JPH03238638A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03238638A JPH03238638A JP3368390A JP3368390A JPH03238638A JP H03238638 A JPH03238638 A JP H03238638A JP 3368390 A JP3368390 A JP 3368390A JP 3368390 A JP3368390 A JP 3368390A JP H03238638 A JPH03238638 A JP H03238638A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気メモリー、磁気記録９表示素子などに用
いられる光磁気記録媒体に関し、特に記録された情報を
磁気カー効果、ファラデー効果などの磁気光学効果を利
用して読み出すことのできる光磁気記録媒体に関するも
のである。
いられる光磁気記録媒体に関し、特に記録された情報を
磁気カー効果、ファラデー効果などの磁気光学効果を利
用して読み出すことのできる光磁気記録媒体に関するも
のである。
［従来の技術］
大量の情報を高密度に蓄積でき、しかも高速に情報を読
み出すことのできる光磁気メモリーが近年注目されてい
る。
み出すことのできる光磁気メモリーが近年注目されてい
る。
光磁気記録媒体は、一般に透明基板上に記録層としての
希土類−遷移金属垂直磁化膜を有し、さらにカー効果、
ファラデー効果などを増幅するための干渉層としての透
明誘電体膜を基板と記録層の中間に設けた構造となって
いる。干渉層にはＳｉＯまたはＳｉＮが用いられている
。
希土類−遷移金属垂直磁化膜を有し、さらにカー効果、
ファラデー効果などを増幅するための干渉層としての透
明誘電体膜を基板と記録層の中間に設けた構造となって
いる。干渉層にはＳｉＯまたはＳｉＮが用いられている
。
（以下余白）
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、スパッタ法もしくは蒸着法によって基板
上にＳｉｎ膜を厚さ６００〜１，５００人の範囲に成膜
すると、Ｓｉｎ膜にクラックが入り、あるいは基板とＳ
ｉｎ膜との密着不良によるピンホールが発生し易い。そ
のためにバイトエラーレートが著しく増大し、光磁気記
録媒体の信頼性が損われる。この点を改善するために干
渉膜中の酸素比を制御することが試みられている。すな
わち、干渉膜として５１０Ｋ （ただし、ｘ＜０．４）
で表わされる酸素けい素を使用すると干渉膜の基板との
密着性および対クラック性が改善される。しかし、この
場合再生時のＣ／Ｎが低下するという問題がある。
上にＳｉｎ膜を厚さ６００〜１，５００人の範囲に成膜
すると、Ｓｉｎ膜にクラックが入り、あるいは基板とＳ
ｉｎ膜との密着不良によるピンホールが発生し易い。そ
のためにバイトエラーレートが著しく増大し、光磁気記
録媒体の信頼性が損われる。この点を改善するために干
渉膜中の酸素比を制御することが試みられている。すな
わち、干渉膜として５１０Ｋ （ただし、ｘ＜０．４）
で表わされる酸素けい素を使用すると干渉膜の基板との
密着性および対クラック性が改善される。しかし、この
場合再生時のＣ／Ｎが低下するという問題がある。
本発明はこのような従来の欠点を解消し、基板との密着
性、対クラック性が高い干渉層を有し、かつ再生時のＣ
／Ｎの高い光磁気記録媒体を提供することを目的とする
。
性、対クラック性が高い干渉層を有し、かつ再生時のＣ
／Ｎの高い光磁気記録媒体を提供することを目的とする
。
Ｃ課題を解決するための手段〕
かかる目的を達成するために、本発明は基板上に干渉層
および記録層を有する光磁気記録媒体において、前記干
渉層が前記基板上に形成されたＳｉＯｘからなり、厚さ
ｔｌの第１の干渉膜とその上に形成されたＳｉＯｙから
なり厚さｔ２の第２の干渉層を有し、０≦ｘ≦０．４
、０．４≦ｙ≦１．ｏｏカッ０．１ ≦ｔ、／（ｔ＋
＋ ｔａ）≦０．５であることを特徴とする。
および記録層を有する光磁気記録媒体において、前記干
渉層が前記基板上に形成されたＳｉＯｘからなり、厚さ
ｔｌの第１の干渉膜とその上に形成されたＳｉＯｙから
なり厚さｔ２の第２の干渉層を有し、０≦ｘ≦０．４
、０．４≦ｙ≦１．ｏｏカッ０．１ ≦ｔ、／（ｔ＋
＋ ｔａ）≦０．５であることを特徴とする。
［作 用］
本発明においては、干渉層をそれぞれ酸素量の異なる酸
化シリコンからなる２層構造としているので、基板と干
渉層との密着性が改善され、さらに再生時のＣ／Ｎを向
上させることができる。
化シリコンからなる２層構造としているので、基板と干
渉層との密着性が改善され、さらに再生時のＣ／Ｎを向
上させることができる。
［実施例］
以下に実施例によって本発明の詳細な説明する。
第１図に示すように、幅０．６μｍ、深さ７００人、ピ
ッチ１．６μｍのスパイラル溝が形成された直径１３０
− のポリカーボネート基板ｌを真空槽内にセットし
、槽内を約１０−’Ｔｏｒｒまで排気した後、それぞれ
純度９９．９９９％のアルゴンおよび酸素を導入し、純
度９９．９９９％の単結晶シリコンをターゲットとした
高周波マグネトロンスパッタ法によって、基板上に５ｉ
ｎ１１膜２およびＳｉＯｙ膜３を形成し、２層膜からな
る干渉膜とした。ついで、直流マグネトロンスパッタ法
によって厚さ８００人のＴ、Ｆ、Ｃ。
ッチ１．６μｍのスパイラル溝が形成された直径１３０
− のポリカーボネート基板ｌを真空槽内にセットし
、槽内を約１０−’Ｔｏｒｒまで排気した後、それぞれ
純度９９．９９９％のアルゴンおよび酸素を導入し、純
度９９．９９９％の単結晶シリコンをターゲットとした
高周波マグネトロンスパッタ法によって、基板上に５ｉ
ｎ１１膜２およびＳｉＯｙ膜３を形成し、２層膜からな
る干渉膜とした。ついで、直流マグネトロンスパッタ法
によって厚さ８００人のＴ、Ｆ、Ｃ。
光磁気記録膜４を成膜した。次に記録膜４の上に保護膜
５としてＳｉＯ□（２≦１．０）を高周波マグネトロン
スパッタ法で１，０００人厚に成膜し、さらにスピンコ
ータを用いて紫外線硬化樹脂を厚さ２０μｍ塗布し、紫
外線を照射して硬化させ、保護層６とした。このように
して作製された２個の光磁気ディスク媒体のそれぞれに
、ホットメルト接着剤７をロールコータを用いて厚さ５
０μｍ塗布し、接着剤面を対向させて貼合せ、両面ディ
スクとした。
５としてＳｉＯ□（２≦１．０）を高周波マグネトロン
スパッタ法で１，０００人厚に成膜し、さらにスピンコ
ータを用いて紫外線硬化樹脂を厚さ２０μｍ塗布し、紫
外線を照射して硬化させ、保護層６とした。このように
して作製された２個の光磁気ディスク媒体のそれぞれに
、ホットメルト接着剤７をロールコータを用いて厚さ５
０μｍ塗布し、接着剤面を対向させて貼合せ、両面ディ
スクとした。
なお、Ｓｔｏｗ膜５と樹脂保護層６との間にアルミニウ
ム等の反射層を設けることも可能である。
ム等の反射層を設けることも可能である。
２層の干渉膜の組成、すなわちＳｉＯｙ、 ５ｉＯｙの
Ｘおよびｙの値はスパッタ時のアルゴンと酸素の分圧に
よって制御することができる。２層の膜のそれぞれの組
成および厚さを変化させて各種の試料を作製し、再生時
のＣ／Ｎ（信号・雑音比）を測定し、かつ耐久試験を行
った。その結果を第１表に示す。
Ｘおよびｙの値はスパッタ時のアルゴンと酸素の分圧に
よって制御することができる。２層の膜のそれぞれの組
成および厚さを変化させて各種の試料を作製し、再生時
のＣ／Ｎ（信号・雑音比）を測定し、かつ耐久試験を行
った。その結果を第１表に示す。
（−１）念臼）
Ｃ／Ｎ （７）測定にはＩＳＯ／■ＥＣＤＰ１００８９
−１準拠の評価装置を使用した。ディスク回転数１８０
Ｏｒｐｍ 、記録周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅６０ｎ
ｓｅｃで半径３０ｍｍの位置に最適記録パワーで信号を
記録し、１．５ｍＷのレーザーパワーで再生し、スペク
トラムアナライザを使用してＣ／Ｎを測定した。
−１準拠の評価装置を使用した。ディスク回転数１８０
Ｏｒｐｍ 、記録周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅６０ｎ
ｓｅｃで半径３０ｍｍの位置に最適記録パワーで信号を
記録し、１．５ｍＷのレーザーパワーで再生し、スペク
トラムアナライザを使用してＣ／Ｎを測定した。
耐久試験は７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽を使用した
。ディスクに過大な応力ががからぬ様、槽内に垂直に保
持し、２０００時間後の外観を目視にて評価した。
。ディスクに過大な応力ががからぬ様、槽内に垂直に保
持し、２０００時間後の外観を目視にて評価した。
干渉膜の組成の分析にはパーキンエルマー社製ＥＳＣＡ
５１００型を用い、アルゴンガスを使用して膜表面のエ
ツチングを行い、ＳＬと０の原子比を測定し、さらに、
シリコンの存在形態を調べた。その結果ＳｉＯｘのＸの
値によってシリコンがＳｉ、 ＳｉＯおよびＳｔｏｗと
して存在する比率が変化すること、Ｓｉと結合しない酸
素の割合も変化することが判明した。第２表はその結果
を示したもので、Ｘが大きくなると、ＳＬとして存在す
る比率が減少し、ｏ２のトラップ効果が小さくなる。こ
のことは第１の干渉層のＸが大きすぎると保護効果が小
さくすることを予想させるものである。
５１００型を用い、アルゴンガスを使用して膜表面のエ
ツチングを行い、ＳＬと０の原子比を測定し、さらに、
シリコンの存在形態を調べた。その結果ＳｉＯｘのＸの
値によってシリコンがＳｉ、 ＳｉＯおよびＳｔｏｗと
して存在する比率が変化すること、Ｓｉと結合しない酸
素の割合も変化することが判明した。第２表はその結果
を示したもので、Ｘが大きくなると、ＳＬとして存在す
る比率が減少し、ｏ２のトラップ効果が小さくなる。こ
のことは第１の干渉層のＸが大きすぎると保護効果が小
さくすることを予想させるものである。
第２表
第１表に示した測定結果について説明する。表中の試料
Ｎｏ、１．２および９は単層の干渉膜を有する光磁気記
録媒体であｊ）、Ｎｏ、９は３１０ ｘのＸが０．４３
であり、厚さが８００人であることと同義である。
Ｎｏ、１．２および９は単層の干渉膜を有する光磁気記
録媒体であｊ）、Ｎｏ、９は３１０ ｘのＸが０．４３
であり、厚さが８００人であることと同義である。
第１表に見られるように、Ｃ／Ｎが改善され、かつ耐久
試験結果が良好なものは、試料Ｎｏ、５．６゜７、８．
１０．１１．１２．１５および１６である。試料Ｎｏ、
２および３は耐久試験結果は良好であるがＣ／Ｎの改
善が乏しい。
試験結果が良好なものは、試料Ｎｏ、５．６゜７、８．
１０．１１．１２．１５および１６である。試料Ｎｏ、
２および３は耐久試験結果は良好であるがＣ／Ｎの改
善が乏しい。
まず、第１層３１０ ｍおよび第２層ＳｉＯｙのＸおよ
びｙについて検討する。 Ｃ／Ｎおよび耐久性が共に良
好な試料は全てＯ≦ｘ≦０．４ 、０．４≦ｙ≦１．０
０（７）範囲のものである。Ｎｏ、９のように、ｘ＞０
．４であると基板との密着性が悪く、鏡面部（スパイラ
ル溝部以外の平坦部）にクラックが生じ易い。
びｙについて検討する。 Ｃ／Ｎおよび耐久性が共に良
好な試料は全てＯ≦ｘ≦０．４ 、０．４≦ｙ≦１．０
０（７）範囲のものである。Ｎｏ、９のように、ｘ＞０
．４であると基板との密着性が悪く、鏡面部（スパイラ
ル溝部以外の平坦部）にクラックが生じ易い。
方、ｙ＞１．００であると、膜が固くもろくなり、試料
Ｎｏ、 １３のようにクラックが生じ易くなる。
Ｎｏ、 １３のようにクラックが生じ易くなる。
次に第１層５ＩＯＸの膜厚ｔ、と第２層ＳｉＯつの膜厚
ｔ２との関係について述べる。上述した良好な結果を示
す試料のＳＬ低およびＳｉＯｙの厚さは０≦１＋／（１
＋＋ｔａ）≦０．５の範囲内にある。この値が０．５よ
り大きいと、試料Ｎｏ、３および４に示すようにＣ／Ｎ
はほとんど改善されず、０．１より小さいと単層の試料
Ｎｏ、 ９と同様に第１層の効果がなく、耐久性に欠け
る。
ｔ２との関係について述べる。上述した良好な結果を示
す試料のＳＬ低およびＳｉＯｙの厚さは０≦１＋／（１
＋＋ｔａ）≦０．５の範囲内にある。この値が０．５よ
り大きいと、試料Ｎｏ、３および４に示すようにＣ／Ｎ
はほとんど改善されず、０．１より小さいと単層の試料
Ｎｏ、 ９と同様に第１層の効果がなく、耐久性に欠け
る。
最後に干渉層の全厚について述べる。第１層５ＩＯ１１
と第２層ＳｉＯｙとを合わせた干渉層の全膜厚は第１表
に示すように４００〜１，０００人の範囲が好ましい、
膜厚がこれより薄いと保護効果が不十分でＮｏ、１４の
ようにピンホールが発生し易く、これより厚いと膜の内
部応力が大きくなり、Ｎｏ、１７のようにクラックを生
じ易い。
と第２層ＳｉＯｙとを合わせた干渉層の全膜厚は第１表
に示すように４００〜１，０００人の範囲が好ましい、
膜厚がこれより薄いと保護効果が不十分でＮｏ、１４の
ようにピンホールが発生し易く、これより厚いと膜の内
部応力が大きくなり、Ｎｏ、１７のようにクラックを生
じ易い。
６・・・紫外線硬化樹脂保護膜、
７・・・ホットメルト接着剤。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係る光磁気記録媒体にお
いては、干渉層を２層構造としているので、従来得られ
なかった基板と干渉膜との密着性が得られ、さらにＣ／
Ｎを向上させることができる。耐久性２０００時間は、
約１０年の信頼性の保証に相当するものであり、高い信
頼性とすぐれた特性をもつ光磁気記録媒体を得ることが
できる。
いては、干渉層を２層構造としているので、従来得られ
なかった基板と干渉膜との密着性が得られ、さらにＣ／
Ｎを向上させることができる。耐久性２０００時間は、
約１０年の信頼性の保証に相当するものであり、高い信
頼性とすぐれた特性をもつ光磁気記録媒体を得ることが
できる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の実施例を説明す
るための模式的断面図である。 １・・・基板、 ２・・・ＳｉＯｙ膜、 ３・・・ＳｉＯｙ膜、 ４・・・記録層、 ５・・・ＳｉＯｙ保護膜、
るための模式的断面図である。 １・・・基板、 ２・・・ＳｉＯｙ膜、 ３・・・ＳｉＯｙ膜、 ４・・・記録層、 ５・・・ＳｉＯｙ保護膜、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に干渉層および記録層を有する光磁気記録媒
体において、前記干渉層が前記基板上に形成されたＳｉ
Ｏ＿ｘからなり、厚さｔ＿１の第１の干渉膜とその上に
形成されたＳｉＯ＿ｙからなり厚さｔ＿２の第２の干渉
層を有し、０≦ｘ≦０．４，０．４≦ｙ≦１．００かつ
０．１≦ｔ＿１／（ｔ＿１＋ｔ＿２）≦０．５であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）前記干渉層の厚さが４００Å以上かつ１，０００Å
以下であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記
録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033683A JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
| EP19910102096 EP0442494A3 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-14 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033683A JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238638A true JPH03238638A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2882657B2 JP2882657B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12393236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033683A Expired - Fee Related JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0442494A3 (ja) |
| JP (1) | JP2882657B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744887A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| DE19524409C1 (de) * | 1995-07-04 | 1996-08-08 | Siemens Ag | Filterschaltung mit veränderbarer Übertragungsfunktion |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961011A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS61122956A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| GB2184618A (en) * | 1985-12-11 | 1987-06-24 | Canon Kk | Magneto-optical memory medium |
| EP0316803A3 (en) * | 1987-11-16 | 1991-07-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| DE3803013A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung eines flaechenfoermigen, mehrschichtigen, magneto-optischen aufzeichnungsmaterials |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2033683A patent/JP2882657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-14 EP EP19910102096 patent/EP0442494A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882657B2 (ja) | 1999-04-12 |
| EP0442494A3 (en) | 1992-02-26 |
| EP0442494A2 (en) | 1991-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |