JPH03214745A - Apparatus for forming bump of tab inner lead - Google Patents
Apparatus for forming bump of tab inner leadInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業」−の利用分野〕
本発明は半導体素子の実装に用いられるTAB(Tap
e Aul.omatcd 13onding)用テー
ブキャリアのインナーリード先端部へバンプを形成する
装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application in Industry] The present invention is directed to TAB (Tap) used for mounting semiconductor devices.
e Aul. The present invention relates to an apparatus for forming bumps on the tip of an inner lead of a tape carrier for use in a tape carrier (OMATCD 13 onding).
[従来の技術]
一般に、半導体素子をTAB用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部又はテープキャリアのイン
ナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突起
を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ形
成する方法には、例えば、「アイビーエムジャーナル(
IBM Journal) 」第8巻(1964年)
+02頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起
をメッキ法により形成する方法、[昭和60年度電子通
信学会半導体・材料部門全国大会論文集、講演番号2J
(1985年11月)に記載のようにガラス基板にバン
プを形成した後、電極部にバンプを移替える方式の転写
バンプ法や、[エレクトロニック・パッケージング・ア
ンド・プロダクション(Electronic Pac
kaging & Production),1、19
84年12月号,33〜39頁に記載のようにエッチン
グ技術を用いたべデスタル法、すなわちバンプを形成す
る部分をマスキングしておき、他のインナーリード部分
をハーフエッチングすることにより、30〜40IIm
の高さの突起を形成する方法かある。しかしこれらのノ
j法でバンプを形成するには、高価な露光装置やメッキ
装置などの設備が必要となるばかりでなく、パターンニ
ングのためのりソグラフイ工程やエッチング工程が必要
になるためバンプ形成工程も長くなるという課題がある
。[Prior Art] Generally, in order to mount a semiconductor element on a TAB tape carrier, it is necessary to form a protrusion that becomes a bump on either the electrode part of the semiconductor element or the inner lead tip of the tape carrier. For example, there are methods for forming bumps on the electrodes of semiconductor devices, such as "IBM Journal (
IBM Journal) Volume 8 (1964)
A method of forming protrusions that will become bumps directly on the electrode portion by plating as described on page +02 [Proceedings of the 1985 IEICE Semiconductor and Materials Division National Conference, Lecture No. 2J
(November 1985), the transfer bump method involves forming bumps on a glass substrate and then transferring the bumps to the electrodes, and
Kaging & Production), 1, 19
As described in the December issue of 1984, pages 33-39, the Bedestal method using etching technology, that is, masking the part where the bump is to be formed and half-etching the other inner lead parts, produces a film of 30 to 40 IIm.
Is there a way to form a protrusion with a height of ? However, forming bumps using these methods not only requires equipment such as expensive exposure equipment and plating equipment, but also lithography and etching processes for patterning, which makes the bump formation process difficult. There is also the issue of longer lengths.
このため、特公昭64−10094号公報に記載のよう
に、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いて
インナーリード先端部にバンプを製作する方法が提案さ
れている。この方法は、第2図(a),(ロ),(C)
に示すように、下型24ヘフィルム12とインナーリー
ドが一体となったテープキャリア11を装着し、」二方
からインナーリード11の幅よりも大きな凸部25を有
する上型23を降下させてインナーリードl1の先端部
に凸部(バンプ)28をプレス加工によって形成するノ
j法である。なお、上型23の凸部28により押圧され
たインナーリード1lの凹部15における材料の逃げの
ため、幅方向に切欠き27が設けられている。For this reason, as described in Japanese Patent Publication No. 64-10094, a method has been proposed in which a bump is manufactured at the tip of the inner lead using a mechanical press forming technique using a mold. This method is shown in Figure 2 (a), (b), (C).
As shown in the figure, the tape carrier 11 in which the film 12 and the inner lead are integrated is attached to the lower mold 24, and the upper mold 23 having a convex portion 25 larger than the width of the inner lead 11 is lowered from both sides to remove the inner lead. This is a method in which a protrusion (bump) 28 is formed at the tip of the lead l1 by press working. Note that a notch 27 is provided in the width direction to allow material to escape from the recess 15 of the inner lead 1l pressed by the protrusion 28 of the upper die 23.
上述したようなプレス加工方法によりインナーリード先
端部に成形されたバンプ28は、インナーリードの外形
部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバン
プのため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工程
において作用させる圧縮荷重に対して、ほぼ剛体として
作用する。このため個々のバンプの高さにバラツキがあ
ると、半導体素子とバンプを接合するとき、すべてのバ
ンプを均一に接合することができず、電気的に接続不良
が発生する課題がある。接続不良を発生させないために
は、バンプの高さのバラツキを少な《とも0.511m
以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプを
形成することが要求される。また、インナーリード11
には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等の
課題がある。The bumps 28 formed on the tips of the inner leads by the above-described pressing method are bumps with a solid cross-sectional shape obtained by molding the outer shape of the inner leads using a mold. It acts almost as a rigid body against the compressive load applied in the process of joining by crimping. Therefore, if there are variations in the height of individual bumps, when bonding the bumps to the semiconductor element, it is not possible to bond all the bumps uniformly, resulting in a problem of electrical connection failure. In order to prevent connection failures, the variation in bump height should be kept to at least 0.511 m.
It is necessary to satisfy the following conditions, and it is required to form bumps with extremely high precision. In addition, inner lead 11
However, there are problems such as the need to perform processing to create notches in advance.
本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、形成工
程がfffi単なTABインナーリードのバンプ形成装
置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve these conventional problems and provide a TAB inner lead bump forming apparatus that requires only a simple forming process.
〔課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため、本発明に係るTABインナー
リードのバンプ形成装置においては、TAB用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍に−3
プレス加工により中空41l,r造のバンプを形成する
装置であって、
貫通孔を備えたダイスと、
インナーリービの一部をダイス(;’? fat通孔内
に圧下して中空構造のバンプを形成するポンチと、ダイ
スの1゛Y通孔とポンチとの相対位置IyI係を光学的
に観察する光学手段とを有するものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, in the TAB inner lead bump forming apparatus according to the present invention, a hollow 41l, r is formed by -3 press processing in the vicinity of the inner lead tip of the TAB tape carrier. This device forms bumps with a hollow structure, and includes a die with a through hole, a punch that presses down a part of the inner ribby into the through hole of the die to form a bump with a hollow structure, and a die with a through hole. 1. It has an optical means for optically observing the relative position IyI between the Y through hole and the punch.
[作用]
本発明によれば、ポンチとダイスを用いた機械的プレス
法により、インナーリード先端ffll近傍にドーム状
中空構造のバンプを形成するため、従来のプレス加ユ一
で必要であったバンプ形成のための前加].が不用とな
りバンプ形成ゴー程を大幅に簡略化できるという利点が
ある。しかも中実横這に比べ圧縮力に対して変形し易い
バンプ構造となるため、バンプの高さにバラツキが存在
しても熱圧着時の圧縮荷重によりバンプが塑性変形し均
一な高さに矯正することができる。このため、バンプ高
さにバラツキが存在しても、中空バンプな半導体素子の
全ての71極部と均一に密2′『させ、良好な接一4
合を達成できることが期待できる。またダイスの貫通孔
の下側に配置したレンスによって拡大結像系を構成し、
さらに結像位置に位置したITVによってダイスの貫通
孔とポンチの拡大像をTVモニタ」,で観測することが
できる。従って、ポンチとダイスの貫通孔の相対位置を
正確に設定することができ、インナーリードへのバンプ
形成を歩留り良く実現できる。[Operation] According to the present invention, a bump having a dome-shaped hollow structure is formed near the inner lead tip ffll by a mechanical pressing method using a punch and a die. Pre-addition for formation]. This has the advantage that the process of forming bumps can be greatly simplified since it is no longer necessary. Moreover, since the bump structure is more easily deformed by compressive force than a solid horizontal structure, even if there is variation in bump height, the bump will be plastically deformed by the compressive load during thermocompression bonding and will be corrected to a uniform height. can do. Therefore, even if there is variation in bump height, it is expected that the bumps can be uniformly densely connected to all 71 pole portions of the hollow bump semiconductor element and that good contact can be achieved. In addition, a magnifying imaging system is configured by a lens placed below the through hole of the die.
Furthermore, an enlarged image of the through hole of the die and the punch can be observed on a TV monitor using the ITV located at the imaging position. Therefore, the relative positions of the through holes of the punch and die can be set accurately, and bumps can be formed on the inner leads with high yield.
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第1図(a)は本発明のバンプ形成装置を示す概略図で
ある。便宜」二、ここでは構成部品のスケールは無視し
ている。第1図(b),(○)は本発明によるインナー
リードのバンプ構造の−・実施例を示す平面図及び部分
断面した側面図である。FIG. 1(a) is a schematic diagram showing a bump forming apparatus of the present invention. ``For convenience'' 2, the scale of the component parts is ignored here. FIGS. 1(b) and 1(o) are a plan view and a partially sectional side view showing an embodiment of the bump structure of the inner lead according to the present invention.
図において、11はインナーリード、17はインナーリ
ード先端部のバンプ形成位置に合致する場所に貫通孔1
8か形成されたダイスで、インナーリードIIとプラス
チックフィルム12が一休となったテ一プキャリアがダ
イス17」二に装若される。また、ダイス17の下方に
は拡大レンズ20を貫通孔18に対向させて配置し、拡
大レンズ20の結像位置にはテレビカメラ(ITV)
21を配置し、テレビカメラ21の出ノノ側にはT〜・
′モニタ22を接続してある。ここに、拡大レンズ20
,テレビカメラ2+, TVモニタ22等によりダイス
の貫通孔とポンチとの相対位置関係を光学的に観察する
光学手段が構成される。ダイス17にテープキャリアを
装着する前に、貫通孔18とインナーリードl1の位置
合わせを行う。この際、拡大レンズ20によって拡大結
像系を構成し、貫通孔18とポンチ19は、結像位置に
置かれたテレビカメラ(ITV) 21で撮像され、T
Vモニタ22上で同時に観測される。従って、図のごと
<,TVモニタ22で、ポンチl9の拡大像19′が貫
通孔18の拡大像18′に重なるようにボンチ19ある
いはダイスl7を移動させて位置合わせを行うことがで
き、バンプ形成の歩留りを向上させるとともに、位置合
わせ工数を大幅に低減できる。上述した位置合わせを行
った後に、インナーリードl1をダイス17上に装着し
、ポンチl9を」二方から降下させてインナーリード先
端部を機械的なプレス加工することにより中空バンプ1
3の形成が行われる。例えば外径3011mのポンチ1
9に約80gの荷重をかけ、幅7(lpm,厚さ35p
mの銅製インナーリード11(表面に0.5μmのAu
メッキ処理、表面あらさはRMAX = O.hm)に
バンプl3を形成する。In the figure, 11 is an inner lead, and 17 is a through hole 1 at a location that matches the bump formation position at the tip of the inner lead.
The tape carrier with the inner lead II and the plastic film 12 on which the inner lead II and the plastic film 12 are placed is mounted on the die 17''2. Further, a magnifying lens 20 is arranged below the die 17 so as to face the through hole 18, and a television camera (ITV) is placed at the imaging position of the magnifying lens 20.
21, and T~・ on the side where the TV camera 21 comes out.
'A monitor 22 is connected. Here, magnifying lens 20
, a television camera 2+, a TV monitor 22, etc. constitute an optical means for optically observing the relative positional relationship between the through hole of the die and the punch. Before attaching the tape carrier to the die 17, the through hole 18 and the inner lead l1 are aligned. At this time, the magnifying lens 20 constitutes a magnifying imaging system, and the through hole 18 and punch 19 are imaged by a television camera (ITV) 21 placed at the imaging position.
They are simultaneously observed on the V monitor 22. Therefore, as shown in the figure, positioning can be performed by moving the punch 19 or the die 17 so that the enlarged image 19' of the punch 19 overlaps the enlarged image 18' of the through hole 18 on the TV monitor 22. In addition to improving the formation yield, it is possible to significantly reduce the number of alignment steps. After performing the above-mentioned positioning, the inner lead l1 is mounted on the die 17, and the punch l9 is lowered from both sides to mechanically press the inner lead tip, thereby forming the hollow bump 1.
3 formation takes place. For example, punch 1 with an outer diameter of 3011 m
9 with a load of about 80g, width 7 (lpm, thickness 35p)
m copper inner lead 11 (0.5 μm Au on the surface)
Plating treatment and surface roughness are RMAX = O. hm) to form a bump l3.
リード先端部の幅方向の中央部に形成された中空バンプ
13は、空間が形成された中空構造であるため、中空バ
ンプ13は上方からの圧縮に対して変形しやすい性質が
あり、バンプ高さのバラッキが存在しても矯正されて同
一平面上で接合できる特長がある。The hollow bump 13 formed at the center in the width direction of the lead tip has a hollow structure with a space, so the hollow bump 13 has the property of being easily deformed by compression from above, and the bump height Even if there is any unevenness, it can be corrected and joined on the same plane.
本実施例では、ダイス貫通孔の一方には拡大結像系を配
置したが、上下双方向でも同様なことが言える。また、
拡大結像系を一枚のレンズで構成したが、複数のレンズ
を用いても同一の効果が得られる。In this embodiment, the magnifying imaging system is disposed in one of the die through holes, but the same can be said for both the upper and lower directions. Also,
Although the magnifying imaging system is constructed using a single lens, the same effect can be obtained using a plurality of lenses.
[発明の効果]
以」二説明したように本発明によれば、形成工程が簡単
で製造コストが安く、生産性が高いTABインナーリー
ドのバンプの形成を実現できる。さらにダイスとポンチ
との位置合せ工数を大幅に低減できるとともに、位置合
わせを正確に行うことができ、歩留りを向上できる効果
を有する。[Effects of the Invention] As described below, according to the present invention, it is possible to form bumps on TAB inner leads with a simple formation process, low manufacturing cost, and high productivity. Furthermore, the number of man-hours required for aligning the die and the punch can be significantly reduced, and the alignment can be performed accurately, which has the effect of improving yield.
第l図(a)は本発明のバンプ形成装置を示す概略図、
(ハ)は本発明によるインナーリードのバンプ構造の一
実施例を示す平面図、Gc)は部分断面した側面図、第
2図(a),(ロ),(C)は従来の金型を用いた機械
的なプレス成形加工技術を用いたバンプ形威力法を示す
図である。
l・・・インナーリード
3・・・中空バンプ
6・・・荷重
8・・・貫通孔
9・・・ポンチ
20・・・レンズ
22・・・TVモニタ
24・・・下型
27・・・リード切欠き
2・・・フイルム
5・・・リード凹部
7・・・ダイス
8′・・・貫通孔の拡大像
9′・・・ポンチの拡大像
21・・・テレビカメラ
23・・・上型
25・・・凸部
28・・・バンプ
○
堅)
(b)
(C)
第2図FIG. 1(a) is a schematic diagram showing a bump forming apparatus of the present invention,
(c) is a plan view showing an example of the bump structure of the inner lead according to the present invention, Gc) is a partially sectional side view, and FIGS. It is a figure which shows the bump shape force method using the mechanical press forming process technique used. l...Inner lead 3...Hollow bump 6...Load 8...Through hole 9...Punch 20...Lens 22...TV monitor 24...Lower mold 27...Lead Notch 2...Film 5...Lead recess 7...Dice 8'...Enlarged image of through hole 9'...Enlarged image of punch 21...TV camera 23...Upper die 25 ...Protrusion 28...Bump ○ Hard) (b) (C) Fig. 2
Claims (1)
近傍にプレス加工により中空構造のバンプを形成する装
置であって、 貫通孔を備えたダイスと、 インナーリードの一部をダイスの貫通孔内に圧下して中
空構造のバンプを形成するポンチと、ダイスの貫通孔と
ポンチとの相対位置関係を光学的に観察する光学手段と
を有することを特徴とするTABインナーリードのバン
プ形成装置。(1) A device that forms a hollow structure bump near the tip of the inner lead of a TAB tape carrier by press processing, which includes a die equipped with a through hole and a part of the inner lead pressed into the through hole of the die. A bump forming device for a TAB inner lead, comprising: a punch for forming a bump having a hollow structure; and an optical means for optically observing the relative positional relationship between the through hole of the die and the punch.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1025290A JPH03214745A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Apparatus for forming bump of tab inner lead |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1025290A JPH03214745A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Apparatus for forming bump of tab inner lead |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03214745A true JPH03214745A (en) | 1991-09-19 |
Family
ID=11745125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1025290A Pending JPH03214745A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Apparatus for forming bump of tab inner lead |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03214745A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19504543A1 (en) * | 1995-02-11 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Process for forming connection bumps on electrically conductive microelectronic connection elements for solder bump-free tab bonding |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1025290A patent/JPH03214745A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19504543A1 (en) * | 1995-02-11 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Process for forming connection bumps on electrically conductive microelectronic connection elements for solder bump-free tab bonding |
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