JPH03177821A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH03177821A JPH03177821A JP2321377A JP32137790A JPH03177821A JP H03177821 A JPH03177821 A JP H03177821A JP 2321377 A JP2321377 A JP 2321377A JP 32137790 A JP32137790 A JP 32137790A JP H03177821 A JPH03177821 A JP H03177821A
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/088—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element
- G09G2300/0895—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element having more than one selection line for a two-terminal active matrix LCD, e.g. Lechner and D2R circuits
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２つの支持板間に設けられた電気−光学表示媒
体と、行及び列に配列された画素のシステムとを具え、
各画素は前記支持板の対向面に配列された２つの画像電
極により画成し、ほかに前記画素を駆動する行及び列電
極のシステムと、前記画素及び行電極間で各画素に直列
に配列された少なくとも１つの第１の非対称非直線練性
スイッチング素子とを具える表示装置に関するものであ
る。
体と、行及び列に配列された画素のシステムとを具え、
各画素は前記支持板の対向面に配列された２つの画像電
極により画成し、ほかに前記画素を駆動する行及び列電
極のシステムと、前記画素及び行電極間で各画素に直列
に配列された少なくとも１つの第１の非対称非直線練性
スイッチング素子とを具える表示装置に関するものであ
る。
（従来の技術）
この種の表示装置は、液晶、電気泳動懸濁液及び電気ク
ロム材料のような受動電気−光学表示媒体によって文字
数字情報及びビデオ情報を表示するのに好適である。
ロム材料のような受動電気−光学表示媒体によって文字
数字情報及びビデオ情報を表示するのに好適である。
前述した種類の表示装置は公開されたオランダ国特許出
願第８７０１４２０号から既知である。このランダ国特
許出願に示される表示装置では、画素を各行に対して調
整してこれら画素に関連する容量をこれらが先ず最初迅
速に（又は不正確に）放電又は充電した後に正確に充電
又は放電させるようにする。この目的のために、かかる
画像表示装置には、画像表示に用いられる電圧範囲を越
えて、又は電圧範囲の極限値で画素の両端間に補助電圧
を選択前に印加する手段を設ける。
願第８７０１４２０号から既知である。このランダ国特
許出願に示される表示装置では、画素を各行に対して調
整してこれら画素に関連する容量をこれらが先ず最初迅
速に（又は不正確に）放電又は充電した後に正確に充電
又は放電させるようにする。この目的のために、かかる
画像表示装置には、画像表示に用いられる電圧範囲を越
えて、又は電圧範囲の極限値で画素の両端間に補助電圧
を選択前に印加する手段を設ける。
（発明が解決しようとする！Ｊ！題）
成る例では、これを、好適に選定された基準電圧点に接
続されたダイオードによって実現する。
続されたダイオードによって実現する。
かかる表示装置の欠点は、電圧ラインを、基準電圧に対
し列方向に画素間に設ける必要があることである０通常
１つ又は２つの列電極を画素の列間に交互に即ち基準電
圧に対し１つの電極、２つの列電極等を設ける。かかる
分割は有効画像表面区域を犠牲にするだけでなく、画像
にアーティファクトを生ずるようになる。
し列方向に画素間に設ける必要があることである０通常
１つ又は２つの列電極を画素の列間に交互に即ち基準電
圧に対し１つの電極、２つの列電極等を設ける。かかる
分割は有効画像表面区域を犠牲にするだけでなく、画像
にアーティファクトを生ずるようになる。
又、第２の欠点は、画像電極、列電極及びスイッチング
素子を全く同一の支持板上に形成すると共に列電極を、
基準電圧に対する電極と同様に金属ラインとして実現す
ることができる０次いで行電極を他の支持板上に設ける
と同時に、これによって画像電極の対向電極を構成する
。これがため、これら行電極は、例えばインジウム錫酸
化物より戒り、幅が画像電極の高さに等しい光透過電極
として形成する。かかるインジウム錫酸化物電極は通常
抵抗値が高く、従って１ライン周期中の充電を必ずしも
正確に行うことはできない。
素子を全く同一の支持板上に形成すると共に列電極を、
基準電圧に対する電極と同様に金属ラインとして実現す
ることができる０次いで行電極を他の支持板上に設ける
と同時に、これによって画像電極の対向電極を構成する
。これがため、これら行電極は、例えばインジウム錫酸
化物より戒り、幅が画像電極の高さに等しい光透過電極
として形成する。かかるインジウム錫酸化物電極は通常
抵抗値が高く、従って１ライン周期中の充電を必ずしも
正確に行うことはできない。
又、いわゆるデルタ−カラーフィルタ構造を、かかる表
示装置に特定の手段を講じることなく用いることはでき
ない。
示装置に特定の手段を講じることなく用いることはでき
ない。
本発明の目的は、大きな有効表面区域を有し、且つデル
タ−カラーフィルタ構造を容易に適用し得る上述した種
類の表示装置を提供せんとするにある。
タ−カラーフィルタ構造を容易に適用し得る上述した種
類の表示装置を提供せんとするにある。
本発明の他の目的は、画素の正確な調整を行う得る表示
装置を提供せんとするにある。
装置を提供せんとするにある。
本発明は、特に記憶された電荷を用いて画像表示に使用
すべき範囲を著しく越えて画素を放電又は充電し得ると
云う認識を基として威したものである。
すべき範囲を著しく越えて画素を放電又は充電し得ると
云う認識を基として威したものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は２つの支持板間に設けられた電気−光学表示媒
体と、行及び列に配列された画素のシステムとを具え、
各画素は前記支持板の対向面に配列された２つの画像電
極により画成し、ほかに前記画素を駆動する行及び列電
極のシステムと、前記画素及び行電極間で各画素に直列
に配列された少なくとも１つの第１の非対称非直線練性
スイッチング素子とを具える表示装置において、前記画
素及びノード間の第１の非対称非直線性スイッチング素
子に直列に配列された少なくとも１つの第２の非対称非
直線性スイッチング素子を画素の位置に具え、且つ前記
第１及び第２非直線性スイッチング素子の直列配置に並
列に配列さた少なくとも１つの容量性素子を画素の位置
に具えることを特徴とする。
体と、行及び列に配列された画素のシステムとを具え、
各画素は前記支持板の対向面に配列された２つの画像電
極により画成し、ほかに前記画素を駆動する行及び列電
極のシステムと、前記画素及び行電極間で各画素に直列
に配列された少なくとも１つの第１の非対称非直線練性
スイッチング素子とを具える表示装置において、前記画
素及びノード間の第１の非対称非直線性スイッチング素
子に直列に配列された少なくとも１つの第２の非対称非
直線性スイッチング素子を画素の位置に具え、且つ前記
第１及び第２非直線性スイッチング素子の直列配置に並
列に配列さた少なくとも１つの容量性素子を画素の位置
に具えることを特徴とする。
容量性素子は、そのままで、電圧伝達範囲を十分に越え
て画素を充放電し得る（正又は負の）電荷を荷電する電
荷リザーバとして作用する。この充電又は放電は、列電
極と同一方向に同一支持板上の基準電極を経て最早や行
われず、行方向に基準電極を経て行われるようになる０
行方向の電極（行及び基準電極）は、低オーム金属細条
として実現でき、従って多数の欠点（高い行抵抗、デル
タ−カラーフィルタ構造の問題点）を排除することがで
きる。
て画素を充放電し得る（正又は負の）電荷を荷電する電
荷リザーバとして作用する。この充電又は放電は、列電
極と同一方向に同一支持板上の基準電極を経て最早や行
われず、行方向に基準電極を経て行われるようになる０
行方向の電極（行及び基準電極）は、低オーム金属細条
として実現でき、従って多数の欠点（高い行抵抗、デル
タ−カラーフィルタ構造の問題点）を排除することがで
きる。
本発明表示装置の実施に当り行電極の少なくとも一部分
によって前記容量性素子の第１電極を構成する。
によって前記容量性素子の第１電極を構成する。
本発明表示装置の好適な例では、行に関連する画素のノ
ードを相互接続して共通電極を形成し、この共通電極を
少なくとも第３の非直線性スイッチング素子を経て外部
接続部に接続し得るようにする。電荷リザーバの電荷の
レベルはこの接続部を経て保持する。
ードを相互接続して共通電極を形成し、この共通電極を
少なくとも第３の非直線性スイッチング素子を経て外部
接続部に接続し得るようにする。電荷リザーバの電荷の
レベルはこの接続部を経て保持する。
第３の非直線性スイッチング素子は実際の表示装置の内
部又は外部に設けることができる。
部又は外部に設けることができる。
前記共通電極によって容量性素子の第２電極を構成する
のが好適である。
のが好適である。
これがため、画素の行に関連する容量性素子を、２つの
ほぼ上方にある金属ライン及びその間に介装さた誘電体
材料の層によって形成することができる。この場合には
画像にアーティファクトが発生するのを防止することも
できた。
ほぼ上方にある金属ライン及びその間に介装さた誘電体
材料の層によって形成することができる。この場合には
画像にアーティファクトが発生するのを防止することも
できた。
本発明表示装置の他の好適な例では前記容量性素子に並
列に非直線性抵抗素子を配列する。前記容量性素子及び
非直線性抵抗素子は金属−分離体金属素子として構成す
ることができる。非直線性抵抗素子を流れる漏洩電流に
よって電荷リザーバに給電を行うことができる。
列に非直線性抵抗素子を配列する。前記容量性素子及び
非直線性抵抗素子は金属−分離体金属素子として構成す
ることができる。非直線性抵抗素子を流れる漏洩電流に
よって電荷リザーバに給電を行うことができる。
前記金属−分離体−金属素子の第１電極によって行電極
の一部分を形成することができる。
の一部分を形成することができる。
この場合には画素の行に関連する金属−分離体−金属素
子は、行電極及び金属細条のほぼ上方にある、又は下方
にある行並びにその間に介装された誘電体材料の層によ
って形成することができる。
子は、行電極及び金属細条のほぼ上方にある、又は下方
にある行並びにその間に介装された誘電体材料の層によ
って形成することができる。
例えば、抵抗値の低い金属層又は細条に対しタンタルを
選定することができ、誘電体材料の層に対しタンタル酸
化物を選定することができる。タンタル酸化物は電着に
よって堆積することができる。又、例えば、金属層又は
細条に対しクロム又はアル４ニウムを選定することがで
き、更に、誘電体材料としてシリコン窒化物又は酸窒化
物（オキシナイトライド）を選定し、これをスパッタリ
ング又は蒸着技術により被着することができる。
選定することができ、誘電体材料の層に対しタンタル酸
化物を選定することができる。タンタル酸化物は電着に
よって堆積することができる。又、例えば、金属層又は
細条に対しクロム又はアル４ニウムを選定することがで
き、更に、誘電体材料としてシリコン窒化物又は酸窒化
物（オキシナイトライド）を選定し、これをスパッタリ
ング又は蒸着技術により被着することができる。
非直線性スイッチング素子に対しては、例えばＰｎダイ
オード、ショットキーダイオード、ＰＩＮダイオードの
ようダイオードを選定するのが好適であるが、例えば単
結晶、多結晶又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅその
他の半導体材料に形成された短絡ベース−コレクタを有
するトランジスタのような他の非対称非直線性スイッチ
ング素子を用いることもできる。又、これらダイオード
は垂直方向及び水平方向に形成することができる。
オード、ショットキーダイオード、ＰＩＮダイオードの
ようダイオードを選定するのが好適であるが、例えば単
結晶、多結晶又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅその
他の半導体材料に形成された短絡ベース−コレクタを有
するトランジスタのような他の非対称非直線性スイッチ
ング素子を用いることもできる。又、これらダイオード
は垂直方向及び水平方向に形成することができる。
或いは又、冗長度の理由で、非対称非直線性スイッチン
グ素子を複数のサブ素子から形成することができる。
グ素子を複数のサブ素子から形成することができる。
全ての画素を均一に充電又は放電するためには、リセッ
ト電圧中、列電圧を零電圧に保持するのが有利である。
ト電圧中、列電圧を零電圧に保持するのが有利である。
又、リセッ＋−を圧を低くすることもできる。
（実施例）
図面につき本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明表示装置１、例えば液晶表示装置の一部
分をブロック図で示す０行及び列に配列された画素２は
列電極３及び行電極４のシステムの交差区域に位置させ
る０画像電極２と行電極４との間に非対称非直線スイッ
チング素子、本例ではダイオード５を配列する。各ダイ
オード５は画素２の画像電極６に接続する。他方の画像
電極７は列電極３（第１図参照）に接続する。
分をブロック図で示す０行及び列に配列された画素２は
列電極３及び行電極４のシステムの交差区域に位置させ
る０画像電極２と行電極４との間に非対称非直線スイッ
チング素子、本例ではダイオード５を配列する。各ダイ
オード５は画素２の画像電極６に接続する。他方の画像
電極７は列電極３（第１図参照）に接続する。
又、第１図の表示装置は第１ダイオード６に直列に配列
された第２ダイオード８を具え、容量性素子１０を、行
電極４と、ダイオード８及び容量性素子１０に共通のノ
ード９との間に、２つのダイオード６．８の直列接続部
に並列に配列する。本例ではノード９は行電極１１によ
って相互接続し、この行電極はダイオード１２ （又は
他の非対称非直線性スイッチング素子）を経て基準電圧
Ｖｒｅｆの端子１３に接続する。又、本例では行及び列
電極に端子１４及び１５を夫々設ける。後述するように
、図示の表示装置は、前述したオランダ国特許出願第８
７０１４２０号に記載されたような駆動モードと同様の
駆動モードによって駆動することができる。
された第２ダイオード８を具え、容量性素子１０を、行
電極４と、ダイオード８及び容量性素子１０に共通のノ
ード９との間に、２つのダイオード６．８の直列接続部
に並列に配列する。本例ではノード９は行電極１１によ
って相互接続し、この行電極はダイオード１２ （又は
他の非対称非直線性スイッチング素子）を経て基準電圧
Ｖｒｅｆの端子１３に接続する。又、本例では行及び列
電極に端子１４及び１５を夫々設ける。後述するように
、図示の表示装置は、前述したオランダ国特許出願第８
７０１４２０号に記載されたような駆動モードと同様の
駆動モードによって駆動することができる。
第２図は第１図の表示装置１の一部分を平面図で示す０
画素の位置における画像電極６のマトリックスは第１の
支持板１６に設ける。これら画像電極６は夫々線図的に
示すダイオード５及び８を経て行電極４及び上方にある
電極１１に夫々接続する。
画素の位置における画像電極６のマトリックスは第１の
支持板１６に設ける。これら画像電極６は夫々線図的に
示すダイオード５及び８を経て行電極４及び上方にある
電極１１に夫々接続する。
本例では行電極４をタンタルで造り、その上に例えばア
ルミニウムのｆｉｌｌを堆積する前に、タンタル酸化物
の層を陽極酸化により堆積する。このタンタル−タンタ
ル酸化物−アルミニウム構体は、電極４及び１１間にそ
の長さ全部に亘る（分割）容量を構成し、この容量を第
１図の容量性素子ｌＯの実際の構成とする。
ルミニウムのｆｉｌｌを堆積する前に、タンタル酸化物
の層を陽極酸化により堆積する。このタンタル−タンタ
ル酸化物−アルミニウム構体は、電極４及び１１間にそ
の長さ全部に亘る（分割）容量を構成し、この容量を第
１図の容量性素子ｌＯの実際の構成とする。
例えばインジウム錫酸化物の画像電極７を他の支持板に
配列し、本例ではこれら電極を列電極と一致させるよう
にする。第２図においてこれら電極を破線１７で示す。
配列し、本例ではこれら電極を列電極と一致させるよう
にする。第２図においてこれら電極を破線１７で示す。
かくして形成した両支持板に所望に応じて保護コーティ
ング及び／又はオリエンティング材料の層を設けた後、
スペーサを密封及び充填により設け、その後全体に所望
に応じ、偏光子、反射器等を設けた後既知のように表示
装置を完成する。
ング及び／又はオリエンティング材料の層を設けた後、
スペーサを密封及び充填により設け、その後全体に所望
に応じ、偏光子、反射器等を設けた後既知のように表示
装置を完成する。
第１及び２図の表示装置は、行方向に画素の行当り２つ
の金属導体を具える。しかし、これら金属導体は互に上
下に配列し、従って、２つの金属細条及び１つの金属細
条を画素列間に交互に位置させるようにした前記オラン
ダ国特許出願第８７０１４２０号の装置に対し、画素の
有効表面区域を増大させることができる。又、これによ
りアーティファクトの発生をも低減させることができる
０行電極を金属トラックの形状とするため、画素は充電
時間が短くなり、従って一層正確な調整を行うことがで
きる。更に、カラーフィルタ（例えば、いわゆるデルタ
構体）をも広範囲に選定することができる。
の金属導体を具える。しかし、これら金属導体は互に上
下に配列し、従って、２つの金属細条及び１つの金属細
条を画素列間に交互に位置させるようにした前記オラン
ダ国特許出願第８７０１４２０号の装置に対し、画素の
有効表面区域を増大させることができる。又、これによ
りアーティファクトの発生をも低減させることができる
０行電極を金属トラックの形状とするため、画素は充電
時間が短くなり、従って一層正確な調整を行うことがで
きる。更に、カラーフィルタ（例えば、いわゆるデルタ
構体）をも広範囲に選定することができる。
或いは又、ダイオード５．８．１２に対して他の非対称
非直線性スイッチング素子、例えばＰＩＮダイオード、
シヲットキーダイオード、又は冗長度の関係で複数個の
ダイオードの直列又は並列配置を選択することができる
。非対称非直線性スイチング素子を広い電圧範囲に耐え
得るようにする必要がある場合には上記直列配置を用い
るのが有利である。
非直線性スイッチング素子、例えばＰＩＮダイオード、
シヲットキーダイオード、又は冗長度の関係で複数個の
ダイオードの直列又は並列配置を選択することができる
。非対称非直線性スイチング素子を広い電圧範囲に耐え
得るようにする必要がある場合には上記直列配置を用い
るのが有利である。
図示の装置は、画素の両端間の平均電圧に対し、シホル
ド電圧、Ｖｓａ ｔ は電気−光学効果の飽和電圧）
、従って画素１２の画像表示に対する電圧の絶対値をｖ
ｔｈ及びＶｓａｔの範囲にほぼ限定するようにした駆動
方法を用いるのに極めて好適である。
ド電圧、Ｖｓａ ｔ は電気−光学効果の飽和電圧）
、従って画素１２の画像表示に対する電圧の絶対値をｖ
ｔｈ及びＶｓａｔの範囲にほぼ限定するようにした駆動
方法を用いるのに極めて好適である。
列電極３のデータ電圧Ｖｄに依存し、画素２の電圧値が
最大でＶｃ ＋ Ｖｄｍａｘ ＝ Ｖｓａ ｔ、最小で
Ｖｃ −Ｖｄｍａｘ＝ｖｔｈである場合には、ブレカス
ケールに関する限り満足する作動が得られるようになる
。上式からＶｃを消去すると次式が得られる。
最大でＶｃ ＋ Ｖｄｍａｘ ＝ Ｖｓａ ｔ、最小で
Ｖｃ −Ｖｄｍａｘ＝ｖｔｈである場合には、ブレカス
ケールに関する限り満足する作動が得られるようになる
。上式からＶｃを消去すると次式が得られる。
Ｖｄ ｖｌａｘ ＝１／２（Ｖｓａｔ Ｖｔｈ）、
即ち一１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）≦Ｖｄｍａｘ≦１／
２ （Ｖｓａ ｔ −Ｖ ｔｈ）画素２の行を例えば正
に充電するためには、関連する行電極４に選択電圧Ｖｓ
＝ −Ｖｏｎ ｒ −１／２ （Ｖｓａ ｔ＋Ｖｔｈ
）を与える。ここにＶｏｎ 、はダイオード５の順方向
電圧である。これがため、画素２の電圧はＶｄ−Ｖｏｎ
、−Ｖｓとなる。これは−１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）
＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ＝Ｖｔｈ と、１／
２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＋１／２Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ）
＝Ｖｓａｔとの間の範囲となり、Ｖｄに依存する。
即ち一１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）≦Ｖｄｍａｘ≦１／
２ （Ｖｓａ ｔ −Ｖ ｔｈ）画素２の行を例えば正
に充電するためには、関連する行電極４に選択電圧Ｖｓ
＝ −Ｖｏｎ ｒ −１／２ （Ｖｓａ ｔ＋Ｖｔｈ
）を与える。ここにＶｏｎ 、はダイオード５の順方向
電圧である。これがため、画素２の電圧はＶｄ−Ｖｏｎ
、−Ｖｓとなる。これは−１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）
＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ＝Ｖｔｈ と、１／
２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＋１／２Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ）
＝Ｖｓａｔとの間の範囲となり、Ｖｄに依存する。
上述した選択を行わない場合には、以下の要求を満足さ
せる必要がある。即ちダイオード５及びダイオード８の
双方が導通し得ない。換言すれば、ノード１８の電圧ｖ
Ａに対しては、 ■、≦Ｖｎｓ 、 ・・・（１）ｖＡ≦Ｖ
ｌｉｎｅ −（２）ここにＶｎｓ １は非選
択電圧Ｖｌｉｎｅはライン１１の電圧であり、 又、ＶＡｍａｘ≦Ｖｎｓ ＋ ・”
（１）及びＶＡｍｉｎ≧Ｖｌｉｎｅ＝ Ｖｎｓ、 Ｖ
ｃｌｉ −（２）ここにＶｃｌｉは容量性素子１０の
最小必要電圧であり、この電圧で容量性素子は電荷リザ
ーバとして作用する。
せる必要がある。即ちダイオード５及びダイオード８の
双方が導通し得ない。換言すれば、ノード１８の電圧ｖ
Ａに対しては、 ■、≦Ｖｎｓ 、 ・・・（１）ｖＡ≦Ｖ
ｌｉｎｅ −（２）ここにＶｎｓ １は非選
択電圧Ｖｌｉｎｅはライン１１の電圧であり、 又、ＶＡｍａｘ≦Ｖｎｓ ＋ ・”
（１）及びＶＡｍｉｎ≧Ｖｌｉｎｅ＝ Ｖｎｓ、 Ｖ
ｃｌｉ −（２）ここにＶｃｌｉは容量性素子１０の
最小必要電圧であり、この電圧で容量性素子は電荷リザ
ーバとして作用する。
上記式（１）から次式を得ることができる。
Ｖｎｓ ＋ ≧ ＶＡｍａｘ ＝ １／２（Ｖｓ
ａｔ−Ｖｔｈ） −Ｖｔｈ ・・・（３）及び上記
式（２）から次式を得る。
ａｔ−Ｖｔｈ） −Ｖｔｈ ・・・（３）及び上記
式（２）から次式を得る。
Ｖｎｓ １−Ｖｃｌ ｉ≦ＶＡｍｉｎ ＝ １／２（
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−Ｖｓａ ｔ ・・・（４） 従ってＶｃｌｉに対して次式を得る。
Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−Ｖｓａ ｔ ・・・（４） 従ってＶｃｌｉに対して次式を得る。
Ｖｃｌｉ ≧Ｖｎｓ＋ ＋１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）
＋Ｖｓａｔ−２（Ｖｓａ ｔ −Ｖ ｔｈ） ”・
（５）次のフレーム又はフィールド周期において、反転
データ電圧で次の選択時に画素２の同一行を負に充電す
るためには、これら画素を最初に、行電極１１のリセッ
ト電圧Ｖｒｅｓｅｔによって更に負に充電する０次いで
同一ライン周期又は次の周期で選択行電極は選択電圧Ｖ
ｓｚ ＝−Ｖｏｎ＋＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ）を受
ける。更に負に充電された画素２はダイオード５を経て
Ｖｄ Ｖｏｎｌ Ｖｓｚに、即ち一１／２（Ｖｓａ
ｔ−Ｖｔｈ） １／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ＝−Ｖ
ｓａｔと、１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−１／２（Ｖｓ
ａｔ＋Ｖｔｈ） ＝−Ｖｔｈとの間の値に充電され、従
って符号が逆の情報が画素２に存在するようになる。
＋Ｖｓａｔ−２（Ｖｓａ ｔ −Ｖ ｔｈ） ”・
（５）次のフレーム又はフィールド周期において、反転
データ電圧で次の選択時に画素２の同一行を負に充電す
るためには、これら画素を最初に、行電極１１のリセッ
ト電圧Ｖｒｅｓｅｔによって更に負に充電する０次いで
同一ライン周期又は次の周期で選択行電極は選択電圧Ｖ
ｓｚ ＝−Ｖｏｎ＋＋１／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ）を受
ける。更に負に充電された画素２はダイオード５を経て
Ｖｄ Ｖｏｎｌ Ｖｓｚに、即ち一１／２（Ｖｓａ
ｔ−Ｖｔｈ） １／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） ＝−Ｖ
ｓａｔと、１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）−１／２（Ｖｓ
ａｔ＋Ｖｔｈ） ＝−Ｖｔｈとの間の値に充電され、従
って符号が逆の情報が画素２に存在するようになる。
電圧が更に負に充電されると、容量性素子はΔＶｃ、の
量の電荷の一部分が消失するようになることを考慮する
必要がある。量ΔＶｃ、は画素２（従って容量Ｃｐ）が
Ｖｓａ ｔから−Ｖｓａｔに変化する際に最大となる。
量の電荷の一部分が消失するようになることを考慮する
必要がある。量ΔＶｃ、は画素２（従って容量Ｃｐ）が
Ｖｓａ ｔから−Ｖｓａｔに変化する際に最大となる。
次いで容量ＣＩは次式で示す量だけ放電する。
ｐ
ΔＶｃ、 ＝ ２Ｖｓａｔ
・・・（６）Ｉ ΔＶｃ、を小さな値に保持するためには、比Ｃ１／Ｃｐ
〉１、例えば５〜１０に選択するのが好適である。
・・・（６）Ｉ ΔＶｃ、を小さな値に保持するためには、比Ｃ１／Ｃｐ
〉１、例えば５〜１０に選択するのが好適である。
この目的のために、第２図に示すように金属ライン４，
１１を互に上下に配列し、その間に誘電体を中間層とし
て介装して第２図に画像電極６により両底される１つの
画素の各幅に対し値ＣＩを有する容量が形成されるよう
にする。例えば下側のライン４は陽極酸化されたタンタ
ルで造り、ピンホールのないタンタル酸化物の誘電体を
形成し、その誘電率を高くする、（ε、、〜２４）。金
属ラインの幅を１つの画素の高さの１／１５とすること
により、液晶混合物をメルク社のＺＬＩ８４４６０ （
εｒ〜６）とし、画素及びタンタル酸化物の厚さを夫々
４．５μ僧及び０．１２μｍとすると、次式が成立する
。
１１を互に上下に配列し、その間に誘電体を中間層とし
て介装して第２図に画像電極６により両底される１つの
画素の各幅に対し値ＣＩを有する容量が形成されるよう
にする。例えば下側のライン４は陽極酸化されたタンタ
ルで造り、ピンホールのないタンタル酸化物の誘電体を
形成し、その誘電率を高くする、（ε、、〜２４）。金
属ラインの幅を１つの画素の高さの１／１５とすること
により、液晶混合物をメルク社のＺＬＩ８４４６０ （
εｒ〜６）とし、画素及びタンタル酸化物の厚さを夫々
４．５μ僧及び０．１２μｍとすると、次式が成立する
。
更に、Ｖｓａｔ二３．５Ｖとすると、式（６）からΔＶ
ｃｔ 二０．７■を得ることができる。前述したように
、更に負の充電が進むと、上記値を考慮する必要がある
。
ｃｔ 二０．７■を得ることができる。前述したように
、更に負の充電が進むと、上記値を考慮する必要がある
。
この目的のために用いるリセット電圧に対しては、最悪
の場合に、即ち最高の電圧（Ｖｄ ＝ １／２（Ｖｓａ
ｔ−Ｖｔｈ））が列電極３に存在する場合にこれを保持
し、次式で示されるようになる。
の場合に、即ち最高の電圧（Ｖｄ ＝ １／２（Ｖｓａ
ｔ−Ｖｔｈ））が列電極３に存在する場合にこれを保持
し、次式で示されるようになる。
Ｖｒｅｓｅｔ≧Ｖ、ｍａｘ ＋ Ｖｏｎ、 ＋ Ｖｃｌ
ｉ ＋ΔＶｃｔ又は Ｖｒｅｓｅｔ≧１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） ＋Ｖｓ
ａｔ＋ Ｖｏｎｔ ＋２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）＋ΔＶ
ｃｔ −（７）ここにＶｏｎ ｚはリセット期間の終
りにおけるダイオード８の電圧である。
ｉ ＋ΔＶｃｔ又は Ｖｒｅｓｅｔ≧１／２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ） ＋Ｖｓ
ａｔ＋ Ｖｏｎｔ ＋２（Ｖｓａｔ −Ｖｔｈ）＋ΔＶ
ｃｔ −（７）ここにＶｏｎ ｚはリセット期間の終
りにおけるダイオード８の電圧である。
充電が更に負に向い、画素２の次の正確な負調整の後、
非選択電圧Ｖｎｓｚを再び行電極４に供給する。従って
再び次式が成立する。
非選択電圧Ｖｎｓｚを再び行電極４に供給する。従って
再び次式が成立する。
ＶＡｗａｘ≦Ｖｎｓ ｔ −（８）ＶＡｍｉ
ｎ ≧ Ｖｌｉｎｅ −（９）又は Ｖｎｓｚ≧ＶＡｍａｘ ＝ １／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ
） 十Ｖｓａｔ・・・（Ｉ（Ｉ）（負に選択） 及び Ｖｎｓ２−Ｖｃｌ ≦ＶＡｍｉｎ ＝ −１／２ （Ｖ
ｓａｔ−Ｖｔｈ）ｖｔｈ ・・・００ ココニｖｃＬ＝ｖＣ１ｉ ＋ΔＶｃ１ 式（１０）に式０１）を代入して次式を得る。
ｎ ≧ Ｖｌｉｎｅ −（９）又は Ｖｎｓｚ≧ＶＡｍａｘ ＝ １／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ
） 十Ｖｓａｔ・・・（Ｉ（Ｉ）（負に選択） 及び Ｖｎｓ２−Ｖｃｌ ≦ＶＡｍｉｎ ＝ −１／２ （Ｖ
ｓａｔ−Ｖｔｈ）ｖｔｈ ・・・００ ココニｖｃＬ＝ｖＣ１ｉ ＋ΔＶｃ１ 式（１０）に式０１）を代入して次式を得る。
Ｖｃ、≧Ｖｎｓｚ＋１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） −Ｖ
ｔｈ＝ ２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ・−Ｑ２）値Ｖ
ｓ、を有する次の選択パルスで、画素２を再び正に充電
すると同時に容量性素子１０（Ｃ，）を第３ダイオード
１２を経て正に充電する。
ｔｈ＝ ２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ・−Ｑ２）値Ｖ
ｓ、を有する次の選択パルスで、画素２を再び正に充電
すると同時に容量性素子１０（Ｃ，）を第３ダイオード
１２を経て正に充電する。
接続点１３に接続すべき基準電圧Ｖｒｅｆに対しては次
式が成立する。
式が成立する。
Ｖｒｅｆ−Ｖｓｌ ＋Ｖｃｌｉ≧Ｖｏｎ ＊ 又は
Ｖｒｅｆ＝Ｖｓ＋ −Ｖｃｌｉ ＋Ｖｏｎｓ
−Ｑ３）ここにＶｏｎ ３は選択期間ｔ□の終わりに
おけるダイオード１２の電圧降下である。Ｖｃｌ＋＝
２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）とすると次式が成立する。
Ｖｒｅｆ＝Ｖｓ＋ −Ｖｃｌｉ ＋Ｖｏｎｓ
−Ｑ３）ここにＶｏｎ ３は選択期間ｔ□の終わりに
おけるダイオード１２の電圧降下である。Ｖｃｌ＋＝
２ （Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）とすると次式が成立する。
Ｖｒｅｆ＝−Ｌ／２（Ｖｓａｔ＋Ｖｔｈ） −Ｖｏｎ＋
２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）十Ｖｏｒ＋１ ・・・
（１３ 画素の行に対する行電極４の駆動信号を第３ａ図に示す
。又、第３ｂ図はライン１１の関連する電圧を示し、第
３Ｃ図は容量性素子の電圧を示す。
２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）十Ｖｏｒ＋１ ・・・
（１３ 画素の行に対する行電極４の駆動信号を第３ａ図に示す
。又、第３ｂ図はライン１１の関連する電圧を示し、第
３Ｃ図は容量性素子の電圧を示す。
図示の平衡状態においては、容量性素子１４により充填
されるリザーバを充分に正に（−２（Ｖｓａｔ −Ｖｔ
ｈ）の値に）充電して容量結合による電荷の損失をリセ
ットパルス中再び補償し得るようにする。
されるリザーバを充分に正に（−２（Ｖｓａｔ −Ｖｔ
ｈ）の値に）充電して容量結合による電荷の損失をリセ
ットパルス中再び補償し得るようにする。
第１及び２図による表示装置をスイッチオンすると、容
量性素子１０（ＣＩ）の電圧は零Ｖとなる。行電極４の
各リセットパルス（使用に応じ２５．３０５０又は６０
時間／秒）において、容量性素子ＣＩは、ダイオード１
２が選択パルス中導通を開始してＣＩが僅かに正に充電
されるまで、僅かに負の電圧に充電される。これがため
、第３図の状態が得られる。
量性素子１０（ＣＩ）の電圧は零Ｖとなる。行電極４の
各リセットパルス（使用に応じ２５．３０５０又は６０
時間／秒）において、容量性素子ＣＩは、ダイオード１
２が選択パルス中導通を開始してＣＩが僅かに正に充電
されるまで、僅かに負の電圧に充電される。これがため
、第３図の状態が得られる。
ダイオード１２のカットオフ電圧に対してはダイオード
が次式で示されるように高い値に到達し得るようになる
。
が次式で示されるように高い値に到達し得るようになる
。
ｖエ ≦１／２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ） ＋Ｖｓａｔ＋
Ｖｏｎｚ−Ｖｒｅｆ・・・０４） 従って１つのダイオード１２の代りに複数のダイオード
を直列に用いて各ダイオードに対するカットオフ電圧が
低くなるようにする。これによっても所望の冗長度を得
ることができる。その理由はダイオード１２によって、
リセット中、全部の行（ｎ画素）に対しほぼダイオード
５のｎ倍の電流を供給する必要がある。電流密度を同一
の所望値とすることによって、このダイオードもダイオ
ード５のほぼｎ倍の電流密度となる。又、ダイオード１
２も複数のライン１１に対し共通とすることができる。
Ｖｏｎｚ−Ｖｒｅｆ・・・０４） 従って１つのダイオード１２の代りに複数のダイオード
を直列に用いて各ダイオードに対するカットオフ電圧が
低くなるようにする。これによっても所望の冗長度を得
ることができる。その理由はダイオード１２によって、
リセット中、全部の行（ｎ画素）に対しほぼダイオード
５のｎ倍の電流を供給する必要がある。電流密度を同一
の所望値とすることによって、このダイオードもダイオ
ード５のほぼｎ倍の電流密度となる。又、ダイオード１
２も複数のライン１１に対し共通とすることができる。
第４及び５図は第１及び２図の表示装置の変形例を示す
。第２図のライン１１は周期的に断続すると共に第４図
のノード９に相当する金属細条１９を構成する。これと
同時に、金属細条１９は、例えばタンタルの電極４、タ
ンタル酸化物の介装誘電体及び電極１９を具える金属−
分離（絶縁）体−金属構体の電極を構成する。かように
して実現したＭＩＭ素子は、第４図に、容量性素子１０
及び非直線性抵抗体２００組合せにより示す、従って、
同一番号は第１．２図に示す素子と同一の素子を示す。
。第２図のライン１１は周期的に断続すると共に第４図
のノード９に相当する金属細条１９を構成する。これと
同時に、金属細条１９は、例えばタンタルの電極４、タ
ンタル酸化物の介装誘電体及び電極１９を具える金属−
分離（絶縁）体−金属構体の電極を構成する。かように
して実現したＭＩＭ素子は、第４図に、容量性素子１０
及び非直線性抵抗体２００組合せにより示す、従って、
同一番号は第１．２図に示す素子と同一の素子を示す。
リセットパルスにより更に負に充電する際には、容量性
素子の正方向への充電は、ＭＩＭ素子の可変抵抗２０を
経て行う。これがため、容量性素子１０（Ｃ１）のＶｃ
、≧２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）の電圧値で、非直線性抵抗
２０を経る漏洩をほぼ無視することができ、従って２つ
のリセットパルス（例えば３０ｍ５）間の期間における
ΔＶｃｔｚの放電に対し、次式が成立する。
素子の正方向への充電は、ＭＩＭ素子の可変抵抗２０を
経て行う。これがため、容量性素子１０（Ｃ１）のＶｃ
、≧２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ）の電圧値で、非直線性抵抗
２０を経る漏洩をほぼ無視することができ、従って２つ
のリセットパルス（例えば３０ｍ５）間の期間における
ΔＶｃｔｚの放電に対し、次式が成立する。
ΔＶＣＬ！ （Ｖｃｔ ・”Ｑ５）この場
合にも容量Ｃ１の電圧はスイッチオン時の各リセットパ
ルスで僅かだけ負となり、リセットパルレス当りの最大
（直はΔＶＣＬ ＋ ＝ＣＩ）／ＣＩ ・２Ｖｓａｔ（
式（６）参照）。これがため、２つのリセットパルス間
の期間に非直線性抵抗２０の漏洩電流によりこの負の充
電が補償されるまで上述した状態が継続する。次いで安
定状態に到達し、次式が得られるようになる。
合にも容量Ｃ１の電圧はスイッチオン時の各リセットパ
ルスで僅かだけ負となり、リセットパルレス当りの最大
（直はΔＶＣＬ ＋ ＝ＣＩ）／ＣＩ ・２Ｖｓａｔ（
式（６）参照）。これがため、２つのリセットパルス間
の期間に非直線性抵抗２０の漏洩電流によりこの負の充
電が補償されるまで上述した状態が継続する。次いで安
定状態に到達し、次式が得られるようになる。
ΔＶｃｔ ＋ ＝Δνｃｌ−−（１６）第６ａ図は行電
極４の駆動電圧を同様に示す。
極４の駆動電圧を同様に示す。
これらの電圧に対しては前述した所と同様に同一の値が
計算されるようになる。
計算されるようになる。
第６ｂ及び６０図は第３ｂ及び３Ｃ図と同様にノード９
の電圧及び容量性素子１０（ＣＩ）の電圧を示す。漏洩
電流が少いため、これらの電圧は、第１゜２図の装置の
場合と同様に非選択中はぼ一定とはならない。
の電圧及び容量性素子１０（ＣＩ）の電圧を示す。漏洩
電流が少いため、これらの電圧は、第１゜２図の装置の
場合と同様に非選択中はぼ一定とはならない。
第１．２図の装置と比較するに、第４．５図の装置は、
行電極４及び金属化細条１９間の短絡により関連する画
素を切離すも、第１．２図の行電極４及びラインｌ１間
が短絡される場合に、関連する画素２の全体の行が切離
されるようになる。
行電極４及び金属化細条１９間の短絡により関連する画
素を切離すも、第１．２図の行電極４及びラインｌ１間
が短絡される場合に、関連する画素２の全体の行が切離
されるようになる。
ＭＩＭを非直線性スイッチング素子として用いる他の表
示装置と比較するに、この表示装置は、所望の僅かな漏
洩電流のため、金属−分離体−金属構体（ＭＩＭ）の誘
電体の厚さを第２図のＴａｘｅｓ層の厚さと比較するに
、充分厚くし、且つ表面区域を広くする他の利点を有す
る。これがため、静電高駆動電圧による損傷の危険性を
著しく低くすることができる。又、ピーク電圧も充分低
くなる。その理由は、画素１０に関連する容量Ｃｐをリ
セットパルス中に充電する電流が抵抗Ｒ１を流れない−
で容量Ｃｔから供給されるからである。これがため寿命
を著しく長くすることができる。
示装置と比較するに、この表示装置は、所望の僅かな漏
洩電流のため、金属−分離体−金属構体（ＭＩＭ）の誘
電体の厚さを第２図のＴａｘｅｓ層の厚さと比較するに
、充分厚くし、且つ表面区域を広くする他の利点を有す
る。これがため、静電高駆動電圧による損傷の危険性を
著しく低くすることができる。又、ピーク電圧も充分低
くなる。その理由は、画素１０に関連する容量Ｃｐをリ
セットパルス中に充電する電流が抵抗Ｒ１を流れない−
で容量Ｃｔから供給されるからである。これがため寿命
を著しく長くすることができる。
本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、要
旨を変更しない範囲内で種々の変形が可能となる０例え
は、ダイオード５，８．１２は逆極性とすると共に駆動
電圧の値を変化させることができる。
旨を変更しない範囲内で種々の変形が可能となる０例え
は、ダイオード５，８．１２は逆極性とすると共に駆動
電圧の値を変化させることができる。
行電極４はライン１１及び金属化細条１５の下側でなく
、上側に設けることもできる。ダイオードその他の非直
線非対称スイッチング素子は、例えばオランダ国特許出
願第８８００２０４号に記載されたような直列及び／又
は並列回路を用いて冗長性良く形成することができる。
、上側に設けることもできる。ダイオードその他の非直
線非対称スイッチング素子は、例えばオランダ国特許出
願第８８００２０４号に記載されたような直列及び／又
は並列回路を用いて冗長性良く形成することができる。
リセットパルス中刻電圧を零値に保持してリセッ電圧を
低く、即ちＶｓａｔ＋Ｖｏｎｔ＋２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ
） ＋ΔＶｃ、となるようにするのが有利である。この
場合、行中の画素の全部は同一の負電圧にその都度充電
する。又リセットパルスの幅も使用に応じ選択時間ｔ１
に依存させるようにする。
低く、即ちＶｓａｔ＋Ｖｏｎｔ＋２（Ｖｓａｔ−Ｖｔｈ
） ＋ΔＶｃ、となるようにするのが有利である。この
場合、行中の画素の全部は同一の負電圧にその都度充電
する。又リセットパルスの幅も使用に応じ選択時間ｔ１
に依存させるようにする。
第１図は本発明表示装置の一部分を示す回路図、第２図
は第１図の表示装置の一部分を示す平面図、 第３図は第１図の装置の駆動電圧及び内部電圧を示す波
形図、 第４図は第１図の装置の変形例を示す回路図、第５図は
第４図の装置の一部分の平面図、第６図は第５図の装置
に関連する電圧を示す波形図である。 １・・・表示装置 ２・・・画素 ３・・・画像電極 ４・・・行電極 ５・・・ダイオード ６．７・・・極板（電極） ８・・・ダイオード ９・・・ノード １０・・・容量性素子 ２０・・・可変抵抗 Ｎ 口 ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、５
は第１図の表示装置の一部分を示す平面図、 第３図は第１図の装置の駆動電圧及び内部電圧を示す波
形図、 第４図は第１図の装置の変形例を示す回路図、第５図は
第４図の装置の一部分の平面図、第６図は第５図の装置
に関連する電圧を示す波形図である。 １・・・表示装置 ２・・・画素 ３・・・画像電極 ４・・・行電極 ５・・・ダイオード ６．７・・・極板（電極） ８・・・ダイオード ９・・・ノード １０・・・容量性素子 ２０・・・可変抵抗 Ｎ 口 ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの支持板間に設けられた電気−光学表示媒体と
、行及び列に配列された画素のシステムとを具え、各画
素は前記支持板の対向面に配列された２つの画像電極に
より画成し、ほかに前記画素を駆動する行及び列電極の
システムと、前記画素及び行電極間で各画素に直列に配
列された少なくとも１つの第１の非対称非直線線性スイ
ッチング素子とを具える表示装置において、前記画素及
びノード間の第１の非対称非直線性スイッチング素子に
直列に配列された少なくとも１つの第２の非対称非直線
性スイッチング素子を画素の位置に具え、且つ前記第１
及び第２非直線性スイッチング素子の直列配置に並列に
配列さた少なくとも１つの容量性素子を画素の位置に具
えることを特徴とする表示装置。 ２、行電極の少なくとも一部分によって前記容量性素子
の第１電極を構成するようにしたことを特徴とする請求
項１に記載の表示装置。 ３、行に関連する画素のノードを相互接続して共通電極
を形成し、この共通電極を少なくとも第３の非直線性ス
イッチング素子を経て外部接続部に接続することを特徴
とする請求項１又は２に記載の表示装置。 ４、前記共通電極によって容量性素子の第２電極を構成
することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。 ５、画素の行に関連する容量性素子を、２つのほぼ上方
にある金属ライン及びその間に介装された誘電体材料の
層によって形成することを特徴とする請求項４に記載の
表示装置。 ６、前記容量性素子に並列に非直線性抵抗素子を配列す
るようにしたことを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 ７、前記容量性素子及び非直線性抵抗素子は金属−分離
体−金属素子として構成することを特徴とする請求項６
に記載の表示装置。 ８、前記金属−分離体−金属素子の第１電極によって行
電極の１部分を形成することを特徴とする請求項７に記
載の表示装置。 ９、画素の行に関連する金属−分離体−金属素子は、行
電極及び金属細条のほぼ上方にある、又は下方にある行
並びにその間に介装された誘電体材料の層によって形成
することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。 １０、非直線性非対称スイッチング素子の少なくとも１
つを冗長するように形成することを特徴とする請求項１
〜９の何れかの項に記載の表示装置。 １１、前記電気−光学媒体を液晶とすることを特徴とす
る請求項１〜１０の何れかの項に記載の表示装置。 １２、リセット電圧が存在する際に列電圧を零ボルトに
保持する手段を具えることを特徴とする請求項１〜１１
の何れかの項に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8902922A NL8902922A (nl) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Actieve weergeefinrichting. |
| NL8902922 | 1989-11-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177821A true JPH03177821A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=19855697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321377A Pending JPH03177821A (ja) | 1989-11-27 | 1990-11-27 | 表示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5151691A (ja) |
| EP (1) | EP0430360B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03177821A (ja) |
| KR (1) | KR910010380A (ja) |
| CN (1) | CN1052205A (ja) |
| DE (1) | DE69019683T2 (ja) |
| NL (1) | NL8902922A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08511357A (ja) * | 1994-03-23 | 1996-11-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
| JPH10500885A (ja) * | 1995-03-22 | 1998-01-27 | フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー | モニタを含む磁気共鳴装置 |
| JPH11505635A (ja) * | 1996-03-18 | 1999-05-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
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