JPH0349412B2 - - Google Patents
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- JPH0349412B2 JPH0349412B2 JP60169806A JP16980685A JPH0349412B2 JP H0349412 B2 JPH0349412 B2 JP H0349412B2 JP 60169806 A JP60169806 A JP 60169806A JP 16980685 A JP16980685 A JP 16980685A JP H0349412 B2 JPH0349412 B2 JP H0349412B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
- G02F1/133533—Colour selective polarisers
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は液晶表示素子に係り、特に優れた時分
割駆動特性および優れた表示色を有する電界効果
型液晶表示素子に関するものである。 〔発明の背景〕 従来の液晶表示素子のツイステツドネマチツク
タイプと言われるものは、２枚の電極基板間に正
の誘電率異方性を有するネマチツク液晶による
90°ねじたらせん構造を有し、かつ両電極基板の
外側には偏光板をその偏光軸（あるいは吸収軸）
が電極基板に隣接する液晶分子に対し直交あるい
は平行になるように配置するものであつた（特公
昭58−9926号公報）。 ２枚の電極基板間で液晶分子が90°ねじれたら
せん状構造をなすように配向させるには、例えば
電極基板の、液晶に接する表面を布などで一方向
にこする方法、いわゆるラビング法にやつてなさ
れる。このときのこする方向、即ちラビング方向
が液晶分子の配列方向となる。このようにして配
向処理された２枚の電極基板をそれぞれのラビン
グ方向が互にほぼ90度に交差するように間隙をも
たせて対向させ、２枚の電極基板をシール剤によ
り接着し、その間隙に正の誘電異方性をもつたネ
マチツク液晶を封入すると、液晶分子はその電極
基板間でほぼ90度回転したらせん状構造の分子配
列をする。このようにして構成された液晶セルの
上下には偏光板が設けられるが、その偏光軸ある
いは吸収軸はそれぞれの電極基板に隣接する液晶
分子の配列方向とほぼ平行にする。ここで、以降
の説明に必要な時分割駆動特性を表わす量の定義
について簡単に説明する。 第１図は従来の90度ねじれた液晶分子のらせん
構造を持つ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特
性を示している。これは印加電圧に対する反射輝
度の相対値をとつたものであり、輝度の初期値を
100％、最終値（印加電圧が十分大きいときの値）
を０％にしている。一般には、相対輝度が90％と
なる電圧をしきい値Vth、10％となる電圧を飽和
値Vsatとして液晶の特性のめやすにする。しか
し、実用上は90％以上あれば画素は十分明るく液
晶は非点灯状態、50％以下であれば画素は十分暗
く、液晶は点灯状態としてよく、以下本明細書に
おいては、相対輝度が、90％、50％になる電圧を
それぞれ、しきい値電圧Vth、飽和電圧Vsatとす
る。 さらに液晶表示素子の電気光学特性は、見る方
向によつて変り、この特性が良好な表示品質が得
られる視野を制限している。 ここで視角角度φの定義を第２図によつて説明
する。図において、液晶表示素子１の上側電極基
板１１のラビング方向を２、下側電極基板１２の
ラビング方向を３とし、液晶分子のねじれ角を４
とする。また液晶表示素子１の表面に直交座標
XY軸をとり、Ｘ軸方向を液晶分子のねじれ角４
を２等分する方向に規定し、Ｚ軸をXY面の法線
方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角を視角角
度φとする。なお、この場合簡単のために観察方
向５はXZ面内にあることとする。また、第２図
に示されたφを正とし、このような方向から見た
場合、コントラストが高くなるので、このような
方向を視野方向という。 第１図において、角度φ＝10度の輝度が90％に
なる電圧をVth1、50％になる電圧をVsat1とし、
角度φ＝40度の輝度が90％になる電圧をVth2と
したとき、立ち上がり特性γ、角度特性△φ及び
時分割能ｍを次式のように定義する。 γ＝Vsat1／Vth1 △φ＝Vth2／Vth1 ｍ＝Vth2／Vsat1 従来の液晶表示素子の時分割駆動特性は、液晶
の屈折率異飽性を△ｎ、上下電極基地有間間隙を
ｄとした場合△ｎ・ｄに依存しており、△ｎ・ｄ
が大きい場合（例えば0.8μｍ以上）にはγが良く
（小さく）、△φが悪い（小さい）。一方、△ｎ・
ｄが小さい場合（例えば0.8μｍ以下）にはγが悪
く（大きく）、△φが良い（大きく）。しかし、時
分割能ｍで比較した場合には、△ｎ・ｄの小さい
方が良い。以上の具体的な例を表１に示す。
割駆動特性および優れた表示色を有する電界効果
型液晶表示素子に関するものである。 〔発明の背景〕 従来の液晶表示素子のツイステツドネマチツク
タイプと言われるものは、２枚の電極基板間に正
の誘電率異方性を有するネマチツク液晶による
90°ねじたらせん構造を有し、かつ両電極基板の
外側には偏光板をその偏光軸（あるいは吸収軸）
が電極基板に隣接する液晶分子に対し直交あるい
は平行になるように配置するものであつた（特公
昭58−9926号公報）。 ２枚の電極基板間で液晶分子が90°ねじれたら
せん状構造をなすように配向させるには、例えば
電極基板の、液晶に接する表面を布などで一方向
にこする方法、いわゆるラビング法にやつてなさ
れる。このときのこする方向、即ちラビング方向
が液晶分子の配列方向となる。このようにして配
向処理された２枚の電極基板をそれぞれのラビン
グ方向が互にほぼ90度に交差するように間隙をも
たせて対向させ、２枚の電極基板をシール剤によ
り接着し、その間隙に正の誘電異方性をもつたネ
マチツク液晶を封入すると、液晶分子はその電極
基板間でほぼ90度回転したらせん状構造の分子配
列をする。このようにして構成された液晶セルの
上下には偏光板が設けられるが、その偏光軸ある
いは吸収軸はそれぞれの電極基板に隣接する液晶
分子の配列方向とほぼ平行にする。ここで、以降
の説明に必要な時分割駆動特性を表わす量の定義
について簡単に説明する。 第１図は従来の90度ねじれた液晶分子のらせん
構造を持つ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特
性を示している。これは印加電圧に対する反射輝
度の相対値をとつたものであり、輝度の初期値を
100％、最終値（印加電圧が十分大きいときの値）
を０％にしている。一般には、相対輝度が90％と
なる電圧をしきい値Vth、10％となる電圧を飽和
値Vsatとして液晶の特性のめやすにする。しか
し、実用上は90％以上あれば画素は十分明るく液
晶は非点灯状態、50％以下であれば画素は十分暗
く、液晶は点灯状態としてよく、以下本明細書に
おいては、相対輝度が、90％、50％になる電圧を
それぞれ、しきい値電圧Vth、飽和電圧Vsatとす
る。 さらに液晶表示素子の電気光学特性は、見る方
向によつて変り、この特性が良好な表示品質が得
られる視野を制限している。 ここで視角角度φの定義を第２図によつて説明
する。図において、液晶表示素子１の上側電極基
板１１のラビング方向を２、下側電極基板１２の
ラビング方向を３とし、液晶分子のねじれ角を４
とする。また液晶表示素子１の表面に直交座標
XY軸をとり、Ｘ軸方向を液晶分子のねじれ角４
を２等分する方向に規定し、Ｚ軸をXY面の法線
方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角を視角角
度φとする。なお、この場合簡単のために観察方
向５はXZ面内にあることとする。また、第２図
に示されたφを正とし、このような方向から見た
場合、コントラストが高くなるので、このような
方向を視野方向という。 第１図において、角度φ＝10度の輝度が90％に
なる電圧をVth1、50％になる電圧をVsat1とし、
角度φ＝40度の輝度が90％になる電圧をVth2と
したとき、立ち上がり特性γ、角度特性△φ及び
時分割能ｍを次式のように定義する。 γ＝Vsat1／Vth1 △φ＝Vth2／Vth1 ｍ＝Vth2／Vsat1 従来の液晶表示素子の時分割駆動特性は、液晶
の屈折率異飽性を△ｎ、上下電極基地有間間隙を
ｄとした場合△ｎ・ｄに依存しており、△ｎ・ｄ
が大きい場合（例えば0.8μｍ以上）にはγが良く
（小さく）、△φが悪い（小さい）。一方、△ｎ・
ｄが小さい場合（例えば0.8μｍ以下）にはγが悪
く（大きく）、△φが良い（大きく）。しかし、時
分割能ｍで比較した場合には、△ｎ・ｄの小さい
方が良い。以上の具体的な例を表１に示す。
本発明の目的は、従来の液晶表示素子と全く異
なつたセル構造をとることによつて、極めて優れ
た時分割駆動特性を持ち、時分割数32以上でも良
好な画質を持つた液晶表示素子を提供することに
ある。 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために本発明による
液晶表示素子は、液晶分子のらせん構造のねじれ
角を160度から360度の範囲とし、この液晶分子の
らせん構造の前後に少なくとも一方が色偏光板か
らなる一対の偏光板を配設し、それら偏光板の吸
収軸（あるいは偏光軸）を、電極基板に隣接する
液晶分子の配向方向に対し一定角角度ずらせて配
設することを特徴とするものである。 〔発明の実施例〕 次に、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。 第４図は本発明になる液晶表示素子を上側から
見た場合の液晶分子の配列方向（例えばラビング
方向）、液晶分子のねじれ方向、偏光板の吸収軸
（あるいは偏光軸）方向を示している。第５図は
それらの関係を示す斜視図である。第２図と構
造、機能が同一な部分は同一の符号を付した。な
お、本発明による液晶表示素子を反射型表示素子
として使用する場合は、下側の偏光板１６の下の
反射板２０を配置する。 液晶分子１７のねじれ方向１０とねじれ角α
は、上側電極基板１１のラビング方向６と下側電
極基板１２のラビング方向７及びネマチツク液晶
に添加される旋光性物質の種類と量によつて規定
される。 また、ねじれ角αが大きいときには、前述のラ
ビング法に代えて、酸化シリコン（SiO）などを
電極基板面に対し３度から10度傾いた方向から蒸
着する斜方蒸着法（特公昭54−12067号公報）を
使用して液晶分子配向幕を形成することが好まし
い。すなわち、電極基板に隣接する液晶分子の、
該基板に対する傾き、いわゆるチルト（tilt）角
を大きくすることが好ましい。なお、ラビング法
の代わりに斜方蒸着法を用いる場合は、その蒸着
方向は、第４図、第５図、第６図、第７図および
第８図におけるラビング方向（矢印方向）とは逆
方向（180度回転した方向）とする。 ねじれ角αはしきい値近傍の点灯状態が光を散
乱する配向となることから最大値が制限され、
360度が上限であり、また下限はコントラストに
よつて制限され、160度が限界である。 上側の偏光板１５の吸収軸（あるいは偏光軸）
８と上側電極基板１１のラビング方向６とのなす
角β1及び下側の偏光板１６の吸収軸（あるいは偏
光軸）９と下側電極基板１２のラビング方向７と
のなす角β2はコントラスト、明るさ及び色等を考
慮すると、それぞれ20度から70度の範囲に設定す
ることが好ましい。 また、本発明になる液晶表示素子は顕著な△
ｎ・ｄ依存性を示し、コントラスト、明るさ、色
の点から0.7μｍ≦△ｎ・ｄ≦1.2μｍの条件を満足
すると殊に良好な結果を示す。ここで△ｎの値に
ついては一般に波長依存性があり、短波長側で大
きく、長波長側で小さくなる傾向がある。本明細
書で使用している△ｎの値は、He−Neレーザ光
（波長6328〓）を使用し、25℃で測定したもので
あるから、他の波長で測定した場合には本明細書
における△ｎ・ｄの値は若干変化する。 ここで本発明になる液晶表示素子の具体的な一
実施例について、その構造と測定結果を説明す
る。 第６図はその構造、砂ち電極基板のラビング方
向、液晶分子のらせん構造のねじれ方向及び角
度、偏光板の偏光軸（あるいは吸収軸）の関係を
示し、液晶表示素子を上側から見た図である。 使用した液晶はビフエニール系液晶とエステル
シクロヘキサン（ECH）系液晶を主成分とする
ネマチツク液晶で、旋光性物質としてメルク社の
S811を0.5重量％添加したものである。この混合
液晶の△ｎは0.123である。 第６図において、上側及び下側電極基板のラビ
ング方向６，７は互に平行であり、旋光性物質
S811によつて、ねじれ方向は１０、ねじれ角α
は180度となる。 上側の偏光板の吸収軸８と下側の偏光板の吸収
軸９は互に平行であり、ラビング方向６，７とな
す角β1、β2はいずれも45度である。 ここで、上側電極基板１１のラビング方向６、
下側電極基板１２のラビング方向７、および液晶
分子１７のらせん構造の関係を、第６図の実施例
の場合を例にとつて説明する。電極基板をラビン
グ処理すると、一般に第７図に示すようにラビン
グ方向に沿つて傾斜方向の異なる２つの微小傾斜
がほぼ周期的に繰り返したものが形成される。し
たがつてらせん構造を形成する液晶分子が電極基
板間でほぼ平行に配列されるためには上下基板の
ラビング処理の方向を第７図に示す如くほぼ一致
させることが、表示画質を良好なものにする。 以上のように本発明においては、偏光板の偏光
軸および吸収軸がともに、隣接する電極基板の液
晶分子の配列方向すなわち液晶分子の光軸と一致
していない。従つて液晶分子は複屈折効果を示す
ので、液晶層を通過する光の透過率は波長依存性
を示し無彩色の光ではなくなる。本発明は、この
液晶層の前後に配置される一対の偏光板のうちの
少なくとも一方を色偏光板とし、液晶表示素子か
ら観察者側へ出射される光をほぼ無彩色の光とす
るものである。 本発明における色偏光板の分光特性を最適化す
るにあたつて、先ず第５図における上側の偏光板
１５および下側の偏光板１６として、第９図に示
す分光特性を有するニユートラル偏光板を使用し
た評価を行う。第９図において、曲線はニユー
トラル偏光板一枚の分光透過率特性、曲線は、
曲線の分光透過率特性を示すニユートラル偏光
板２枚をそれらの偏光軸を平行にして重ねた場合
の分光透過率特性、曲線は、曲線の分光透過
率特性を示すニユートラル偏光板２枚をそれらの
偏光軸を直交させて重ねた場合の分光透過率特性
を示す。 第６図に示した構成をなす液晶表示素子の液晶
層の厚さｄを変えて、△ｎ・ｄを変化させた液晶
セルを作り、色及び明るさを観察した。その結果
を表２に示す。 この結果から△ｎ・ｄが1μｍ近傍で明るさ及
び色ともに表示素子として問題のないレベルであ
ることが分かつた。△ｎ・ｄの更に詳細な検討か
ら、第６図の関係がある場合は△ｎ・ｄが0.7μｍ
から1.2μｍの範囲において実用上問題ないことが
分かつた。
なつたセル構造をとることによつて、極めて優れ
た時分割駆動特性を持ち、時分割数32以上でも良
好な画質を持つた液晶表示素子を提供することに
ある。 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために本発明による
液晶表示素子は、液晶分子のらせん構造のねじれ
角を160度から360度の範囲とし、この液晶分子の
らせん構造の前後に少なくとも一方が色偏光板か
らなる一対の偏光板を配設し、それら偏光板の吸
収軸（あるいは偏光軸）を、電極基板に隣接する
液晶分子の配向方向に対し一定角角度ずらせて配
設することを特徴とするものである。 〔発明の実施例〕 次に、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。 第４図は本発明になる液晶表示素子を上側から
見た場合の液晶分子の配列方向（例えばラビング
方向）、液晶分子のねじれ方向、偏光板の吸収軸
（あるいは偏光軸）方向を示している。第５図は
それらの関係を示す斜視図である。第２図と構
造、機能が同一な部分は同一の符号を付した。な
お、本発明による液晶表示素子を反射型表示素子
として使用する場合は、下側の偏光板１６の下の
反射板２０を配置する。 液晶分子１７のねじれ方向１０とねじれ角α
は、上側電極基板１１のラビング方向６と下側電
極基板１２のラビング方向７及びネマチツク液晶
に添加される旋光性物質の種類と量によつて規定
される。 また、ねじれ角αが大きいときには、前述のラ
ビング法に代えて、酸化シリコン（SiO）などを
電極基板面に対し３度から10度傾いた方向から蒸
着する斜方蒸着法（特公昭54−12067号公報）を
使用して液晶分子配向幕を形成することが好まし
い。すなわち、電極基板に隣接する液晶分子の、
該基板に対する傾き、いわゆるチルト（tilt）角
を大きくすることが好ましい。なお、ラビング法
の代わりに斜方蒸着法を用いる場合は、その蒸着
方向は、第４図、第５図、第６図、第７図および
第８図におけるラビング方向（矢印方向）とは逆
方向（180度回転した方向）とする。 ねじれ角αはしきい値近傍の点灯状態が光を散
乱する配向となることから最大値が制限され、
360度が上限であり、また下限はコントラストに
よつて制限され、160度が限界である。 上側の偏光板１５の吸収軸（あるいは偏光軸）
８と上側電極基板１１のラビング方向６とのなす
角β1及び下側の偏光板１６の吸収軸（あるいは偏
光軸）９と下側電極基板１２のラビング方向７と
のなす角β2はコントラスト、明るさ及び色等を考
慮すると、それぞれ20度から70度の範囲に設定す
ることが好ましい。 また、本発明になる液晶表示素子は顕著な△
ｎ・ｄ依存性を示し、コントラスト、明るさ、色
の点から0.7μｍ≦△ｎ・ｄ≦1.2μｍの条件を満足
すると殊に良好な結果を示す。ここで△ｎの値に
ついては一般に波長依存性があり、短波長側で大
きく、長波長側で小さくなる傾向がある。本明細
書で使用している△ｎの値は、He−Neレーザ光
（波長6328〓）を使用し、25℃で測定したもので
あるから、他の波長で測定した場合には本明細書
における△ｎ・ｄの値は若干変化する。 ここで本発明になる液晶表示素子の具体的な一
実施例について、その構造と測定結果を説明す
る。 第６図はその構造、砂ち電極基板のラビング方
向、液晶分子のらせん構造のねじれ方向及び角
度、偏光板の偏光軸（あるいは吸収軸）の関係を
示し、液晶表示素子を上側から見た図である。 使用した液晶はビフエニール系液晶とエステル
シクロヘキサン（ECH）系液晶を主成分とする
ネマチツク液晶で、旋光性物質としてメルク社の
S811を0.5重量％添加したものである。この混合
液晶の△ｎは0.123である。 第６図において、上側及び下側電極基板のラビ
ング方向６，７は互に平行であり、旋光性物質
S811によつて、ねじれ方向は１０、ねじれ角α
は180度となる。 上側の偏光板の吸収軸８と下側の偏光板の吸収
軸９は互に平行であり、ラビング方向６，７とな
す角β1、β2はいずれも45度である。 ここで、上側電極基板１１のラビング方向６、
下側電極基板１２のラビング方向７、および液晶
分子１７のらせん構造の関係を、第６図の実施例
の場合を例にとつて説明する。電極基板をラビン
グ処理すると、一般に第７図に示すようにラビン
グ方向に沿つて傾斜方向の異なる２つの微小傾斜
がほぼ周期的に繰り返したものが形成される。し
たがつてらせん構造を形成する液晶分子が電極基
板間でほぼ平行に配列されるためには上下基板の
ラビング処理の方向を第７図に示す如くほぼ一致
させることが、表示画質を良好なものにする。 以上のように本発明においては、偏光板の偏光
軸および吸収軸がともに、隣接する電極基板の液
晶分子の配列方向すなわち液晶分子の光軸と一致
していない。従つて液晶分子は複屈折効果を示す
ので、液晶層を通過する光の透過率は波長依存性
を示し無彩色の光ではなくなる。本発明は、この
液晶層の前後に配置される一対の偏光板のうちの
少なくとも一方を色偏光板とし、液晶表示素子か
ら観察者側へ出射される光をほぼ無彩色の光とす
るものである。 本発明における色偏光板の分光特性を最適化す
るにあたつて、先ず第５図における上側の偏光板
１５および下側の偏光板１６として、第９図に示
す分光特性を有するニユートラル偏光板を使用し
た評価を行う。第９図において、曲線はニユー
トラル偏光板一枚の分光透過率特性、曲線は、
曲線の分光透過率特性を示すニユートラル偏光
板２枚をそれらの偏光軸を平行にして重ねた場合
の分光透過率特性、曲線は、曲線の分光透過
率特性を示すニユートラル偏光板２枚をそれらの
偏光軸を直交させて重ねた場合の分光透過率特性
を示す。 第６図に示した構成をなす液晶表示素子の液晶
層の厚さｄを変えて、△ｎ・ｄを変化させた液晶
セルを作り、色及び明るさを観察した。その結果
を表２に示す。 この結果から△ｎ・ｄが1μｍ近傍で明るさ及
び色ともに表示素子として問題のないレベルであ
ることが分かつた。△ｎ・ｄの更に詳細な検討か
ら、第６図の関係がある場合は△ｎ・ｄが0.7μｍ
から1.2μｍの範囲において実用上問題ないことが
分かつた。
【表】
次に△ｎ・ｄ＝0.98μｍの液晶セルの時分割駆
動特性を測定した結果を表３に示す。表１に示し
た従来の液晶表示素子に比較して、γ、△φ、ｍ
いずれもが著しく改良されていることが分かる。
動特性を測定した結果を表３に示す。表１に示し
た従来の液晶表示素子に比較して、γ、△φ、ｍ
いずれもが著しく改良されていることが分かる。
以上説明したように本発明によれば、従来全く
不可能であつた高時分割駆動特性および表示背景
がほぼ無彩色で高品質の表示特性を持つ液晶表示
素子が得られる。
不可能であつた高時分割駆動特性および表示背景
がほぼ無彩色で高品質の表示特性を持つ液晶表示
素子が得られる。
第１図は時分割駆動特性の定義に用いられる液
晶表示素子の電圧輝度特性を示す説明図、第２図
は時分割駆動特性の測定方向を定義する説明図、
第３図は時分割駆動を説明する図、第４図、第５
図、第６図及び第８図は本発明になる液晶表示素
子の液晶分子の配列方向、液晶のねじれ方向及び
偏光板の軸の方向の関係の一実施例を示した説明
図、第７図はラビング方向と液晶分子の配列を説
明する図、第９図はニユートラル偏光板の分光透
過率の一例の示す図、第１０図は入射光の偏光軸
と液晶分子の光軸の不一致から生じる液晶表示素
子の透過率波長依存性を説明するための図、第１
１図は本発明になる液晶表示素子の色偏光板の一
実施例の分光透過率を示す図、第１２図は本発明
になる液晶表示素子の分光透過率を示す図であ
る。 １……液晶表示素子、２，６……上側電極基板
のラビング方向、３，７……下側電極基板のラビ
ング方向、４，１０……液晶分子のねじれ方向、
８……上側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、
９……下側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、
１７……液晶分子、２０……反射板。
晶表示素子の電圧輝度特性を示す説明図、第２図
は時分割駆動特性の測定方向を定義する説明図、
第３図は時分割駆動を説明する図、第４図、第５
図、第６図及び第８図は本発明になる液晶表示素
子の液晶分子の配列方向、液晶のねじれ方向及び
偏光板の軸の方向の関係の一実施例を示した説明
図、第７図はラビング方向と液晶分子の配列を説
明する図、第９図はニユートラル偏光板の分光透
過率の一例の示す図、第１０図は入射光の偏光軸
と液晶分子の光軸の不一致から生じる液晶表示素
子の透過率波長依存性を説明するための図、第１
１図は本発明になる液晶表示素子の色偏光板の一
実施例の分光透過率を示す図、第１２図は本発明
になる液晶表示素子の分光透過率を示す図であ
る。 １……液晶表示素子、２，６……上側電極基板
のラビング方向、３，７……下側電極基板のラビ
ング方向、４，１０……液晶分子のねじれ方向、
８……上側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、
９……下側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、
１７……液晶分子、２０……反射板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正の誘電異方性を有し、旋光性物質が添加さ
れたネマチツク液晶が、対向配置された上下一対
の電極基板間に挟持され、その厚さ方向に160度
から360度の範囲内のねじれたらせん構造を形成
し、かつこのらせん構造を挟んで設けられた一対
の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸を、隣接する電
極基板の液晶分子配列方向に対し20度から70度の
範囲内の角度ずらせるととも、に入射光の偏光軸
と液晶分子の光軸の不一致から生ずる透過率波長
依存性を補正し素子からの透過光をほぼ無彩色に
近似するよう少なくとも一方の偏光板を色偏光板
とすることを特徴とする液晶表示素子。 ２ 液晶層の厚みｄ（μｍ）と液晶の屈折率異方
性△ｎの積△ｎ・ｄが0.7μｍから1.2μｍの範囲に
ある特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ３ 光入射側の偏光板をニユートラル偏光板と
し、反射板が隣接して配置される側の偏光板を色
偏光板とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表
示素子。 ４ 液晶層の厚みｄ（μｍ）と液晶の屈折率異方
性△ｎの積△ｎ・ｄが0.7μｍから1.2μｍの範囲に
あり、色偏光板がマゼンタ色偏光板である特許請
求の範囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169806A JPS6231822A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液晶表示素子 |
| KR1019860005905A KR870002471A (ko) | 1985-08-02 | 1986-07-21 | 트위스 티드네마틱형 액정표시 소자 |
| US06/888,429 US4759612A (en) | 1985-08-02 | 1986-07-23 | Twisted nematic type liquid crystal display device having a color polarizer to provide an achromatic or colorless background |
| KR2019900011934U KR920003853Y1 (ko) | 1985-08-02 | 1990-08-07 | 트위스티드 네마틱형 액정표시소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169806A JPS6231822A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231822A JPS6231822A (ja) | 1987-02-10 |
| JPH0349412B2 true JPH0349412B2 (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=15893238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169806A Granted JPS6231822A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4759612A (ja) |
| JP (1) | JPS6231822A (ja) |
| KR (1) | KR870002471A (ja) |
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