JPH0354840A - 転写パンプ用フレキシブル基板 - Google Patents
転写パンプ用フレキシブル基板Info
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- JPH0354840A JPH0354840A JP18896789A JP18896789A JPH0354840A JP H0354840 A JPH0354840 A JP H0354840A JP 18896789 A JP18896789 A JP 18896789A JP 18896789 A JP18896789 A JP 18896789A JP H0354840 A JPH0354840 A JP H0354840A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Polyamides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、フィルムキャリアのリードにバンプを転写す
る転写バンプ用フレキシブル基板に関するものである。
る転写バンプ用フレキシブル基板に関するものである。
(従来の技術及びその課題)
ICチノブの実装工程においては、T A B (Ta
pe Automated Bondtng )方式の
利用が、近年益々高まっている。この方式の中で、キャ
リアフィルム上に形成されたインナーリードに、ICチ
ップを接続するために、転写バンプを用いる手法が開発
され、採用されている。
pe Automated Bondtng )方式の
利用が、近年益々高まっている。この方式の中で、キャ
リアフィルム上に形成されたインナーリードに、ICチ
ップを接続するために、転写バンプを用いる手法が開発
され、採用されている。
この手法を以下に説明する。まず、基板上に導電層及び
転写性を考慮した、剥離性を有する導電性層(ITO層
)を順次形威し、該ITO層上に写真触刻法により、バ
ンプの形成予定部が開口されたマスク材としてのレジス
トパターンを形成して、転写原板を作製する。続いて、
電気メッキにより前記レジストパターンの開口部から露
出したITOFJに、金からなるバンプを形或する。引
き続き、ポリイミドまたはガラスエボキシ系樹脂フィル
ムに設けられた電極リードを、前記原板のバンブ上に配
置し、加熱したポンデイングツールにより該リードをバ
ンブに加熱圧着することによりバンブが前記リードに転
写される。次に、このハンブに対して、ICチップをボ
ンデイングツールにより加熱圧着することで、ICチッ
プがキャリアテーブのインナーリード上に実装される。
転写性を考慮した、剥離性を有する導電性層(ITO層
)を順次形威し、該ITO層上に写真触刻法により、バ
ンプの形成予定部が開口されたマスク材としてのレジス
トパターンを形成して、転写原板を作製する。続いて、
電気メッキにより前記レジストパターンの開口部から露
出したITOFJに、金からなるバンプを形或する。引
き続き、ポリイミドまたはガラスエボキシ系樹脂フィル
ムに設けられた電極リードを、前記原板のバンブ上に配
置し、加熱したポンデイングツールにより該リードをバ
ンブに加熱圧着することによりバンブが前記リードに転
写される。次に、このハンブに対して、ICチップをボ
ンデイングツールにより加熱圧着することで、ICチッ
プがキャリアテーブのインナーリード上に実装される。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、該基板は、シリコンやセラミック、ガラ
ス等のリジッドな材料のために、前記したような転写バ
ンブ用基板の製造、バンプの転写、ICチンブのボンデ
イングという一連の長いプロセスにおいて、バッチ処理
が強いられ、生産性に劣る、或いは些細なことでそれが
破損するなど工業上における大きな欠点を有していた。
ス等のリジッドな材料のために、前記したような転写バ
ンブ用基板の製造、バンプの転写、ICチンブのボンデ
イングという一連の長いプロセスにおいて、バッチ処理
が強いられ、生産性に劣る、或いは些細なことでそれが
破損するなど工業上における大きな欠点を有していた。
本発明の目的は、これらの欠点をもたない転写バンブ用
フレキシブル基板を提供することにある。
フレキシブル基板を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記課題を解決するために、転写バンブ用
フレキシブル基板材として、特に、加熱収縮率、熱線膨
張係数が極めて低い耐熱性フィルムを用いることを見出
し、本発明を完戒するに至った。
フレキシブル基板材として、特に、加熱収縮率、熱線膨
張係数が極めて低い耐熱性フィルムを用いることを見出
し、本発明を完戒するに至った。
すなわち、本発明は;
250℃における加熱収縮率が0.3%以下、且つ熱線
膨張係数が1. 5 X 1 0−’tm/閣/”C
以下である耐熱性フィルムを用いることを特徴とする、
転写バンプ用フレキシブル基板である。
膨張係数が1. 5 X 1 0−’tm/閣/”C
以下である耐熱性フィルムを用いることを特徴とする、
転写バンプ用フレキシブル基板である。
本発明の転写バンプ用フレキシブル基板に用いられる耐
熱性フィルムは、バラ配向型の芳香族ポリアξド、ポリ
イξド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルス
ルホン等の高融点もしくは高分解温度を有するフィルム
である。
熱性フィルムは、バラ配向型の芳香族ポリアξド、ポリ
イξド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルス
ルホン等の高融点もしくは高分解温度を有するフィルム
である。
高密度TABパターンに対応させる等、高寸法安定性が
要求される場合には、実質的にパラ配同性芳香族ボリア
ミドよりなるフィルムが最も適している。
要求される場合には、実質的にパラ配同性芳香族ボリア
ミドよりなるフィルムが最も適している。
パラ配同型の芳香族ポリアミドとしては、ポリ(p−フ
エニレンテレフタルアミド)(以下PPTAという)や
ポリ (p−ペンズアミド)及びこれらのモノマー或分
を主要構戒要素とする共重合体が最も好ましく用いられ
る。
エニレンテレフタルアミド)(以下PPTAという)や
ポリ (p−ペンズアミド)及びこれらのモノマー或分
を主要構戒要素とする共重合体が最も好ましく用いられ
る。
本発明に最も好ましいポリマーとして用いられるPPT
Aは、実質的に で表されるポリマーであり、従来公知のパラフェニレン
ジアミンとテレフタロイルクロライドから、低温溶液重
合法により製造するのが好都合である。
Aは、実質的に で表されるポリマーであり、従来公知のパラフェニレン
ジアミンとテレフタロイルクロライドから、低温溶液重
合法により製造するのが好都合である。
本発明に用いられる耐熱性フィルムを作るためのボリマ
ーの重合度としては、あまり低いと機械的性質の良好な
フィルムが得られなくなるために、好ましくは3.5以
上、更に好ましくは4.5以上の対数粘度(ηinh)
(硫酸100dにポリマ−0.5gを溶解して30℃で
測定した値)を与える重合度のものが選ばれる。
ーの重合度としては、あまり低いと機械的性質の良好な
フィルムが得られなくなるために、好ましくは3.5以
上、更に好ましくは4.5以上の対数粘度(ηinh)
(硫酸100dにポリマ−0.5gを溶解して30℃で
測定した値)を与える重合度のものが選ばれる。
本発明に用いられる耐熱性フィルムは、耐熱寸法安定性
に優れており、その尺度としては250℃における加熱
収縮率を用いる。本発明に用いられるフィルムは、該加
熱収縮率が0.3%以下であり、好ましくは0.2%以
下である。加熱収縮率が小さいという該フィルムのもつ
好ましい態様は、例えばPPTAの場合、高結晶性及び
高配向性且つ剛直というPPTA分子のもつ本来の性質
が、後述する該フィルムの特別の製法、即ち光学異方性
ドーブから光学等方化して凝固すること、湿潤状態で2
軸延伸すること、及び300℃以上で制限収縮熱処理す
ることを組み合わせた製法により、緻密にして高配向且
つ高結晶性の構造が、歪を残さず形成されたために、充
分に発揮された結果であると信じられている。
に優れており、その尺度としては250℃における加熱
収縮率を用いる。本発明に用いられるフィルムは、該加
熱収縮率が0.3%以下であり、好ましくは0.2%以
下である。加熱収縮率が小さいという該フィルムのもつ
好ましい態様は、例えばPPTAの場合、高結晶性及び
高配向性且つ剛直というPPTA分子のもつ本来の性質
が、後述する該フィルムの特別の製法、即ち光学異方性
ドーブから光学等方化して凝固すること、湿潤状態で2
軸延伸すること、及び300℃以上で制限収縮熱処理す
ることを組み合わせた製法により、緻密にして高配向且
つ高結晶性の構造が、歪を残さず形成されたために、充
分に発揮された結果であると信じられている。
本発明に用いられる耐熱性フィルムの熱線膨張係数は、
1. 5 X 1 0−’an/mm/”C以下であ
ることが必要である。これは、フィルムの熱線膨張係数
を、該基板の主構戒要素であるセラミック系遵電層(例
えばInSnOt)と同レベルとして、フィルムと該S
電層の熱線膨張係数の違いによるカールを抑制すること
、及び高密度ICに対応したTABテープに加熱圧着す
る際の寸法変化を極少化するために、その目安として求
められている該高密度ICの熱線膨張係数と同レベルに
すること等がその主な理由である。
1. 5 X 1 0−’an/mm/”C以下であ
ることが必要である。これは、フィルムの熱線膨張係数
を、該基板の主構戒要素であるセラミック系遵電層(例
えばInSnOt)と同レベルとして、フィルムと該S
電層の熱線膨張係数の違いによるカールを抑制すること
、及び高密度ICに対応したTABテープに加熱圧着す
る際の寸法変化を極少化するために、その目安として求
められている該高密度ICの熱線膨張係数と同レベルに
すること等がその主な理由である。
本発明に用いられる耐熱性フィルムは、その厚みが約5
μm以上のものが有用で、更に有用なのは15μm以上
の厚みのフィルムである。
μm以上のものが有用で、更に有用なのは15μm以上
の厚みのフィルムである。
本発明に用いられる耐熱性フィルムは、好ましくは10
kg/++n++”以上の強度、より好ましくは15k
g/mm”以上の強度をどの方向にも有する。
kg/++n++”以上の強度、より好ましくは15k
g/mm”以上の強度をどの方向にも有する。
本発明に用いられる耐熱性フィルムは、例えばパラ配同
型芳香族ボリアミドの場合、次のような方法によって製
造される。即ち、パラ配向型芳香族ボリア壽ドと95重
量%以上の硫酸とから実質的になる光学異方性ドープを
、ダイから光学異方性を保ったまま、移動する支持面上
に流延し、吸温又は/及び加熱により該ドーブを光学等
方性に転化した後、凝固させ、次いで洗浄し、湿潤状態
のまま2軸延伸し、乾燥した後、300℃以上で収縮を
制限しながら熱処理することによって製造することがで
きる。
型芳香族ボリアミドの場合、次のような方法によって製
造される。即ち、パラ配向型芳香族ボリア壽ドと95重
量%以上の硫酸とから実質的になる光学異方性ドープを
、ダイから光学異方性を保ったまま、移動する支持面上
に流延し、吸温又は/及び加熱により該ドーブを光学等
方性に転化した後、凝固させ、次いで洗浄し、湿潤状態
のまま2軸延伸し、乾燥した後、300℃以上で収縮を
制限しながら熱処理することによって製造することがで
きる。
本発明に用いられる耐熱性フィルムは、断片或いは連続
フィルムとして、いずれが採用されてもよいが、工業上
生産性を高めるためには、連続フィルムとしての使用が
好ましい。連続フィルムとして使用する場合には、いわ
ゆるTABテープの連続パターンに対応した連続の転写
バンブパターンをそのフィルムに形成させる必要がある
。
フィルムとして、いずれが採用されてもよいが、工業上
生産性を高めるためには、連続フィルムとしての使用が
好ましい。連続フィルムとして使用する場合には、いわ
ゆるTABテープの連続パターンに対応した連続の転写
バンブパターンをそのフィルムに形成させる必要がある
。
本発明における断片或いは連続の転写ハンプ用フレキシ
ブル基板は、該フィルムの耐熱性及び耐薬品性が優れて
いるので、前述の(従来の技術)の項において示したよ
うなプロセス条件を基本的に適用することにより製造が
可能である。また、該フィルムを断片状で用いる場合に
は、該バッチプロセスをそのまま適用でき、連続フィル
ム状で用いる場合には、各々のバッチプロセスの一つま
たはそれ以上を連続的に組合せて適用することが好まし
い。
ブル基板は、該フィルムの耐熱性及び耐薬品性が優れて
いるので、前述の(従来の技術)の項において示したよ
うなプロセス条件を基本的に適用することにより製造が
可能である。また、該フィルムを断片状で用いる場合に
は、該バッチプロセスをそのまま適用でき、連続フィル
ム状で用いる場合には、各々のバッチプロセスの一つま
たはそれ以上を連続的に組合せて適用することが好まし
い。
本発明に用いられる連続フィルムは、該連続フィルムの
両サイドに駆動搬送用のスプロケットホールを開けて用
いてもよいし、該ホールを開けずにそのまま用いても、
何ら制限されるものではない。いずれにしてもロールツ
ーロールで処理することが好ましい。また、該連続フィ
ルムの幅は任意であり、製品の製造方法や規格等により
適宜選択される。
両サイドに駆動搬送用のスプロケットホールを開けて用
いてもよいし、該ホールを開けずにそのまま用いても、
何ら制限されるものではない。いずれにしてもロールツ
ーロールで処理することが好ましい。また、該連続フィ
ルムの幅は任意であり、製品の製造方法や規格等により
適宜選択される。
以下、本発明を実施例により説明するが、当然のことな
がら、本発明は実施例によって限定されるものではない
。
がら、本発明は実施例によって限定されるものではない
。
なお、加熱収縮率は、サンプルを約10cm長にとり、
25゛C、60%RHで、精密顕微鏡により測長した後
、250℃のオープン中に2時間入れ、取り出して、2
5℃、60%RHの雰囲気に2時間放置後の長さを精密
測長し、サンプルの初期長さに対する減分の比を百分率
表示したものである。
25゛C、60%RHで、精密顕微鏡により測長した後
、250℃のオープン中に2時間入れ、取り出して、2
5℃、60%RHの雰囲気に2時間放置後の長さを精密
測長し、サンプルの初期長さに対する減分の比を百分率
表示したものである。
実施例
ηinhが4.3のPPTAを99.7%硫酸に12.
5%で溶解し、65℃で光学異方性のある6 500ポ
イズのドープを得た。脱気、濾過した後、0.251I
II1×300ffII1のスリットを有するグイから
、このドーブをタンタル製のベルト上に流延した。この
とき、ダイからの吐出線速度は1.1m7分にし、ベル
トの移動速度を2m/分とした。相対温度約30%の約
110℃の空気を吹きつけて流延ドープを透明な光学等
方性ドーブに転化し、次いで、0℃の10%硫酸水溶液
で凝固させた。
5%で溶解し、65℃で光学異方性のある6 500ポ
イズのドープを得た。脱気、濾過した後、0.251I
II1×300ffII1のスリットを有するグイから
、このドーブをタンタル製のベルト上に流延した。この
とき、ダイからの吐出線速度は1.1m7分にし、ベル
トの移動速度を2m/分とした。相対温度約30%の約
110℃の空気を吹きつけて流延ドープを透明な光学等
方性ドーブに転化し、次いで、0℃の10%硫酸水溶液
で凝固させた。
凝固したシートをベルトから剥がした後、常温の水、0
.2%苛性ソーダ水溶液、約30〜40℃の水の順に洗
浄した。
.2%苛性ソーダ水溶液、約30〜40℃の水の順に洗
浄した。
得られた湿潤フィルムを、長さ方向に1.1倍、幅方向
に1.25倍に逐次延伸し、次いで、350゛Cの熱風
の循環するテンター中で、5分間乾燥熱処理した。
に1.25倍に逐次延伸し、次いで、350゛Cの熱風
の循環するテンター中で、5分間乾燥熱処理した。
得られたフィルムは、透明で、厚み50μm、引張強度
30kg/mm”、引張弾性率1,280kg/In1
l2、密度1.40g/cn、250℃における加熱収
縮率0.09%であった。
30kg/mm”、引張弾性率1,280kg/In1
l2、密度1.40g/cn、250℃における加熱収
縮率0.09%であった。
得られた長尺フィルム上に導電膜としての厚さ1.00
0人のCr層およびITO層(InSnOz)を連続蒸
着法により順次形威した後、該ITo層上に写真触刻法
によりバンブの形或予定部が開口されたマスク材として
のレジストパターンを連続形戒し、次いで電気金メッキ
を連続で施して金バンブを形成して、長尺の連続転写バ
ンプ用フレキシブル基板を作威した。
0人のCr層およびITO層(InSnOz)を連続蒸
着法により順次形威した後、該ITo層上に写真触刻法
によりバンブの形或予定部が開口されたマスク材として
のレジストパターンを連続形戒し、次いで電気金メッキ
を連続で施して金バンブを形成して、長尺の連続転写バ
ンプ用フレキシブル基板を作威した。
このようにして得た連続転写バンブ用フレキシブル基板
をTABテープに連続で、密着、加圧、加熱することで
バンプをリードに転写した。加熱温度は約500℃とし
たが、短時間であるため該フィルムの収縮、劣化等は何
ら発生しなかった。
をTABテープに連続で、密着、加圧、加熱することで
バンプをリードに転写した。加熱温度は約500℃とし
たが、短時間であるため該フィルムの収縮、劣化等は何
ら発生しなかった。
(発明の効果)
本発明の転写バンプ用フレキシブル基板は、基板の製造
、バンプの転写等の一連の長いプロセスにおいて、連続
処理が可能となり、生産性が大幅に向上する、 或いはガラス基板等で多発していた破損によるロスも無
くなり、工業上における大きなメリットを有する。
、バンプの転写等の一連の長いプロセスにおいて、連続
処理が可能となり、生産性が大幅に向上する、 或いはガラス基板等で多発していた破損によるロスも無
くなり、工業上における大きなメリットを有する。
(ばか1名)
Claims (1)
- 250℃における加熱収縮率が0.3%以下、且つ熱
線膨張係数が1.5×10^−^5mm/mm/℃以下
である耐熱性フィルムを用いることを特徴とする、転写
バンプ用フレキシブル基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18896789A JPH0354840A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 転写パンプ用フレキシブル基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18896789A JPH0354840A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 転写パンプ用フレキシブル基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0354840A true JPH0354840A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16233065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18896789A Pending JPH0354840A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 転写パンプ用フレキシブル基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0354840A (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP18896789A patent/JPH0354840A/ja active Pending
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