JPH03256303A - 角形チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
角形チップ抵抗器の製造方法Info
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、主に高密度配線回路に装備される角形チップ
抵抗器の製造方法、特に厚膜ペーストの焼成方法に関す
るものである。
抵抗器の製造方法、特に厚膜ペーストの焼成方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求が筐す甘す増
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵抗
素子には非常に小型な角形チップ抵抗器が多く用いられ
るようになってきている。
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵抗
素子には非常に小型な角形チップ抵抗器が多く用いられ
るようになってきている。
従来の角形チップ抵抗器は、第3図に示すように、アル
ミナ基板11の上面に銀系厚膜電極による一対の上面電
極12 、12’と端面電極13 、13’を形成し、
、、 1ffi電極12 、12’のそれぞれ一端面を
一部被覆するようにNテニウム系厚膜抵抗による抵抗層
14を設け、さらに抵抗層14をオーバーコートガラス
層15で被覆している。なふ・、上面電極12 、12
’および端面電極13 、13’の露出面には半田付は
性を向上させるために、Niめっき層15 、15’と
Sn −Pbめっき層17 、17’を電解めっきによ
り施し7ている。
ミナ基板11の上面に銀系厚膜電極による一対の上面電
極12 、12’と端面電極13 、13’を形成し、
、、 1ffi電極12 、12’のそれぞれ一端面を
一部被覆するようにNテニウム系厚膜抵抗による抵抗層
14を設け、さらに抵抗層14をオーバーコートガラス
層15で被覆している。なふ・、上面電極12 、12
’および端面電極13 、13’の露出面には半田付は
性を向上させるために、Niめっき層15 、15’と
Sn −Pbめっき層17 、17’を電解めっきによ
り施し7ている。
上記構成にふ・いて、角形チップ抵抗器のオーバーコー
トガラス層15と端面1Vi13,13’の焼成は、第
4図に示すような焼成プロファイルに従って行っていた
のが一般的であり、この焼成プロファイルは約1時間で
焼成が完了するため、生産性が高いという特徴があった
。
トガラス層15と端面1Vi13,13’の焼成は、第
4図に示すような焼成プロファイルに従って行っていた
のが一般的であり、この焼成プロファイルは約1時間で
焼成が完了するため、生産性が高いという特徴があった
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の厚膜ペーストの焼成方
法では昇温速度と降温速度がともに約S6C/分と速い
ため次のような課題があった。
法では昇温速度と降温速度がともに約S6C/分と速い
ため次のような課題があった。
■ 昇温速度が速いので、オーバーコートガラスペース
ト中の樹脂バインダ・=の燃焼が不十分じなり、その樹
脂バインダーがオーバーツーl−ガラスNi5内にピン
ホー7L’18を発生させる。
ト中の樹脂バインダ・=の燃焼が不十分じなり、その樹
脂バインダーがオーバーツーl−ガラスNi5内にピン
ホー7L’18を発生させる。
このピンホー/l’18はオーバーコートガラス層15
の絶縁性を大幅に劣化させる原因となる。
の絶縁性を大幅に劣化させる原因となる。
■ 降温速度が速いので、オーバーコートガラス層15
の十分な焼きな會しが行われなく、そのためオーバーコ
ートガラス層15に内部応力が発生してし1う。この内
部応力は、角形チップ抵抗器を自動実装機でプリント基
板に実装するときの衝撃等により、オーバーコートガラ
ス層15にクラック19や欠けを発生させる原因となっ
ていた。
の十分な焼きな會しが行われなく、そのためオーバーコ
ートガラス層15に内部応力が発生してし1う。この内
部応力は、角形チップ抵抗器を自動実装機でプリント基
板に実装するときの衝撃等により、オーバーコートガラ
ス層15にクラック19や欠けを発生させる原因となっ
ていた。
従来、この課題を解決するために、焼成時間を2倍にし
て理想的な昇温・降温速度を実現しようとした試みもあ
ったが、生産性が従来の恥に下がってし壕うため実現は
不可能であった。
て理想的な昇温・降温速度を実現しようとした試みもあ
ったが、生産性が従来の恥に下がってし壕うため実現は
不可能であった。
本発明は、このような課題を解決するもので、ピンホー
ルの発生率を減少させ、さらにオーバーコートガラス層
の耐衝撃性を向上させる角形チップ抵抗器の製造方法を
提供するものである。
ルの発生率を減少させ、さらにオーバーコートガラス層
の耐衝撃性を向上させる角形チップ抵抗器の製造方法を
提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を遠戚するために絶縁性の焼結基板
上に形成した一対の上面電極とその一部に重なるように
設けられた抵抗体とを完全に覆うように厚膜ガラスペー
ストを印刷し、昇温速度が降温速度より遅い焼成プロフ
ァイルに従って焼成することによってオーバーコートガ
ラス層を形成する工程と、一対の上面電極の池の一部に
重なるように厚膜導電ペーストを印刷し、昇温速度が降
温速度まり速い焼成プロファイルに従って焼成し、端面
電極を形成する工程からなる。
上に形成した一対の上面電極とその一部に重なるように
設けられた抵抗体とを完全に覆うように厚膜ガラスペー
ストを印刷し、昇温速度が降温速度より遅い焼成プロフ
ァイルに従って焼成することによってオーバーコートガ
ラス層を形成する工程と、一対の上面電極の池の一部に
重なるように厚膜導電ペーストを印刷し、昇温速度が降
温速度まり速い焼成プロファイルに従って焼成し、端面
電極を形成する工程からなる。
作用
したがって本発明によれば、オーバーコートガラス層を
焼成する焼成プロファイルの昇温速度を降温速度より遅
くしているので、オーバーコートガラスペースト中の樹
脂バインダーは完全に燃焼し、オーバーコートガラス層
中のピンホールの発生率は減少する。
焼成する焼成プロファイルの昇温速度を降温速度より遅
くしているので、オーバーコートガラスペースト中の樹
脂バインダーは完全に燃焼し、オーバーコートガラス層
中のピンホールの発生率は減少する。
lた、端面電極を焼成するプロファイルは昇温速度を降
温速度より速くしているので、先に焼成したオーバーコ
ートガラス層内に残っている内部応力を十分に取ジ除く
ことができ、これによりフラック訃よび欠けが発生しに
く\なるとともにオーバーコートガラス層の耐衝撃性を
向上させることができる。
温速度より速くしているので、先に焼成したオーバーコ
ートガラス層内に残っている内部応力を十分に取ジ除く
ことができ、これによりフラック訃よび欠けが発生しに
く\なるとともにオーバーコートガラス層の耐衝撃性を
向上させることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第1図、第2図を用
いて説明する。
いて説明する。
第1図において、1はアルミナ基板等の絶縁性の焼結基
板、2.2′は銀系厚膜電極よりなる一対の上面N、極
、3,3′は同じく端面電極、4はルテニウム系厚膜抵
抗機よりなる抵抗層、6は抵抗層4を覆うオーバーコー
トガラス層である。また−対の上面電極2,2′と端面
電極3.3′の露出面には半田付は性を向上させるため
に、Niめっき層6゜6′と5n−Pbめっき層7,7
′を電解めっきにより施している。
板、2.2′は銀系厚膜電極よりなる一対の上面N、極
、3,3′は同じく端面電極、4はルテニウム系厚膜抵
抗機よりなる抵抗層、6は抵抗層4を覆うオーバーコー
トガラス層である。また−対の上面電極2,2′と端面
電極3.3′の露出面には半田付は性を向上させるため
に、Niめっき層6゜6′と5n−Pbめっき層7,7
′を電解めっきにより施している。
上記構成において、その製造方法を説明すると、まず耐
熱性および絶縁性に優れた焼結基板1の上面に後で短冊
状および個片状に分割するための溝(グリーンシート作
成時に金型で酸形する)を設け、次にその焼結基板1上
に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼
成炉中で850℃の温度における保持時間6分、全焼成
時間45分のプロファイルによって焼成し上面電極2,
2′を形成する。次に、上面電極2,2′のそれぞれ一
端に重なるように、RuO2を主成分とする厚膜抵抗ペ
ーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉中で8
50℃の温度における保持時間6分、全焼成時間46分
のプロファイルによって焼成し、抵抗層4を形成する。
熱性および絶縁性に優れた焼結基板1の上面に後で短冊
状および個片状に分割するための溝(グリーンシート作
成時に金型で酸形する)を設け、次にその焼結基板1上
に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼
成炉中で850℃の温度における保持時間6分、全焼成
時間45分のプロファイルによって焼成し上面電極2,
2′を形成する。次に、上面電極2,2′のそれぞれ一
端に重なるように、RuO2を主成分とする厚膜抵抗ペ
ーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉中で8
50℃の温度における保持時間6分、全焼成時間46分
のプロファイルによって焼成し、抵抗層4を形成する。
次に上面電極2.2′間に設けられている抵抗層4の抵
抗値を揃えるために、レーザー光によって、抵抗層4の
一部を削除し抵抗値の修正を行う。さらに抵抗層4を完
全に覆うように、ガラスペーストをスクリーン印刷し乾
燥炉によって150℃で10分間乾燥する。その後、ベ
ルト式連続焼成炉によって第2図中のムで示す焼成プロ
ファイルに従って焼成し、オーバーコートガラス層6を
形成した。
抗値を揃えるために、レーザー光によって、抵抗層4の
一部を削除し抵抗値の修正を行う。さらに抵抗層4を完
全に覆うように、ガラスペーストをスクリーン印刷し乾
燥炉によって150℃で10分間乾燥する。その後、ベ
ルト式連続焼成炉によって第2図中のムで示す焼成プロ
ファイルに従って焼成し、オーバーコートガラス層6を
形成した。
次に、焼結基板1を短冊状に分割し、その短冊状の焼結
基板1の側面に、上面電極2,2′のそれぞれ一端に重
なるように厚膜銀ペーストをローラーによって塗布し、
べNi式連続焼成炉によって第2図中のBで示す焼成プ
ロファイルに従って焼成し端面電極3.3′を形成した
。次に、端面電極3.3′を形成した短冊状の焼結基板
1を個片状に分割し、露出している上面電極2,2′と
端面電極3.3′のはんだ付は時の電極喰われを防止し
、かつはんだ付は信頼性を確保するため、電解めっきに
よってNiめつき層6.6′とSn −Pbのめつき層
7.7′を形成して角形チップ抵抗器が得られる。
基板1の側面に、上面電極2,2′のそれぞれ一端に重
なるように厚膜銀ペーストをローラーによって塗布し、
べNi式連続焼成炉によって第2図中のBで示す焼成プ
ロファイルに従って焼成し端面電極3.3′を形成した
。次に、端面電極3.3′を形成した短冊状の焼結基板
1を個片状に分割し、露出している上面電極2,2′と
端面電極3.3′のはんだ付は時の電極喰われを防止し
、かつはんだ付は信頼性を確保するため、電解めっきに
よってNiめつき層6.6′とSn −Pbのめつき層
7.7′を形成して角形チップ抵抗器が得られる。
次に本発明の実施例と従来例による角形チップ抵抗器の
性能比較を次の表に示す。
性能比較を次の表に示す。
なお、也の特性(抵抗温度特性、電流雑音特性等)につ
いては実施例、従来例ともに同等の性能を有しているも
のである。
いては実施例、従来例ともに同等の性能を有しているも
のである。
表
上記の表よう明らかなように、本発明の実施例による角
形チップ抵抗器は絶縁劣化の原因となるガラス表面のピ
ンホールの発生率および自動実装時のクラックの発生率
がともに従来例と比較して大きく改善されていることが
分かる。
形チップ抵抗器は絶縁劣化の原因となるガラス表面のピ
ンホールの発生率および自動実装時のクラックの発生率
がともに従来例と比較して大きく改善されていることが
分かる。
なお、上記実施例に釦いては、第2図に示す焼成プロフ
ァイルムとBによってオーバーコートガラス層5と端面
電極3,3′をそれぞれ形成しているが、これは昇温速
度や降温速度をム、Bの焼成プロファイルのみに限定す
るものではない。たXし、オーバーコートガラス層5の
焼成プロファイルは、昇温速度が15〜b 40〜100C/分の条件が、端面電極3.3′の焼成
プロファイルは昇温速度が40〜100ツ分で降温速度
は15〜b ある。
ァイルムとBによってオーバーコートガラス層5と端面
電極3,3′をそれぞれ形成しているが、これは昇温速
度や降温速度をム、Bの焼成プロファイルのみに限定す
るものではない。たXし、オーバーコートガラス層5の
焼成プロファイルは、昇温速度が15〜b 40〜100C/分の条件が、端面電極3.3′の焼成
プロファイルは昇温速度が40〜100ツ分で降温速度
は15〜b ある。
また、オーバーコートガラス層6の焼成プロファイルの
昇温時および端面電極3,3′の焼成プロファイルの降
温時に360〜450Cの温度範囲内で5〜10分の温
度一定時間をもたせると全焼成時間は長くなるが、さら
にピンホールの発生率を低くする(3個/100oO個
)こともできる。
昇温時および端面電極3,3′の焼成プロファイルの降
温時に360〜450Cの温度範囲内で5〜10分の温
度一定時間をもたせると全焼成時間は長くなるが、さら
にピンホールの発生率を低くする(3個/100oO個
)こともできる。
筐た上記実施例において、抵抗値トリミング前に抵抗値
ドリフトを抑えるためのグリコ−トガラスを形成する工
程を含む製造方法については説明を省略したが、プリコ
ートガラスを形成した後、レーザー光による抵抗値の修
正を行い、角形チップ抵抗器を製造しても同等の性能が
得られるものである。
ドリフトを抑えるためのグリコ−トガラスを形成する工
程を含む製造方法については説明を省略したが、プリコ
ートガラスを形成した後、レーザー光による抵抗値の修
正を行い、角形チップ抵抗器を製造しても同等の性能が
得られるものである。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、オー
バーコートガラスを昇温速度が降温速度より遅い焼成プ
ロファイルで、端面電極を昇温速度が降温速度より速い
焼成プロファイルでそれぞれ焼成することにより生産性
を下げることなく、絶縁性の劣化の原因となるオーバー
コートガラスのピンホールを減少させ、さらにオーバー
コートガラスの耐衝撃性を向上させた角形チップ抵抗器
を得ることができる。
バーコートガラスを昇温速度が降温速度より遅い焼成プ
ロファイルで、端面電極を昇温速度が降温速度より速い
焼成プロファイルでそれぞれ焼成することにより生産性
を下げることなく、絶縁性の劣化の原因となるオーバー
コートガラスのピンホールを減少させ、さらにオーバー
コートガラスの耐衝撃性を向上させた角形チップ抵抗器
を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例の製造方法による角形チップ
抵抗器の断面図、第2図は同実施例の角形チップ抵抗器
の製造方法に釦ける焼成プロファイルの一例を示す説明
図、第3図は従来の製造方法による角形チッフ゛抵抗器
の断面図、第4図は同製造方法に釦ける焼成プロファイ
ルの一例を示す説明図である。 1・・・・・・焼結基板、2.2′・・・・・上面電極
、3,3′・・・・・・端面電極、4・・・・・・抵抗
層、6・・・・・・オーバーコートガラス層、6.6′
・・・・・Niめっき層、7,7′・・・・・Sn −
Pbめっき層。
抵抗器の断面図、第2図は同実施例の角形チップ抵抗器
の製造方法に釦ける焼成プロファイルの一例を示す説明
図、第3図は従来の製造方法による角形チッフ゛抵抗器
の断面図、第4図は同製造方法に釦ける焼成プロファイ
ルの一例を示す説明図である。 1・・・・・・焼結基板、2.2′・・・・・上面電極
、3,3′・・・・・・端面電極、4・・・・・・抵抗
層、6・・・・・・オーバーコートガラス層、6.6′
・・・・・Niめっき層、7,7′・・・・・Sn −
Pbめっき層。
Claims (3)
- (1)絶縁性の焼結基板に厚膜導電ペーストを印刷・焼
成し一対の上面電極を形成する工程と、前記一対の上面
電極の一部に重なるように厚膜抵抗ペーストを印刷・焼
成し抵抗層を形成する工程と、前記抵抗層の抵抗値修正
を行う工程と、前記抵抗層を完全に覆うように厚膜ガラ
スペーストを印刷し、昇温速度が降温速度より遅い焼成
プロファイルに従って焼成し、オーバーコートガラス層
を形成する工程と、前記一対の上面電極の一部に重なる
ように厚膜導電ペーストを印刷し、昇温速度が降温速度
より速い焼成プロファイルに従って焼成し、端面電極を
形成する工程と、前記一対の上面電極と前記端面電極の
露出部分にNiめっき層とSn−Pbめっき層を電解め
っきによって形成する工程とからなる角形チップ抵抗器
の製造方法。 - (2)オーバーコートガラス層の焼成プロファイルは、
その昇温速度が15〜30℃/分で降温速度が40〜1
00℃/分であり、また端面電極の焼成プロファイルは
、その昇温速度が40〜100℃/分で降温速度が15
〜30℃/分である請求項1記載の角形チップ抵抗器の
製造方法。 - (3)オーバーコートガラス層の焼成プロファイルの昇
温時に350〜450℃の範囲内で5〜10分の温度一
定領域を、また端面電極の焼成プロファイルの降温時に
350〜450℃の範囲内で5〜10分の温度一定領域
をそれぞれ設けた請求項1または2記載の角形チップ抵
抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5524290A JP2757524B2 (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5524290A JP2757524B2 (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03256303A true JPH03256303A (ja) | 1991-11-15 |
JP2757524B2 JP2757524B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=12993127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5524290A Expired - Lifetime JP2757524B2 (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2757524B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5520569A (en) * | 1993-02-22 | 1996-05-28 | Get Inc. | Cutter and a rotary cutter apparatus |
CN115295262A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | 一种抗硫化厚膜片式固定电阻器及其使用方法 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP5524290A patent/JP2757524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5520569A (en) * | 1993-02-22 | 1996-05-28 | Get Inc. | Cutter and a rotary cutter apparatus |
CN115295262A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | 一种抗硫化厚膜片式固定电阻器及其使用方法 |
CN115295262B (zh) * | 2022-07-14 | 2024-06-11 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | 一种抗硫化厚膜片式固定电阻器及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2757524B2 (ja) | 1998-05-25 |
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