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JPH03211846A - Method for forming bump of tab inner lead - Google Patents

Method for forming bump of tab inner lead

Info

Publication number
JPH03211846A
JPH03211846A JP763790A JP763790A JPH03211846A JP H03211846 A JPH03211846 A JP H03211846A JP 763790 A JP763790 A JP 763790A JP 763790 A JP763790 A JP 763790A JP H03211846 A JPH03211846 A JP H03211846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bumps
punch
inner leads
inner lead
bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP763790A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Kaneko
秀樹 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP763790A priority Critical patent/JPH03211846A/en
Publication of JPH03211846A publication Critical patent/JPH03211846A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To attain an improvement of productivity, making it possible to bond bumps to semiconductor elements well even when there are variations in the heights of the bumps by pressing downward and forming inner leads with a punch, locating the centers of the protruding parts of the punch at the predetermined positions of the inner lead. CONSTITUTION:Plural inner leads 12 are mounted on a hard rubber 11. Then, a punch 17, which has plural protruding parts 15 arranged on it with the same pitch as the one of the inner leads and has plural flat parts 16 on the peripheries of the protruding parts 15, is placed, opposing the inner leads 12. The centers of the protruding parts 15 of the punch 17 are located at predetermined positions of the inner leads 12, and the inner leads are molded, pressurizing them downward with the punch 17. The inner leads 12 are pressed downward by the protruding parts 15 and the flat parts 16 and are pushed into the hard rubber 11 by the protruding part 15 of the punch 17 to form plural hollow bumps 18 collectively at the predetermined positions of the inner lead 12. Thereby, the process of forming the bumps is simplified and even when there are variations in th heights of the bumps, the bumps can be bonded to semiconductor elements, and further productivity can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体素子の実装に用いられるTAB(Tap
c Automated Bonding)用テープキ
ャリアのインナーリード先端部に、機械的なプレス加工
により複数のバンプを一括して形成するバンプ形成方法
に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to TAB (Tap) used for mounting semiconductor devices.
The present invention relates to a bump forming method in which a plurality of bumps are collectively formed at the tip of an inner lead of a tape carrier for (Automated Bonding) by mechanical press processing.

[従来の技術] 一般に、半導体素子をTA[3用テープキヤリアに実装
するには、半導体素子の電極部またはテープキャリアの
インナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる
突起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバン
プ形成する方法には、例えば、[アイビーエムジャーナ
ル(113M Journa])J第8巻(1964年
)102頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突
起をメツキ法により形成する方法や、[エレクトロニッ
ク・パッケージング・アンド・プロダクション([1e
ctronic Packaging &1’rodu
ction)」、 1984イ]月2月号、33〜39
頁に記載のようにエツチング技術を用いたペデスタル法
、すなわちバンプを形成する部分をマスキングしておき
、他のインナーリード部分をハーフエツチングすること
により、30〜40.−の高さの突起を形成する方法、
あるいは「昭和60年度電子通信学会半導体・材料部門
全国大会論文集、講演番号2J(1985年11月)に
記数のようにガラス基板にバンプを形成した後、電極部
にバンプを移し換える方式の転写バンプ法などがある。
[Prior Art] Generally, in order to mount a semiconductor element on a tape carrier for TA[3, it is necessary to form protrusions that serve as bumps on either the electrode part of the semiconductor element or the tip of the inner lead of the tape carrier. be. A method for forming bumps on the electrode portions of semiconductor devices includes, for example, using a plating method to form protrusions that will become bumps directly on the electrode portions, as described in [IBM Journal (113M Journal)] J Vol. 8 (1964), p. 102. [Electronic Packaging and Production ([1e
ctronic Packaging &1'rodu
ction)”, February 1984 issue, 33-39
30 to 40. The pedestal method using an etching technique is used as described on page 30 to 40. In other words, the part where the bump is to be formed is masked and the other inner lead parts are half-etched. - a method for forming a protrusion with a height of
Or, as described in Proceedings of the 1985 IEICE Semiconductor/Materials Division National Conference, Lecture No. 2J (November 1985), a method in which bumps are formed on a glass substrate and then transferred to the electrode section. Examples include the transfer bump method.

しかし、これらの方法でバンプを形成するには、高価な
露光装置やメツキ装置などの設帰が必要となるだけでな
く、材料コストが高く、パターンニングのためのりソグ
ラフイ]−程やエツチング工程が必要になるためバンプ
形成工程も長くなるという課題がある。
However, forming bumps using these methods not only requires the installation of expensive exposure equipment and plating equipment, but also requires high material costs and a long process for patterning, such as photolithography and etching. There is a problem in that the bump forming process becomes longer because of the necessity.

このため、特公昭64−10094号公報に記数のよう
に、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いて
インナーリード先端部にペデスタルを製作する方法が提
案されている。この方法は、下型ヘフィルムとインナー
リードが一体となったテープキャリアを装着し、」一方
からインナーリードの幅よりも大きな凸部を有する上型
を降下させてインナーリードの先端部に凸部をプレス加
工によって形成し、バンプとなるペデスタルをインナー
リード先端部に形成する方法である。なお、上型の凸部
により押圧されたインナーリードの凹部の材料の逃げの
ため1幅方向に切欠きが設けられている。
For this reason, a method has been proposed in Japanese Patent Publication No. 10094/1984, in which a pedestal is manufactured at the tip of the inner lead using a mechanical press forming technique using a mold. In this method, a tape carrier in which a film and an inner lead are integrated is attached to a lower die, and an upper die having a protrusion larger than the width of the inner lead is lowered from one side to form a protrusion at the tip of the inner lead. This is a method in which a pedestal, which becomes a bump, is formed at the tip of the inner lead by press working. Note that a notch is provided in one width direction to allow the material in the recessed portion of the inner lead pressed by the convex portion of the upper die to escape.

[発明が解決しようとする課題] ところが、このようなプレス加工方法によりインナーリ
ード先端部に成形されたバンプは、インナーリードの外
形部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバ
ンプのため、半導体素子とバンプを熱圧着で接合する工
程において作用させる圧縮荷重に対して、はぼ剛体とし
て作用する。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the bumps formed at the tips of the inner leads by such a press working method are bumps whose cross-sectional shape is solid, which is obtained by molding the outer shape of the inner leads using a mold. Therefore, it acts as a rigid body against the compressive load applied in the process of bonding the semiconductor element and the bump by thermocompression bonding.

このため個々のバンプの高さにバラツキがあると、半導
体素子とバンプを接合するとき、すべてのバンプを均一
に接合することができず、電気的に接続不良が発生する
という課題がある。接続不良を発生させないためには、
バンプの高さのバラツキを少なくとも0.5pm以下と
することが必要であり、極めて高精度にバンプを形成す
ることが要求される。また、インナーリードの凹部には
、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある等の課題
がある。
For this reason, if there is variation in the height of individual bumps, there is a problem that when bonding the bumps to the semiconductor element, it is not possible to bond all the bumps uniformly, resulting in electrical connection failures. To prevent connection failures,
It is necessary to keep the variation in the height of the bumps to at least 0.5 pm or less, and it is required to form the bumps with extremely high precision. Further, there is a problem in that the recessed portion of the inner lead requires processing to provide a notch in advance.

本発明の目的はこのような従来の欠点を除去せしめてバ
ンプ形成工程が簡単で、バンプ高さのバラツキが存在し
ても半導体素子との良好な接合を達成できる生産性に侵
れた丁ABインナーリードのバンプ形成方法を提供する
ことにある。
The purpose of the present invention is to eliminate such conventional drawbacks, simplify the bump forming process, and improve productivity by achieving good bonding with semiconductor elements even when there are variations in bump height. An object of the present invention is to provide a method for forming bumps on inner leads.

〔課題を解決するための手段1 前記目的を達成するため、本発明に係るTABインナー
リードのバンプ形成方法においては、TAB用テープキ
ャリアのインナーリード先端部近傍にバンプを形成する
方法であって、硬質ゴム上に複数のインナーリードを一
定ピッチに装着する第1の工程と、前記インナーリード
のピッチに等し、く該インナーリードの幅より小さな複
数の凸部を有し、かつ該凸部の周囲が平坦であるポンチ
を前記硬質ゴム上のインナーリードに対向して配置し、
該ポンチの凸部の中心を前記インナーリードの所定の位
置に位置決めする第2の工程と、前記ポンチにより前記
インナーリードを圧下成形する第3の工程とを含むもの
である。
[Means for Solving the Problems 1] In order to achieve the above object, a method for forming bumps on TAB inner leads according to the present invention is a method for forming bumps near the tips of inner leads of a TAB tape carrier, comprising: a first step of mounting a plurality of inner leads on a hard rubber at a constant pitch; a plurality of protrusions equal to the pitch of the inner leads and smaller than the width of the inner leads; A punch with a flat periphery is placed opposite the inner lead on the hard rubber,
The method includes a second step of positioning the center of the convex portion of the punch at a predetermined position of the inner lead, and a third step of compressing and molding the inner lead with the punch.

[作用] ポンチとダイスを用いて第3図に示すような、インナー
リード12の幅よりも小さなバンプを形成することによ
り、ドーム状の中空構造のバンプ18を形成することが
できる。中空構造のバンプ!8ではバンプ形成のための
り;1加工が不用となりバンプ形成工程を大幅に簡略化
できるという利点があり、しかも中実構造に比べ圧縮力
に対して変形し易い性質を有するため、バンプの高さに
バラツキが存在しても熱圧着B、?の圧縮荷重によりバ
ンプが塑性変形し、全てのバンプを均一な高さに矯正す
ることができる。このため、バンプ高さにバラツキが存
在しても、中空バンプを半導体素子の全ての電極部と均
一に密着させ、良好な接合を達成できる。
[Operation] By forming a bump smaller than the width of the inner lead 12 as shown in FIG. 3 using a punch and a die, the bump 18 having a dome-shaped hollow structure can be formed. Hollow structure bump! 8 has the advantage of greatly simplifying the bump forming process by eliminating the need for glue for bump formation; Thermocompression bonding B, even if there are variations in ? The bumps are plastically deformed by the compressive load, and all the bumps can be straightened to a uniform height. Therefore, even if there is variation in bump height, the hollow bump can be brought into uniform contact with all the electrode parts of the semiconductor element, and good bonding can be achieved.

このような中空バンプは一般に第4図に示すように、1
組のダイス42と棒状のポンチ旧を用いて形成される。
Such hollow bumps generally have a diameter of 1 as shown in Figure 4.
It is formed using a set of dies 42 and a rod-shaped punch.

この場合、1本のインナーリード12に対してバンプ1
8を1ケづつ形成するため、多品種少量生産の用途に対
しては十分効果があるが、大量生産の用途に対してはバ
ンプ形成に要する時間が長くなるため(1ヶ当り!秒程
度)、生産性が低くなるという課題がある。生産性を向
上するためには、複数のダイス穴を有するダイスと複数
の突起を有するポンチを用いて、−括して複数のインナ
ーリードをプレス加]ユし、同時に複数の中空バンプを
形成すれば良い。
In this case, one bump per inner lead 12.
Since bumps 8 are formed one by one, it is sufficiently effective for high-mix, low-volume production applications, but for mass production applications, it takes a long time to form the bumps (approximately 1 second per bump). , there is a problem of low productivity. In order to improve productivity, a die with multiple die holes and a punch with multiple protrusions are used to press multiple inner leads at the same time to form multiple hollow bumps at the same time. Good.

−1−記のような方U:で、同時に複数のバンプな高精
度、かつ生産性良く形成するためには、各々のインナー
リードとポンチおよびダイスの位置決めを高精度に、か
つ1瞬時に行うことが要求される。
-1- In order to form multiple bumps at the same time with high precision and high productivity, it is necessary to position each inner lead, punch, and die with high precision and instantly. This is required.

ところが、−括して形成するバンプの数、すなわちイン
ナーリードの本数が増加する程位置決めの累積誤差が増
加するため、より高度な位置決め技術が必要となり、し
かも形成バンプ数が増加するほど一般に位置決めに要す
る時間も長くなるため、生産性の点でも問題が生じる。
However, as the number of bumps to be formed at once, that is, the number of inner leads, increases, the cumulative error in positioning increases, which requires more advanced positioning technology.Furthermore, as the number of bumps to be formed increases, the positioning generally becomes more difficult. Since the time required also increases, a problem also arises in terms of productivity.

そこで、本発明では第1図(a)〜G)に示すように、
硬質ゴム11」−に複数のインナーリード12を装着し
、次いで、インナーリード12のピッチに等しい複数の
凸部15を有し、凸部15の周囲が平坦である平坦部1
6を有するポンチ17を、インナーリード12に対向し
て配置し、ポンチ17の凸部15の中心なインナーリー
ドI2の所定の位置に位置決めし、ポンチ17によりイ
ンナーリード12を圧下成型する。インナーリード!2
は、凸部!5および平坦部16により圧下され、インナ
ーリード12はポンチ17の凸部I5によって硬質ゴム
ll側に押し出され、複数の中空バンプI8が一括して
インナーリード12の所定位置に形成される。
Therefore, in the present invention, as shown in FIGS. 1(a) to G),
A plurality of inner leads 12 are attached to a hard rubber 11'', and then a flat portion 1 having a plurality of protrusions 15 equal to the pitch of the inner leads 12 and having a flat periphery around the protrusions 15 is formed.
A punch 17 having a diameter of 6 is disposed opposite to the inner lead 12, and positioned at a predetermined position of the inner lead I2 at the center of the convex portion 15 of the punch 17, and the inner lead 12 is pressed down and molded by the punch 17. Inner lead! 2
Ha, convex part! 5 and the flat portion 16, the inner lead 12 is pushed out toward the hard rubber 11 side by the convex portion I5 of the punch 17, and a plurality of hollow bumps I8 are collectively formed at a predetermined position on the inner lead 12.

以上のように本発明のバンプの形成方法では、ダイスを
用いないことによりポンチとダイスの位置合わせが不用
になり、生産性が良くなる。さらに、安価な硬質ゴムを
使用することによりダイス製作費にくらべ低コスト化を
可能にすることができる。
As described above, in the bump forming method of the present invention, since no die is used, alignment between the punch and the die is not required, and productivity is improved. Furthermore, by using inexpensive hard rubber, it is possible to reduce the cost of manufacturing the die.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図(a)〜0)は本発明のインナーリードのバンプ
形成方法を工程順に説明する断面図、第2閏はインナー
リードI2が形成されているTAIIテープを示す平面
図である。
FIGS. 1(a) to 1(a) are cross-sectional views illustrating the method for forming bumps on inner leads according to the present invention in the order of steps, and the second leap is a plan view showing the TAII tape on which the inner leads I2 are formed.

図において、11は硬質ゴム、12はインナーリード、
13はXYステージ、14は両面テープ、15はポンチ
先端に形成した凸部、16は凸部の周囲に形成した平坦
部、17はポンチ、18は中空バンプ、21はTABテ
ープ、22はフィルムを示す。
In the figure, 11 is hard rubber, 12 is inner lead,
13 is an XY stage, 14 is double-sided tape, 15 is a convex part formed at the tip of the punch, 16 is a flat part formed around the convex part, 17 is a punch, 18 is a hollow bump, 21 is TAB tape, and 22 is a film. show.

以下、本発明の具体例について示す。Specific examples of the present invention will be shown below.

ポンチI7は第1図(ロ)に示すように、ポンチ凸部1
5が直径30±2pm、ポンチ周囲の平坦部16が幅6
7±lpm、長さ500±5μmの長方形であり、各ポ
ンチ凸部15のピッチは140±2pmとし、ポンチ凸
部15を一列に30ケ形成したものを使用する。硬質ゴ
ム11はゴム硬度80以上で大きさが7M角、厚さ2胴
のものを使用し、両面テープ14でXYステージ13に
固定する。TABテープ21は、幅70p m 、厚さ
35μmのインナーリード12がピッチ140μmで一
辺に30ケ配列され、四辺をポリイミド製のフィルム2
2で補強されたものを使用する。次に、バンプ製造方法
は、まず、第1図(a)に示すように硬質ゴムil上に
第2図に示すTABテープ21のインナーリード12を
固定する。次いで第1図(ロ)に示すように、そのイン
ナーリード12をXYステージ13でポンチ17の凸部
I5が所定の位置になるように位置合わせする。
The punch I7 has a punch convex portion 1 as shown in FIG.
5 has a diameter of 30±2pm, and the flat part 16 around the punch has a width of 6
7±lpm and a length of 500±5 μm, the pitch of each punch convex portion 15 is 140±2 pm, and 30 punch convex portions 15 are formed in a row. The hard rubber 11 has a rubber hardness of 80 or higher, has a size of 7M square, and has a thickness of 2 cylinders, and is fixed to the XY stage 13 with double-sided tape 14. The TAB tape 21 has 30 inner leads 12 each having a width of 70 p m and a thickness of 35 μm arranged at a pitch of 140 μm, and a polyimide film 2 on all sides.
Use the one reinforced in step 2. Next, in the bump manufacturing method, first, as shown in FIG. 1(a), the inner lead 12 of the TAB tape 21 shown in FIG. 2 is fixed onto a hard rubber il. Next, as shown in FIG. 1(b), the inner lead 12 is positioned on the XY stage 13 so that the convex portion I5 of the punch 17 is at a predetermined position.

最後に第1図G)に示すように、ポンチ■7に押し込み
荷重12k g rを作用させ、インナーリード12を
圧下し、中空バンプ18を形成したところ、第3図に示
すような半円型の中空バンプ18を一括して120ケ形
成することができた。インナーリード14の先端に形成
された第3図に示す中空バンプ18と、^e組電極付い
た半導体素子とを低温ボンディング法(素子加熱温度=
275℃、加圧用ツール温度=450℃。
Finally, as shown in Figure 1 G), a pushing load of 12 kg r was applied to the punch 7, and the inner lead 12 was pressed down to form a hollow bump 18, resulting in a semicircular shape as shown in Figure 3. It was possible to form 120 hollow bumps 18 at once. The hollow bump 18 shown in FIG. 3 formed at the tip of the inner lead 14 and the semiconductor element with the ^e set of electrodes are bonded together using a low-temperature bonding method (element heating temperature =
275°C, pressure tool temperature = 450°C.

圧力60gf/リード、加圧時間1秒)により接合した
ところ、電気的にも機械的強度の面でも良好な強度で接
合を達成できた。
When bonding was performed using a pressure of 60 gf/lead and a pressure application time of 1 second, the bonding was achieved with good strength both electrically and mechanically.

なお、本発明のプレス加工によるバンプ形成方法は、サ
イクルタイム10秒以下でフィルム22」−の全てのイ
ンナーリード12上に120ケのバンプ形成が可能であ
った。
The method for forming bumps by press working of the present invention was able to form 120 bumps on all inner leads 12 of the film 22'' in a cycle time of 10 seconds or less.

不発1jの一実施例では、30ケ並んだインナーリード
の一辺に一括してバンプを形成し、同工程を連続して四
辺にあるインナーリードに対して4すイグル行うことに
より、フィルム22」二の全てのインナーリード12に
バンプ形成を行ったが、−括して四辺にある全てのイン
ナーリード12にバンプ形成を行っても、あるいは数ケ
のインナーリード12に対してバンプ18を一括形成す
る工程を複数サイクル行い、全てのインナーリード上に
バンプを形成しても良い。
In one embodiment of the misfire 1j, a bump is formed on one side of 30 inner leads in a row, and the same process is continuously performed on four inner leads on four sides, thereby forming a film 22''. Bumps are formed on all inner leads 12 on all four sides, but bumps may be formed on all inner leads 12 on all four sides at once, or bumps 18 may be formed on several inner leads 12 at once. The process may be repeated in multiple cycles to form bumps on all inner leads.

〔発明の効果] 以]−説明したように、本発明のTABインナーリード
のバンプ形成ノJ法によれば、バンプ形成工程が簡単で
、バンプ高さのバラツキが存在しても半導体素子との良
好な接合を達成でき、しかも生産性に優れたバンプ形成
を実現できる効果を有する。
[Effects of the Invention] - As explained above, according to the J method for forming bumps on TAB inner leads of the present invention, the bump forming process is simple, and even if there is variation in bump height, the bump formation process can be easily achieved. It has the effect of achieving good bonding and realizing bump formation with excellent productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)〜(c)は本発明のバンプ形成方法を]−
程順に示した断面図、第2図は本発明の一実施例で用い
たフィルムを示す平面図、第3図は本発明の一実施例に
より形成されたバンプを示す側面図、第4園は一組のポ
ンチとダイスにより、lケづつバンプを形成する方法を
示す断面図である。 II・・・硬質ゴム 13・・・XYステージ 15・・・凸部 17・・・ポンチ 2I・・・T・\Bテープ 旧・・・棒状のポンチ !2・・・インナーリード 14・・・両面テープ I6・・・平坦部 !8・・・中空バンプ 22・・・フィルム 42・・・ダイス
FIGS. 1(a) to (c) show the bump forming method of the present invention]-
2 is a plan view showing a film used in an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a side view showing a bump formed by an embodiment of the present invention, and the 4th figure is a sectional view shown in order of process. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of forming l bumps using a set of punches and dies. II...Hard rubber 13...XY stage 15...Protrusion 17...Punch 2I...T/\B tape old...rod-shaped punch! 2... Inner lead 14... Double-sided tape I6... Flat part! 8...Hollow bump 22...Film 42...Dice

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)TAB用テープキャリアのインナーリード先端部
近傍にバンプを形成する方法であって、硬質ゴム上に複
数のインナーリードを一定ピッチに装着する第1の工程
と、前記インナーリードのピッチに等しく該インナーリ
ードの幅より小さな複数の凸部を有し、かつ該凸部の周
囲が平坦であるポンチを前記硬質ゴム上のインナーリー
ドに対向して配置し、該ポンチの凸部の中心を前記イン
ナーリードの所定の位置に位置決めする第2の工程と、
前記ポンチにより前記インナーリードを圧下成形する第
3の工程とを含むことを特徴とするTABインナーリー
ドのバンプ形成方法。
(1) A method of forming bumps near the tips of the inner leads of a TAB tape carrier, which includes a first step of mounting a plurality of inner leads on a hard rubber at a constant pitch, and a step equal to the pitch of the inner leads. A punch having a plurality of convex portions smaller than the width of the inner lead and having a flat periphery is placed opposite to the inner lead on the hard rubber, and the center of the convex portion of the punch is aligned with the center of the convex portion of the inner lead. a second step of positioning the inner lead at a predetermined position;
A method for forming bumps on a TAB inner lead, comprising a third step of forming the inner lead under pressure using the punch.
JP763790A 1990-01-17 1990-01-17 Method for forming bump of tab inner lead Pending JPH03211846A (en)

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