JPH03253815A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電気光学効果を有する光導波路上に信号用と接地用の駆
動電極が形成された光導波路デバイスに関し、ＤＣドリ
フトの抑止とＤＣドリフトやストレスなどによる動作点
シフトを補償する目的で、該光導波路に印加される電界
分布が前記電極に印加される電気信号の周波数によって
大きく変化するように構成した。
動電極が形成された光導波路デバイスに関し、ＤＣドリ
フトの抑止とＤＣドリフトやストレスなどによる動作点
シフトを補償する目的で、該光導波路に印加される電界
分布が前記電極に印加される電気信号の周波数によって
大きく変化するように構成した。
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信装置における外部変調器、スイッチや分
波器などの光導波路デバイスに係り、特に光導波路デバ
イスで問題となる動作特性の各種ドリフト特性を低周波
数領域でバイアス電界を印加させることで補正し、かつ
、高周波数領域には影響しないように施された光導波路
デバイスに関する。
波器などの光導波路デバイスに係り、特に光導波路デバ
イスで問題となる動作特性の各種ドリフト特性を低周波
数領域でバイアス電界を印加させることで補正し、かつ
、高周波数領域には影響しないように施された光導波路
デバイスに関する。
一般に光スィッチや光変調器等に使用される光導波路デ
バイスでは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｓ）等の電
気光学結晶基板表面に形成した光導波路に電界を印加し
て屈折率を変化させ、該導波路中を進行する光信号のス
イッチングや位相変調を行っている。第１２図は従来の
マツハツエンダ型変調器を示す構成図であり、特に非対
称進行波電極を用いた場合の例が示されている。ｌはＺ
板ニオブ酸リチウム基板を示し、その表面にはチタン（
Ｔｉ）蒸着膜を帯状にパターンニング形成した後。
バイスでは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｓ）等の電
気光学結晶基板表面に形成した光導波路に電界を印加し
て屈折率を変化させ、該導波路中を進行する光信号のス
イッチングや位相変調を行っている。第１２図は従来の
マツハツエンダ型変調器を示す構成図であり、特に非対
称進行波電極を用いた場合の例が示されている。ｌはＺ
板ニオブ酸リチウム基板を示し、その表面にはチタン（
Ｔｉ）蒸着膜を帯状にパターンニング形成した後。
このチタンを導波路基板１に熱拡散してこの導波路基板
Ｉよりも屈折率の大きい光導波路２（２１，２−２）を
形成している。このような光スィッチや光変調器では導
波路２を伝搬する光が信号用電極５と接地用電極６から
なる駆動電極に吸収されることを避けるため、電極５．
６と導波路２の間に透明でかつ、導波路２よりも屈折率
の小さな誘電体薄膜バッファ層３が形成されている。第
１２図の場合にはバッファ層３として二酸化シリコン５
ｉＯｚか用いられている。このような誘電体薄膜は電気
的には高抵抗物質を間に挟んだ容量として機能する。ま
た、特にＺ板Ｌ ｉ Ｎ ｂ ０３を用いた導波路デバ
イスではＬｉＮｂＯ５の焦電効果により発生する表面電
荷がバッファ層の上に形成された非対称な電極構造と作
用しあって不均一な電荷分布を形成し、変調器やスイッ
チの特性に悪影響を及ぼす。この対策として、第１２図
（ｂ）に示すようにバッファ層３の上に半導電性材料で
あるＳ１膜４をコートし、この上に電極５．６を形成す
る工夫も試みられている。このようにすることで温度変
化などによって生ずる表面の電荷分布を均一にすること
ができ、特性の安定化が図られている。また、導波路２
は金属Ｔｉをニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ８）中に高
温で熱拡散させて形成するため導波路部の抵抗や誘電率
はバルク部分と異なっている。さらにニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ３）表面の抵抗はこれらの拡散生膜プロセ
スによってバルク部分と異ななっている。以上の膜１層
。
Ｉよりも屈折率の大きい光導波路２（２１，２−２）を
形成している。このような光スィッチや光変調器では導
波路２を伝搬する光が信号用電極５と接地用電極６から
なる駆動電極に吸収されることを避けるため、電極５．
６と導波路２の間に透明でかつ、導波路２よりも屈折率
の小さな誘電体薄膜バッファ層３が形成されている。第
１２図の場合にはバッファ層３として二酸化シリコン５
ｉＯｚか用いられている。このような誘電体薄膜は電気
的には高抵抗物質を間に挟んだ容量として機能する。ま
た、特にＺ板Ｌ ｉ Ｎ ｂ ０３を用いた導波路デバ
イスではＬｉＮｂＯ５の焦電効果により発生する表面電
荷がバッファ層の上に形成された非対称な電極構造と作
用しあって不均一な電荷分布を形成し、変調器やスイッ
チの特性に悪影響を及ぼす。この対策として、第１２図
（ｂ）に示すようにバッファ層３の上に半導電性材料で
あるＳ１膜４をコートし、この上に電極５．６を形成す
る工夫も試みられている。このようにすることで温度変
化などによって生ずる表面の電荷分布を均一にすること
ができ、特性の安定化が図られている。また、導波路２
は金属Ｔｉをニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ８）中に高
温で熱拡散させて形成するため導波路部の抵抗や誘電率
はバルク部分と異なっている。さらにニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ３）表面の抵抗はこれらの拡散生膜プロセ
スによってバルク部分と異ななっている。以上の膜１層
。
部分的微細構造の抵抗、誘電率、容量の複雑な分布のた
め電気的等価回路も複雑となる。このため。
め電気的等価回路も複雑となる。このため。
電極５．６間に印加された電圧のＤＣ成分は作成条件に
よっては数分から数十臼といった長い時定数を以て電界
のかかりかたを大幅に変えていく。
よっては数分から数十臼といった長い時定数を以て電界
のかかりかたを大幅に変えていく。
この変化に対応して光応答特性も変化していく。
これをＤＣドリフトと言っている。この対策として従来
変調器の電極と外部電源を容量結合として。
変調器の電極と外部電源を容量結合として。
変調器にＤＣ成分が印可されないようにしたり同じく容
量結合として、信号用線路にバイアス用ＤＣ電源を接続
することで何らかの原因で発生したＤＣドリフトを補償
してきた。
量結合として、信号用線路にバイアス用ＤＣ電源を接続
することで何らかの原因で発生したＤＣドリフトを補償
してきた。
また、導波路に何らかの原因によりストレスが加わった
場合、一般に導波路の屈折率が変化してその動作特性を
変化させる。このような現象が起きた場合、これまでは
印可電圧にこのストレスにより発生した屈折率変化を打
ち消すようなりＣ電圧を上乗せして動作させる等の方法
か取られていた。
場合、一般に導波路の屈折率が変化してその動作特性を
変化させる。このような現象が起きた場合、これまでは
印可電圧にこのストレスにより発生した屈折率変化を打
ち消すようなりＣ電圧を上乗せして動作させる等の方法
か取られていた。
光スイッチや変調器の電極を容量結合にして使用した場
合、電源側から見るとオープンな状態となり、電源の動
作に悪影響を及ぼす。また、容量結合とすることで使用
可能周波数帯域が接続する容量によって制限されてしま
う可能性がある。また、信号線路に外部からバイアス用
の電源の接続を行うと信号線路の特性インピーダンスが
乱れてしまいスイッチや変調をうまく行うことができな
い。また、印加電圧に何らかの補正を行う目的でＤＣ電
圧を上乗せする方法は、電源回路の耐圧の限界から困難
な場合が多い。
合、電源側から見るとオープンな状態となり、電源の動
作に悪影響を及ぼす。また、容量結合とすることで使用
可能周波数帯域が接続する容量によって制限されてしま
う可能性がある。また、信号線路に外部からバイアス用
の電源の接続を行うと信号線路の特性インピーダンスが
乱れてしまいスイッチや変調をうまく行うことができな
い。また、印加電圧に何らかの補正を行う目的でＤＣ電
圧を上乗せする方法は、電源回路の耐圧の限界から困難
な場合が多い。
このため、スイッチや変調を行うために設けられた電極
とは独立してＤＣドリフトの抑制や補償を行う必要があ
る。
とは独立してＤＣドリフトの抑制や補償を行う必要があ
る。
上記問題点は、電気光学結晶基板の表面に電気光学効果
を有する光導波路が形成され、該光導波路上には信号用
と接地用の一対の駆動電極が形成され、該電極によって
該光導波路及びこの近傍に印加される電界分布が該電極
に印加される電気信号の周波数の変化によって大きく変
化するように構成されている光導波路デバイスすること
により解消できる。
を有する光導波路が形成され、該光導波路上には信号用
と接地用の一対の駆動電極が形成され、該電極によって
該光導波路及びこの近傍に印加される電界分布が該電極
に印加される電気信号の周波数の変化によって大きく変
化するように構成されている光導波路デバイスすること
により解消できる。
光スィッチや変調器を構成する電極は一般に高速の動作
を可能とするため、できるだけ低抵抗に形成している。
を可能とするため、できるだけ低抵抗に形成している。
このためには銅や金のような導電率の高い材料を用いて
できるだけ厚さを厚くするとか有効である。このような
導電率の高い材料に接して、Ｓｉ膜のように比較的抵抗
の高い材料が存在した場合には、その抵抗値を設計１選
択することにより、ＤＣ的あるいは所望の低周波数に対
してはＳｉ膜はこれに接している導体となんら変わらず
等電位状態を保つが、信号線路を伝播する信号の周波数
が徐々に増加していくとＳｉ膜のように比較的抵抗の高
い部分では電位の高速な変化に対応して電荷が高速で移
動することができず。
できるだけ厚さを厚くするとか有効である。このような
導電率の高い材料に接して、Ｓｉ膜のように比較的抵抗
の高い材料が存在した場合には、その抵抗値を設計１選
択することにより、ＤＣ的あるいは所望の低周波数に対
してはＳｉ膜はこれに接している導体となんら変わらず
等電位状態を保つが、信号線路を伝播する信号の周波数
が徐々に増加していくとＳｉ膜のように比較的抵抗の高
い部分では電位の高速な変化に対応して電荷が高速で移
動することができず。
追従できる部分は段々導体近傍に限定されて行く。
このため、高周波数と低周波数とで実効的な電極の形が
大幅に変化することとなる。このように等価的に電極の
形が変化することを利用することにより１色々な機能を
有するデバイスを構成することが可能となる。
大幅に変化することとなる。このように等価的に電極の
形が変化することを利用することにより１色々な機能を
有するデバイスを構成することが可能となる。
通常、高速スイッチングや変調を行う場合、進行波電極
が用いられるが、進行波電極の信号線路と接地電極の下
にＳｉからなる薄膜線路を設け。
が用いられるが、進行波電極の信号線路と接地電極の下
にＳｉからなる薄膜線路を設け。
信号線路と接地電極の中央で細い隙間を隔てて分離して
形成すると、印可される電気信号のＤＣｅ。
形成すると、印可される電気信号のＤＣｅ。
分による電界は信号線路と接地電極の中央の細い隙間に
集中し、導波路が存在する信号線路と接地電極の直下の
電界成分は弱まる。このため、ＤＣドリフトによってＤ
Ｃ成分が変化しても特性変化の絶対値は小さくなる。一
方、このような構造の電極に高周波数の電気信号を印可
した場合には半導電性膜であるＳｉ膜は高周波に追従で
きず、誘電体と見なすことができる。この場合、電界は
金属導体間に従来例と同しように印可されるため電界は
有効に導波路に印可される。
集中し、導波路が存在する信号線路と接地電極の直下の
電界成分は弱まる。このため、ＤＣドリフトによってＤ
Ｃ成分が変化しても特性変化の絶対値は小さくなる。一
方、このような構造の電極に高周波数の電気信号を印可
した場合には半導電性膜であるＳｉ膜は高周波に追従で
きず、誘電体と見なすことができる。この場合、電界は
金属導体間に従来例と同しように印可されるため電界は
有効に導波路に印可される。
焦電効果を有する光学結晶基板上に形成された導波路デ
バイスでは表面に発生する電荷分布を均一とするためＳ
ｉなどの半導電性膜をバッファ層の上に形成することか
有効であるか、この場合。
バイスでは表面に発生する電荷分布を均一とするためＳ
ｉなどの半導電性膜をバッファ層の上に形成することか
有効であるか、この場合。
低周波数に対してはＳｉ膜は導体と等価となるため細い
信号電極と太い接地電極からなる電極では信号電極の外
側が等電位となり７本来信号電極に集中すべき電界が外
側のＳｉにも分散してしまい有効に導波路に印可されな
いこととなる。この対策として信号電極の外側に第３の
金属電極を置くことにより、信号電極と第３の電極の間
は距離に０ 比例した電圧降下が生じ２分散した電界を信号電極に集
中するように改善できる。また信号電極と第３の電極の
間のＳｉ膜の厚さを場所により変えることにより、抵抗
の分布を変えることができ。
信号電極と太い接地電極からなる電極では信号電極の外
側が等電位となり７本来信号電極に集中すべき電界が外
側のＳｉにも分散してしまい有効に導波路に印可されな
いこととなる。この対策として信号電極の外側に第３の
金属電極を置くことにより、信号電極と第３の電極の間
は距離に０ 比例した電圧降下が生じ２分散した電界を信号電極に集
中するように改善できる。また信号電極と第３の電極の
間のＳｉ膜の厚さを場所により変えることにより、抵抗
の分布を変えることができ。
電圧降下量の分布を調整でき、電界をさらに有効に集中
させることができる。このような構造に対して、やはり
高周波数に対してはＳｉ膜は誘電体として機能する。ま
た、第３の電極も充分信号電極から離して設置すれば、
特性インピーダンス等に与える影響も少なく構成するこ
とができる。さらに、第３の電極の代わりに比較的抵抗
の小さい半導電膜を用いることにより、同様の効果が得
られるととともに、特性インピーダンス等に与える影響
をさらに少なくすることができる。
させることができる。このような構造に対して、やはり
高周波数に対してはＳｉ膜は誘電体として機能する。ま
た、第３の電極も充分信号電極から離して設置すれば、
特性インピーダンス等に与える影響も少なく構成するこ
とができる。さらに、第３の電極の代わりに比較的抵抗
の小さい半導電膜を用いることにより、同様の効果が得
られるととともに、特性インピーダンス等に与える影響
をさらに少なくすることができる。
以上の構成では第３の電極を接地することを前提として
いるが、第３の電極に電圧を印加することにより、さら
に有効な機能を引き出すことができる。つまり、ＤＣド
リフトや機械的ストレスなどにより生じた変調器、スイ
ッチなどの動作特性の変動を第３の電極にＤＣまたは低
周波数の電圧を印加することにより補償してやろうと言
うものである。この場合１色々の構成が考えられるが。
いるが、第３の電極に電圧を印加することにより、さら
に有効な機能を引き出すことができる。つまり、ＤＣド
リフトや機械的ストレスなどにより生じた変調器、スイ
ッチなどの動作特性の変動を第３の電極にＤＣまたは低
周波数の電圧を印加することにより補償してやろうと言
うものである。この場合１色々の構成が考えられるが。
比較的高抵抗の材料１例えばシリコンなどからなる半導
電性の膜を信号線路に接近させて形成することが有効で
ある。この膜には直接外部から電極が接続されたり、信
号線路から充分能れて特性インピーダンス等に大きな影
響を及ぼさない位置でこの膜の上に金属膜を形成し、こ
れに外部から電極を接続し、これに電圧を印加すること
により信号線路の下の導波路の屈折率を変え動作特性の
変動を補償してやることができる。この場合、半導電性
の膜はやはり、低周波数では導体と見なすことができる
が、高周波数では誘電体と見なすことができ、この膜の
存在が高周波数領域で特性インピーダンスに与える影響
は少ない。また、バッファ層の上全体に温度特性の改善
などの目的で半導電性膜が付けられている場合にも、信
号線路の近傍を境にしてここだけを薄い膜として、この
部分の抵抗を太きくシ、電圧降下をここに集中させるこ
とにより、同様の効果を実現できる。また１ ２ 第２の半導電性材料からなる膜を均一にバッファ層上に
設けられた半導電性膜の上に信号線路に接近させて形成
することにより、同様の効果が期待できる。
電性の膜を信号線路に接近させて形成することが有効で
ある。この膜には直接外部から電極が接続されたり、信
号線路から充分能れて特性インピーダンス等に大きな影
響を及ぼさない位置でこの膜の上に金属膜を形成し、こ
れに外部から電極を接続し、これに電圧を印加すること
により信号線路の下の導波路の屈折率を変え動作特性の
変動を補償してやることができる。この場合、半導電性
の膜はやはり、低周波数では導体と見なすことができる
が、高周波数では誘電体と見なすことができ、この膜の
存在が高周波数領域で特性インピーダンスに与える影響
は少ない。また、バッファ層の上全体に温度特性の改善
などの目的で半導電性膜が付けられている場合にも、信
号線路の近傍を境にしてここだけを薄い膜として、この
部分の抵抗を太きくシ、電圧降下をここに集中させるこ
とにより、同様の効果を実現できる。また１ ２ 第２の半導電性材料からなる膜を均一にバッファ層上に
設けられた半導電性膜の上に信号線路に接近させて形成
することにより、同様の効果が期待できる。
また１以上の半導電性膜に関する記述は導体を極めて薄
く形成することによっても実現できる。
く形成することによっても実現できる。
これは、超電導体でないかぎり導体も０より大きい体積
抵抗率を持つため、膜厚を薄くするにつれて抵抗値は増
大するためである。
抵抗率を持つため、膜厚を薄くするにつれて抵抗値は増
大するためである。
第１図は本発明になる変調器の構成を示す一例である。
第１図において、■は第１２図同様に電気光学結晶であ
るニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）よりなる導波路基
板である。
るニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）よりなる導波路基
板である。
また該導波路基板１表面には、チタン（Ｔｉ）をパター
ニング形成した後に１０５０’Ｃの温度で１０時間加熱
して上記チタンを導波路基板１に熱拡散させた径が７μ
ｍ程度の帯状の光導波路２（２１，２−２）が形成され
ている。このようにして形成されたマツハツエンダ型導
波路の二本に分岐した導波路は分岐角１°で導波路と導
波路の間が１５μｍとなるように形成されている。この
上に厚さ０．５μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から
なるバッファ層３が形成されている。この上に分岐した
導波路２−１と導波路２−２の間の中央で４μｍの間隔
を以て分離形成されたシリコン（Ｓｉ）からなる半導電
性膜９．９゛が厚さ約０゜２０μｍ形成されている。こ
の後、メツキにより。
ニング形成した後に１０５０’Ｃの温度で１０時間加熱
して上記チタンを導波路基板１に熱拡散させた径が７μ
ｍ程度の帯状の光導波路２（２１，２−２）が形成され
ている。このようにして形成されたマツハツエンダ型導
波路の二本に分岐した導波路は分岐角１°で導波路と導
波路の間が１５μｍとなるように形成されている。この
上に厚さ０．５μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から
なるバッファ層３が形成されている。この上に分岐した
導波路２−１と導波路２−２の間の中央で４μｍの間隔
を以て分離形成されたシリコン（Ｓｉ）からなる半導電
性膜９．９゛が厚さ約０゜２０μｍ形成されている。こ
の後、メツキにより。
厚さ約１０μｍで幅７μｍの信号線路電極５および、同
じく厚さ約１０μｍの接地用電極６が導波路上に形成さ
れている。この半導電性膜の比抵抗は０．００１からｔ
ｏｏｏｏｏΩ”ｍの広い範囲に渡り設計選択することが
可能であり、この変調器を数ＭＨｚ以上で使用する場合
には比抵抗は１００Ω・ｍ程度にしておけば良い。この
値はもちろん膜厚や電極間隔、膜間の間隔などによって
変化する。
じく厚さ約１０μｍの接地用電極６が導波路上に形成さ
れている。この半導電性膜の比抵抗は０．００１からｔ
ｏｏｏｏｏΩ”ｍの広い範囲に渡り設計選択することが
可能であり、この変調器を数ＭＨｚ以上で使用する場合
には比抵抗は１００Ω・ｍ程度にしておけば良い。この
値はもちろん膜厚や電極間隔、膜間の間隔などによって
変化する。
このような構造とすることにより、電極５．６３
４
間に印加されたＤＣ電圧や数十上の低周波数電圧成分は
半導電性膜９，９°の隙間に集中してかかるため、導波
路２−１．２−２にはあまり影響を及ぼさない。しかし
、数ＭＨｚ程度の周波数となると半導電性膜９，９”は
電圧の変化に対応して電荷移動ができなくなり、誘電体
膜と見なして良くなる。このため電圧は電極５．６間に
かかり、導波路２−１．２−２の屈折率を有効に変化さ
せる。
半導電性膜９，９°の隙間に集中してかかるため、導波
路２−１．２−２にはあまり影響を及ぼさない。しかし
、数ＭＨｚ程度の周波数となると半導電性膜９，９”は
電圧の変化に対応して電荷移動ができなくなり、誘電体
膜と見なして良くなる。このため電圧は電極５．６間に
かかり、導波路２−１．２−２の屈折率を有効に変化さ
せる。
この結果、この変調器では印加電圧のＤＣ成分は無視で
き、ＤＣドリフトの影響も小さくなる。
き、ＤＣドリフトの影響も小さくなる。
第２図から第６図までの構成は同様の効果を実現するた
めに取られた他の構成例である。
めに取られた他の構成例である。
第２図は半導電性膜９を基板表面全体に付けた後電極５
．６間で部分するように膜厚の薄い部分ａを設けること
によりＤＣ電圧や低周波数電圧をこの薄い部分ａに集中
させて同様の効果を得ている。
．６間で部分するように膜厚の薄い部分ａを設けること
によりＤＣ電圧や低周波数電圧をこの薄い部分ａに集中
させて同様の効果を得ている。
第３図は第１図と同じく半導電性膜９，９°が分離され
、さらに半導電性膜９が信号電極５の近傍にだけ形成さ
れた例であり、信号線路下の半導電性膜９の幅も設計に
有効に活用できるため１周波数特性がより良好となるよ
うに設計できる。第４図は同じく第２図における半導電
性膜９を信号用電極５の近傍にだけ形成した例であり、
同じく周波数特性をより良好に設計できる。第５図は全
面に形成された半導電性膜４の上にシリコンへのドーパ
ントの量を変えるなどして形成された比抵抗値の異なる
材料からなる半導電性膜９が示されている。非対称電極
では接地用電極６の下の導波路の電界は弱いため、第５
図のように信号用電極５の下にだけ半導電性膜９を設け
てこれと接地用電極６との間にＤＣ電界を集中させても
接地用電極６の下の導波路屈折率に与える影響は小さく
、このような方法でも効果を得ることができる。また。
、さらに半導電性膜９が信号電極５の近傍にだけ形成さ
れた例であり、信号線路下の半導電性膜９の幅も設計に
有効に活用できるため１周波数特性がより良好となるよ
うに設計できる。第４図は同じく第２図における半導電
性膜９を信号用電極５の近傍にだけ形成した例であり、
同じく周波数特性をより良好に設計できる。第５図は全
面に形成された半導電性膜４の上にシリコンへのドーパ
ントの量を変えるなどして形成された比抵抗値の異なる
材料からなる半導電性膜９が示されている。非対称電極
では接地用電極６の下の導波路の電界は弱いため、第５
図のように信号用電極５の下にだけ半導電性膜９を設け
てこれと接地用電極６との間にＤＣ電界を集中させても
接地用電極６の下の導波路屈折率に与える影響は小さく
、このような方法でも効果を得ることができる。また。
第６図は接地用電極６側にも異なる材料からなる半導電
性膜９′が設けられた例であり、設計パラメータが多い
分だけより有効に設計・最適化でき。
性膜９′が設けられた例であり、設計パラメータが多い
分だけより有効に設計・最適化でき。
より良い効果を得ることができる。
第７図は信号用電極の外側に第３の電極１０を設けた例
であり、信号用電極５から５０μｍ程度離して形成する
ことにより、特性インピーダンス５ ６ への影響を小さくおさえることができる。この電極ｌＯ
にＤＣ電圧または数１ｃ Ｈｚ以下の低周波を印加する
とそれに対応して信号用電極５の下の導波路屈折率を変
化させることができる。この電極１０に印加している電
源と信号用電極５に電圧を供給している電源とは独立し
ており、相互干渉はほとんどない。このため、ＤＣドリ
フトやストレスなどによる動作点変動を電極１０による
電圧印加によって容易に補償することができる。
であり、信号用電極５から５０μｍ程度離して形成する
ことにより、特性インピーダンス５ ６ への影響を小さくおさえることができる。この電極ｌＯ
にＤＣ電圧または数１ｃ Ｈｚ以下の低周波を印加する
とそれに対応して信号用電極５の下の導波路屈折率を変
化させることができる。この電極１０に印加している電
源と信号用電極５に電圧を供給している電源とは独立し
ており、相互干渉はほとんどない。このため、ＤＣドリ
フトやストレスなどによる動作点変動を電極１０による
電圧印加によって容易に補償することができる。
第７図の場合には第３の電極ｌＯとして金属を用いたが
、金属の代わりに充分抵抗の大きな半導電性膜を用いる
ことにより、さらに効果的にＤＣドリフトなどの補償を
行うことができる。第８図はこの一例を示したもので、
信号用電極５の外側にシリコンなどの半導電性膜からな
る電極１０゛が信号用電極５から１５μｍ離して形成し
である。
、金属の代わりに充分抵抗の大きな半導電性膜を用いる
ことにより、さらに効果的にＤＣドリフトなどの補償を
行うことができる。第８図はこの一例を示したもので、
信号用電極５の外側にシリコンなどの半導電性膜からな
る電極１０゛が信号用電極５から１５μｍ離して形成し
である。
この場合、電極１０の半導電性膜の比抵抗を１０００ｍ
、厚さを０２μｍに選ぶことにより、ＤＣ電圧または数
百屯以下の低周波数の電圧に対しては電極として機能す
るが、数Ｍ Ｈｚ以上の高周波数の電圧に対しては膜抵
抗が大きいため、電荷が電界の変化に追従して移動でき
ず、むしろ誘電体膜とみなすことができる。このため、
この半導電性膜の存在は特性インピーダンスにはほとん
ど影響を及ぼさないとともに信号用線路に充分接近して
設置されているため信号用線路の下の導波路屈折率を効
率良く変化させることができる。このため、ＤＣドリフ
トやストレスなどによる動作特性の変動をこの電極にＤ
Ｃ電圧または低周波数の電圧を印加することにより、よ
り効率的に補償できる。
、厚さを０２μｍに選ぶことにより、ＤＣ電圧または数
百屯以下の低周波数の電圧に対しては電極として機能す
るが、数Ｍ Ｈｚ以上の高周波数の電圧に対しては膜抵
抗が大きいため、電荷が電界の変化に追従して移動でき
ず、むしろ誘電体膜とみなすことができる。このため、
この半導電性膜の存在は特性インピーダンスにはほとん
ど影響を及ぼさないとともに信号用線路に充分接近して
設置されているため信号用線路の下の導波路屈折率を効
率良く変化させることができる。このため、ＤＣドリフ
トやストレスなどによる動作特性の変動をこの電極にＤ
Ｃ電圧または低周波数の電圧を印加することにより、よ
り効率的に補償できる。
第９図はバッファ層の上に温度変化に対する動作特性の
安定化を図るため、すでに半導電性膜４が設置されてい
る。この上に第８図と同じように信号用線路に接近させ
て比抵抗が半導電性膜４より例えば２けた小さい半導電
性膜からなる電極ｌＯ°を形成すれば、該電極ｌＯ°に
印加した電圧を該電極１０’ と信号用電極５の間に印
加できる。
安定化を図るため、すでに半導電性膜４が設置されてい
る。この上に第８図と同じように信号用線路に接近させ
て比抵抗が半導電性膜４より例えば２けた小さい半導電
性膜からなる電極ｌＯ°を形成すれば、該電極ｌＯ°に
印加した電圧を該電極１０’ と信号用電極５の間に印
加できる。
この結果、信号用電極５の下にある導波路２−１の屈折
率をこの場合にも有効に変化させることが７ ８ できる。この例の場合には異なる抵抗値の半導電性膜を
用いたが、半導電性膜の厚さを部分的に変え、電界を集
中したい場所の厚さを薄くすることで同様な効果を期待
できる。
率をこの場合にも有効に変化させることが７ ８ できる。この例の場合には異なる抵抗値の半導電性膜を
用いたが、半導電性膜の厚さを部分的に変え、電界を集
中したい場所の厚さを薄くすることで同様な効果を期待
できる。
第１０図の場合には第９図と同様にバッファ層３の上に
温度変化に対する動作特性の安定化を図るため、半導電
性膜４が形成され、かつ、異なる抵抗値を有する第２半
導電性膜９．９’、１０“が信号用電極５、接地用電極
６、および、第３の電極１０の下にも設けられ、お互い
に分離されている。この構成は第６図で説明したＤＣド
リフトの抑制と第９図で説明したＤＣドリフトやストレ
スによる動作特性変動の補償を同時に実現できる構成と
なっている。
温度変化に対する動作特性の安定化を図るため、半導電
性膜４が形成され、かつ、異なる抵抗値を有する第２半
導電性膜９．９’、１０“が信号用電極５、接地用電極
６、および、第３の電極１０の下にも設けられ、お互い
に分離されている。この構成は第６図で説明したＤＣド
リフトの抑制と第９図で説明したＤＣドリフトやストレ
スによる動作特性変動の補償を同時に実現できる構成と
なっている。
第１１図はニオブ酸リチウム導波路デバイスの温度特性
改善のためになされた半導電性膜、たとえばシリコン膜
によって生ずる変調特性の劣化を改善するものである。
改善のためになされた半導電性膜、たとえばシリコン膜
によって生ずる変調特性の劣化を改善するものである。
第１２図がシリコン膜が付けられた従来の変調器を示す
。第１２図で電極５，６巻にＤＣ電圧を印加すると、充
分時間が経過した後では電極５゜６間で直線的に電圧降
下が生し、電極５の外側（電極６の反対側）のシリコン
の電位は電極５と等電位となってしまう。このため、電
極５．６間に印加された電圧によって生じる電気力線は
電極５に集中せず外側のシリコンにも分散してしまう。
。第１２図で電極５，６巻にＤＣ電圧を印加すると、充
分時間が経過した後では電極５゜６間で直線的に電圧降
下が生し、電極５の外側（電極６の反対側）のシリコン
の電位は電極５と等電位となってしまう。このため、電
極５．６間に印加された電圧によって生じる電気力線は
電極５に集中せず外側のシリコンにも分散してしまう。
つまり、電極５の下の導波路の屈折率を有効に変化させ
ることができない。
ることができない。
この対策として第１１図に示すように、電極５の外側に
、信号用電極の特性インピーダンスにあまり影響を与え
ないように光分離して電極１０を設け、これを接地する
ことが有効である。このようにすると電極５と１０の間
で電圧降下が直線的に生じ、電極５の近傍の電気力線が
増加する。また、第１１図の構成で電極５と１０の間の
シリコン膜の厚さを変え、電極５の近傍を薄くすれば。
、信号用電極の特性インピーダンスにあまり影響を与え
ないように光分離して電極１０を設け、これを接地する
ことが有効である。このようにすると電極５と１０の間
で電圧降下が直線的に生じ、電極５の近傍の電気力線が
増加する。また、第１１図の構成で電極５と１０の間の
シリコン膜の厚さを変え、電極５の近傍を薄くすれば。
ここに電圧降下が集中し、より有効に電極５に電気力線
を集中させることができる。
を集中させることができる。
以上、マツハツエンダ型変調器について説明を行って来
たが２以上の事項は光スィッチなど他の９ ０ 導波路型デバイスにも同様に適用できる。
たが２以上の事項は光スィッチなど他の９ ０ 導波路型デバイスにも同様に適用できる。
また９本発明はＤＣドリフトなどの抑止、補償だけでな
く、低周波信号と高周波信号を独立して印加して動作さ
せる光導波路デバイスに活用できる。
く、低周波信号と高周波信号を独立して印加して動作さ
せる光導波路デバイスに活用できる。
１は導波路基板
分岐した導波路。
層、４，９．９゜
６は接地用電極。
２は導波路、２−１．２−２は
３は二酸化シリコン・バッファ
は半導電性膜、５は信号用電極。
ＩＯは第３の電極、７は電気信
〔発明の効果〕
上述の如く本発明により、光導波路デバイスのＤＣドリ
フトの抑止や、ＤＣドリフトやストレスによる動作特性
変動の補償を効果的に行うことができる。
フトの抑止や、ＤＣドリフトやストレスによる動作特性
変動の補償を効果的に行うことができる。
第１図から第１１図は本発明による実施例の構造を示す
図で、第２〜６図は一実施例の断面図、第７〜１１図の
（ａｌ （ｂｌは更に他の一実施例を示す平面図と断面
図である。 第１２図（ａ）（ｂ）は従来のマツハツエンダ型変調器
の構造を示す平面図と断面図である。 １ ２ ＼ へ′） ０ 臼 ０ ４ ０ ← ｒへ −
図で、第２〜６図は一実施例の断面図、第７〜１１図の
（ａｌ （ｂｌは更に他の一実施例を示す平面図と断面
図である。 第１２図（ａ）（ｂ）は従来のマツハツエンダ型変調器
の構造を示す平面図と断面図である。 １ ２ ＼ へ′） ０ 臼 ０ ４ ０ ← ｒへ −
Claims (7)
- （１）電気光学結晶基板の表面に電気光学効果を有する
光導波路が形成され、該光導波路上には信号用と接地用
の一対の駆動電極が形成され、該電極によって該光導波
路及びこの近傍に印加される電界分布が該電極に印加さ
れる電気信号の周波数の変化によって大きく変化するよ
うに構成されていることを特徴とする光導波路デバイス
。 - （２）前記基板表面の前記光導波路上にバッファ層が形
成され、前記駆動用電極と該バッファ層との間に、該電
極の幅より広く且つ該電極の前記信号用電極と前記接地
用電極間で分離された半導電性膜が形成され、低周波数
において前記駆動電極の各電極間よりも狭く形成された
前記半導電性膜間に電界が集中するようにしたことを特
徴とする請求項１記載の光導波路デバイス。 - （３）前記半導電性膜膜が、前記駆動電極と前記バッフ
ァ層との間に前記基板表面全体を被うようにコートされ
、且つ該半導電性膜は前記駆動電極の前記信号用電極と
前記接地用電極間に形成された厚さの薄い部分により電
圧降下を該薄部分に集中させ、ＤＣ電圧または低周波数
の電界をこの近傍に集中させることを特徴とする請求項
２記載の光導波路デバイス。 - （４）前記半導電性膜上に、それと異なる抵抗値を持つ
他の半導電性膜が設けられていることを特徴とする請求
項２または３記載の光導波路デバイス。 - （５）電気光学結晶基板の表面に電気光学効果を有する
光導波路が形成され、該光導波路上には信号用と接地用
の駆動電極が設けられ、該光導波路と離間した前記基板
表面上には前記信号用電極に沿うように配置された第３
の電極が設けられ、この電極にＤＣ電圧あるいは低周波
数の電圧が印加されることを特徴とする請求項１記載の
光導波路デバイス。 - （６）前記第３の電極が半導電性膜よりなり、該半導電
性膜にＤＣ電圧または低周波数の電圧が印加されること
を特徴とする請求項５記載の光導波路デバイス。 - （７）前記光導波路上の前記基板表面にバッファ層が形
成され、且つ該バッファ層上に半導電性膜が形成され、
この上に比抵抗値の異なる他の半導電性膜が前記信号用
電極に沿って形成されて前記第３の電極が構成されてい
ることを特徴とする請求項５または請求項６記載の光導
波路デバイス。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052022A JP2867560B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光導波路デバイス |
| US07/661,602 US5214724A (en) | 1990-03-02 | 1991-02-28 | Optical waveguide device with suppressed dc drift |
| DE69132673T DE69132673T2 (de) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optische Wellenleitervorrichtung |
| DE69133344T DE69133344T2 (de) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optische Wellenleitervorrichtung |
| DE69123066T DE69123066D1 (de) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optische Wellenleitervorrichtung |
| EP00108030A EP1022605B1 (en) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optical waveguide device |
| EP95108382A EP0677765B1 (en) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optical waveguide device |
| EP91301729A EP0444959B1 (en) | 1990-03-02 | 1991-03-01 | Optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052022A JP2867560B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光導波路デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253815A true JPH03253815A (ja) | 1991-11-12 |
| JP2867560B2 JP2867560B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=12903190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052022A Expired - Lifetime JP2867560B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光導波路デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214724A (ja) |
| EP (3) | EP1022605B1 (ja) |
| JP (1) | JP2867560B2 (ja) |
| DE (3) | DE69132673T2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146367A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| JPH103064A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光デバイス |
| JPH1054964A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-02-24 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| US6385360B1 (en) * | 1998-08-25 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Light control device and a method for manufacturing the same |
| WO2002097521A1 (fr) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Anritsu Corporation | Dispositif de modulation optique presentant d'excellentes caracteristiques electriques grace a une restriction efficace du transfert de chaleur |
| JP2004046283A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-02-12 | Anritsu Corp | 熱ドリフトを効果的に抑圧して優れた電気的特性を有する光変調デバイス及びその製造方法 |
| WO2018181297A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| CN109975618A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-07-05 | 昆明理工大学 | 抑制直流漂移的集成光波导电场传感芯片、系统及方法 |
| JP2020134875A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04179931A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光デバイス |
| US5404412A (en) * | 1991-12-27 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| US5455876A (en) * | 1992-10-23 | 1995-10-03 | General Microwave Israel Corporation | High-speed external integrated optical modulator |
| US5339369A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-16 | General Microwave Israel Corporation | High-speed external modulator |
| JP2713087B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 導波形光デバイス |
| JP2555942B2 (ja) * | 1993-08-27 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 光制御デバイス |
| JP3628342B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2005-03-09 | 富士通株式会社 | 誘電体光導波路デバイス |
| CA2133300C (en) * | 1993-11-01 | 1999-04-27 | Hirotoshi Nagata | Optical waveguide device |
| JP3771287B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2006-04-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 導波路型電気光学素子 |
| US5617500A (en) * | 1994-05-20 | 1997-04-01 | Nikon Corporation | System for detecting an optical information and scanning microscope system |
| JPH0815657A (ja) * | 1994-07-01 | 1996-01-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導波路型電気光学素子 |
| JP2606674B2 (ja) * | 1994-10-27 | 1997-05-07 | 日本電気株式会社 | 導波形光デバイス |
| JP3043614B2 (ja) * | 1996-05-10 | 2000-05-22 | 日本電気株式会社 | 導波路型光デバイス |
| US5991491A (en) * | 1996-11-08 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Optical waveguide type device for reducing microwave attenuation |
| CA2377949C (en) * | 1999-06-28 | 2005-10-25 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electro-optic element |
| JP4309571B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2009-08-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| GB2374945A (en) * | 2001-04-26 | 2002-10-30 | Jds Uniphase Corp | Mach-Zehnder Optical Modulator |
| US20030031400A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-02-13 | Valerio Pruneri | Integrated optical waveguide device |
| EP1271221A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Corning O.T.I. S.p.A. | Integrated optical waveguide device |
| JP2003057616A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-26 | Corlux Corp | 光導波路素子、光変調器及び光通信システム |
| GB2384570B (en) | 2002-01-19 | 2005-06-29 | Marconi Optical Components Ltd | Modulators |
| JP3640390B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2005-04-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| US6845183B2 (en) * | 2003-02-05 | 2005-01-18 | Jds Uniphase Corporation | Slotted electrode electro-optic modulator |
| JP2005070460A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置、光位相制御装置、光強度制御装置及び光半導体装置の製造方法 |
| US7324257B2 (en) * | 2004-07-27 | 2008-01-29 | Jds Uniphase Corporation | Low bias drift modulator with buffer layer |
| US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
| US7529433B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-05-05 | Jds Uniphase Corporation | Humidity tolerant electro-optic device |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US7856156B2 (en) * | 2008-08-22 | 2010-12-21 | The Boeing Company | Lithium niobate modulator having a doped semiconductor structure for the mitigation of DC bias drift |
| US9020306B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-28 | The Aerospace Corporation | Stable lithium niobate waveguide devices, and methods of making and using same |
| TWI634471B (zh) * | 2013-03-26 | 2018-09-01 | 韓商Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 觸控面板與具有其之觸控裝置 |
| US9575340B2 (en) | 2015-02-24 | 2017-02-21 | Ii-Vi Incorporated | Electrode configuration for electro-optic modulators |
| CN108051406B (zh) * | 2018-02-02 | 2023-05-09 | 成都信息工程大学 | 一种电光效应光波导检测装置 |
| CN108303377B (zh) * | 2018-02-02 | 2023-05-09 | 成都信息工程大学 | 一种热光效应光波导检测装置 |
| CN109920694B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-04-20 | 北海银河开关设备有限公司 | 一种铁路高压接地开关极柱 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4679893A (en) * | 1983-08-26 | 1987-07-14 | Hughes Aircraft Company | High switching frequency optical waveguide switch, modulator, and filter devices |
| FR2558270B1 (fr) * | 1984-01-18 | 1986-04-25 | Comp Generale Electricite | Modulateur electro-optique interferentiel a haute sensibilite |
| US4684207A (en) * | 1985-04-30 | 1987-08-04 | Lawless William N | Field dependent electrooptic device and method |
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
| JPS62173428A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | 導波路光デバイス |
| GB2193337B (en) * | 1986-07-30 | 1990-03-07 | Gen Electric Plc | Optical switch apparatus |
| JP2581731B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1997-02-12 | 富士通株式会社 | 導波路形光デバイス及びその製造方法 |
| JPH01302325A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Fujitsu Ltd | 光導波路デバイスおよびその形成方法 |
| US5002353A (en) * | 1989-04-25 | 1991-03-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for reducing modulator nonlinearities |
| US4932738A (en) * | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Hoechst Celanese Corp. | Polarization-insensitive interferometric waveguide electrooptic modulator |
| US4936644A (en) * | 1989-06-13 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Polarization-insensitive interferometric waveguide electrooptic modulator |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052022A patent/JP2867560B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-28 US US07/661,602 patent/US5214724A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69132673T patent/DE69132673T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-01 EP EP00108030A patent/EP1022605B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69133344T patent/DE69133344T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 EP EP95108382A patent/EP0677765B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 EP EP91301729A patent/EP0444959B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69123066T patent/DE69123066D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146367A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| US5661830A (en) * | 1994-11-18 | 1997-08-26 | Nec Corporation | Waveguide-type optical control device |
| JPH103064A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光デバイス |
| US5982958A (en) * | 1996-06-14 | 1999-11-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide modulator device |
| JPH1054964A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-02-24 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| US6385360B1 (en) * | 1998-08-25 | 2002-05-07 | Nec Corporation | Light control device and a method for manufacturing the same |
| EP1391772A1 (en) * | 2001-05-25 | 2004-02-25 | Anritsu Corporation | Optical modulation device having excellent electric characteristics by effectively restricting heat drift |
| JP2004046283A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-02-12 | Anritsu Corp | 熱ドリフトを効果的に抑圧して優れた電気的特性を有する光変調デバイス及びその製造方法 |
| WO2002097521A1 (fr) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Anritsu Corporation | Dispositif de modulation optique presentant d'excellentes caracteristiques electriques grace a une restriction efficace du transfert de chaleur |
| US6891982B2 (en) | 2001-05-25 | 2005-05-10 | Anritsu Corporation | Optical modulation device having excellent electric characteristics by effectively restricting heat drift |
| EP1391772A4 (en) * | 2001-05-25 | 2005-08-31 | Anritsu Corp | OPTICAL MODULATION DEVICE WITH VERY GOOD ELECTRICAL CHARACTERISTICS THROUGH EFFECTIVE RESTRICTION OF HEAT PRESSURE |
| WO2018181297A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| JP2018173454A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| US10895765B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-01-19 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulation element |
| JP2020134875A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器 |
| CN109975618A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-07-05 | 昆明理工大学 | 抑制直流漂移的集成光波导电场传感芯片、系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0444959B1 (en) | 1996-11-13 |
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