JPH03163418A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH03163418A JPH03163418A JP30194889A JP30194889A JPH03163418A JP H03163418 A JPH03163418 A JP H03163418A JP 30194889 A JP30194889 A JP 30194889A JP 30194889 A JP30194889 A JP 30194889A JP H03163418 A JPH03163418 A JP H03163418A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thickness
- electrodes
- liquid crystal
- substrate
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［ａ業上の利用分野］
本発明は、セル内の表示領域以外の領域に電極と同じ厚
さのスペーサーを形成して均一なセルギャップを得る液
晶表示素子の構成に関するものである．
さのスペーサーを形成して均一なセルギャップを得る液
晶表示素子の構成に関するものである．
従来の液晶表示素子構造を第５図、第６図に示す．
従来、液晶素子の製造方法は、２枚のガラス基板１．１
’の各々について、画面領域ａとなる部分に電極２．２
′をパターン形成し同時に各電極に接続するリード電極
をパターン形成した後、その表面に配向処理を施す．次
に２枚のガラス基板１，１′を電極面同士を対向させて
、周辺をシール材６で封止し、それに囲まれたセル内部
をギャップ材５を介して貼り合わせる．このときプレス
等により加圧して所定のセルギャップを形成していた． ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例では、第５図、第６図で示す
ように、貼り合わされた状態で電極２，２′同士が対向
した表示領域ａとそれ以外の領域ｂでは、上下のガラス
基板１．１′をまったく平行にしてみた場合（側面から
みた場合）、形成された電極２．２′の厚さ分だけギャ
ップが異なるために、また全面均一に加圧したときに各
領域のギャップはセル内ギャップ材５やシール材６中の
フィラーやギャップ材７で保持されるために、電極２．
２′同士が対向された表示領域ａの外周部では応力の集
中をうける．このためその部分でギャップ材５が変形ま
たは破壊し、あるいはギャップ材５が電極２．２′にく
い込み、これによりギャ−ツブ厚が他の表示部より薄く
なるという欠点があった．特に強誘電性液晶表示素子の
ようなギャップ厚が１〜２μｍと非常に薄くしかも各基
板の電極をストライプ状に配しそれを直交させるように
して対向させた単純マトリックスの表示素子について、
表示面積を大きくし、かつ高ライン数としたときに配線
抵抗低下を防ぐため電極を厚くしなければならないとき
は、上記ギャップ不均一による問題が大きかった． 本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、ガラス基板貼り合わせ工程において、ギャップ差に
よる応力集中を軽減し均一なセルギャップを形成可能な
液晶表示素子の提供を目的とする． ［課題を解決するための手段および作用］本発明によれ
ばセル内の表示領域以外の領域の少なくとも一方のガラ
ス基板上に電極と同じ厚さのスペーサーを形成し、しか
もそれを同材質で同時工程で形成したことにより、２枚
のガラス基板を貼り合わせ更に加圧する工程において、
上下のガラス基板をまったく平行にしてみた場合の電極
同士が対向された表示領域とそれ以外の領域とのギャッ
プ差に基づく応力集中を避けることができ、ギャップ材
の破壊・変形等によるギャップの薄い領域のない所定の
均一なセルギャップを形成できるようＣしたものである
， ［実施例］ 第１図、第２図は本発明（係る強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子の第一の実施例を示す．同図において１．１
′は上下の各ガラス基板で厚さは１．１ ｍｍである
，２．２’ は各ガラス基板上にストライプ状に形成さ
れた膜厚３０００人の透明電極（ Ｉ Ｔｏ）であり、
貼り合わされた状態では直交マトリックス状に対向され
、この領域が表示領域ａとなる，３．３’はリード電極
で透明電極２．２′と同じ材質・膜厚で同時に形成した
．ｂの領域にある４、４′は所定のセルギャップ１．５
±０．１μｍを全面均一に維持するために形成したスペ
ーサーである．このスベーサ−４、４′も透明電極２．
２′およびリード電極３．３′と同じ材質・厚さで同時
に形成したものであり、その形成法はガラス基板１．１
′を貼り合わせる前の各基板上にスパッタリングにより
ＩＴＯを成膜し、その後フォトリソグラフィーエッチン
グ（よりパターンを形成したものである．このスペーサ
−４、４′の形状は第２図において、上側のガラス基板
１側ではストライプ状の電極２をシール材６を介する部
分まで延長して設けた形状とし、下側のガラス１′側で
は最外側のストライプ状の電極２′の外側にこれと平行
にシール材と重なる位置に同じくストライプ状に設けた
． 次にパターン形成した各基板表面に配向処理を施した後
，片側基板（のみフレキソ印刷にょりφ１．５μｍのガ
ラスビーズ７（例えば商品、触媒化成■製シリカマイク
ロビーズ）をシール材６（例えば商品、三井東圧■製ス
トラクトボンドＸＮ−２１Ｆ）に１％（ｗｅｔ）混在さ
せたものを巾１量園厚さ３μｍ転写する．更に表示領域
部ａのギャップを保持するためのφ１，５μｍのガラス
ビーズからなるギャップ材５（例えば商品、触媒化戒■
製、シリカマイクロビーズ）を全面均一に２５０〜３５
０ ／ ｍｍ’の密度に散布した．しかる後に上下の
ガラス基板１．１′をストライプ状の透明電極２．２′
を直交するように対向させて貼り合わせ、更に加熱式プ
レス棧により７０℃、２．５κｇ／ｃｏ”で２分間加圧
した．但し圧力分布を全面均一にするためにプレス棧面
と、ガラス面間には各々＊ １．Ｏｍａ＋のモルトブ
レンからなるＵ衝材を挟んだ。 このとき、シール材６を介する部分を含むセル内で透明
電極２．２′同士が対向してできた表示領域ａ以外の領
域ｂに前記したスペーサ−４、４′が形成されているた
め、φ１．５μｍのギャップ材５およびシール材６中の
ガラスビーズ７によりガラス基板１．１′は平行に保た
れた状態で加圧される．したがって、応力・集中による
ギャップ材５の破砕もなく所定のセルギャップ１．５±
０．１ μｍを全面均一に形成することができた。 その後１７０℃、４時間の加熱によりシール材６を硬化
させ、更にセル内に強誘電性液晶材を封入し、電気ドラ
イバーに接続して駆動させたところ、閾値特性の違いに
よるスイッチング不良や視覚的な色ムラもない非常に表
示品位のよい強誘電性液晶表示素子を得ることができた
． 第３図、第４図は本発明の別の実施例を示した図である
． ここでスベーサ−４は前記した実施例と同じく、ＩＴＯ
１５００人からなる電極２およびリード電極３と同じ材
買、厚さで同時に形成した．但しその領域は電極２．２
′同士が対向してできた表示領域ａとリード電極３．３
′が対向した領域Ｃを除いた領域ｂの各々一方のガラス
基板にのみ単純にストライプ状の電極２．２′をシール
材を介する部分まで延長した形に形成した．次にパター
ン形成された各基板表面に配向処理を施した後、片側の
基板にフレキソ印刷によりφ１．６５μｍのガラスビー
ズ７をシール材６（例えば、商品三井東圧■製ストラク
トボンドＸＮ−２１Ｆ）に１％（ｗｅｔ）混在させたも
のを巾１ ａｍ，厚さ３μｍ転写する．更にφ１．５μ
ｍのガラスビーズからなるギャップ材５（例えば商品、
触媒化成■製シリカマイクロビーズ）を全面均−２５０
〜３５０ケ／■２の密度で散布した．しかる後に前記実
施例と同じく、上下のガラス基板１．１′を透明電極２
．２′を対向させて貼り合わせ、更に加熱式プレス棧に
よりプレス棧面とガラス面間に各々ｔ１．０ ｍｍのモ
ルトプレンの緩衝材を挟んだ状態で全面均一に７０℃、
２．５Ｋｇ／ｃｍ’で２分間加圧した． このとき、電極２．２′が対向してできた表示領域ａ以
外のスベーサ−４を形成した領域ｂとリード電極３．３
′が対向された領域Ｃでは上下のガラス基板１．１′上
に形成された電極２．２′とリード電極３．３′および
スペーサ−４のトータルの厚さの違い、つまり上下のガ
ラス基板１．１′をまったく平行してみた場合のギャッ
プ厚が違うために、加圧したときの各領域のギャップは
ギャップ材５およびシール材中のガラスビーズ７で保持
されるので、領域ｂと領域Ｃに近い表示領域部は幾分応
力の集中を受ける．しかしながら、その部分で起こるギ
ャップ材５の破壊またはギャップ材５の透明電極２．２
′へのくい込みによるギャップ厚が他の表示領域部ａよ
り薄くなる弊害は実用上問題とならない．即ち、領域ｂ
と領域Ｃには厚さ１５００人のスペーサ−４またはリー
ド電極３．３′があり表示領域ａ部との厚さの差は１５
００人（０．１５μｍ）しか無いため所定のセルギャッ
プ１．５±０，１μｍ内に収めることができた． ［発明の効果］ 以上説明したように、セル内の表示領域以外の領域の少
なくとも一方のガラス基板上に電極と同じ厚さのスペー
サーを形成し、しかもそれを同材貢で同時工程で形成す
ることにより、製造コストをまったく上げずに表示品位
の良い液晶表示素子を提供することができる．
’の各々について、画面領域ａとなる部分に電極２．２
′をパターン形成し同時に各電極に接続するリード電極
をパターン形成した後、その表面に配向処理を施す．次
に２枚のガラス基板１，１′を電極面同士を対向させて
、周辺をシール材６で封止し、それに囲まれたセル内部
をギャップ材５を介して貼り合わせる．このときプレス
等により加圧して所定のセルギャップを形成していた． ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例では、第５図、第６図で示す
ように、貼り合わされた状態で電極２，２′同士が対向
した表示領域ａとそれ以外の領域ｂでは、上下のガラス
基板１．１′をまったく平行にしてみた場合（側面から
みた場合）、形成された電極２．２′の厚さ分だけギャ
ップが異なるために、また全面均一に加圧したときに各
領域のギャップはセル内ギャップ材５やシール材６中の
フィラーやギャップ材７で保持されるために、電極２．
２′同士が対向された表示領域ａの外周部では応力の集
中をうける．このためその部分でギャップ材５が変形ま
たは破壊し、あるいはギャップ材５が電極２．２′にく
い込み、これによりギャ−ツブ厚が他の表示部より薄く
なるという欠点があった．特に強誘電性液晶表示素子の
ようなギャップ厚が１〜２μｍと非常に薄くしかも各基
板の電極をストライプ状に配しそれを直交させるように
して対向させた単純マトリックスの表示素子について、
表示面積を大きくし、かつ高ライン数としたときに配線
抵抗低下を防ぐため電極を厚くしなければならないとき
は、上記ギャップ不均一による問題が大きかった． 本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、ガラス基板貼り合わせ工程において、ギャップ差に
よる応力集中を軽減し均一なセルギャップを形成可能な
液晶表示素子の提供を目的とする． ［課題を解決するための手段および作用］本発明によれ
ばセル内の表示領域以外の領域の少なくとも一方のガラ
ス基板上に電極と同じ厚さのスペーサーを形成し、しか
もそれを同材質で同時工程で形成したことにより、２枚
のガラス基板を貼り合わせ更に加圧する工程において、
上下のガラス基板をまったく平行にしてみた場合の電極
同士が対向された表示領域とそれ以外の領域とのギャッ
プ差に基づく応力集中を避けることができ、ギャップ材
の破壊・変形等によるギャップの薄い領域のない所定の
均一なセルギャップを形成できるようＣしたものである
， ［実施例］ 第１図、第２図は本発明（係る強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子の第一の実施例を示す．同図において１．１
′は上下の各ガラス基板で厚さは１．１ ｍｍである
，２．２’ は各ガラス基板上にストライプ状に形成さ
れた膜厚３０００人の透明電極（ Ｉ Ｔｏ）であり、
貼り合わされた状態では直交マトリックス状に対向され
、この領域が表示領域ａとなる，３．３’はリード電極
で透明電極２．２′と同じ材質・膜厚で同時に形成した
．ｂの領域にある４、４′は所定のセルギャップ１．５
±０．１μｍを全面均一に維持するために形成したスペ
ーサーである．このスベーサ−４、４′も透明電極２．
２′およびリード電極３．３′と同じ材質・厚さで同時
に形成したものであり、その形成法はガラス基板１．１
′を貼り合わせる前の各基板上にスパッタリングにより
ＩＴＯを成膜し、その後フォトリソグラフィーエッチン
グ（よりパターンを形成したものである．このスペーサ
−４、４′の形状は第２図において、上側のガラス基板
１側ではストライプ状の電極２をシール材６を介する部
分まで延長して設けた形状とし、下側のガラス１′側で
は最外側のストライプ状の電極２′の外側にこれと平行
にシール材と重なる位置に同じくストライプ状に設けた
． 次にパターン形成した各基板表面に配向処理を施した後
，片側基板（のみフレキソ印刷にょりφ１．５μｍのガ
ラスビーズ７（例えば商品、触媒化成■製シリカマイク
ロビーズ）をシール材６（例えば商品、三井東圧■製ス
トラクトボンドＸＮ−２１Ｆ）に１％（ｗｅｔ）混在さ
せたものを巾１量園厚さ３μｍ転写する．更に表示領域
部ａのギャップを保持するためのφ１，５μｍのガラス
ビーズからなるギャップ材５（例えば商品、触媒化戒■
製、シリカマイクロビーズ）を全面均一に２５０〜３５
０ ／ ｍｍ’の密度に散布した．しかる後に上下の
ガラス基板１．１′をストライプ状の透明電極２．２′
を直交するように対向させて貼り合わせ、更に加熱式プ
レス棧により７０℃、２．５κｇ／ｃｏ”で２分間加圧
した．但し圧力分布を全面均一にするためにプレス棧面
と、ガラス面間には各々＊ １．Ｏｍａ＋のモルトブ
レンからなるＵ衝材を挟んだ。 このとき、シール材６を介する部分を含むセル内で透明
電極２．２′同士が対向してできた表示領域ａ以外の領
域ｂに前記したスペーサ−４、４′が形成されているた
め、φ１．５μｍのギャップ材５およびシール材６中の
ガラスビーズ７によりガラス基板１．１′は平行に保た
れた状態で加圧される．したがって、応力・集中による
ギャップ材５の破砕もなく所定のセルギャップ１．５±
０．１ μｍを全面均一に形成することができた。 その後１７０℃、４時間の加熱によりシール材６を硬化
させ、更にセル内に強誘電性液晶材を封入し、電気ドラ
イバーに接続して駆動させたところ、閾値特性の違いに
よるスイッチング不良や視覚的な色ムラもない非常に表
示品位のよい強誘電性液晶表示素子を得ることができた
． 第３図、第４図は本発明の別の実施例を示した図である
． ここでスベーサ−４は前記した実施例と同じく、ＩＴＯ
１５００人からなる電極２およびリード電極３と同じ材
買、厚さで同時に形成した．但しその領域は電極２．２
′同士が対向してできた表示領域ａとリード電極３．３
′が対向した領域Ｃを除いた領域ｂの各々一方のガラス
基板にのみ単純にストライプ状の電極２．２′をシール
材を介する部分まで延長した形に形成した．次にパター
ン形成された各基板表面に配向処理を施した後、片側の
基板にフレキソ印刷によりφ１．６５μｍのガラスビー
ズ７をシール材６（例えば、商品三井東圧■製ストラク
トボンドＸＮ−２１Ｆ）に１％（ｗｅｔ）混在させたも
のを巾１ ａｍ，厚さ３μｍ転写する．更にφ１．５μ
ｍのガラスビーズからなるギャップ材５（例えば商品、
触媒化成■製シリカマイクロビーズ）を全面均−２５０
〜３５０ケ／■２の密度で散布した．しかる後に前記実
施例と同じく、上下のガラス基板１．１′を透明電極２
．２′を対向させて貼り合わせ、更に加熱式プレス棧に
よりプレス棧面とガラス面間に各々ｔ１．０ ｍｍのモ
ルトプレンの緩衝材を挟んだ状態で全面均一に７０℃、
２．５Ｋｇ／ｃｍ’で２分間加圧した． このとき、電極２．２′が対向してできた表示領域ａ以
外のスベーサ−４を形成した領域ｂとリード電極３．３
′が対向された領域Ｃでは上下のガラス基板１．１′上
に形成された電極２．２′とリード電極３．３′および
スペーサ−４のトータルの厚さの違い、つまり上下のガ
ラス基板１．１′をまったく平行してみた場合のギャッ
プ厚が違うために、加圧したときの各領域のギャップは
ギャップ材５およびシール材中のガラスビーズ７で保持
されるので、領域ｂと領域Ｃに近い表示領域部は幾分応
力の集中を受ける．しかしながら、その部分で起こるギ
ャップ材５の破壊またはギャップ材５の透明電極２．２
′へのくい込みによるギャップ厚が他の表示領域部ａよ
り薄くなる弊害は実用上問題とならない．即ち、領域ｂ
と領域Ｃには厚さ１５００人のスペーサ−４またはリー
ド電極３．３′があり表示領域ａ部との厚さの差は１５
００人（０．１５μｍ）しか無いため所定のセルギャッ
プ１．５±０，１μｍ内に収めることができた． ［発明の効果］ 以上説明したように、セル内の表示領域以外の領域の少
なくとも一方のガラス基板上に電極と同じ厚さのスペー
サーを形成し、しかもそれを同材貢で同時工程で形成す
ることにより、製造コストをまったく上げずに表示品位
の良い液晶表示素子を提供することができる．
′ｓ１図は、本発明の第一実施例に係る、液晶表示素子
の平面図、 第２図は、第１図のＡ−Ａ’断面図、 第３図は、本発明の第二実施例に係る液晶表示素子の平
面図、 第４図は、第３図のＡ−Ａ’断面図、 第５図は、従来の液晶表示素子を示す平面図、第６図は
、第５図のＡ−Ａ’の断面図である．１．１’ ：ガ
ラス基板、 ２．２’ ：電極、 ３．３’ ：リード電極、 ４．４′ ニスベーサ− ５＝ギャップ材、 ６：シール材、 ７：ガラスビーズ． 特許
の平面図、 第２図は、第１図のＡ−Ａ’断面図、 第３図は、本発明の第二実施例に係る液晶表示素子の平
面図、 第４図は、第３図のＡ−Ａ’断面図、 第５図は、従来の液晶表示素子を示す平面図、第６図は
、第５図のＡ−Ａ’の断面図である．１．１’ ：ガ
ラス基板、 ２．２’ ：電極、 ３．３’ ：リード電極、 ４．４′ ニスベーサ− ５＝ギャップ材、 ６：シール材、 ７：ガラスビーズ． 特許
Claims (5)
- （１）電極を形成した２枚の基板を電極面を対面させて
所定間隔を隔てて対向配置し、両基板間の電極対面部に
ギャップ材を介装し、該電極対面部の周囲をシール材で
封止し、該シール材封止部の少なくとも一方の基板上に
前記電極と同じ厚さのスペーサーを設けたことを特徴と
する液晶素子。 - （２）前記スペーサーは、前記電極と同一工程で形成さ
れた同一材料からなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の液晶素子。 - （３）前記電極は複数の並列配置したストライプ状電極
からなり、２枚の基板の各電極を直交配置してマトリッ
クスを構成し、各ストライプ状電極に連続して同一厚さ
同一材料のリード電極を各基板の一側縁に並列して形成
したことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の液晶
素子。 - （４）前記スペーサーは、前記各ストライプ状電極のリ
ード電極と反対側にシール材配設部まで延長して各スト
ライプ状電極に連続して形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の液晶素子。 - （５）前記スペーサーは、最外側のストライプ状電極の
外側にこれと平行に前記シール材と重なるまでの位置に
形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301948A JP2767145B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301948A JP2767145B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163418A true JPH03163418A (ja) | 1991-07-15 |
| JP2767145B2 JP2767145B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17903041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1301948A Expired - Lifetime JP2767145B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767145B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264796A (ja) * | 1995-03-18 | 1996-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| US6774968B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-08-10 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2005005724A (ja) * | 2004-07-06 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| US7214555B2 (en) | 1995-03-18 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
| US7333172B1 (en) | 1995-12-21 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having plurality of conductive layers between a substrate and sealing member and insulated by insulating film |
| US7462519B2 (en) | 1994-12-27 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of fabricating same, and, electrooptical device |
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| JPH0324523A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Optrex Corp | 電気光学表示セル |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP1301948A patent/JP2767145B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7483091B1 (en) | 1995-03-18 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display devices |
| US8012782B2 (en) | 1995-03-18 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
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