JPH03293756A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH03293756A JPH03293756A JP2094952A JP9495290A JPH03293756A JP H03293756 A JPH03293756 A JP H03293756A JP 2094952 A JP2094952 A JP 2094952A JP 9495290 A JP9495290 A JP 9495290A JP H03293756 A JPH03293756 A JP H03293756A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、半導体装置用リードフレーム及びその製造
方法、特に、モールドパッケージＩＣにおけるモールド
樹脂の内部クラックの発生を防止するリードフレーム及
びその製造方法に関するものである。
方法、特に、モールドパッケージＩＣにおけるモールド
樹脂の内部クラックの発生を防止するリードフレーム及
びその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
第８図は従来のモールドパッケージＩＣのリードフレー
ムを示す平面図であり、図において、リードフレーム（
１）は、電極端子となる外側リード部（２）と、モール
ド樹脂で覆われる内側リート部（３）とを含む。内側リ
ード部（３）の中央には、半導体素子すなわちＩＣチッ
プ（４）が上部に載置されるダイスパッド（５）が設け
られている。なお、（６）及び（７）はそれぞれ１本の
内側リード及び外側リードである。
ムを示す平面図であり、図において、リードフレーム（
１）は、電極端子となる外側リード部（２）と、モール
ド樹脂で覆われる内側リート部（３）とを含む。内側リ
ード部（３）の中央には、半導体素子すなわちＩＣチッ
プ（４）が上部に載置されるダイスパッド（５）が設け
られている。なお、（６）及び（７）はそれぞれ１本の
内側リード及び外側リードである。
従来のリードフレーム（１）は上述したように構成され
、ダイスパッド（５）の端部及び外側リード（７）を拡
大して示すとそれぞれ第９図及び第１０図のようになる
。さらに、第９図に示したダイスパッド（５）の端部を
Ａ−Ａ線に沿って切断した断面は第１１図のようになり
、第１０図に示した外側リード（７）をＢ−Ｂ線に沿っ
て切断した断面は第１２図に示すようになる。これらの
図に示すように、外側リードく７）の断面は、上底が下
底より長い台形形状である。これは、ＩＣチップ（４）
をモールド樹脂で封止した後に流れ出た樹脂を除去する
際に、上面から打ち抜き等により除去し易い形状とした
ものである。なお、ダイスパッド（５）の断面も同様な
台形形状である。
、ダイスパッド（５）の端部及び外側リード（７）を拡
大して示すとそれぞれ第９図及び第１０図のようになる
。さらに、第９図に示したダイスパッド（５）の端部を
Ａ−Ａ線に沿って切断した断面は第１１図のようになり
、第１０図に示した外側リード（７）をＢ−Ｂ線に沿っ
て切断した断面は第１２図に示すようになる。これらの
図に示すように、外側リードく７）の断面は、上底が下
底より長い台形形状である。これは、ＩＣチップ（４）
をモールド樹脂で封止した後に流れ出た樹脂を除去する
際に、上面から打ち抜き等により除去し易い形状とした
ものである。なお、ダイスパッド（５）の断面も同様な
台形形状である。
［発明が解決しようとする課題］
上述したようなリードフレーム（１）では、第１３図に
示すように半導体素子く４）及びリードフレーム（１）
全体をモールド樹脂（８）で封止し、その後第１４図に
示すように、外側リード（７）間に流れ出たモールド樹
脂（８）を第１５図のように圧力（９）をかけて取り除
き易くするために、外側リード（７）の断面を上底が下
底より長い台形形状としていた。このようなリードフレ
ーム（１）は、リードフレーム（１）の上面より下面の
方がやや小さｔ）マスクをその全体に用い、リードフレ
ーム（１）を全面エツチングすることにより製造されて
いた。
示すように半導体素子く４）及びリードフレーム（１）
全体をモールド樹脂（８）で封止し、その後第１４図に
示すように、外側リード（７）間に流れ出たモールド樹
脂（８）を第１５図のように圧力（９）をかけて取り除
き易くするために、外側リード（７）の断面を上底が下
底より長い台形形状としていた。このようなリードフレ
ーム（１）は、リードフレーム（１）の上面より下面の
方がやや小さｔ）マスクをその全体に用い、リードフレ
ーム（１）を全面エツチングすることにより製造されて
いた。
従って、ダイスパッド（５）を含む内側リード（６）も
全てその断面は上底が下底より長い台形形状であった。
全てその断面は上底が下底より長い台形形状であった。
その結果、モールド樹脂（８）の収縮による応力と、製
品ＩＣとして使用中における内的、外的温度ストレスと
により、第１６図に示すようにモールド樹脂（８）内に
クラック（１０）が入り易いという問題点があった。
品ＩＣとして使用中における内的、外的温度ストレスと
により、第１６図に示すようにモールド樹脂（８）内に
クラック（１０）が入り易いという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、外側リード（７）間に流れ出た不用なモール
ド樹脂（８）を取り除き易く、かつ、ダイスパッド（５
）の端面に応力の集中がなく、従って、モールド樹脂（
８）にクラックが発生することのないリードフレームを
得ることを目的とする。
たもので、外側リード（７）間に流れ出た不用なモール
ド樹脂（８）を取り除き易く、かつ、ダイスパッド（５
）の端面に応力の集中がなく、従って、モールド樹脂（
８）にクラックが発生することのないリードフレームを
得ることを目的とする。
口課題を解決するための手段］
この発明に係るリードフレームは、ダイスバット及び内
側リードの端部をエツジのない滑らかな形状とし、外側
リードの断面を上底が下底より長い台形形状としたもの
である。
側リードの端部をエツジのない滑らかな形状とし、外側
リードの断面を上底が下底より長い台形形状としたもの
である。
また、この発明の別の発明に係るリードフレームの製造
方法は、ダイスパッドの上面及び下面並びに内側リード
の上面及び下面にそれぞれ所定の同じ大きさのマスクを
配置すると共に、外側リードの上面に所定の大きさのマ
スクを配置しその下面には上面に配置したマスクよりや
や小さいマスクを配置し、次いで上記ダイスパッド、内
側リード及び外側リードをエツチングするものである。
方法は、ダイスパッドの上面及び下面並びに内側リード
の上面及び下面にそれぞれ所定の同じ大きさのマスクを
配置すると共に、外側リードの上面に所定の大きさのマ
スクを配置しその下面には上面に配置したマスクよりや
や小さいマスクを配置し、次いで上記ダイスパッド、内
側リード及び外側リードをエツチングするものである。
［作 用］
この発明においては、ダイスパッド及び内側リードの端
部はエツジのない滑らかな形状であるため、内的、外的
温度ストレスによっても応力集中がなく、モールド樹脂
にクラックが発生せず、信頼性の高いＩＣ製品が得られ
る。
部はエツジのない滑らかな形状であるため、内的、外的
温度ストレスによっても応力集中がなく、モールド樹脂
にクラックが発生せず、信頼性の高いＩＣ製品が得られ
る。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームを示す平面図であり、リードフレーム（１１〉
は、電極端子となる外側リード部（１２）と モールド
樹脂４脂で躍り引Ａ内百ＩＩ＋−ド（１３）部とを含む
。内側リード部（１３）の中央には、半導体素子すなわ
ちＩＣチップ（１４）が載置されるダイスパッド（１５
）が設けられている。なお、（１６）及び（１７）はそ
れぞれ１本の内側リード及び外側リードである。
フレームを示す平面図であり、リードフレーム（１１〉
は、電極端子となる外側リード部（１２）と モールド
樹脂４脂で躍り引Ａ内百ＩＩ＋−ド（１３）部とを含む
。内側リード部（１３）の中央には、半導体素子すなわ
ちＩＣチップ（１４）が載置されるダイスパッド（１５
）が設けられている。なお、（１６）及び（１７）はそ
れぞれ１本の内側リード及び外側リードである。
上述したように構成されたリードフレーム（１１）にお
いて、ダイスパッド（１５）の端部及び外側リード（１
７）を拡大して示すとそれぞれ第２図及び第３図のよう
になる。さらに、第２図に示したタイスパント（１５）
の端部をＡ−Ａ線に沿って切断した断面は第４図のよう
になり、第３図に示した外側リード（１７）をＢ−Ｂ線
に沿って切断した断面を第５図に示す。
いて、ダイスパッド（１５）の端部及び外側リード（１
７）を拡大して示すとそれぞれ第２図及び第３図のよう
になる。さらに、第２図に示したタイスパント（１５）
の端部をＡ−Ａ線に沿って切断した断面は第４図のよう
になり、第３図に示した外側リード（１７）をＢ−Ｂ線
に沿って切断した断面を第５図に示す。
ダイスパッド（１５）の端部（１５ａ）は、第４図に示
すように鋭利な突起部がなく滑らかなエツジのない形状
である。従って、ＩＣチップ（１４）をダイスバ・ソド
（１５）上に載置してモールド樹脂で覆った後に製品Ｉ
Ｃとして使用した場合にも、ダイスパッド（１５）の端
部に応力が集中せずモールド樹脂Ｃ団子Ｉ、ない）にク
ラ・ツクが発子ｉ、たいまた、内側リード（１３）の端
部も同様に端部はエツジのない滑らかな形状であり、モ
ールド樹脂にクラックが発生するのを防止する。さらに
、外側リード（１２）の断面は、上底が下底より長い台
形状である。これは、ＩＣチップ（１４）をモールド樹
脂で封止した後に流れ出た樹脂を除去する際に、上面か
ら打ち抜き等により除去し易い形状としたものである。
すように鋭利な突起部がなく滑らかなエツジのない形状
である。従って、ＩＣチップ（１４）をダイスバ・ソド
（１５）上に載置してモールド樹脂で覆った後に製品Ｉ
Ｃとして使用した場合にも、ダイスパッド（１５）の端
部に応力が集中せずモールド樹脂Ｃ団子Ｉ、ない）にク
ラ・ツクが発子ｉ、たいまた、内側リード（１３）の端
部も同様に端部はエツジのない滑らかな形状であり、モ
ールド樹脂にクラックが発生するのを防止する。さらに
、外側リード（１２）の断面は、上底が下底より長い台
形状である。これは、ＩＣチップ（１４）をモールド樹
脂で封止した後に流れ出た樹脂を除去する際に、上面か
ら打ち抜き等により除去し易い形状としたものである。
上述したようなリードフレーム（１１）は、次のように
して製造される。すなわち、ダイスパッド（１５）の上
面及び下面並びに内側リード部（１３）の上面及び下面
にそれぞれ所定の同じ大きさのマスクを配置する。また
、外側リード部（１２）の上面に所定の大きさのマスク
を配置しその下面には上面に配置したマスクよりやや小
さいマスクを配置する１次いで、ダイスパッド（１５）
、内側リード部（１３）及び外側リード部（１２）を全
面エツチングすることによりリードフレーム（１１）を
製造する。
して製造される。すなわち、ダイスパッド（１５）の上
面及び下面並びに内側リード部（１３）の上面及び下面
にそれぞれ所定の同じ大きさのマスクを配置する。また
、外側リード部（１２）の上面に所定の大きさのマスク
を配置しその下面には上面に配置したマスクよりやや小
さいマスクを配置する１次いで、ダイスパッド（１５）
、内側リード部（１３）及び外側リード部（１２）を全
面エツチングすることによりリードフレーム（１１）を
製造する。
なお、上述した実施例では、ダイスパッド（１５）及び
内側リード（１６）の端部を共に工・ンジのない滑らか
な形状としたが、ダイスノ＜・ンド（１５）の端部のみ
をエツジのない形状としてもよく、モールド樹脂にクラ
・ンクが発缶するのを十分に防止することができる。
内側リード（１６）の端部を共に工・ンジのない滑らか
な形状としたが、ダイスノ＜・ンド（１５）の端部のみ
をエツジのない形状としてもよく、モールド樹脂にクラ
・ンクが発缶するのを十分に防止することができる。
また、ダイスパッドの端部のエツチング条件によっては
、第６図及び第７図に示すように、端部（１５ｂ）のよ
うにダイスパッド（１５）の断面中央部に突起（１５ｅ
）を生ずる場合もあるが、モールド樹脂のクラックは十
分に防止することができる。
、第６図及び第７図に示すように、端部（１５ｂ）のよ
うにダイスパッド（１５）の断面中央部に突起（１５ｅ
）を生ずる場合もあるが、モールド樹脂のクラックは十
分に防止することができる。
［発明の効果］
この発明は、以上説明したとおり、半導体素子を上部に
載置し端部はエツジのない滑らかな形状であるダイスパ
ッドと、このダイスパッドの周囲に配置され端部はエツ
ジのない滑らかな形状である内側リードと、この内側リ
ードに接続され断面は上底が下底より長い台形形状であ
る外側リードとを備えたので、外側リード間に流れ出た
不用なモールド樹脂を取り除き易く、かつ、モールド樹
脂にクラックの発生がなく、製造された製品ＩＣの品質
の向上が図られるという効果を奏する。
載置し端部はエツジのない滑らかな形状であるダイスパ
ッドと、このダイスパッドの周囲に配置され端部はエツ
ジのない滑らかな形状である内側リードと、この内側リ
ードに接続され断面は上底が下底より長い台形形状であ
る外側リードとを備えたので、外側リード間に流れ出た
不用なモールド樹脂を取り除き易く、かつ、モールド樹
脂にクラックの発生がなく、製造された製品ＩＣの品質
の向上が図られるという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームを示す平面図、第２図は第１図に示したリード
フレームのダイスパッドの端部拡大図、第３図は第１図
に示したリードフレームの外側リードの拡大斜視図、第
４図は第２図に示したダイスパッドのＡ−Ａ線に沿った
断面図、第５図は第３図に示した外側リードのＢ−Ｂ線
に沿った断面図、第６図はこの発明の他の実施例による
リードフレームのダイスパッド端部の断面図、第７図は
この発明の他の実施例による外側リードの断面図、第８
図は従来の半導体装置用リードフレームを示す平面図、
第９図は第８図に示したリードフレームのダイスパッド
の端部拡大図、第１０図は第８図に示したリードフレー
ムの外側リードの拡大斜視図、第１１図は第９図に示し
たダイスパッドのＡ−Ａ線に沿った断面図、第１２図は
第１０図に示した外側リードのＢ−Ｂ線に沿った断面図
、第１３図は半導体素子及びリードフレームをモールド
樹脂で封止した状態を示す側面断面図、第１４図は外側
リードにモールド樹脂が詰まっている状態を示す側面断
面図、第１５図は側面リードに詰まったモールド樹脂を
除去する状態を示す側面断面図、第１６図はモールド樹
脂にクラ・７りが発生している状態を示す側面断面図で
ある。 図において、（１１）はリードフレーム、（１２）は外
側リード部、（１３）は内側リード部、（１４）はＩＣ
チップ、（１５）はダイスパッド、（１５ａ）（１５ｂ
）は端部、（１５ｃ）は突起、（１６）は内側リード、
（１７）は外側リートである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 曾 我 道 照兜１図 昂８図
フレームを示す平面図、第２図は第１図に示したリード
フレームのダイスパッドの端部拡大図、第３図は第１図
に示したリードフレームの外側リードの拡大斜視図、第
４図は第２図に示したダイスパッドのＡ−Ａ線に沿った
断面図、第５図は第３図に示した外側リードのＢ−Ｂ線
に沿った断面図、第６図はこの発明の他の実施例による
リードフレームのダイスパッド端部の断面図、第７図は
この発明の他の実施例による外側リードの断面図、第８
図は従来の半導体装置用リードフレームを示す平面図、
第９図は第８図に示したリードフレームのダイスパッド
の端部拡大図、第１０図は第８図に示したリードフレー
ムの外側リードの拡大斜視図、第１１図は第９図に示し
たダイスパッドのＡ−Ａ線に沿った断面図、第１２図は
第１０図に示した外側リードのＢ−Ｂ線に沿った断面図
、第１３図は半導体素子及びリードフレームをモールド
樹脂で封止した状態を示す側面断面図、第１４図は外側
リードにモールド樹脂が詰まっている状態を示す側面断
面図、第１５図は側面リードに詰まったモールド樹脂を
除去する状態を示す側面断面図、第１６図はモールド樹
脂にクラ・７りが発生している状態を示す側面断面図で
ある。 図において、（１１）はリードフレーム、（１２）は外
側リード部、（１３）は内側リード部、（１４）はＩＣ
チップ、（１５）はダイスパッド、（１５ａ）（１５ｂ
）は端部、（１５ｃ）は突起、（１６）は内側リード、
（１７）は外側リートである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 曾 我 道 照兜１図 昂８図
Claims (2)
- （１）半導体素子を上部に載置し端部はエッジのない滑
らかな形状であるダイスパッドと、このダイスパッドの
周囲に配置され端部はエッジのない滑らかな形状である
内側リードと、この内側リードに接続され断面は上底が
下底より長い台形形状である外側リードとを備えたこと
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - （２）ダイスパッドの上面及び下面並びに内側リードの
上面及び下面にそれぞれ所定の同じ大きさのマスクを配
置し、外側リードの上面に所定の大きさのマスクを配置
し下面には上面に配置したマスクよりやや小さいマスク
を配置し、次いで、上記ダイスパッド、内側リード及び
外側リードをエッチングすることを特徴とする半導体装
置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094952A JPH03293756A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
| US07/535,070 US5083186A (en) | 1990-04-12 | 1990-06-08 | Semiconductor device lead frame with rounded edges |
| KR1019910005673A KR910019192A (ko) | 1990-04-12 | 1991-04-09 | 반도체장치용 리드프레임 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094952A JPH03293756A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293756A true JPH03293756A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14124281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094952A Pending JPH03293756A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5083186A (ja) |
| JP (1) | JPH03293756A (ja) |
| KR (1) | KR910019192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013024561A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2016105506A (ja) * | 2016-02-24 | 2016-06-09 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960003853B1 (ko) * | 1990-09-10 | 1996-03-23 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
| KR100552353B1 (ko) * | 1992-03-27 | 2006-06-20 | 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 | 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법 |
| JPH06196603A (ja) * | 1992-12-23 | 1994-07-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH06275764A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH06318589A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP4279207B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-06-17 | アルプス電気株式会社 | 入力装置およびこの入力装置を用いた表示入力装置 |
| DE102018128109A1 (de) | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Infineon Technologies Ag | Ein clip mit einem diebefestigungsabschnitt, der konfiguriert ist, um das entfernen von hohlräumen beim löten zu fördern |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123047A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61156845A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS61241957A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リードフレームの製造方法およびリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH01251747A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132975A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-20 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS61259556A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| US4707418A (en) * | 1985-06-26 | 1987-11-17 | National Semiconductor Corporation | Nickel plated copper tape |
| JPS6337954A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Canon Inc | 液体噴射記録装置 |
| US4942452A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-17 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
| JPH01186662A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH02105559A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2094952A patent/JPH03293756A/ja active Pending
- 1990-06-08 US US07/535,070 patent/US5083186A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-09 KR KR1019910005673A patent/KR910019192A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123047A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61156845A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS61241957A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リードフレームの製造方法およびリードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH01251747A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013024561A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2013041951A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
| CN103636013A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-03-12 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
| US9331254B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9537072B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, lead frame and resin cavity molding package |
| CN109786536A (zh) * | 2011-08-12 | 2019-05-21 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN109786536B (zh) * | 2011-08-12 | 2021-09-28 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| JP2016105506A (ja) * | 2016-02-24 | 2016-06-09 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910019192A (ko) | 1991-11-30 |
| US5083186A (en) | 1992-01-21 |
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