JP4083533B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、集積回路が形成された半導体チップを支持するチップ支持部材である配線基板やリードフレームなどにダイボンディングする工程を含む半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップをフリップチップ実装でチップ支持部材に接合する半導体製造装置として、フリップチップボンダが知られている。フリップチップボンダは、半導体チップの主面に設けられた電極とチップ支持部材の電極とを位置合わせして直接密着させ、熱および圧力を加えて接合するワイヤレスボンディング装置である。
【0003】
なお、種々のフリップチップボンダについては、たとえば株式会社プレスジャーナル1998年7月27日発行、「月刊 Semiconductor World 増刊号 '99半導体組立・検査技術」、119〜123頁に記載されている。
【0004】
近年、小型化を図った半導体装置として、CSP(Chip Size Package)と呼ばれる半導体装置が開発されている。その構造は様々であり、チップ支持部材の材料、構造または内部接続構造などから種々の構造に分類される。実用機器に採用されているCSPとしては、たとえばフィルムからなる薄膜のテープ状のチップ支持部材を用い、フェイスダウン方式でチップ支持部材に半導体チップが実装されたCSPを例示することができる。
【0005】
フリップチップボンダを用いたCSPのチップボンディングでは、たとえば半導体チップの主面とテープ状のチップ支持部材のチップ支持面とを対向して配置し、さらにその間に、認識用カメラを備える光学プローブを配置し、この光学プローブによって得られた位置情報に基づき半導体チップとチップ支持部材とを接合する方法が採られている。光学プローブを用いた位置認識では、2視野の光学系を用い、2台の認識用カメラのうち一方を半導体チップ認識用、他方をチップ支持部材認識用として用いている。
【0006】
たとえば、特開2002−110742号公報には、半導体チップの認識マークとチップ支持部材の認識マークとを対向させて配置し、光学系の1回の認識動作で半導体チップとチップ支持部材とにおける対向する認識マークの位置を求め、これを2箇所の認識マークに対して繰り返して行い、半導体チップとチップ支持部材の位置を効率良く認識して両者を接合する技術が開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らが検討したところ、光学プローブで得られた位置情報をもとに半導体チップまたはチップ支持部材の位置補正を行い、その後半導体チップとチップ支持部材とを接合しても、機械組立精度、マウントステージの上昇時の直進性、光学プローブの上視野と下視野との間の光軸ずれ等によって半導体チップおよびチップ支持部材の認識マークの正確な位置情報が得られず、得られた位置情報をもとに位置補正を行うと、目標とするボンディング精度が得られないという問題が生ずることが明らかとなった。
【0008】
さらに、フリップチップボンダでは、チップ支持部材を搭載するマウントステージと、これに対向して設置された半導体チップを支持するマウントヘッドとを500度程度まで加熱している。すなわち、マウントステージおよびボンディングヘッドによって半導体チップとチップ支持部材とに対して荷重および熱などを付与することで、半導体チップとチップ支持部材との接合を強めている。
【0009】
しかし、マウントステージおよびボンディングヘッドを高温にするため、光学プローブが認識動作中に加熱されて変形することがある。このため、上視野と下視野との間に光軸ずれが生じ、その位置情報をもとに位置補正を行うと、上記光軸ずれが半導体チップとチップ支持部材とのボンディングのずれとなって現われる。
【0010】
本発明の目的は、ボンディング装置に備わる光学プローブの上下視野の光軸ずれを補正した、高精度のボンディングを行うことのできる技術を提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、ボンディング装置に備わる光学プローブの温度上昇による上下視野の光軸ずれを抑制して、高精度のボンディングを行うことのできる技術を提供することにある。
【0012】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【0014】
本発明は、第1あわせ治具と第2あわせ治具とを対向して上下に配置し、第1あわせ治具と第2あわせ治具との間に、第1あわせ治具の認識パターンと第2あわせ治具の認識パターンとが撮像可能な光学プローブを配置する工程と、光学プローブの上視野によって第1あわせ治具の認識パターンを撮像し、同時に光学プローブの下視野によって第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、対向する上記両者の認識パターンの位置を求める工程と、求められた上記両者の認識パターンの位置に基づいて第1あわせ治具と第2あわせ治具とを位置合わせして接合する工程と、光学プローブの下視野によって第1あわせ治具の認識パターンを撮像して、第1あわせ治具の認識パターンの位置を求める工程と、光学プローブの上視野で求められた第1あわせ治具の認識パターンの位置と光学プローブの下視野で求められた第1あわせ治具の認識パターンの位置とのずれを求める工程とを有し、半導体チップとチップ支持部材とを接合する際の位置補正に、上記ずれを光学プローブの上下視野の光軸ずれとして加味するものである。
【0015】
また、本発明は、半導体チップとチップ支持部材とを対向して上下に配置し、半導体チップとチップ支持部材との間に、半導体チップの認識パターンとチップ支持部材の認識パターンとが撮像可能な光学プローブを配置する工程と、光学プローブによって半導体チップの認識パターンとチップ支持部材の認識パターンとを撮像して、対向する上記両者の認識パターンの位置を求める工程と、求められた上記両者の認識パターンの位置に基づいて半導体チップとチップ支持部材とを位置合わせして接合する工程とを有し、光学プローブを冷却保温システムで囲むものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】
(実施の形態1)
図1に、本実施の形態1であるフリップチップボンダの構成概略図、図2に、このフリップチップボンダのボンディング処理部を拡大した概略図を示す。
【0018】
フリップチップボンダは、たとえばCSPを組み立てる際に、半導体チップ(以下、単にチップという)のチップ支持部材へのボンディングを行う製造装置であり、チップとチップ支持部材との接合を行うものである。本実施の形態1では、チップ支持部材の一例としてテープ状の薄膜の配線基板を用いた場合を説明する。従ってフリップチップボンダは、チップ支持部材であるテープ状の配線基板にチップをボンディングするものである。
【0019】
フリップチップボンダ1のボンディング処理部2には、配線基板3支持用のステージであるマウントステージ2aと、マウントステージ2aと対向してその上方に設けられたボンディングヘッド2bとが設置されている。半導体ウエハ4からピックアップされたチップ5は、ボンディングヘッド2bの先端のコレット2cによって吸着、保持される。
【0020】
マウントステージ2aおよびボンディングヘッド2bは、配線基板3とチップ5とに対して荷重および熱などを付与して両者を接合するものである。マウントステージ2aは、XY方向に移動自在なXYテーブル6に取付けられ、かつZ移動機構によってガイドされており、これによってXYZ方向に移動可能となっている。また、ボンディングヘッド2bは、回転可能であるとともに、XYZ方向にも移動可能に設置されている。
【0021】
さらに、ボンディング処理部2には、光学系を搭載した光学プローブ2dが、ボンディングヘッド2bのコレット2cに支持されたチップ5と、マウントステージ2aに搭載された配線基板3との間に配置可能なように移動自在に設けられている。光学系が取り込んだ情報は認識部7で処理され、情報に基づいて配線基板3の認識マーク3aおよびチップ5の認識マーク5aの位置が求められる。
【0022】
ウエハセット部8には、ダイシング済みの半導体ウエハ4が配置されたウエハ支持台8aと、このウエハ支持台8aに搭載されたダイシング済みの半導体ウエハ4からボンディングすべきチップ5をピックアップするとともに、ピックアップしたチップ5を表裏反転させてボンディングヘッド2bのコレット2cに受け渡すフリップヘッド8bとが設置されている。このウエハセット部8では、ダイシング済みの半導体ウエハ4からのチップ5のピックアップと、チップ5のボンディングヘッド2bへの移載とが行われる。
【0023】
なお、ウエハセット部8への半導体ウエハ4の移載は、ウエハリフタ9によって行われる。また、搬送部10への配線基板3の送り出しは、ローダ11によって行われ、さらにチップボンディング後の配線基板3は、アンローダ12に収容される。
【0024】
図3に、本実施の形態1であるフリップチップボンダを用いてチップボンディングが行われたCSPの要部断面図を示す。
【0025】
このCSP13は、その外観サイズがチップ5より若干大きい程度の小型のものであり、チップ5の主面5b(半導体集積回路が形成されている面)の外周部にその表面電極である複数のパッド5cが配置されている場合を説明する。パッド5cが設置される箇所については、特に限定されるものではなく、チップ5の主面5bの外周部であっても、または内放(たとえばセンターパッド配列)であっても、あるいはその両者などであってもよい。
【0026】
CSP13の構成は、チップ5のパッド5cと接続されるリード3bとを有し、かつこのリード3bと接続されるとともに、外部端子であるバンプ電極14とも接続される配線3cが設けられた薄膜のテープ状の配線基板3と、配線基板3とチップ5との間に配置された弾性部材であるエラストマ15と、配線基板3の開口部3dにおいて封止樹脂などによりパッド5cとリード3bとを封止して形成された封止部16とからなる。
【0027】
ここで、薄膜のテープ状の配線基板3は、たとえばポリイミド系のフィルム基材などによって形成されたものである。また、封止部16に用いられる封止材料は、たとえばエポキシ系の熱硬化性樹脂などであり、モールドまたはポッティングなどによって樹脂封止が行われる。
【0028】
次に、本実施の形態1であるチップボンディング方法を前記図1〜図3および図4〜図8に示すフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図を用い、2つのステップ(ステップ1、ステップ2)に分けて説明する。
(ステップ1)
まず、あわせ治具を用いてフリップチップボンダに備わる光学プローブの上下視野の光軸ずれ量を求める。
【0029】
図4に示すように、ボンディングヘッド2bの先端に設けられたコレット2cによって第1あわせ治具17を吸着、保持し、この第1あわせ治具17をマウントステージ2aの上方で待機させる。一方、マウントステージ2a上に第2あわせ治具18を配置させる。次に、コレット2cによって支持された第1あわせ治具17とこれに対向するようにマウントステージ2aに搭載された第2あわせ治具18との間に、第1あわせ治具17に設けられたリードパターン(認識パターン)17aおよび第2あわせ治具18に設けられたパッドパターン(認識パターン)18aの撮像を可能とする光学系を搭載した光学プローブ2dを配置する。
【0030】
さらに、光学プローブ2dに備わる下視野認識カメラ2d1によって第2あわせ治具18のパッドパターン18aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2dを移動させ、続いて光学プローブ2dに備わる上視野認識カメラ2d2によって第1あわせ治具17のリードパターン17aの画像が取り込める箇所にボンディングヘッド2bによって第1あわせ治具17を移動させる。
【0031】
その後、上視野認識カメラ2d2によって、プリズム2d3を介して第1あわせ治具17のリードパターン17aを撮像し、同様に下視野認識カメラ2d1によって、プリズム2d4を介して第2あわせ治具18のパッドパターン18aを撮像して、光学系の認識動作で第1あわせ治具17のリードパターン17aおよび第2あわせ治具18のパッドパターン18aの位置情報をそれぞれ求める。その際、第1あわせ治具17のリードパターン17aの画像および第2あわせ治具18のパッドパターン18aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれほぼ同時に取り込み、認識部7においてデータ処理する。
【0032】
次に、図5に示すように、求められた第1あわせ治具17のリードパターン17aおよび第2あわせ治具18のパッドパターン18aのそれぞれの位置情報に基づいて、第1あわせ治具17のリードパターン17aの中心と第2あわせ治具18のパッドパターン18aの中心とが一致するように位置合わせして、第1あわせ治具17と第2あわせ治具18とを接合する。
【0033】
続いて、下視野認識カメラ2d1によって、プリズム2d4を介して第1あわせ治具17のリードパターン17aを撮像して、光学系の認識動作で第1あわせ治具17のリードパターン17aの位置情報を求める。上視野認識カメラ2d2によって撮像され、得られた第1あわせ治具17のリードパターン17aの位置情報と、下視野認識カメラ2d1によって撮像され、得られた第1あわせ治具17のリードパターン17aの位置情報との差を算出し、この差を光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量とする。この光軸ずれ量は、チップ5と配線基板3との位置合わせにおいて位置補正量に加味される。
(ステップ2)
次に、チップ5と配線基板3とを接合してチップボンディングする。
【0034】
まず、薄膜のテープ状の配線基板3を準備し、さらにウエハセット部8のウエハ支持台8aに、ウエハリフタ9によってダイシンング済みの半導体ウエハ4をセットする。
【0035】
次に、ウエハセット部8においてチップボンディングが行われるチップ5をフリップヘッド8bによって半導体ウエハ4からピックアップし、さらにその表裏を反転させてボンディング処理部2に移動させる。その後、このチップ5の裏面5dをボンディングヘッド2bの先端に設けられたコレット2cによって吸着、保持し、チップ5をマウントステージ2aの上方で待機させる。一方、ローダ11から搬送部10に配線基板3を送り出し、搬送部10からボンディング処理部2のマウントステージ2a上に配線基板3を配置させる。
【0036】
次に、図6に示すように、ボンディングヘッド2bのコレット2cによって支持されたチップ5とこれに対向するようにマウントステージ2aに搭載された配線基板3との間に、チップ5の認識マーク5aおよび配線基板3の認識マーク3aが撮像可能な光学系を搭載した光学プローブ2dを配置する。
【0037】
さらに、下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の1点目の認識マーク3aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2dを移動させ、続いて上視野認識カメラ2d2によってチップ5の1点目の認識マーク5aの画像が取り込める箇所にボンディングヘッド2bによってチップ5を移動させる。
【0038】
続いて、上視野認識カメラ2d2によってチップ5の1点目の認識マーク5aを撮像し、同時に下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の1点目の認識マーク3aを撮像して、光学系の1回の認識動作でチップ5の1点目の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の1点目の認識マーク3aの位置情報を求める。その際、チップ5の1点目の認識マーク5aの画像および配線基板3の1点目の認識マーク3aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれ同時に取り込み、認識部7でデータ処理する。
【0039】
その後、図7に示すように、下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の2点目の認識マーク3aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2dを移動させ、続いて上視野認識カメラ2d2によってチップ5の2点目の認識マーク5aの画像が取り込める箇所にボンディングヘッド2bによってチップ5を移動させる。
【0040】
続いて、上視野認識カメラ2d2によってチップ5の2点目の認識マーク5aを撮像し、同時に下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の2点目の認識マーク3aを撮像して、光学系の1回の認識動作でチップ5の2点目の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の2点目の認識マーク3aの位置情報を求める。その際、チップ5の2点目の認識マーク5aの画像および配線基板3の2点目の認識マーク3aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれ同時に取り込み、認識部7でデータ処理する。
【0041】
次に、あらかじめ登録されているチップ5の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の認識マーク3aの位置情報と、光学系の認識動作で得られたチップ5の認識マーク5aの画像および配線基板3の認識マーク3aの画像をデータ処理した位置情報とによってチップ5および配線基板3のそれぞれの位置を求めた後、光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を加味して、求められたチップ5および配線基板3の位置を補正する。
【0042】
続いて、チップ5および配線基板3の補正された位置に基づいてチップ5と配線基板3とを位置合わせし、マウントステージ2aとボンディングヘッド2bとによってチップ5および配線基板3に荷重や熱などを付与して両者を接合し、チップボンディングする。
【0043】
チップマウント後、配線基板3をアンローダ12に送り、そこに収容する。次に、リードボンディングを行う。ここでは、チップ5のパッド5cと配線基板3のリード3bとをインナリードボンダなどを用いて接続する。
【0044】
次に、封止を行う。ここでは、封止樹脂を用いてポッティングなどによってチップ5のパッド5cおよびリード3bの樹脂封止を行い、これにより、封止部16を形成する。
【0045】
続いて、ボール付けを行う。ここでは、配線基板3の配線3cとつながる所定位置のランドにそれぞれ1つずつ外部端子である半田ボールを搭載して所定数のバンプ電極14を形成する。その後、選別・マークを行って前記図3に示すCSPが略完成する。
【0046】
なお、本実施の形態1では、光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を求める際、上視野認識カメラ2d2によって撮像され、得られた第1あわせ治具17のリードパターン17aの位置情報と、第1あわせ治具17と第2あわせ治具とを接合した後に下視野認識カメラ2d1によって撮像され、得られた第1あわせ治具17のリードパターン17aの位置情報との差を求め、この差を光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量としたが、図8に示すように、下視野認識カメラ2d1によって撮像され、得られた第2あわせ治具18のパッドパターン18aの位置情報と、第2あわせ治具18と第1あわせ治具17とを接合した後に上視野認識カメラ2d2によって撮像され、得られた第2あわせ治具18のパッドパターン18aの位置情報との差を求め、この差を光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量としてもよい。
【0047】
このように、本実施の形態1によれば、チップ5とこれに対向して配置された配線基板3とを位置合わせする際、チップ5の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の認識マーク3aの位置情報を基にチップ5および配線基板3の位置をそれぞれ求め、さらにその位置の補正に、第1あわせ治具および第2あわせ治具を用いて求められた光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を加味することで、上下視野の光軸ずれを補正した精度の高いチップボンディングを行うことができる。
【0048】
(実施の形態2)
本実施の形態2であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を図9および図10に示す認識原理図を用いて説明する。本実施の形態2では、前記実施の形態1と同様に、第1あわせ治具17および第2あわせ治具18を用いてフリップチップボンダ1に備わる光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を求めるが、光学プローブ2dの他にもう1つの光学プローブ19を設けることによって、光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を求める。
【0049】
まず、図9に示すように、マウントステージ2aの上方に第1あわせ治具20を設置する。一方、マウントステージ2a上に第2あわせ治具21を配置する。次に、第1あわせ治具20とこれに対向するようにマウントステージ2aに搭載された第2あわせ治具21との間に、第1あわせ治具20に設けられたリードパターン(認識パターン)20aおよび第2あわせ治具21に設けられたパッドパターン(認識パターン)21aの撮像を可能とする光学系を搭載した光学プローブ2dを配置する。
【0050】
さらに、下視野認識カメラ2d1によって第2あわせ治具21のパッドパターン21aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2dを移動させ、続いて上視野認識カメラ2d2によって第1あわせ治具20のリードパターン20aの画像が取り込める箇所に第1あわせ治具20を移動させる。
【0051】
その後、上視野認識カメラ2d2によって、プリズム2d3を介して第1あわせ治具20のリードパターン20aを撮像し、同様に下視野認識カメラ2d1によって、プリズム2d4を介して第2あわせ治具21のパッドパターン21aを撮像して、光学系の認識動作で第1あわせ治具20のリードパターン20aの中心座標および第2あわせ治具21のパッドパターン21aの中心座標を求める。その際、第1あわせ治具20のリードパターン20aの画像および第2あわせ治具21のパッドパターン21aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれほぼ同時に取り込んでデータ処理する。
【0052】
次に、第1あわせ治具20のリードパターン20aの中心座標と第2あわせ治具21のパッドパターン21aの中心座標とが一致するように、マウントステージ2aをXYθ方向に移動する。その後、第1あわせ治具20の上方に設置された光学プローブ19の認識カメラ19aによって第1あわせ治具20のリードパターン20aを撮像して、光学プローブ19の認識動作で第1あわせ治具20のリードパターン20aの中心座標を求める。
【0053】
次に、図10に示すように、マウントステージ2aを上昇させて、求められた第1あわせ治具20のリードパターン20aおよび第2あわせ治具21のパッドパターン21aのそれぞれの位置情報に基づいて、第1あわせ治具20のリードパターン20aの中心と第2あわせ治具21のパッドパターン21aの中心とが一致するように位置合わせして、第1あわせ治具20と第2あわせ治具21とを重ね合わせる。
【0054】
続いて、光学プローブ19の認識カメラ19aによって第2あわせ治具21のパッドパターン21aを撮像して、光学系の認識動作で第2あわせ治具21のパッドパターン21aの中心座標を求める。認識カメラ19aによって撮像され、得られた第1あわせ治具20のリードパターン20aの中心座標と、第1あわせ治具20と第2あわせ治具21とを接合した後に認識カメラ19aによって撮像され、得られた第2あわせ治具21のパッドパターン21aの中心座標との差を算出し、この差を光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量とする。この光軸ずれ量は、チップ5と配線基板3との位置合わせにおいて位置補正量に加味される。
【0055】
このように、本実施の形態2によれば、前記実施の形態1と同様に、光学プローブ2dの上下視野の光軸ずれ量を求め、これをチップ5と配線基板3との位置の補正に加味することで、上下視野の光軸ずれを補正した精度の高いチップボンディングを行うことができる。
【0056】
(実施の形態3)
本実施の形態3であるフリップチップボンダに備わる光学プローブの構造を図図11および図12に示す認識原理図を用いて説明する。
【0057】
本実施の形態3の光学プローブ2eは、前記図4に示した実施の形態1の光学プローブ2dと同様に、チップ5の認識マーク5aと配線基板3の認識マーク3aとが撮像可能な光学系を有し、チップ5の認識マーク5aの画像を取り込む上視野認識カメラ2d2およびプリズム2d3と、配線基板3の認識マーク3aの画像を取り込む下視野認識カメラ2d1およびプリズム2d4とが搭載されている。
【0058】
さらに、光学系は冷却保温システム22で囲まれており、この冷却保温システム22によってフリップチップボンダ1の雰囲気温度、ならびにマウントステージ2aおよびボンディングヘッド2bからの熱などを遮断し、光学プローブ2eに搭載された光学系の温度を一定に保つことができる。冷却保温の方法としては、たとえば光学プローブ2eに温度検出センサを設置してペルチエ素子によって加熱冷却する方法、または水冷にて冷却する方法などを例示することができる。
【0059】
これにより、マウントステージ2aおよびボンディングヘッド2bを高温にしても、光学プローブ2eの光学系が認識動作中に加熱されないので、上視野認識カメラ2d2と下視野認識カメラ2d1との間に光軸のずれが生じ難くなる。従って、マウントステージ2aおよびボンディングヘッド2bからの熱などの影響を受けずに、チップ5の認識マーク5aおよび配線基板3の認識マーク3aの位置情報をもとにチップ5および配線基板3の位置補正が行われて、チップ5と配線基板3とを精度よく接合することができる。
【0060】
チップ5と配線基板3とを接合するチップボンディングは、たとえば以下ようにして行う。
【0061】
まず、図11に示すように、ボンディングヘッド2bのコレット2cによって支持されたチップ5とこれに対向するようにマウントステージ2aに搭載された配線基板3との間に、チップ5の認識マーク5aおよび配線基板3の認識マーク3aが撮像可能な光学系が搭載され、冷却保温システム22が備えられた光学プローブ2eを配置する。
【0062】
さらに、下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の1点目の認識マーク3aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2dを移動させ、続いて上視野認識カメラ2d2によってチップ5の1点目の認識マーク5aの画像が取り込める箇所にボンディングヘッド2bによってチップ5を移動させる。
【0063】
続いて、上視野認識カメラ2d2によってチップ5の1点目の認識マーク5aを撮像し、同時に下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の1点目の認識マーク3aを撮像して、光学系の1回の認識動作でチップ5の1点目の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の1点目の認識マーク3aの位置情報を求める。その際、チップ5の1点目の認識マーク5aの画像および配線基板3の1点目の認識マーク3aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれ同時に取り込んでデータ処理する。
【0064】
次に、図12に示すように、下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の2点目の認識マーク3aの画像が取り込める箇所に光学プローブ2eを移動させ、さらに上視野認識カメラ2d2によってチップ5の2点目の認識マーク5aの画像が取り込める箇所にボンディングヘッド2bによってチップ5を移動させる。
【0065】
続いて、上視野認識カメラ2d2によってチップ5の2点目の認識マーク5aを撮像し、同時に下視野認識カメラ2d1によって配線基板3の2点目の認識マーク3aを撮像して、光学系の1回の認識動作でチップ5の2点目の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の2点目の認識マーク3aの位置情報を求める。その際、チップ5の2点目の認識マーク5aの画像および配線基板3の2点目の認識マーク3aの画像を上視野認識カメラ2d2および下視野認識カメラ2d1によってそれぞれ同時に取り込んでデータ処理する。
【0066】
次に、あらかじめ登録されているチップ5の認識マーク5aの位置情報および配線基板3の認識マーク3aの位置情報と、光学系の認識動作で得られたチップ5の認識マーク5aの画像および配線基板3の認識マーク3aの画像をデータ処理した位置情報とによってチップ5および配線基板3のそれぞれの位置を求めた後、求められたチップ5および配線基板3の位置を補正する。
【0067】
続いて、チップ5および配線基板3の補正された位置に基づいてチップ5と配線基板3とを位置合わせし、マウントステージ2aとボンディングヘッド2bとによってチップ5および配線基板3に荷重や熱などを付与して両者を接合し、チップボンディングする。
【0068】
このように、本実施の形態3によれば、フリップチップボンダ1の雰囲気温度、ならびにマウントステージ2aまたはボンディングヘッド2bからの熱などの影響を受けずに、チップ5の認識マーク5aおよび配線基板3の認識マーク3aの位置情報が得られるので、熱に起因する光学プローブ2eの光軸ずれを抑制した精度の高いチップボンディングを行うことができる。
【0069】
なお、本実施の形態3の光学プローブ2eに備えられた冷却保温システム22は、前記実施の形態1または前記実施の形態2に記載した光学プローブ2dにも備えることができる。これにより、熱に起因する光学プローブ2dの上視野と下視野との間の光軸ずれをなくして、光学プローブ2dの機械的要因などによる光学プローブ2dの上視野と下視野との間の光軸ずれ量を再現性よく正確に算出することができる。
【0070】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0071】
たとえば、前記実施の形態では、本発明を半導体装置がCSPの場合の製造方法について説明したが、チップとチップ支持部材とが前記実施の形態のチップボンディング方法によって接合されて組み立てられたものであれば、いかなる半導体装置の製造方法にも適用することができる。
【0072】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0073】
チップボンディングにおいてチップとこれに対向して配置されたチップ支持部材との位置を求める際、チップの認識マークの位置情報およびチップ支持部材の認識マークの位置情報を基にチップの位置およびチップ支持部材の位置を求め、さらにその位置の補正に、あらかじめ求めておいた光学プローブの上下視野の光軸ずれ量を加味することによって、上下視野の光軸ずれを補正した精度の高いチップボンディングを行うことができる。
【0074】
さらに、光学プローブを冷却保温システムで囲み、チップの認識マークおよびチップ支持部材の認識マークの位置情報を基にチップおよびチップ支持部材の位置をそれぞれ求めることによって、熱に起因する上下視野の光軸ずれを抑制した精度の高いチップボンディングを行うことができる。
【0075】
さらに精度の高いチップボンディングを行うことができることから、半導体チップとチップ支持部材との位置ずれによる断線やショート等が防止できて、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダの構造を示す構成概略図である。
【図2】本発明の実施の形態1であるチップボンディング時の状態の一例を示す概略図である。
【図3】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダを用いて製造された半導体装置の一例であるCSPの構造を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図5】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図6】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図7】本発明の実施の形態1であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図8】図5に示すチップ・基板位置認識方法に対する変形例のチップ・基板位置認識方法を示す認識原理図である。
【図9】本発明の実施の形態2であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図10】本発明の実施の形態2であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図11】本発明の実施の形態3であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【図12】本発明の実施の形態3であるフリップチップボンダにおけるチップ・基板位置認識方法の一例を示す認識原理図である。
【符号の説明】
1 フリップチップボンダ
2 ボンディング処理部
2a マウントステージ
2b ボンディングヘッド
2c コレット
2d 光学プローブ
2d1 下視野認識カメラ
2d2 上視野認識カメラ
2d3 プリズム
2d4 プリズム
2e 光学プローブ
3 配線基板
3a 認識マーク
3b リード
3c 配線
3d 開口部
4 半導体ウエハ
5 半導体チップ
5a 認識マーク
5b 主面
5c パッド
5d 裏面
6 XYテーブル
7 認識部
8 ウエハセット部
8a ウエハ支持台
8b フリップヘッド
9 ウエハリフタ
10 搬送部
11 ローダ
12 アンローダ
13 CSP
14 バンプ電極
15 エラストマ
16 封止部
17 第1あわせ治具
17a リードパターン(認識パターン)
18 第2あわせ治具
18a パッドパターン (認識パターン)
19 光学プローブ
19a 認識カメラ
20 第1あわせ治具
20a リードパターン(認識パターン)
21 第2あわせ治具
21a パッドパターン(認識パターン)
22 冷却保温システム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor manufacturing technique, and is particularly effective when applied to the manufacture of a semiconductor device including a step of die bonding to a wiring board or a lead frame which is a chip support member for supporting a semiconductor chip on which an integrated circuit is formed. It is about technology.
[0002]
[Prior art]
A flip chip bonder is known as a semiconductor manufacturing apparatus that joins a semiconductor chip to a chip support member by flip chip mounting. A flip chip bonder is a wireless bonding apparatus that aligns and directly contacts an electrode provided on a main surface of a semiconductor chip and an electrode of a chip support member, and applies heat and pressure.
[0003]
Various flip chip bonders are described, for example, in Press Journal, Inc. on July 27, 1998, “Monthly Semiconductor World Special Issue '99 Semiconductor Assembly / Inspection Technology”, pages 119-123.
[0004]
In recent years, semiconductor devices called CSP (Chip Size Package) have been developed as miniaturized semiconductor devices. There are various structures, and the structure is classified into various structures according to the material, structure or internal connection structure of the chip support member. As a CSP employed in a practical device, for example, a CSP in which a thin film tape-shaped chip support member made of a film is used and a semiconductor chip is mounted on the chip support member by a face-down method can be exemplified.
[0005]
In CSP chip bonding using a flip chip bonder, for example, a main surface of a semiconductor chip and a chip support surface of a tape-shaped chip support member are arranged facing each other, and an optical probe including a recognition camera is arranged therebetween. And the method of joining a semiconductor chip and a chip | tip support member based on the positional information obtained by this optical probe is taken. In position recognition using an optical probe, an optical system with two fields of view is used, and one of two recognition cameras is used for semiconductor chip recognition and the other is used for chip support member recognition.
[0006]
For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-110742, a recognition mark on a semiconductor chip and a recognition mark on a chip support member are arranged to face each other, and the semiconductor chip and the chip support member face each other by a single recognition operation of the optical system. A technique is disclosed in which the position of a recognition mark to be obtained is obtained, this is repeated for two recognition marks, the positions of the semiconductor chip and the chip support member are recognized efficiently, and both are joined.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, as a result of examination by the present inventors, the position of the semiconductor chip or the chip support member is corrected based on the position information obtained by the optical probe, and the semiconductor chip and the chip support member are bonded to each other. Accurate position information of the recognition marks of the semiconductor chip and the chip support member cannot be obtained due to assembly accuracy, straightness when the mount stage is raised, optical axis misalignment between the upper and lower visual fields of the optical probe, etc. It has been clarified that when the position correction is performed based on the obtained position information, the target bonding accuracy cannot be obtained.
[0008]
Further, in the flip chip bonder, the mount stage on which the chip support member is mounted and the mount head that supports the semiconductor chip placed opposite to the mount stage are heated to about 500 degrees. That is, the bonding between the semiconductor chip and the chip support member is strengthened by applying a load and heat to the semiconductor chip and the chip support member by the mount stage and the bonding head.
[0009]
However, since the mount stage and the bonding head are heated to a high temperature, the optical probe may be heated and deformed during the recognition operation. For this reason, an optical axis shift occurs between the upper visual field and the lower visual field, and when the position correction is performed based on the positional information, the optical axis shift becomes a bonding shift between the semiconductor chip and the chip support member. Appear.
[0010]
An object of the present invention is to provide a technique capable of performing high-accuracy bonding in which an optical axis shift in the vertical field of view of an optical probe provided in a bonding apparatus is corrected.
[0011]
Another object of the present invention is to provide a technique capable of performing high-accuracy bonding by suppressing the optical axis shift of the upper and lower visual fields due to the temperature rise of the optical probe provided in the bonding apparatus.
[0012]
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
[0014]
In the present invention, the first mating jig and the second mating jig are arranged vertically opposite to each other, and the recognition pattern of the first mating jig is arranged between the first mating jig and the second mating jig. The step of arranging the optical probe capable of imaging the recognition pattern of the second alignment jig, and the imaging of the recognition pattern of the first alignment jig by the upper visual field of the optical probe, and the second alignment treatment by the lower visual field of the optical probe at the same time Imaging the recognition pattern of the tool and determining the positions of the two recognition patterns facing each other, and positioning the first and second alignment jigs based on the determined positions of the recognition patterns of the two A step of obtaining the recognition pattern of the first alignment jig by imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the lower visual field of the optical probe, and the upper visual field of the optical probe. First A step of obtaining a shift between the position of the recognition pattern of the aligning jig and the position of the recognition pattern of the first alignment jig obtained from the lower visual field of the optical probe, and joining the semiconductor chip and the chip support member In this position correction, the above deviation is added as the optical axis deviation of the vertical field of view of the optical probe.
[0015]
Further, according to the present invention, the semiconductor chip and the chip support member are arranged to face each other, and the semiconductor chip recognition pattern and the chip support member recognition pattern can be imaged between the semiconductor chip and the chip support member. The step of arranging the optical probe, the step of imaging the recognition pattern of the semiconductor chip and the recognition pattern of the chip support member by the optical probe, and determining the positions of the two recognition patterns facing each other, and the recognition of the both obtained A step of aligning and bonding the semiconductor chip and the chip support member based on the position of the pattern, and surrounding the optical probe with a cooling and heat insulation system.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof is omitted.
[0017]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a flip chip bonder according to the first embodiment, and FIG. 2 is an enlarged schematic diagram of a bonding processing portion of the flip chip bonder.
[0018]
A flip chip bonder is a manufacturing apparatus that bonds a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a chip) to a chip support member when assembling a CSP, for example, and bonds the chip and the chip support member. In the first embodiment, a case where a tape-shaped thin film wiring substrate is used as an example of a chip support member will be described. Therefore, the flip chip bonder is for bonding a chip to a tape-like wiring substrate which is a chip support member.
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
Further, in the
[0022]
The wafer set
[0023]
The transfer of the semiconductor wafer 4 to the
[0024]
FIG. 3 shows a cross-sectional view of a main part of a CSP chip-bonded by using the flip chip bonder according to the first embodiment.
[0025]
The
[0026]
The
[0027]
Here, the thin-film tape-
[0028]
Next, the chip bonding method according to the first embodiment will be described with reference to a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder shown in FIGS. 1 to 3 and FIGS. The description will be divided into steps (
(Step 1)
First, the optical axis misalignment amount of the upper and lower visual fields of the optical probe provided in the flip chip bonder is obtained using a matching jig.
[0029]
As shown in FIG. 4, the
[0030]
Furthermore, the lower visual
[0031]
Then, the upper
[0032]
Next, as shown in FIG. 5, based on the obtained positional information of the
[0033]
Subsequently, the lower visual
(Step 2)
Next, the
[0034]
First, a thin-film tape-
[0035]
Next, the
[0036]
Next, as shown in FIG. 6, the
[0037]
Furthermore, the lower visual
[0038]
Subsequently, the upper visual
[0039]
Thereafter, as shown in FIG. 1 The
[0040]
Subsequently, the upper visual
[0041]
Next, the position information of the
[0042]
Subsequently, the
[0043]
After chip mounting, the
[0044]
Next, sealing is performed. Here, the sealing of the
[0045]
Subsequently, the ball is attached. Here, a predetermined number of
[0046]
In the first embodiment, when obtaining the optical axis deviation amount of the upper and lower visual fields of the
[0047]
As described above, according to the first embodiment, when aligning the
[0048]
(Embodiment 2)
An example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the second embodiment will be described with reference to the recognition principle diagrams shown in FIGS. In the second embodiment, similarly to the first embodiment, the optical axis deviation amount of the vertical field of view of the
[0049]
First, as shown in FIG. 9, the
[0050]
Furthermore, the lower visual
[0051]
Then, the upper
[0052]
Next, the
[0053]
Next, as shown in FIG. 10, the
[0054]
Subsequently, the
[0055]
As described above, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the optical axis deviation amount of the vertical field of view of the
[0056]
(Embodiment 3)
The structure of the optical probe provided in the flip chip bonder according to the third embodiment will be described with reference to the recognition principle diagrams shown in FIGS.
[0057]
The
[0058]
Further, the optical system is surrounded by a cooling and
[0059]
As a result, even if the
[0060]
Chip bonding for bonding the
[0061]
First, as shown in FIG. 11, between the
[0062]
Furthermore, the lower visual
[0063]
Subsequently, the upper visual
[0064]
Next, as shown in FIG. 1 As a result, the
[0065]
Subsequently, the upper visual
[0066]
Next, the position information of the
[0067]
Subsequently, the
[0068]
Thus, according to the third embodiment, the
[0069]
The cooling and
[0070]
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say, there is.
[0071]
For example, in the above embodiment, the present invention has been described with respect to a manufacturing method in the case where the semiconductor device is a CSP. However, the chip and the chip support member may be assembled by being bonded by the chip bonding method of the above embodiment. Any semiconductor device manufacturing method can be applied.
[0072]
【The invention's effect】
Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
[0073]
When determining the position of the chip and the chip support member disposed opposite to the chip in chip bonding, the position of the chip and the chip support member based on the position information of the recognition mark of the chip and the position information of the recognition mark of the chip support member In addition, the position of the optical probe is corrected, and the optical axis deviation of the upper and lower visual fields of the optical probe is added to the correction of the position in advance to correct the optical axis deviation of the upper and lower visual fields and perform high-precision chip bonding. Can do.
[0074]
Further, the optical probe is surrounded by a cooling and heat insulation system, and the positions of the chip and the chip support member are obtained based on the position information of the chip recognition mark and the chip support member recognition mark, respectively. It is possible to perform highly accurate chip bonding in which deviation is suppressed.
[0075]
Further, since highly accurate chip bonding can be performed, disconnection or short-circuit due to misalignment between the semiconductor chip and the chip support member can be prevented, and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a structure of a flip chip bonder according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a state during chip bonding according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a CSP that is an example of a semiconductor device manufactured using the flip chip bonder according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 5 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 6 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the first embodiment of the present invention;
7 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 8 is a recognition principle diagram showing a chip / substrate position recognition method according to a modification of the chip / substrate position recognition method shown in FIG. 5;
FIG. 9 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the second embodiment of the present invention;
FIG. 10 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the second embodiment of the present invention;
FIG. 11 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the third embodiment of the present invention;
FIG. 12 is a recognition principle diagram showing an example of a chip / substrate position recognition method in the flip chip bonder according to the third embodiment of the present invention;
[Explanation of symbols]
1 Flip chip bonder
2 Bonding processing section
2a Mount stage
2b Bonding head
2c collet
2d optical probe
2d 1 Lower vision recognition camera
2d 2 Upper view recognition camera
2d Three prism
2d Four prism
2e Optical probe
3 Wiring board
3a Recognition mark
3b lead
3c wiring
3d opening
4 Semiconductor wafer
5 Semiconductor chip
5a Recognition mark
5b Main surface
5c pad
5d back side
6 XY table
7 recognition section
8 Wafer set part
8a Wafer support
8b Flip head
9 Wafer lifter
10 Transport section
11 Loader
12 Unloader
13 CSP
14 Bump electrode
15 Elastomer
16 Sealing part
17 First alignment jig
17a Lead pattern (recognition pattern)
18 Second alignment jig
18a Pad pattern (recognition pattern)
19 Optical probe
19a Recognition camera
20 First alignment jig
20a Lead pattern (recognition pattern)
21 Second alignment jig
21a Pad pattern (recognition pattern)
22 Cooling and heat insulation system
Claims (4)
(b)前記光学プローブの上視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像し、同時に前記光学プローブの下視野によって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、対向する前記両者の認識パターンの位置を求める工程と、
(c)求められた前記両者の認識パターンの位置に基づいて前記第1あわせ治具と前記第2あわせ治具とを位置合わせして接合する工程と、
(d)前記光学プローブの下視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第1あわせ治具の認識パターンの位置を求める工程と、
(e)前記光学プローブの上視野で求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの位置と前記光学プローブの下視野で求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの位置とのずれを求める工程とを有し、
半導体チップとチップ支持部材とを接合する際の位置補正に、前記ずれを前記光学プローブの上下視野の光軸ずれとして加味することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A) The first alignment jig and the second alignment jig are arranged vertically opposite to each other, and the first alignment jig is recognized between the first alignment jig and the second alignment jig. Arranging an optical probe capable of imaging a pattern and a recognition pattern of the second alignment jig;
(B) The recognition pattern of the first alignment jig is imaged by the upper visual field of the optical probe, and the recognition pattern of the second alignment jig is simultaneously imaged by the lower visual field of the optical probe. Obtaining a recognition pattern position;
(C) aligning and joining the first alignment jig and the second alignment jig based on the obtained positions of the recognition patterns of the both;
(D) imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the lower visual field of the optical probe to determine the position of the recognition pattern of the first alignment jig;
(E) The deviation between the position of the recognition pattern of the first alignment jig obtained from the upper visual field of the optical probe and the position of the recognition pattern of the first alignment jig obtained from the lower visual field of the optical probe. And a process to obtain,
A manufacturing method of a semiconductor device, wherein the shift is added as an optical axis shift of the vertical field of view of the optical probe in position correction when bonding the semiconductor chip and the chip support member.
(b)前記第1の光学プローブの上視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像し、同時に前記第1の光学プローブの下視野によって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、対向する前記両者の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(c)前記第2の光学プローブによって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第1あわせ治具の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(d)前記(b)工程で求められた対向する前記両者の認識パターンの中心座標に基づいて前記第1あわせ治具と前記第2あわせ治具とを位置合わせして重ね合わせる工程と、
(e)前記第2の光学プローブによって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第2あわせ治具の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(f)前記第2の光学プローブで求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの中心座標と前記第2あわせ治具の認識パターンの中心座標との差を求める工程とを有し、
半導体チップとチップ支持部材とを接合する際の位置補正に、前記差を前記第1の光学プローブの上下視野の光軸ずれとして加味することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A) A first alignment jig and a second alignment jig are arranged vertically opposite to each other, and the first alignment jig is recognized between the first alignment jig and the second alignment jig. Disposing a first optical probe capable of imaging a pattern and a recognition pattern of the second alignment jig, and disposing a second optical probe above the first alignment jig;
(B) Imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the upper visual field of the first optical probe, and simultaneously imaging the recognition pattern of the second alignment jig with the lower visual field of the first optical probe. Obtaining the center coordinates of the opposing recognition patterns of the two,
(C) imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the second optical probe to determine the center coordinates of the recognition pattern of the first alignment jig;
(D) a step of aligning and overlapping the first alignment jig and the second alignment jig based on the center coordinates of the opposing recognition patterns obtained in the step (b);
(E) imaging the recognition pattern of the second alignment jig with the second optical probe to determine the center coordinates of the recognition pattern of the second alignment jig;
(F) obtaining a difference between the center coordinate of the recognition pattern of the first alignment jig determined by the second optical probe and the center coordinate of the recognition pattern of the second alignment jig;
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the difference is taken into account as an optical axis shift of the vertical field of view of the first optical probe in position correction when the semiconductor chip and the chip support member are joined.
(b)前記光学プローブの上視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像し、同時に前記光学プローブの下視野によって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、対向する前記両者の認識パターンの位置を求める工程と、
(c)求められた前記両者の認識パターンの位置に基づいて前記第1あわせ治具と前記第2あわせ治具とを位置合わせして接合する工程と、
(d)前記光学プローブの下視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第1あわせ治具の認識パターンの位置を求める工程と、
(e)前記光学プローブの上視野で求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの位置と前記光学プローブの下視野で求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの位置とのずれを求める工程とを有し、
半導体チップとチップ支持部材とを接合する際の位置補正に、前記ずれを前記光学プローブの上下視野の光軸ずれとして加味することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A) A first alignment jig and a second alignment jig are arranged vertically opposite to each other, and the first alignment jig is recognized between the first alignment jig and the second alignment jig. A step of arranging an optical probe capable of capturing an image of a pattern and a recognition pattern of the second alignment jig and surrounded by a cooling and heat insulation system;
(B) The recognition pattern of the first alignment jig is imaged by the upper visual field of the optical probe, and the recognition pattern of the second alignment jig is simultaneously imaged by the lower visual field of the optical probe. Obtaining a recognition pattern position;
(C) a step of aligning and joining the first alignment jig and the second alignment jig based on the positions of the obtained recognition patterns;
(D) imaging a recognition pattern of the first alignment jig with a lower visual field of the optical probe to obtain a position of the recognition pattern of the first alignment jig;
(E) The deviation between the position of the recognition pattern of the first alignment jig obtained from the upper visual field of the optical probe and the position of the recognition pattern of the first alignment jig obtained from the lower visual field of the optical probe. And a process to obtain,
A manufacturing method of a semiconductor device, wherein the shift is added as an optical axis shift in the vertical field of view of the optical probe for position correction when bonding the semiconductor chip and the chip support member.
(b)前記第1の光学プローブの上視野によって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像し、同時に前記第1の光学プローブの下視野によって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、対向する前記両者の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(c)前記第2の光学プローブによって前記第1あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第1あわせ治具の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(d)前記(b)工程で求められた対向する前記両者の認識パターンの中心座標に基づいて前記第1あわせ治具と前記第2あわせ治具とを位置合わせして重ね合わせる工程と、
(e)前記第2の光学プローブによって前記第2あわせ治具の認識パターンを撮像して、前記第2あわせ治具の認識パターンの中心座標を求める工程と、
(f)前記第2の光学プローブで求められた前記第1あわせ治具の認識パターンの中心座標と前記第2あわせ治具の認識パターンの中心座標との差を求める工程とを有し、
半導体チップとチップ支持部材とを接合する際の位置補正に、前記差を前記第1の光学プローブの上下視野の光軸ずれとして加味することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A) A first alignment jig and a second alignment jig are arranged vertically opposite to each other, and the first alignment jig is recognized between the first alignment jig and the second alignment jig. A first optical probe that can capture an image of a pattern and a recognition pattern of the second alignment jig and is surrounded by a cooling and heat insulation system is disposed, and a second optical probe is disposed above the first alignment jig And a process of
(B) Imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the upper visual field of the first optical probe, and simultaneously imaging the recognition pattern of the second alignment jig with the lower visual field of the first optical probe. Obtaining the center coordinates of the opposing recognition patterns of the two,
(C) imaging the recognition pattern of the first alignment jig with the second optical probe to determine the center coordinates of the recognition pattern of the first alignment jig;
(D) a step of aligning and overlapping the first alignment jig and the second alignment jig based on the center coordinates of the opposing recognition patterns obtained in the step (b);
(E) imaging the recognition pattern of the second alignment jig with the second optical probe to determine the center coordinates of the recognition pattern of the second alignment jig;
(F) obtaining a difference between the center coordinate of the recognition pattern of the first alignment jig determined by the second optical probe and the center coordinate of the recognition pattern of the second alignment jig;
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the difference is taken into account as an optical axis shift of the vertical field of view of the first optical probe in position correction when the semiconductor chip and the chip support member are joined.
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