JPH0340953B2 - - Google Patents
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- JPH0340953B2 JPH0340953B2 JP13715283A JP13715283A JPH0340953B2 JP H0340953 B2 JPH0340953 B2 JP H0340953B2 JP 13715283 A JP13715283 A JP 13715283A JP 13715283 A JP13715283 A JP 13715283A JP H0340953 B2 JPH0340953 B2 JP H0340953B2
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- plate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、サイリスタ、ダイオード、トラン
ジスタ等の半導体素子の冷却装置に関し、さらに
詳しくいえば、半導体素子の許容上限温度以下で
蒸発する液状の冷媒を封入するタンク部および放
熱部を備えており、冷媒中に半導体素子を浸漬
し、冷媒の沸騰と凝縮を利用して半導体素子を冷
却する冷却装置に関する。
ジスタ等の半導体素子の冷却装置に関し、さらに
詳しくいえば、半導体素子の許容上限温度以下で
蒸発する液状の冷媒を封入するタンク部および放
熱部を備えており、冷媒中に半導体素子を浸漬
し、冷媒の沸騰と凝縮を利用して半導体素子を冷
却する冷却装置に関する。
従来の技術と発明の解決すべき課題
従来、この種半導体素子冷却装置としては、冷
媒を密閉しておくタンクと、冷媒流通管および放
熱フインを備えた放熱器とを別々に組立て、これ
らを、冷媒流通管がタンク内と連通するように配
置し、溶接等により組立てたものがある。しかし
ながら、従来の半導体素子冷却装置では、タンク
と熱交換器とを別々に組立てるために工数が多く
なつて手間がかかるとともに費用も高くつくとい
う問題があつた。また、この半導体素子冷却装置
は大きなスペースを必要とするという問題もあつ
た。
媒を密閉しておくタンクと、冷媒流通管および放
熱フインを備えた放熱器とを別々に組立て、これ
らを、冷媒流通管がタンク内と連通するように配
置し、溶接等により組立てたものがある。しかし
ながら、従来の半導体素子冷却装置では、タンク
と熱交換器とを別々に組立てるために工数が多く
なつて手間がかかるとともに費用も高くつくとい
う問題があつた。また、この半導体素子冷却装置
は大きなスペースを必要とするという問題もあつ
た。
この発明は上記実情に鑑みてなされたものであ
つて、組立てが簡単で費用が安くなるとともにコ
ンパクトにすることが可能になり、しかも冷却効
率の優れた半導体素子冷却装置を提供することを
目的とする。
つて、組立てが簡単で費用が安くなるとともにコ
ンパクトにすることが可能になり、しかも冷却効
率の優れた半導体素子冷却装置を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段
この発明による半導体素子冷却装置は、縦長で
かつ下部に孔があけられた1対のプレートが対向
状に配置されるとともに、両プレートの周縁全体
のうち少なくとも両側縁および下縁どうしが両プ
レート間に位置する連結壁部を介して接合されて
なる縦長の偏平中空体が、並列状に複数配置さ
れ、すべての偏平中空体が、隣り合う偏平中空体
どうしの間の下部に孔を囲むように介在させられ
たリングによつて相互に連通状に接続され、リン
グの上方において隣り合う偏平中空体どうしの間
に放熱フインが介在させられ、リングにプレート
フインが嵌め被せられてリングに接合され、各偏
平中空体におけるリングよりも上方の部分および
放熱フインにより放熱部が形成され、リング、お
よび偏平中空体におけるリングと対応する高さ位
置に存在する部分によりタンク部が形成され、タ
ンク部内に液状冷媒が溜められ、液状冷媒内に半
導体素子が浸漬されるようになされているもので
ある。
かつ下部に孔があけられた1対のプレートが対向
状に配置されるとともに、両プレートの周縁全体
のうち少なくとも両側縁および下縁どうしが両プ
レート間に位置する連結壁部を介して接合されて
なる縦長の偏平中空体が、並列状に複数配置さ
れ、すべての偏平中空体が、隣り合う偏平中空体
どうしの間の下部に孔を囲むように介在させられ
たリングによつて相互に連通状に接続され、リン
グの上方において隣り合う偏平中空体どうしの間
に放熱フインが介在させられ、リングにプレート
フインが嵌め被せられてリングに接合され、各偏
平中空体におけるリングよりも上方の部分および
放熱フインにより放熱部が形成され、リング、お
よび偏平中空体におけるリングと対応する高さ位
置に存在する部分によりタンク部が形成され、タ
ンク部内に液状冷媒が溜められ、液状冷媒内に半
導体素子が浸漬されるようになされているもので
ある。
上記において、対向状に配置された1対のプレ
ートの周縁全体のうち少なくとも両側縁および下
縁どうしをプレート間に位置する連結壁部を介し
て接合することは、ろう寸法により行われる。連
結壁部は、プレートと別体であつてもよいし、あ
るいはたとえばプレートを屈曲させることにより
プレートと一体的に設けられたものであつてもよ
い。偏平中空体内には、上下方向に伸びる多数凹
凸のすじを有するコルゲートフインを配置して内
面にろう付けしておくことが好ましい。偏平中空
体とリングとは、たとえばろう付によつて接合さ
れる。リングの両端には、プレートの下部にあけ
られた孔に嵌合しうる突部を設けておくのがよ
い。偏平中空体と放熱フインとはろう付するのが
よい。プレートフインは突起や切起しなどを設け
ておき、隣り合う他のプレートフインおよび偏平
中空体に当接させておくことが好ましい。こうし
ておけば、プレートフインをリングに接合するさ
いにプレートフインを所定を位置に保持すること
ができて接合を簡単かつ確実に行なうことができ
る。また、プレートフインのリングへの接合はろ
う付により行なうことが好ましい。プレートの周
縁どうしのろう付、偏平中空体とリングとのろう
付および偏平中空体と放熱フインとのろう付およ
びプレートフインとリングとのろう付は、たとえ
ば真空ろう寸法により同時に行なわれる。
ートの周縁全体のうち少なくとも両側縁および下
縁どうしをプレート間に位置する連結壁部を介し
て接合することは、ろう寸法により行われる。連
結壁部は、プレートと別体であつてもよいし、あ
るいはたとえばプレートを屈曲させることにより
プレートと一体的に設けられたものであつてもよ
い。偏平中空体内には、上下方向に伸びる多数凹
凸のすじを有するコルゲートフインを配置して内
面にろう付けしておくことが好ましい。偏平中空
体とリングとは、たとえばろう付によつて接合さ
れる。リングの両端には、プレートの下部にあけ
られた孔に嵌合しうる突部を設けておくのがよ
い。偏平中空体と放熱フインとはろう付するのが
よい。プレートフインは突起や切起しなどを設け
ておき、隣り合う他のプレートフインおよび偏平
中空体に当接させておくことが好ましい。こうし
ておけば、プレートフインをリングに接合するさ
いにプレートフインを所定を位置に保持すること
ができて接合を簡単かつ確実に行なうことができ
る。また、プレートフインのリングへの接合はろ
う付により行なうことが好ましい。プレートの周
縁どうしのろう付、偏平中空体とリングとのろう
付および偏平中空体と放熱フインとのろう付およ
びプレートフインとリングとのろう付は、たとえ
ば真空ろう寸法により同時に行なわれる。
作 用
この半導体素子冷却装置では、リングと、各偏
平中空体におけるリングと対応する高さ位置にあ
る部分とで液状冷媒密閉用タンク部が形成され、
各偏平中空体におけるリングよりも上方の部分と
放熱フインとで放熱部が形成され、タンク部内に
溜められた液状冷媒に半導体素子が浸漬されるよ
うになされているので、半導体素子から発する熱
が液状冷媒に伝わると、液状冷媒が沸騰して気化
し、ガス状冷媒が発生する。このガス状冷媒の有
する熱は、まずその一部がリングの外側に接合さ
れたプレートフインから放熱される。さらにガス
状冷媒は、偏平中空体内を上昇して放熱部に到
り、ガス状冷媒の有する熱がプレートおよび放熱
フインから偏平中空体間の空気に放熱されて冷媒
は凝縮する。凝縮した液状冷媒は偏平中空体内を
流れ落ちてタンク部に戻る。この動作を繰返し
て、半導体素子が冷却される。
平中空体におけるリングと対応する高さ位置にあ
る部分とで液状冷媒密閉用タンク部が形成され、
各偏平中空体におけるリングよりも上方の部分と
放熱フインとで放熱部が形成され、タンク部内に
溜められた液状冷媒に半導体素子が浸漬されるよ
うになされているので、半導体素子から発する熱
が液状冷媒に伝わると、液状冷媒が沸騰して気化
し、ガス状冷媒が発生する。このガス状冷媒の有
する熱は、まずその一部がリングの外側に接合さ
れたプレートフインから放熱される。さらにガス
状冷媒は、偏平中空体内を上昇して放熱部に到
り、ガス状冷媒の有する熱がプレートおよび放熱
フインから偏平中空体間の空気に放熱されて冷媒
は凝縮する。凝縮した液状冷媒は偏平中空体内を
流れ落ちてタンク部に戻る。この動作を繰返し
て、半導体素子が冷却される。
実施例
この発明を、以下図面に示す実施例について詳
しく説明する。以下の説明において、左右とは第
1図に向つていうものとする。
しく説明する。以下の説明において、左右とは第
1図に向つていうものとする。
半導体素子冷却装置1は、対向状に配置された
1対の縦長方形アルミニウムブレージングシート
製プレート2から形成され、かつ並列状に配置さ
れた複数の偏平中空体3と、隣り合う偏平中空体
3の下部間に配置されかつ偏平中空体3どうしを
連通状に接続するアルミニウム製円形リング4
と、リング4の上方で隣り合う偏平中空体3間に
介在させられたアルミニウム製コルゲートフイン
よりなる放熱フイン5と、リング4に嵌め被せら
れてろう付された複数のアルミニウムブレージン
グシート製プレートフイン6とを備えている。
1対の縦長方形アルミニウムブレージングシート
製プレート2から形成され、かつ並列状に配置さ
れた複数の偏平中空体3と、隣り合う偏平中空体
3の下部間に配置されかつ偏平中空体3どうしを
連通状に接続するアルミニウム製円形リング4
と、リング4の上方で隣り合う偏平中空体3間に
介在させられたアルミニウム製コルゲートフイン
よりなる放熱フイン5と、リング4に嵌め被せら
れてろう付された複数のアルミニウムブレージン
グシート製プレートフイン6とを備えている。
アルミニウム製プレート2の下部には円形孔2
aがあけられている。偏平中空体3は、対向する
1対のプレート2の周縁全体のうち両側縁および
下縁どうしを、プレート2と別個に形成されたア
ルミニウム製連結壁7(連結壁部)を介してろう
付することにより形成されている。偏平中空体3
内には、上下方向に伸びる多数の凹凸のすじを有
するアルミニウム製コルゲートフイン8が配置さ
れてプレート2内面にろう付されている。また、
偏平中空体3内におけるコルゲートフイン8より
も下方の位置でかつ孔2aのまわりの部分には、
円周方向に所定間隔をおいて4ケ所にアルミニウ
ム製コルゲートフイン9が配置され、プレート2
の内面にろう付されている。このフイン9も放熱
の役目を果す。左右両端に位置する偏平中空体3
の左右両側には、それぞれ所定間隔をおいて縦長
方形でかつ下部に円形孔10aがあけられたアル
ミニウムブレージングシート製サイドプレート1
0が配置され、アルミニウム製円形リング11を
介して偏平中空体3にろう付されている。サイド
プレート10と左右両端の偏平中空体3との間に
おけるリング11よりも上方の部分にも、幅方向
に伸びる多数の凹凸のすじを有するアルミニウム
製コルゲートフインよりなる放熱フイン12が配
置されて偏平中空体3およびサイドプレート10
にろう付されている。また、リング11にも複数
のアルミニウムブレージングシート製プレート1
3が嵌め被せられてろう付されている。すべての
偏平中空体3の上端は、下面が開口したアルミニ
ウム製空気溜14に偏平中空体3内部が空気溜1
4内部と連通するように接続されている。空気溜
14の幅は偏平中空体3の幅と等しくなつてい
る。サイドプレート10の上端も空気溜14の左
右両端に接合されている。空気溜14の下面開口
における残りの部分は、隣り合う偏平中空体3の
上端間及び左右両端の偏平中空体3の上端とサイ
ドプレート10の上端との間に介在されたアルミ
ニウム製角材15によつて閉塞されている。空気
溜14の左端には、半導体素子冷却装置1内を真
空引きするとともに装置1内部に冷媒を入れるた
めの管16が取付けられている。この管16は、
冷媒を入れた後第1図に示されるように閉塞され
る。
aがあけられている。偏平中空体3は、対向する
1対のプレート2の周縁全体のうち両側縁および
下縁どうしを、プレート2と別個に形成されたア
ルミニウム製連結壁7(連結壁部)を介してろう
付することにより形成されている。偏平中空体3
内には、上下方向に伸びる多数の凹凸のすじを有
するアルミニウム製コルゲートフイン8が配置さ
れてプレート2内面にろう付されている。また、
偏平中空体3内におけるコルゲートフイン8より
も下方の位置でかつ孔2aのまわりの部分には、
円周方向に所定間隔をおいて4ケ所にアルミニウ
ム製コルゲートフイン9が配置され、プレート2
の内面にろう付されている。このフイン9も放熱
の役目を果す。左右両端に位置する偏平中空体3
の左右両側には、それぞれ所定間隔をおいて縦長
方形でかつ下部に円形孔10aがあけられたアル
ミニウムブレージングシート製サイドプレート1
0が配置され、アルミニウム製円形リング11を
介して偏平中空体3にろう付されている。サイド
プレート10と左右両端の偏平中空体3との間に
おけるリング11よりも上方の部分にも、幅方向
に伸びる多数の凹凸のすじを有するアルミニウム
製コルゲートフインよりなる放熱フイン12が配
置されて偏平中空体3およびサイドプレート10
にろう付されている。また、リング11にも複数
のアルミニウムブレージングシート製プレート1
3が嵌め被せられてろう付されている。すべての
偏平中空体3の上端は、下面が開口したアルミニ
ウム製空気溜14に偏平中空体3内部が空気溜1
4内部と連通するように接続されている。空気溜
14の幅は偏平中空体3の幅と等しくなつてい
る。サイドプレート10の上端も空気溜14の左
右両端に接合されている。空気溜14の下面開口
における残りの部分は、隣り合う偏平中空体3の
上端間及び左右両端の偏平中空体3の上端とサイ
ドプレート10の上端との間に介在されたアルミ
ニウム製角材15によつて閉塞されている。空気
溜14の左端には、半導体素子冷却装置1内を真
空引きするとともに装置1内部に冷媒を入れるた
めの管16が取付けられている。この管16は、
冷媒を入れた後第1図に示されるように閉塞され
る。
リング4の両端には、プレート2の孔2aに嵌
合しうる突部4aが設けられており、この突部4
aを孔2aに嵌合させた状態でプレート2にろう
付されている。また、リング11の両端にも突起
11aが設けられており、一方の突部11aがプ
レート2の孔2aに嵌合され、他方の突部11a
がサイドプレート10の孔10aに嵌合された状
態で、リング11がプレート2およびサイドプレ
ート10にろう付されている。左右のサイドプレ
ート10の孔10aには、それぞれ連通状にアル
ミニウム製パイプ17,18が溶接されている。
両パイプ17,18のサイドプレート10への接
合端には孔10aに嵌合しうる突部が設けられ、
この突部を孔10aに嵌合させて溶接されてい
る。左側のパイプ17の左端にはフランジ17a
が設けられ、このフランジ17aに蓋19が取付
けられている。右側のパイプ18の右端にはフラ
ンジ18aが設けられ、このフランジ18aに蓋
20が取付けられている。蓋20には、後述する
ように、タンク部B内の液状冷媒Cに浸漬される
半導体素子23に電力を与えるための電力供給線
25を挿通させる孔20aがあけられている。
合しうる突部4aが設けられており、この突部4
aを孔2aに嵌合させた状態でプレート2にろう
付されている。また、リング11の両端にも突起
11aが設けられており、一方の突部11aがプ
レート2の孔2aに嵌合され、他方の突部11a
がサイドプレート10の孔10aに嵌合された状
態で、リング11がプレート2およびサイドプレ
ート10にろう付されている。左右のサイドプレ
ート10の孔10aには、それぞれ連通状にアル
ミニウム製パイプ17,18が溶接されている。
両パイプ17,18のサイドプレート10への接
合端には孔10aに嵌合しうる突部が設けられ、
この突部を孔10aに嵌合させて溶接されてい
る。左側のパイプ17の左端にはフランジ17a
が設けられ、このフランジ17aに蓋19が取付
けられている。右側のパイプ18の右端にはフラ
ンジ18aが設けられ、このフランジ18aに蓋
20が取付けられている。蓋20には、後述する
ように、タンク部B内の液状冷媒Cに浸漬される
半導体素子23に電力を与えるための電力供給線
25を挿通させる孔20aがあけられている。
放熱フイン5は、偏平中空体3の幅方向に伸び
る多数の凹凸のすじを有しており、偏平中空体3
にろう付されている。
る多数の凹凸のすじを有しており、偏平中空体3
にろう付されている。
プレートフイン6は略正方形で、リング4の外
径と等しい径のリング挿通孔6aがあけられてい
る。また、プレートフイン6の4すみ部にはそれ
ぞれ突起21が形成されている。4つの突起21
のうち1つの対角線上に位置する2つのものは他
の対角線上に位置する2つのものと反対方向に突
出している。そして、突起21の先端は、隣り合
う他のプレートフイン6および偏平中空体3に当
接している。プレートフイン13にもプレートフ
イン6と同様にリング挿通孔13aおよび4つの
突起22が設けられている。
径と等しい径のリング挿通孔6aがあけられてい
る。また、プレートフイン6の4すみ部にはそれ
ぞれ突起21が形成されている。4つの突起21
のうち1つの対角線上に位置する2つのものは他
の対角線上に位置する2つのものと反対方向に突
出している。そして、突起21の先端は、隣り合
う他のプレートフイン6および偏平中空体3に当
接している。プレートフイン13にもプレートフ
イン6と同様にリング挿通孔13aおよび4つの
突起22が設けられている。
この半導体素子冷却装置1は、各偏平中空体3
におけるリング4よりも上方の部分および放熱フ
イン5により放熱部Aが形成され、リング4,1
1、偏平中空体3におけるリング4,11と対応
する高さ位置に存在する部分およびパイプ17,
18によりタンク部Bが形成され、両部A,Bが
一体化されている。そして、半導体素子冷却装置
1内にフロンからなる液状冷媒Cが封入され、こ
の液状冷媒Cがタンク部B内に溜まつている。液
状冷媒Cを封入するさいまぎれ込んだ空気等は、
フロンよりも軽いので空気溜14内に押し上げら
れる。
におけるリング4よりも上方の部分および放熱フ
イン5により放熱部Aが形成され、リング4,1
1、偏平中空体3におけるリング4,11と対応
する高さ位置に存在する部分およびパイプ17,
18によりタンク部Bが形成され、両部A,Bが
一体化されている。そして、半導体素子冷却装置
1内にフロンからなる液状冷媒Cが封入され、こ
の液状冷媒Cがタンク部B内に溜まつている。液
状冷媒Cを封入するさいまぎれ込んだ空気等は、
フロンよりも軽いので空気溜14内に押し上げら
れる。
タンク部B内には、半導体素子23と冷却フイ
ン24とが左右方向に交互に層状に重ね合せられ
たものが配置され、図示しない適宜な手段で支持
される。半導体素子23には電力供給線25によ
り電力が供給されるようになつている。電力供給
線25は孔20aを通つて外部に導出され、孔2
0a内における電力供給線25のまわりに絶縁材
26が充填されている。冷却フイン24は、銅ま
たはアルミニウム合金からなり、その左右両側面
における半導体素子取付部を除いて、全面を覆う
ようにアルミニウム粉体27がろう付されて多孔
質面とされている。アルミニウム粉体27は、た
とえばアルミニウム粉体27とアルミニウムろう
材粉体とをアクリル等の有機結合剤に溶かしてス
ラリー状としたものを冷却フイン24に塗布し、
乾燥させた後ろう付される。冷却フイン24が銅
製の場合、アルミニウム粉末と共晶反応を起こし
相互に拡散するため多孔質面とすることができな
いので、フイン24の表面に予めニツケルメツキ
を施しておく。
ン24とが左右方向に交互に層状に重ね合せられ
たものが配置され、図示しない適宜な手段で支持
される。半導体素子23には電力供給線25によ
り電力が供給されるようになつている。電力供給
線25は孔20aを通つて外部に導出され、孔2
0a内における電力供給線25のまわりに絶縁材
26が充填されている。冷却フイン24は、銅ま
たはアルミニウム合金からなり、その左右両側面
における半導体素子取付部を除いて、全面を覆う
ようにアルミニウム粉体27がろう付されて多孔
質面とされている。アルミニウム粉体27は、た
とえばアルミニウム粉体27とアルミニウムろう
材粉体とをアクリル等の有機結合剤に溶かしてス
ラリー状としたものを冷却フイン24に塗布し、
乾燥させた後ろう付される。冷却フイン24が銅
製の場合、アルミニウム粉末と共晶反応を起こし
相互に拡散するため多孔質面とすることができな
いので、フイン24の表面に予めニツケルメツキ
を施しておく。
このような構成において、半導体素子23から
発生した熱は冷却フイン24およびアルミニウム
粉体27を経て液状冷媒Cに伝わる。このとき、
冷却フイン24表面におけるアルミニウム粉体2
7で形成された多孔空〓が蒸気泡の沸騰核とな
り、液状冷媒Cが上記熱により容易に沸騰させら
れる。こうして発生したガス状冷媒の有する熱
は、プレートフイン6,13からまずその一部が
偏平中空体3間および偏平中空体3とサイドプレ
ート10との間におけるリング4,11のまわり
を流れる空気に放熱される。さらにガス状冷媒
は、偏平中空体3内を上昇して放熱部Aに到る。
ガス状冷媒の有する熱は、プレート2および放熱
フイン5を経て偏平中空体3間を流れる空気に放
熱されてガス状冷媒が凝縮する。凝縮した液状冷
媒は空気内を流れて落ちてタンク部Bに戻る。こ
のような動作を繰返して半導体素子23が冷却さ
れる。
発生した熱は冷却フイン24およびアルミニウム
粉体27を経て液状冷媒Cに伝わる。このとき、
冷却フイン24表面におけるアルミニウム粉体2
7で形成された多孔空〓が蒸気泡の沸騰核とな
り、液状冷媒Cが上記熱により容易に沸騰させら
れる。こうして発生したガス状冷媒の有する熱
は、プレートフイン6,13からまずその一部が
偏平中空体3間および偏平中空体3とサイドプレ
ート10との間におけるリング4,11のまわり
を流れる空気に放熱される。さらにガス状冷媒
は、偏平中空体3内を上昇して放熱部Aに到る。
ガス状冷媒の有する熱は、プレート2および放熱
フイン5を経て偏平中空体3間を流れる空気に放
熱されてガス状冷媒が凝縮する。凝縮した液状冷
媒は空気内を流れて落ちてタンク部Bに戻る。こ
のような動作を繰返して半導体素子23が冷却さ
れる。
半導体素子冷却装置1はたとえばつぎのように
して組立てられる。
して組立てられる。
まず、プレート2、コルゲートフイン8,9、
連結壁7、放熱フイン5、リング4,11、プレ
ートフイン6およびサイドプレート10を所定の
位置にセツトし、真空ろう付法により同時にろう
付する。その後、空気溜14およびパイプ17,
18を溶接する。
連結壁7、放熱フイン5、リング4,11、プレ
ートフイン6およびサイドプレート10を所定の
位置にセツトし、真空ろう付法により同時にろう
付する。その後、空気溜14およびパイプ17,
18を溶接する。
上記実施例においては、プレート2にあけられ
た孔2aおよびリング4は円形であるが、これに
限るものではない。また、上記実施例において
は、対向状に配置された1対のプレート2の両側
縁および下縁どうしだけが連結壁7を介して接合
されているが、上縁どうしも連結壁を介して接合
しておいてもよく、この場合プレートの上縁どう
しの間に介在させられる連結壁の一部を切欠い
て、偏平中空体3内部と作動溜14とを連通させ
るようにしておく。さらに、上記実施例において
は空気溜14が設けられているが、これは必ずし
も必要としない。この場合、対向状に配置された
1対のプレート2の周縁全体どうしを連結壁を介
して接合し、プレート2間を密閉しておく。
た孔2aおよびリング4は円形であるが、これに
限るものではない。また、上記実施例において
は、対向状に配置された1対のプレート2の両側
縁および下縁どうしだけが連結壁7を介して接合
されているが、上縁どうしも連結壁を介して接合
しておいてもよく、この場合プレートの上縁どう
しの間に介在させられる連結壁の一部を切欠い
て、偏平中空体3内部と作動溜14とを連通させ
るようにしておく。さらに、上記実施例において
は空気溜14が設けられているが、これは必ずし
も必要としない。この場合、対向状に配置された
1対のプレート2の周縁全体どうしを連結壁を介
して接合し、プレート2間を密閉しておく。
発明の効果
この発明の半導体素子冷却装置は、上述のよう
に構成されているので、プレートどうし、プレー
トと連結壁部、プレートと放熱フイン、およびプ
レートとリングとをそれぞれ同時に接合すること
によつて、冷媒密閉タンク部と放熱部とが一体化
された半導体素子冷却装置を得ることができる。
したがつて、従来の半導体素子冷却装置のよう
に、冷媒密閉タンクと放熱器とを別個に組立てる
とともに、これらを冷媒流通管で接続する必要は
ないので、組立てが簡単で費用も安くてすみ、し
かもコンパクトすることが可能となる。さらに、
リングにプレートフインが嵌め被せられてリング
に接合されているので、冷却風は隣り合う偏平中
空体間のすべての部分で均一に流れ、ガス状冷媒
の有する熱はプレートフインからも放熱される。
したがつて、冷却効率は一層向上する。
に構成されているので、プレートどうし、プレー
トと連結壁部、プレートと放熱フイン、およびプ
レートとリングとをそれぞれ同時に接合すること
によつて、冷媒密閉タンク部と放熱部とが一体化
された半導体素子冷却装置を得ることができる。
したがつて、従来の半導体素子冷却装置のよう
に、冷媒密閉タンクと放熱器とを別個に組立てる
とともに、これらを冷媒流通管で接続する必要は
ないので、組立てが簡単で費用も安くてすみ、し
かもコンパクトすることが可能となる。さらに、
リングにプレートフインが嵌め被せられてリング
に接合されているので、冷却風は隣り合う偏平中
空体間のすべての部分で均一に流れ、ガス状冷媒
の有する熱はプレートフインからも放熱される。
したがつて、冷却効率は一層向上する。
図面はこの発明の実施例を示し、第1図は一部
切欠き正面図、第2図は第1図の−線にそう
断面図、第3図は第1図の−線にそう断面
図、第4図は第1図の−線にそう断面図、第
5図は冷却フインの垂直断面図、第6図はプレー
トフインの斜視図である。 1……半導体素子冷却装置、2……プレート、
2a……孔、3……偏平中空体、4……リング、
5……放熱フイン、6……プレートフイン、7…
…連結壁(連結壁部)、23……半導体素子、A
……放熱部、B……タンク部、C……液状冷媒。
切欠き正面図、第2図は第1図の−線にそう
断面図、第3図は第1図の−線にそう断面
図、第4図は第1図の−線にそう断面図、第
5図は冷却フインの垂直断面図、第6図はプレー
トフインの斜視図である。 1……半導体素子冷却装置、2……プレート、
2a……孔、3……偏平中空体、4……リング、
5……放熱フイン、6……プレートフイン、7…
…連結壁(連結壁部)、23……半導体素子、A
……放熱部、B……タンク部、C……液状冷媒。
Claims (1)
- 1 縦長でかつ下部に孔2aがあけられた1対の
プレート2が対向状に配置されるとともに、両プ
レート2の周縁全体のうち少なくとも両側縁およ
び下縁どうしが両プレート2間に位置する連結壁
部7を介して接合されてなる縦長の偏平中空体3
が、並列状に複数配置され、すべての偏平中空体
3が、隣り合う偏平中空体3どうしの間の下部に
孔2aを囲むように介在させられたリング4によ
つて相互に連通状に接続され、リング4の上方に
おいて隣り合う偏平中空体3どうしの間に放熱フ
イン5を介在させられ、リング4にプレートフイ
ン6が嵌め被せられてリング4に接合され、各偏
平中空体3におけるリング4よりも上方の部分お
よび放熱フイン5により放熱部Aが形成され、リ
ング4、および偏平中空体3におけるリング4と
対応する高さ位置に存在する部分によりタンク部
Bが形成され、タンク部B内に液状冷媒Cが溜め
られ、液状冷媒C内に半導体素子23が浸漬され
るようになされている半導体素子冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13715283A JPS6028254A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体素子冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13715283A JPS6028254A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体素子冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6028254A JPS6028254A (ja) | 1985-02-13 |
JPH0340953B2 true JPH0340953B2 (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=15192031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13715283A Granted JPS6028254A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 半導体素子冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6028254A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61141867A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tsuboya Seizaburo | すじこ及びいくらの製造法 |
JPH0714029B2 (ja) * | 1990-02-07 | 1995-02-15 | 日本碍子株式会社 | 電力用半導体素子 |
US5229915A (en) * | 1990-02-07 | 1993-07-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Power semiconductor device with heat dissipating property |
KR20200000078U (ko) * | 2017-06-05 | 2020-01-08 | 히데토시 니시오 | 캐비넷 |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP13715283A patent/JPS6028254A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6028254A (ja) | 1985-02-13 |
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