源を用いて
充電すればくりかえして使用できる電池。
ム蓄電池などのように放電させた後、外部電源を用いて
充電すればくりかえして使用できる電池。
［発明が解決しようとする課題］
近年、半導体ディスク装置は大容量化しているため、バ
ックアップにより消費される電力も増加している。
ックアップにより消費される電力も増加している。
このため、バックアップ用バッテリとして一次電池を使
用している場合は、充電ができないために一次電池の寿
命が極端に短くなり、バックアップできる期間も大幅に
短くなる。これを回避するためには、一次電池の個数を
増加するしかないので、大容量の半導体ディスク装置を
バックアップするために大量の一次電池が必要になって
しまう問題があった。
用している場合は、充電ができないために一次電池の寿
命が極端に短くなり、バックアップできる期間も大幅に
短くなる。これを回避するためには、一次電池の個数を
増加するしかないので、大容量の半導体ディスク装置を
バックアップするために大量の一次電池が必要になって
しまう問題があった。
また、バックアップ用バッテリとして二次電池を使用し
ている場合は、バックアップにより消費された電力を充
電して補充することが可能であるため、半導体ディスク
装置の大容量化にある程度対応できる。しかし、例えば
充電量に比較して放電量が多いときは、バックアップし
得るバックアップ時間は二次電池の満充電時の最大バッ
クアップ時間に満たなくなる。したがって、半導体ディ
スク装置をバックアップできなくなり、半導体ディスク
装置の記憶内容が消えてしまう事態を招く恐れがあり、
また、過放電の繰り返しによって二次電池の寿命が著し
く短くなってしまう問題があった。
ている場合は、バックアップにより消費された電力を充
電して補充することが可能であるため、半導体ディスク
装置の大容量化にある程度対応できる。しかし、例えば
充電量に比較して放電量が多いときは、バックアップし
得るバックアップ時間は二次電池の満充電時の最大バッ
クアップ時間に満たなくなる。したがって、半導体ディ
スク装置をバックアップできなくなり、半導体ディスク
装置の記憶内容が消えてしまう事態を招く恐れがあり、
また、過放電の繰り返しによって二次電池の寿命が著し
く短くなってしまう問題があった。
［課題を解決するための手段］
この発明の半導体ディスク装置は次の各手段を有してい
る。
る。
（ａ）ＡＣ電源をＤＣ電源に変換して供給する主電源部
、 （ｂ）ＤＣ電源を供給する一次電池、 （ｃ）ＤＣ電源を供給する二次電池、 （ｄ）ＤＣ電源を供給されて記憶内容を保持する半導体
メモリ、 （ｅ）主電源部から供給されるＤＣ電源の状態を監視し
て、このＤＣ電源が正常な状態である場合に主電源許可
信号を出力し、ＤＣ電源が異常な状態である場合に主電
源切断信号を出力する電源監視部、 （ｆ）主電源部，一次電池，および二次電池のＤＣ電源
の中から１つのＤＣ電源を選択して半導体メモリに供給
する電源切り替え制御部。
、 （ｂ）ＤＣ電源を供給する一次電池、 （ｃ）ＤＣ電源を供給する二次電池、 （ｄ）ＤＣ電源を供給されて記憶内容を保持する半導体
メモリ、 （ｅ）主電源部から供給されるＤＣ電源の状態を監視し
て、このＤＣ電源が正常な状態である場合に主電源許可
信号を出力し、ＤＣ電源が異常な状態である場合に主電
源切断信号を出力する電源監視部、 （ｆ）主電源部，一次電池，および二次電池のＤＣ電源
の中から１つのＤＣ電源を選択して半導体メモリに供給
する電源切り替え制御部。
［作用］
主電源許可信号が電源切り替え制御部に入力された場合
には主電源部からのＤＣ電源が選択され半導体メモリに
供給される。主電源切断信号が電源切り替え制御部に入
力された場合には二次電池からのＤＣ電源が選択されて
半導体メモリに供給される。また、二次電池からのＤＣ
電源が半導体メモリに供給されている場合にこのＤＣ電
源が低下したときには、一次電池からのＤＣ電源が選択
されて半導体メモリに供給される。
には主電源部からのＤＣ電源が選択され半導体メモリに
供給される。主電源切断信号が電源切り替え制御部に入
力された場合には二次電池からのＤＣ電源が選択されて
半導体メモリに供給される。また、二次電池からのＤＣ
電源が半導体メモリに供給されている場合にこのＤＣ電
源が低下したときには、一次電池からのＤＣ電源が選択
されて半導体メモリに供給される。
したがって、ＡＣ電源が切断して主電源部から半導体メ
モリに正常なＤＣ電源が供給されないために二次電池の
ＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合、この二
次電池のＤＣ電源の電圧が低下したときは二次電池に替
えて一次電池のＤＣ電源が半導体メモリに供給される。
モリに正常なＤＣ電源が供給されないために二次電池の
ＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合、この二
次電池のＤＣ電源の電圧が低下したときは二次電池に替
えて一次電池のＤＣ電源が半導体メモリに供給される。
［実施例］
次に、この発明について図面を参照して説明する。
図はこの発明の半導体ディスク装置の一実施例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１はバッテリによりバックアップされる半導体メモリ、
２は上位装置からこの半導体ディスク装置１０に対して
なされるアクセス．すなわち、半導体メモリに対する読
み出しおよび書き込みを制御するアクセス制御部である
。３はＡＣ電源を入力してＤＣ電源を供給する主電源部
、４は主電源部３の電源が切断したことを監視する電源
監視部、５はバックアップ用の二次電池６の充電を制御
する充電制御部、７はバックアップ用の一次電源である
。８は半導体メモリ１に対して、主電源部３．一次電源
７，または二次電源６を切り替えて供給する電源切り替
え部である。
２は上位装置からこの半導体ディスク装置１０に対して
なされるアクセス．すなわち、半導体メモリに対する読
み出しおよび書き込みを制御するアクセス制御部である
。３はＡＣ電源を入力してＤＣ電源を供給する主電源部
、４は主電源部３の電源が切断したことを監視する電源
監視部、５はバックアップ用の二次電池６の充電を制御
する充電制御部、７はバックアップ用の一次電源である
。８は半導体メモリ１に対して、主電源部３．一次電源
７，または二次電源６を切り替えて供給する電源切り替
え部である。
次に、動作について説明する。
（１）ＡＣ電源が正常な場合
ＡＣ電源が主電源部３に平常通り供給されている場合、
主電源部３は電源切り替え制御部８および充電制御部５
に正常なＤＣ電圧を供給する。
主電源部３は電源切り替え制御部８および充電制御部５
に正常なＤＣ電圧を供給する。
電源監視部４は主電源部３から各部に供給されているＤ
Ｃ電源が正常であることを検出すると、アクセス制御部
２に対してアクセスの実行を許可するアクセス許可信号
を送出するとともに、電源切り替え制御部８に主雷源部
３からのＤＣ電源を半導体メモリ↓に供給することを指
示する主電源許可信号を送出する。
Ｃ電源が正常であることを検出すると、アクセス制御部
２に対してアクセスの実行を許可するアクセス許可信号
を送出するとともに、電源切り替え制御部８に主雷源部
３からのＤＣ電源を半導体メモリ↓に供給することを指
示する主電源許可信号を送出する。
これにより、アクセス許可信号を受け取ったアクセス制
御部２は上位装置からアクセスの要求を受け付けると、
半導体メモリ１に対する読み出しおよび書き込みアクセ
スを実行する。一方、主電源許可信号を受け取った電源
切り替え制御部８は主電源部３から供給されるＤＣ電源
を半導体メモリｌに供給する。
御部２は上位装置からアクセスの要求を受け付けると、
半導体メモリ１に対する読み出しおよび書き込みアクセ
スを実行する。一方、主電源許可信号を受け取った電源
切り替え制御部８は主電源部３から供給されるＤＣ電源
を半導体メモリｌに供給する。
また、充電制御部５は主電源部３から供給されるＤＣ電
源によって一次電池６の充電を行う。
源によって一次電池６の充電を行う。
ｆ２１Ａｃ電源が停止した場合
主電源部３に正常に供給されていたＡＣ電源が停止する
と、主電源部３から出力されるＤＣ電源の電圧は徐々に
低下していく。このＤＣ電源電圧の低下を検出した電源
監視部４は、アクセス制御部２にアクセス中止信号を送
出するとともに、電源切り替え制御部８に主電源切断信
号を出力する。
と、主電源部３から出力されるＤＣ電源の電圧は徐々に
低下していく。このＤＣ電源電圧の低下を検出した電源
監視部４は、アクセス制御部２にアクセス中止信号を送
出するとともに、電源切り替え制御部８に主電源切断信
号を出力する。
これにより、アクセス中止信号を受け取ったアクセス制
御部２は、ただちに上位装置からの読み出しおよび書き
込みアクセスを中止して半導体メモリ１の内容を保護す
る。一方、主電源切断信号を受け取った電源切り替え制
御部８は、半導体メモリ１に供給するＤＣ電源を主電源
部３のＤＣ電源から二次電池６のＤＣ電源に切り替える
。
御部２は、ただちに上位装置からの読み出しおよび書き
込みアクセスを中止して半導体メモリ１の内容を保護す
る。一方、主電源切断信号を受け取った電源切り替え制
御部８は、半導体メモリ１に供給するＤＣ電源を主電源
部３のＤＣ電源から二次電池６のＤＣ電源に切り替える
。
この後、電源切り替え制御部８は二次電池６のＤＣ電源
の電圧状態を監視する。電源切り替え制御部８は二次電
池６の電圧出力が所定の値以下に低下してきたことを検
出すると、半導体メモリ上に供給するＤＣ電源を二次電
池６のＤＣ電源がら一次電池７のＤＣ電源に切り替える
。このようにして、半導体メモリ１に対するＤＣ電源の
供給元を二次電池６から一次電池７に切り替えることに
よって、二次電池６の過放電を防止することができる。
の電圧状態を監視する。電源切り替え制御部８は二次電
池６の電圧出力が所定の値以下に低下してきたことを検
出すると、半導体メモリ上に供給するＤＣ電源を二次電
池６のＤＣ電源がら一次電池７のＤＣ電源に切り替える
。このようにして、半導体メモリ１に対するＤＣ電源の
供給元を二次電池６から一次電池７に切り替えることに
よって、二次電池６の過放電を防止することができる。
（３１ ＡＣ電源が正常状態に復帰した場合主電源部
３に正常なＡＣ電源が供給されると、主電源部３から出
力されるＤＣ電源の電圧は徐々に上昇していく。電源監
視部４はＤＣ電源が使用可能な電圧に達したことを検出
すると、アクセス制御部８にアクセス許可信号を出力す
るとともに、電源切り替え制御部８に主電源許可信号を
出力する。
３に正常なＡＣ電源が供給されると、主電源部３から出
力されるＤＣ電源の電圧は徐々に上昇していく。電源監
視部４はＤＣ電源が使用可能な電圧に達したことを検出
すると、アクセス制御部８にアクセス許可信号を出力す
るとともに、電源切り替え制御部８に主電源許可信号を
出力する。
これによって、アクセス許可信号を受け取ったアクセス
制御部２は、上位装置から半導体メモリ１への読み出し
および書き込みアクセスを許可する。一方、主電源許可
信号を受け取った電源切り替え制御部８は、半導体メモ
リエに供給するＤＣ電源を二次電池６または一次電池７
のＤＣ電源から主電源部３のＤＣ電源に切り替える。
制御部２は、上位装置から半導体メモリ１への読み出し
および書き込みアクセスを許可する。一方、主電源許可
信号を受け取った電源切り替え制御部８は、半導体メモ
リエに供給するＤＣ電源を二次電池６または一次電池７
のＤＣ電源から主電源部３のＤＣ電源に切り替える。
二次電池６は充電制御部５により充電されて充電状態と
なる．このとき、一次電池７は放電停止状態となる。
なる．このとき、一次電池７は放電停止状態となる。
［発明の効果コ
以上説明したように、この発明の半導体ディスク装置に
よれば、主電源許可信号が電源切り替え制御部に入力さ
れた場合には主電源部からのＤＣ電源が選択され半導体
メモリに供給される。主電源切断信号が電源切り替え制
御部に入力された場合には二次電池からのＤＣ電源が選
択されて半導体メモリに供給される。また、二次電池か
らのＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合にこ
のＤＣ電源が低下したときには、一次電池からのＤＣ電
源が選択されて半導体メモリに供給される。
よれば、主電源許可信号が電源切り替え制御部に入力さ
れた場合には主電源部からのＤＣ電源が選択され半導体
メモリに供給される。主電源切断信号が電源切り替え制
御部に入力された場合には二次電池からのＤＣ電源が選
択されて半導体メモリに供給される。また、二次電池か
らのＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合にこ
のＤＣ電源が低下したときには、一次電池からのＤＣ電
源が選択されて半導体メモリに供給される。
このことにより、ＡＣ電源が切断して主電源部から半導
体メモリに正常なＤＣ電源が供給されないために二次電
池のＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合、こ
の二次電池のＤＣ電源の電圧が低下したときは二次電池
に替えて一次電池のＤＣ電源が半導体メモリに供給され
る。
体メモリに正常なＤＣ電源が供給されないために二次電
池のＤＣ電源が半導体メモリに供給されている場合、こ
の二次電池のＤＣ電源の電圧が低下したときは二次電池
に替えて一次電池のＤＣ電源が半導体メモリに供給され
る。
したがって、半導体メモリに所定のＤＣ電源を供給し得
るバックアップ時間は、二次電池と一次電池のバックア
ップ時間の合計となるので、バックアップ時間を延長す
ることができる。また、半導体メモリにＤＣ電源を供給
している二次電池の出力電圧か低下したときには，二次
電池から半導体メモリに対するＤＣ電源の供給を停止す
るので、二次電池の過放電を防止して二次電池の寿命を
延ばす効果がある。
るバックアップ時間は、二次電池と一次電池のバックア
ップ時間の合計となるので、バックアップ時間を延長す
ることができる。また、半導体メモリにＤＣ電源を供給
している二次電池の出力電圧か低下したときには，二次
電池から半導体メモリに対するＤＣ電源の供給を停止す
るので、二次電池の過放電を防止して二次電池の寿命を
延ばす効果がある。
図はこの発明の半導体ディスク装置の一実施例を示すブ
ロック図である。 ■・・・半導体メモリ、３・・・主電源部、４・・・電
源監視部、６・・・二次電池、７・・・一次電池、８・
・・電源切り替え制御部、１０・・・半導体ディスク装
置。
ロック図である。 ■・・・半導体メモリ、３・・・主電源部、４・・・電
源監視部、６・・・二次電池、７・・・一次電池、８・
・・電源切り替え制御部、１０・・・半導体ディスク装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＡＣ電源をＤＣ電源に変換して供給する主電源部と、 ＤＣ電源を供給する一次電池と、 ＤＣ電源を供給する二次電池と、 ＤＣ電源を供給されて記憶内容を保持する半導体メモリ
と、 主電源部から供給されるＤＣ電源の状態を監視して、こ
のＤＣ電源が正常な状態である場合に主電源許可信号を
出力し、ＤＣ電源が異常な状態である場合に主電源切断
信号を出力する電源監視部と、 主電源部、一次電池、および二次電池のＤＣ電源の中か
ら１つのＤＣ電源を選択して半導体メモリに供給する電
源切り替え制御部とを有し、電源切り替え制御部は、主
電源許可信号を入力した場合には主電源部からのＤＣ電
源を選択して半導体メモリに供給し、主電源切断信号を
入力した場合には二次電池からのＤＣ電源を選択して半
導体メモリに供給し、二次電池からのＤＣ電源を半導体
メモリに供給している場合にこのＤＣ電源が低下したと
き、一次電池からのＤＣ電源を選択して半導体メモリに
供給することを特徴とする半導体ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192598A JPH0358111A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192598A JPH0358111A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体デイスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358111A true JPH0358111A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16293930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192598A Pending JPH0358111A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0547862A2 (en) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory unit used as external storage |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1192598A patent/JPH0358111A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0547862A2 (en) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory unit used as external storage |
| EP0547862A3 (ja) * | 1991-12-16 | 1994-04-20 | Fujitsu Ltd | |
| US5424994A (en) * | 1991-12-16 | 1995-06-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory unit used as external storage |
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