[go: up one dir, main page]

JPH03163113A - スチレン系重合体の製造方法 - Google Patents

スチレン系重合体の製造方法

Info

Publication number
JPH03163113A
JPH03163113A JP30222489A JP30222489A JPH03163113A JP H03163113 A JPH03163113 A JP H03163113A JP 30222489 A JP30222489 A JP 30222489A JP 30222489 A JP30222489 A JP 30222489A JP H03163113 A JPH03163113 A JP H03163113A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atom
group
formula
vinyl
styrenic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP30222489A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2846003B2 (ja
Inventor
Masami Watanabe
正美 渡辺
Shuji Machida
修司 町田
Satoshi Asahi
朝日 敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP30222489A priority Critical patent/JP2846003B2/ja
Publication of JPH03163113A publication Critical patent/JPH03163113A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2846003B2 publication Critical patent/JP2846003B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polymerization Catalysts (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気製品,自動車部品などの素材として好適に
用いることのできる、耐熱性や戒形性等の良好なスチレ
ン系重合体を製造する方法に関−J−るものである。
〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕電気
製品の部材や自動車部品の部材として耐熱性や成形性の
良好な樹脂が要望されている。
このため、主としてシンジオタクチック構造を有するボ
リスチレン(特開昭62−104818号公報.同61
−187708号公報など)が提案されている。
この主としてジンジオタクチック構造を有するボリスチ
レンは耐熱性に優れるものの、結晶化速度が小さいため
成形サイクルが長くなりやすいという欠点があった。
本発明はこのような従来の課題を解決し、耐熱性に優れ
、しかも結晶化速度が大きく、戒形性に優れたスチレン
系重合体を、効率良く製造する方法を提供することを目
的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
すなわち、本発明は 触媒成分として、(A)i!移金属成分および(11)
有機アルミニウム化合物と縮合剤との接触生成物を用い
、 一般式 〔式中、Rlは水素原子,ハロゲン原子、または炭素原
子,酸素原子,窒素原子,硫黄原子.リン原子,セレン
原子,ケイ素原子および錫原子のいずれか1種以上を含
む置換基を示し、mは1〜3の整数を示す。但し、mが
複数のときは、各Rは同−でも異なるものであってもよ
い。〕で表わされるスチレン系モノマーおよび一般式 〔式中、R2〜R5は水素原子9ハロゲン原子、または
炭素原子,酸素原子,窒素原子,硫黄原子,リン原子,
セレン原子,ケイ素原子および錫原子のいずれか1種以
上を含む置換基を示し、nは1〜3の整数を示す。但し
、nが複数のときは、各R5は同一でも異なるものであ
ってもよい。また、R”,R’.R’のうち少なくとも
一つは、水素原子以外の置換基を示す。〕 で表わされる置換スチレン系モノマー(但し、前記一般
式(1)で表わされるスチレン系モノマーと同一の場合
を除く)を重合することを特徴とする重量平均分子II
, O O O以上のスチレン系重合体の製造方法を提
供するものである。
本発明の製造方法で用いる前記一般式(I)で表わされ
るスチレン系モノマーおよび一般式〔■〕で表わされる
置換スチレン系モノマー中のR1〜R5は、水素原子,
ハロゲン原子、または炭素原子,酸素原子,窒素原子,
硫黄原子,リン原子,セレン原子,ケイ素原子および錫
原子のいずれか1種以上を含む置換基を示している。
ここでハロゲン原子としては、塩素,弗素,臭素,沃素
を挙げることができる。
また、炭素原子を含む置換基の具体例としてはメチル基
,エチル基,イソブロビル基,ターシャリーブチル基な
どの炭素数1〜20のアルキル基:炭素数6〜30のヘ
ンゼン環に水素原子、ハロゲン原子,炭素原子,酸素原
子,窒素原子.硫黄原子,リン原子.セレン原子5ケイ
素原子あるいは錫原子などを含む置換基をもつアリール
基;クロロエチル基,プロモメチル基,プロモエチル基
などの炭素1〜20のハロゲン置換アルキル基などが挙
げられる。
ここで炭素数6〜30のヘンゼン環に、水素原子,ハロ
ゲン原子,炭素原子,酸素原子,窒素原子,硫黄原子,
リン原子,セレン原子.ケイ素原子あるいは錫原子など
を含む置換基をもつアリール基としては、例えばベンゼ
ン環2ナフタレン環,フエナントレン環,アントラセン
環,インデン環,アズレン環,ヘプタレン環,ビフェニ
レン環,aS−インダセン環,S−インダセン環.アセ
ナフチレン環,フェナレン環,フルオランテン環,アセ
フエナントレン環,アセアントリレン環,トリフェニレ
ン環,ナフタセン環,プレイアデン環,ピセン環,ペリ
レン環,ペンタフェン環.ペンタセン環.ルビセン環,
コロセン環.ピラントレン環,オバレン環、およびこれ
らのアルキル置換基(メチル基,エチル基,イソプロビ
ル基,ターシャリーブチル基など).ハロゲン置換アル
キル基(クロロエチル基,プロモエチル基など),酸素
原子を含む置換基(メトキシ基,エトキシ基.インプロ
ボキシ基,メトキシカルボニル基,アセチルオキシ基な
ど).ケイ素原子を含む置換基(トリメチルシリル基な
ど),錫原子を含む置換基(トリメチルスタンニル基,
トリブチルスタンニル基,トリフエニルスタンニル基な
ど).窒素原子を含む置換基(ジメチルアミノ基,ジア
ゾ基,ニトロ基.シアノ基など).硫黄原子を含む置換
基(スルホン基,スルホン酸メチルエステル基,フエニ
ルチオ基,メチルチオ基,メルカプト基など),セレン
原子を含む置換基(メチルセレノ基,フエニルセレノ基
.メチルセレノキシル基.フェニルセレノキシル基など
〉,リン原子を含む置換基(リン酸メチルエステル基,
亜リン酸エステル基.ジメチルホスフィノ基,ジフエニ
ルホスフィノ基.メチルホスフィニル基,フェニルホス
フィニル基なと)などを任意の位置に置換したものが含
まれる。
また酸素原子を含む置換基としては、メトキシ基,エト
キシ基,イソプロボキシ基,メトキシカルボニル基,ア
シルオキシ基などが挙げられ、ケイ素原子を含む置換基
としては、トリメチルシリル基などが挙げられる。次に
、錫原子を含む置換基としては、トリメチルスタンニル
基,トリブチルスタンニル基.トリフェニルスタンニル
基などがあげられる。さらに、窒素原子を含む置換基と
しては、ジメチルアミノ基,ジアゾ基,二トロ基,シア
ノ基などが挙げられ、硫黄原子を含む置換基としては、
スルホン基.スルホン酸メチルエステル基,フェニルチ
オ基,メチルチオ基,メルカプト基などがあげられる。
また、セレン原子を含む置換基としてはメチルセレノ基
,フェニルセレノ基,メチルセレノキシル基,フエニル
セレノキシル基などが挙げられ、リン原子を含む置換基
としては、リン酸メチルエステル基.亜リン酸エステル
基.ジメチルホスフィノ基,ジフエニルホスフィノ基,
メチルホスフイニル基.フエニルホスフィニル基などが
挙げられる. また、一般式([)で表わされるスチレン系モノマー又
は一般式〔■〕゛で表わされる置換スチレン系モノマー
において、m,nはそれぞれ1〜3の整数を示している
。但し、m,nがそれぞれ複数のときは、m個あるR’
またはn個あるR%は、それぞれ同じものであってもよ
いし、異なるものであってもよい。さらに、一般式(n
)で表わされる置換スチレン系モノマーにおいて、R!
,R3,R4のうち少なくとも一つは、水素原子以外の
置換基を示している。
このような置換基を有する、一般式(1)で表わされる
スチレン系モノマーの具体例としては、スチレン,p−
メチルスチレン.m−メチルスチレン,O−メチルスチ
レン,2.4−ジメチルスチレン.2.5−ジメチルス
チレン,3.4−ジメチルスチレン,3.5−ジメチル
スチレン,P−ターシャリープチルスチレンなどのアル
キルスチレン;p−クロロスチレン,m−クロロスチレ
ン,70−クロロスチレン,p−プロモスチレン,m−
プロモスチレン,0−プロモスチレン.pーフルオロス
チレン,m−フルオロスチレン,oーフルオロスチレン
.0−メチルーp−フルオロスチレンナトのハロゲン化
スチレン;4−ビニルビフエニル.3−ビニルビフェニ
ル,2−ビニルビフェニルなどのビニルビフエニル類;
 1− (4−ビニルフェニル)ナフタレン,2−(4
−ビニルフェニル)ナフタレン,1−(3−ビニルフェ
ニル)ナフタレン.2−(3−ビニルフェニル)ナフタ
レン,1−(2−ビニルフェニル)ナフタレン.2−(
2−ビニルフェニル)ナフタレンなどのビニルフェニル
ナフタレン類;1−(4−ビニルフェニル)アントラセ
ン,2−(4−ビニルフエニル)アントラセン,9−(
4−ビニルフェニル)アントラセン,1−(3−ビニル
フェニル)アントラセン,2−(3−ビニルフェニル)
アントラセン.9−(3−ビニルフエニル)アントラセ
ン,1−(2〜ビニルフェニル)アントラセン,2− 
(2−ビニルフエニル)アントラセン,9−(2−ビニ
ルフエニル)アントラセンなどのビニルフエニルアント
ラセン類;1−(4−ビニルフェニル)フエナントレン
,2−(4−ビニルフエニル)フエナントレン,3−(
4−ビニルフエニル)フエナントレン,4−(4−ビニ
ルフエニル)フエナントレン,9−(4−ビニルフエニ
ル)フエナントレン,1−(3−ビニルフェニル)フエ
ナントレン,2−(3−ビニルフエニル)フエナントレ
ン,3−(3−ビニルフエニル)フエナントレン,4−
(3−ビニルフエニル)フエナントレン,9−(3−ビ
ニルフェニル)フェナントレン,1−(2−ビニルフエ
ニル)フエナントレン,2− (2−ビニルフエニル)
フエナントレン,3一(2−ビニルフェニル)フェナン
トレン,4一(2−ビニルフエニル)フェナントレン,
9−(2−ビニルフエニル)フエナントレンなとのビニ
ルフエニルフエナントレン類;l−(4−ビニルフェニ
ル)ピレン,2−(4−ビニルフエニル)ピレン,1−
(3−ビニルフエニル)ピレン,2一(3−ビニルフェ
ニル)ピレン,1−(2−ビニルフエニル)ピレン,2
−(2−ビニルフエニル)ピレンなどのビニルフェニル
ピレン類;4ビニルーp一ターフエニル,4−ビニルー
m−ターフェニル,4−ビニルーo−ターフエニル,3
ビニルーp一ターフェニル,3−ビニルーm−ターフエ
ニル,3−ビニルー〇一ターフェニル,2−ビニルーp
一ターフェニル,2−ビニルーm−ターフエニル,2−
ビニル一〇−ターフエニルなどのビニルターフエニル類
;4−(4−ビニルフェニル)一P一ターフエニルなど
のビニルフエニルターフエニル類;4−ビニル−4゛−
メチルビフエニル,4−ビニル−3′−メチルビフェニ
ル,4−ビニル−2゜−メチルビフェニル,2−メチル
−4−ビニルビフェニル,3−メチル−4ビニルビフェ
ニルなどのビニルアルキルビフエニル類;4−ビニル−
4”−フルオロビフェニル.4−ビニル−3゛−フルオ
ロビフェニル,4−ビニル−2゜−フルオロビフェニル
,4−ビニルー2−フルオロビフエニル,4−ビニル−
3−フルオロビフエニル,4−ビニル−4′−クロロビ
フエニル,4−ビニル−3 −クロロビフェニル4−ビ
ニル−2゛−クロロビフエニル,4−ビニル−2−クロ
ロビフエニル,4−ビニル−3−クロロビフエニル,4
−ビニル−4″−ブロモビフエニル,4−ビニル−3’
−プロモビフェニル,4−ビニル−2′−プロモビフェ
ニル,4−ビニル−2−プロモビフエニル,4−ビニル
−3−フロモビフエニルなどのハロゲン化ビニルビフェ
ニル類;4−ビニル−4”−メトキシビフェニル4−ビ
ニル−3゜−メトキシビフェニル 4−ビニル−2゜−
メトキシビフエニル.4−ビニル−2−メトキシビフエ
ニル,4−ビニル−3−メトキシビフェニル,4−ビニ
ル−4゛一エトキシビフエニル.4−ビニル−3゜一エ
トキシビフェニル,4−ビニル−2゛一エトキシビフェ
ニル.4ービニル−2−エトキシビフェニル,4−ビニ
ル−3−エトキシビフエニルなどのアルコキシビニルビ
フエニル類;4−ビニル−4゛−メトキシカルボニルビ
フエニル,4−ビニル−4 −エトキシカルボニルビフ
エニルなどのアルコキシカルボニルビニルビフエニル類
;4−ビニル−4゜−メトキシメチルビフエニルなどの
アルコキシアルキルビニルビフェニル類;4−ビニル−
4゛一トリメチルシリルビフヱニルなどのトリアルキル
シリルビニルビフェニル類;4−ビニル−4゜一トリメ
チルスタンニルビフエニル,4−ビニル−4゛トリプチ
ルスタンニルビフエニルなどのトリアルキルスタンニル
ビニルビフエニル類:4−ビニル−4゜一トリメチルシ
リルメチルビフェニルなどのトリアルキルシリルメチル
ビニルビフェニル類;4−ビニル−4゜一トリメチルス
タンニルメチルビフエニル,4−ビニル−4゛一トリブ
チルスタンニルメチルビフエニルなどのトリアルキルス
タンニルメチルビニルビフエニル類などのアリールスチ
レン類;p−クロロエチルスチレン,m一クロロエチル
スチレン,0−クロロエチルスチレンなどのハロゲン置
換アルキルスチレン;pメトキシスチレン,m−メトキ
シスチレン,  0 −メトキシスチレン,p一エトキ
シスチレン,mエトキシスチレン.0−エトキシスチレ
ンなどのアルコキシスチレン;p−メト牛シカルボニル
スチレン.m−メトキシカルボニルスチレンなどのアル
コキシ力ルポニルスチレン;アセチルオキシスチレン,
エタノイルオキシスチレン.ペンゾイルオキシスチレン
などのアシルオキシスチレン;p−ビニルベンジルプロ
ビルエーテルなどのアルキルエーテルスチレン;P−ト
リメチルシリルスチレンなどのアルキルシリルスチレン
;p−1−リメチルスタンニルスチレン,p一トリブチ
ルスタンニルスチレン,p−}リフェニルスタンニルス
チレンなどのアルキルスタンニルスチレン;ビニルベン
ゼンスルホン酸エチル,ビニルベンジルジメトキシホス
ファイド,P−ビニルスチレンなどのビニルスチレン等
が挙げられる。
また、一般式(II)で表わされる置換スチレン系モノ
マーの具体例としては、α−メチルスチレン,α一エチ
ルスチレン,α一m−プロビルスチレン,α−イソプロ
ビルスチレン.α−メチル−0−メチルスチレン,α−
メチルーm−メチルスチレン,α−メチルーp−メチル
スチレン.α−メチルーp−フェニルスチレンなどのα
−アルキル置換スチレン;β−メチルスチレン,β一エ
チルスチレン,β一n−プロビルスチレン.β−イソプ
ロビルスチレン,β−メチル一〇−メチルスチレン,β
−メチルーm−メチルスチレン,β一メチルーp−メチ
ルスチレン,β−メチルーp −フェニルスチレン.β
−ジメチルスチレンなどのβ−アルキル置換スチレン;
α−フエニルスチレン.α−フェニルー0−メチルスチ
レン.α−フェニルーm−メチルスチレン.α−フエニ
ルーp−メチルスチレン,α−フエニルーp−フェニル
スチレンなどのα−アリール置換スチレン;シスースチ
ルベン,トランスースチルベン,0−メチルーシスース
チルベン,0−メチルートランスースチルベン,m−メ
チルーシスースチルベン.mーメチルートランスースチ
ルベン,p−メチルーシスースチルベン.p−メチルー
トランスースチルベンなどのβ−アリール置換スチレン
;α−ブロモスチレン,シスーβ−ブロモスチレン,ト
ランスーβ−プロモスチレン,α−クロロスチレンなど
のハロゲン置換スチレン;ケイ皮酸エチル,α−フエニ
ルアクリル酸エチルなどのアルコキシカルポニル置換ス
チレン等が挙げられる。本発明においては、これらの中
でもβ−アルキル置換スチレンやβ−アリール置換スチ
レンなとのβ一置換スチレンが好ましい。
本発明においては、上記一般式(1)で表わされるスチ
レン系モノマーと、一般式〔■〕で表わされる置換スチ
レン系モノマーとは別種のものであり、これらの種々の
組み合わせにより、種々のスチレン系重合体を得ること
ができる。
得られる重合体は分子量が異なるものの混合物であって
もよく、また、重量平均分子量(Mw)は1.000以
上、好ましくは1万〜200万、さらに好ましくは2万
〜50万である。なお、分子量分布は特に制限はない。
本発明では上記七ノマーの重合触媒成分として、(A)
遷移金属成分および(B)有機アルξニウム化合物と縮
合剤との接触生底物を用い、前記一般式(1)で表わさ
れるスチレン系モノマーおよび前記一般式(II)で表
わされる置換スチレン系モノ゜?−(但し、前記一般式
(1)で表わされるスチレン系モノマーと同一の場合を
除く)を重合させることを特徴とするものである。
換言すれば、前記一般式(I)で表わされる少なくとも
一種のスチレン系モノマーと、前記一般式( II )
で表わされる置換スチレン系モノマーの二種類あるい・
はそれ以上のスチレン系モノマーを原料として、これら
を(A)遷移金属戒分および(B)有機アルミニウム化
合物と縮合剤との接触生成物よりなる触媒の存在下に、
重合させるわけである。
ここで触媒の(A)威分である遷移金属化合物としては
様々なものがあるが、好ましくは一般式 M’R”@ R’bR@( R’+4−(a+b*c)
1 + ・・’ (III)M”R104 R”. R
”tx−<a+。》1,    ・・・(IV)?”R
l3f  Rl’■一, 11 0 〔V または M’R”.  RIb@  R”+z−+9+h++ 
        =  (Vl11 0 〔式中、R6〜Rl?は、それぞれ水素原子,ハロゲン
原子,炭素数1〜2oのアルキル基,炭素数1〜20の
アルコキシ基,炭素数6〜2oのアリール基,炭素数6
〜20の了りールアルキル基,炭素数6〜20のアリー
ルオキシ基.炭素数1〜20のアシルオキシ基,アセチ
ルアセトニル基シクロペンタジエニル基.置換シクロベ
ンタジェニル基或いはインデニル基を示す。また、a,
b,cは、それぞれO≦a+b十c≦4を満たす0以上
の整数を示し、d,eは、それぞれ0≦d+e≦3を満
たす0以上の整数を示し、fは0≦r≦2を満たすO以
上の整数を示し、g,  hは、それぞれO≦g十h≦
3を満たす0以上の整数を示す。さらに、M ’ I 
M 2はチタン.ジルコニウム,ハフニウムあるいはバ
ナジウムを示し、Mj,M4はバナジウムを示す。〕 で表わされる遷移金属化合物から選ばれた少なくとも1
種の化合物である。
これらの遷移金属化合物の中でも、前記一般式(I[I
)中のM’が、チタンあるいはジルコニウムであるもの
を用いるのが好ましい。
ここで、前記式中のRh−R17で示されるもののうち
、ハロゲン原子として具体的には塩素.臭素,沃素ある
いは弗素がある。また、置換シクロペンタジエニル基は
、例えば炭素致1〜6のアルキル基で1個以上置換され
たシクロペンタジエニル基、具体的には、メチルシクロ
ペンタジエニル基,1.2−ジメチルシク口ペンタジエ
ニル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基等である
また、前記式中のR6〜Rl7はそれぞれ独立に水素原
子.炭素数1〜20のアルキル基(具体的には、メチル
基,エチル基,プロビル基,n−ブチル基,イソブチル
基5アξル基,イソアミル基オクチル基,2−エチルヘ
キシル基.炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的には
、メトキシ基.エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基
,アミルオキシ基,ヘキシルオキシ基,オクチルオキシ
基,2−エチルへキシルオキシ基等),炭素数6〜20
のアリール基(具体的には、フエニル基,ナフチル基等
),炭素数6〜20のアリールアルキル基(具体的には
、ベンジル基,フェネチル基,9ーアントリルメチル基
等).炭素数l〜20のアシルオキシ基(具体的には、
アセチルオキシ基.ステアロイルオキシ基等)であって
もよい。
これらRh%R’7は上記条件を具備する限り、同一の
ものであっても、異なるものであってもよい。
このような前記一般式([3,  (rV),  CV
)または(Vl)で表される遷移金属化合物のうちチタ
ン化合物の具体例としては、テトラメトキシチタン,テ
トラエトキシチタン,テトラーn−ブトキシチタン,テ
トライソプロポキシチタン,シクロペンタシエニルトリ
メチルチタン,シクロペンタジエニルトリエチルチタン
2 シクロペンタジエニルトリプ口ピルチタン.シクロ
ペンタジエニルトリブチルチタン,メチルシクロペンタ
ジェニルトリメチルチタン,1,2−ジメチルシク口ペ
ンタジエニルトリメチルチタン,ペンタメチルシク口ペ
ンタジエニルトリメチルチタン,ペンタメチルシク口ペ
ンタジエニルトリエチルチタン,ペンタメチルシク口ペ
ンタジエニルトリプ口ピルチタン,ペンタメチルシク口
ペンタジェニルトリブチルチタン.シクロペンタジェニ
ルメチルチタンジクロリド,シクロペンタジェニルエチ
ルチタンジクロリド,ペンタメチルシク口ペンタジエニ
ルメチルチタンジクロリド,ペンタメチルシク口ペンタ
ジエニルエチルチタンジクロリド,シクロペンタジエニ
ルジメチルチタンモノクロリド,シクロペンタジエニル
ジエチルチタンモノクロリド,シクロペンタジエニルチ
タントリメトキシド,シクロペンタジエニルチタントリ
エトキシド,シクロペンタジエニルチタントリプロポキ
シド,シクロペンタジエニルチタントリフエノキシド,
ペンタメチルシク口ペンタジエニルチタントリメトキシ
ド,ペンタメチルシク口ペンタジェニルチタントリエト
キシド,ペンタメチルシク口ペンタジェニルチタントリ
プロポキシド,ペンタメチルシク口ペンタジエニルチタ
ントリブトキシド,ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタントリフェノキシド.シクロペンタジエニルチタン
トリクロリド,ペンタメチルシク口ペンタジエニルチタ
ントリクロリド,シクロペンタジエニルメトキシチタン
クロリド,シクロペンタジエニルジメトキシチタンクロ
リド,ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチタ
ンジクロリド,シクロペンタジエニルトリベンジルチタ
ン,ペンタメヂルシク口ペンタジエニルメチルジエトキ
シチタン,インデニルチタントリクロリド,インデニル
チタントリメトキシド,インデニルチタントリエトキシ
ド,インデニルトリメチルチタン,インデニルトリベン
ジルチタン等が挙げられる。
これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含まない
化合物が好適であり、特に、上述した如き少なくともl
配位子が不飽和なπ電子系配位子であるような4配位型
のチタン化合物が好ましく用いられる。
また、前記一般式(II[),  (IV),  (V
)または(Vl)で表される遷移金属化合物のうちジル
コニウム化合物の具体例としては、シクロペンタジエニ
ルジルコニウムトリメトキシド,ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルジルコニウムトリノトキシド,シクロペン
タジエニルトリベンジルジルコニウム,ペンタメチルシ
ク口ペンタジエニルトリベンジルジルコニウム,ビスイ
ンデニルジルコニウムジクロリド.ジルコニウムジベン
ジルジクロリド,ジルコニウムテトラベンジル,トリブ
トキシジルコニウムクロリド.トリイソプロポキシジル
コニウムクロリドなどが挙げられる。
さらに、同様にハフニウム化合物の具体例としては、シ
クロペンタジエニルハフニウムトリメトキシド,ペンタ
メチルシク口ペンタジエニルハフニウムトリメトキシド
,シクロペンタジエニルトリベンジルハフニウム.ペン
タメチルシクロペンタジエニルトリベンジルハフニウム
,ビスインデニルハフニウムジクロリド.ハフニウムジ
ベンジルクロリド,ハフニウムテトラベンジル,トリブ
トキシハフニウムクロリド,トリイソプロポキシハフニ
ウムクロリドなどが挙げられる。
また、同様にバナジウム化合物の具体例としては、バナ
ジウムトリクロリド,バナジルトリクロリド,バナジウ
ムトリアセチルアセトナート,バナジウムテトラクロリ
ド,バナジルトリブトキシド,バナジルジクロリド,バ
ナジルビスアセチルアセトネート,バナジルトリアセチ
ルアセトネートなどが挙げられる。
一方、本発明の方法で用いる触媒の他の戒分である(B
)有機アルミニウム化合物と縮合剤との接触生成物は、
例えば特開昭62−187708号公報に記載されたも
のと同種のものであるが、詳しくは下記の通りである。
即ち、この接触生成物は、各種の有機アルごニウム化合
物と縮合剤とを接触させて得られるものである。
ここで有機アルξニウム化合物としては、通常一般式 /IRI”ff 〔式中、Ril+は炭素数1〜8のアルキル基を示す。
〕 で表わされる有機アルミニウム化合物、具体的にはトリ
メチルアルミニウム,トリエチルアルくニウム,トリイ
ソブチルアルミニウム等のトリアルキルアルaニウムが
挙げられ、中でもトリメチルアルミニウムが好ましい。
なお、縮合剤については、典型的には水が挙げられるが
、そのほか上記トリアルキルアルミニウムが縮合反応す
るもの、例えば硫酸銅5水塩,無機物や有機物への吸着
水など各種のものが挙げられる。
本発明において用いる触媒の(B)成分である有機アル
ミニウム化合物と縮合剤との接触生成物の代表例として
は、前記一般式A/!R’″3で表わされるトリアルキ
ルアルミニウムと水との接触生成物があるが、具体的に
は 一般式 〔式中、pは重合度を示し、O〜50であり、Rll1
は炭素数1〜8のアルキル基を示す。]で表わされる鎖
状アルキルアミノキサンあるいは一般式 ー÷−Al−0−→一−一 Rl1+ C式中、R1は前記と同しである。〕 で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキルアルミ
ノキサン(繰返し単位数2〜50)等がある。
−iに、トリアルキルアルミニウム等のアルキルアルミ
ニウムと水との接触生成物は、上述の鎖状アルキルアル
ミノキサンや環状アルキルアルミノキサンとともに、未
反応のトリアルキルアル貴ニウム、各種の縮合生成物の
7昆合物、さらにはこれらが複雑に会合した分子であり
、これらはトリアルキルアルミニウムと縮合剤である水
との接触条件によって様々な生成物となる。
この際のアルキルアルミニウムと縮合剤との反応は特に
限定はなく、公知の手法に準して反応させればよい。例
えば、■有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解して
おき、これを水と接触させる方法、■重合時に当初有機
アルミニウム化合物を加えておき、後に水を添加する方
法、さらには■金属塩などに含有されている結晶水、無
機物や有機物への吸着水を有機アルミニウム化合吻と反
応させるなどの方法がある。なお、この反応は無溶媒下
でも進行するが、溶媒中で行なうことが好ましく、好適
な溶媒としては、ヘキサン,ヘプタン,デカン等の脂肪
族炭化水素あるいはベンゼン,トルエン,キシレン等の
芳香族炭化水素を挙げることができる。また、上記の水
にはアンモニアエチルアミン等のアミン.硫化水素等の
硫黄化合物,亜燐酸エステル等の燐化合物などが20%
程度まで含有されていてもよい。
本発明において、触媒の(B)成分として用いる有機ア
ルミニウム化合物と縮合剤との接触生或物(例えば、ア
ルキルアルミノキサン)は、上記の接触反応の後、含水
化合物等を使用した場合には、固体残渣を濾別し、濾液
を常圧下あるいは減圧下で30〜200゜Cの温度、好
ましくは40〜150゜Cの温度で20分〜8時間、好
ましくは30分〜5時間の範囲で溶媒を留去しつつ熱処
理することが好ましい。
この熱処理にあたっては、温度は各種の状況によって適
宜定めればよいが、通常は上記範囲で行なう。一般に、
3 0 ’C未満の温度では、効果が発現せず、また2
00″Cを超えると、アルキルアルξノキサン自体の熱
分解が起こり、いずれも好ましくない。
熱処理の処理条件により反応生威物は、無色の固体又は
溶液状態で得られる。このようにして得られた生成物を
、必要に応して炭化水素溶媒で溶解あるいは希釈して触
媒溶液として使用することができる。
このような触媒の(B)成分として用いる有機アルミニ
ウム化合物と縮合剤との接触生成物、特にアルキルアル
ξノキサンの好適な例は、プロトン核磁気共鳴吸収法で
観測されるアルミニウムーメチル基(Af−CH.)結
合に基くメチルプロトンシグナル領域における高磁場威
分が50%以下のものである。つまり、上記の接触生成
物を、室温下、トルエン溶媒中でそのプロトン核ルf主
気共鳴(’ H − N M R )スペクトルを観測
すると、AffiCH,に基くメチルプロトンシグナル
は、テトラメチルシラン(TMS)基準において1.0
〜−0.5ppmの範囲に見られる。TMSのプロトン
シグナル( O ppm>がAf−CH3に基《メチル
プロトン観測領域にあるため、このAl−CH3に基く
メチルプロトンシグナルを、TMS基準におけるトルエ
ンのメチルプロトンシグナル2. 3 5 ppmを基
準にして測定し、高磁場戒分(即ち、 0.1〜−0.
 5 ppm)と他の磁場成分(即ち、1. 0 〜−
0. 1pprrl)とに分けたときに、該高磁場成分
が、全体の50%以下、好ましくは45〜5%のものが
触媒の(B) rli.分として好適に使用できる。
本発明の方法に用いる触媒は、前記(A) , (B)
成分を主成分とするものであり、前記の他にさらに所望
により他の触媒成分、例えば 一般式 AfR” 〔式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す。〕 で表されるトリアルキルアルξニウムや他の有機金属化
合物などを加えることもできる。
本発明では、上記のようにして得られた触媒を用いて、
前記一般式(Nで表わされるスチレン系モノマーおよび
前記一般式(II)で表わされる置換スチレン系七ノマ
ーを重合する。ここで重合方法は塊状重合.溶液重合,
懸濁重合等いずれの方法を用いてもよい。そしてこれら
の場合、溶剤としてはペンタン.ヘキサン,ヘプタンな
どの脂肪族炭化水素;シクロヘキサンなどの脂環式炭化
水素;ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化
水素が用いられる。これらの中でも芳香族炭化水素が好
ましく、とりわけトルエン,キシレンが好ましい。この
場合において、モノマー/溶媒比は任意に選択すること
ができる。
また、重合条件としては特に制限はないが、一般的には
、重合温度は0〜120゜C1好ましくは10〜70゜
Cであり、また重合時間は5分〜24時間、好ましくは
1時間以上である。
さらに、得られるスチレン系重合体の分子量を調節する
には、水素の存在下で行なうことが効果的である。
さらに、この触媒を使用するにあたって、触媒中の(A
)戒分と(B)戒分との割合は、各成分の種類や、原料
であるスチレン系モノマーおよび置換スチレン系モノマ
ーの種類その他の条件により異なり、一義的に定めるこ
とは困難であるが、通常は、触媒威分(B)中のアル亀
ニウムと、(A)′a移金属戒分中の遷移金属との比、
すなわち、アルミニウム/遷移金属(モル比)として、
1〜10h(モル比)、好ましくは10〜104(モル
比)である。
また、原料の仕込比は特に制限はなく、目的物の組或に
応じて定めることができるが、スチレン系モノマー/置
換スチレンモノマ−(モル比)は通常95/5〜5/9
5、好ましくは80/20〜10/90、好ましくは7
0/30〜20/80である。また、モノマーと触媒成
分(B)中のアル果ニウムとの比、すなわちモノマー合
計/アルξニウム(モル比)としては1〜10’ (モ
ル比)である。
さらに、原料と触媒戒分の仕込みの順序は特に制限はな
く、任意の順序で行なうことができる。
叙上の如くして、スチレン系重合体を製造することがで
きる。このようにして得られた重合体は重合後、必要に
応じて塩酸等を含む洗浄液で脱灰処理し、さらに洗浄.
tJIi圧乾燥を経てメチルエチルケトン等の溶媒で洗
浄して可溶分を除去して最終製品としてのスチレン系重
合体を入手することができる。
〔実施例〕
次に本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例1 (1)  メチルアルミノキサンの調製アルゴン置換し
た内容積5001dのガラス製容器にトルエン200d
.硫酸銅5水塩(CLISO4.5 HzO) 17.
 7 g ( 7 1ミリモル)及びトリメチルアルミ
ニウム24d(250ミリモル)を入れ、40℃で8時
間反応させた。その後、固体成分を除去し、得られた溶
液からさらにトルエンを減圧留去して接触生成物6.7
gを得た。このものの凝固点降下法により測定した分子
量は610であった。
また.’H−NMR測定による高磁場成分、すなわち、
室温下、トルエン溶媒中でそのプロトン核磁気共鳴スペ
クトルを観測すると、(A/!−CH3)結合に基づく
メチルプロトンシグナルは、テトラメチルシラン基準に
おいて1.0〜−0. 5 ppmの範囲に見られる。
テトラメチルシランのプロトンシグナルは( O pp
m)がAf−CH3結合に基づくメチルプロトンに基づ
く観測M域にあるため、この/l−CI{3結合に基づ
くメチルプロトンシグナルをテトラメチルシラン基準に
おけるトルエンのメチルプロトンシグナル2. 3 5
 ppmを基準にして測定し、高磁場成分(すなわち、
−0. 1〜−0.5ppm)と他の磁場戊分(すなわ
ち、1. 0 〜−0. 1 ppm)とに分けたとき
に、該高磁場成分が全体の43%であった。
(2)  スチレン・トランスーβ−メチルスチレン共
重合体の製造 アルゴン雰囲気下、乾燥した反応容器に、室温下、スチ
レン0. 4 ml (3. 5 X 1 0−’ m
ol). }ランスーβ−メチルスチレン1.8d (
1.4 X 1 0−”mol) (仕込み比:トラン
スーβ−メチルスチレン/スチレン=8/2 (モル比
),モノマー合計量1. 7 5 X l O−2mo
l) ,  }リイソブチルアルJ ニウム)  (T
 I BA) 8 X 1 0−’mol(2 mol
/f  hルエン溶液)および触媒成分(B)として、
上記(1)で得られたメチルアルミノキサン8 X 1
 0 −’mol(2.6mol/l−トルエン溶液)
を加え、70″Cの温度で30分間保持した。その後、
この反応溶液に触媒成分(A)として、1,2.3,4
.5−ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リクロリド4 X 1 0−bmol(0. 0 1 
mol/ l − トルエン溶液)を加え、2時間反応
させた。
その後、メタノールー塩酸混合液に反応生成物を注ぎ、
反応を停止、脱灰し、濾過し、さらにメチルエチルケト
ンで2回、メタノールで3回洗浄した。これを減圧下で
乾燥させて、420■のスチレン・トランスーβ−メチ
ルスチレン重合体を得た。
この重合体の分子量を、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィー(GPC)により測定したところ、重量平均
分子! (Mw)は、ボリスチレン(ps)換算で2 
5,0 0 0であり、数平均分子量(Mn)は、PS
換算で11,000であった。
また、示差走査熱量測定(DSC)(測定条件の300
゜C,  5分間保持■30℃まで7℃/分で冷却(フ
ァーストクーリング)■30゜C,  5分間保持■3
00゜Cまで20’C/分で昇温(セカンドヒーティン
グ)〕により求めた、この重合体の冷却時結晶化温度(
Tc),ガラス転移点(Tg)及び融点(Tm)はそれ
ぞれ241.6’C,  89.1”C,269.2゜
Cであった。
なお、GPC測定条件は以下の通りであった。
・装置:ウォーターズ ALC/GPC  150C・
カラム: TSK HM+GMH 6x2・流量:1.
Omjt/min ・温度:135゜C ・溶媒: 1,2.4− }リクロロベンゼン・流入量
:400μl 実施例2〜7 トランスーβ−メチルスチレン/スチレンの七ノマー仕
込み比をそれぞれ5/5.4/6.3/7.2/8. 
1/9,0.5/9.5としたこと以外は、実施例1と
同様に行なった。結果を第1表に示す。
実施例8〜9 置換スチレン系モノマーとして、トランスーβ一メチル
スチレンの代わりにシスースチルベンを用い、かつ、シ
スースチルベン/スチレンのモノマー仕込み比を、それ
ぞれ2/8.1/9としたこと以外は、実施例lと同様
に行なった。結果を第1表に示す。
実施例10〜11 置換スチレン系モノマーとして、トランスーβ一メチル
スチレンの代わりにα−メチルスチレンヲ用い、かつ、
α−メチルスチレン/スチレンの七ノマー仕込み比を、
それぞれ2/8.1/9としたこと以外は、実施例1と
同様に行なった。結果を第1表に示す。
実施例12 置換スチレン系モノマーとして、トランスーβメチルス
チレンの代わりにトランスースチルベンを用い、かつ、
トランスースチルベン/スチレンのモノマー仕込み比を
、1/9としたこと以外は、実施例1と同様に行なった
。結果を第1表に示す。
比較例1 実施例1の反応条件により、スチレン単独重合を行なっ
た。結果を第1表に示す。
〔発明の効果〕
本発明の方法により、α位あるいはβ位に水素以外の置
換基を含む置換スチレン系モノマーとスチレン系モノマ
ーを特定の触媒を用いて重合させることにより、耐熱性
に優れる上に、通常のシンジオタクチックポリスチレン
よりも結晶化速度の大きい重合体を得ることができる。
従って、この重合体を用いれば、射出成形等の戒形を効
率的に行なうことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 触媒成分として、(A)遷移金属成分および(B)有機
    アルミニウム化合物と縮合剤との接触生成物を用い、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……〔 I 〕 〔式中、R^1は水素原子、ハロゲン原子、または炭素
    原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレ
    ン原子、ケイ素原子および錫原子のいずれか1種以上を
    含む置換基を示し、mは1〜3の整数を示す。但し、m
    が複数のときは、各R^1は同一でも異なるものであっ
    てもよい。〕 で表わされるスチレン系モノマーおよび 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……〔II〕 〔式中、R^2〜R^5は水素原子、ハロゲン原子、ま
    たは炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原
    子、セレン原子、ケイ素原子および錫原子のいずれか1
    種以上を含む置換基を示し、nは1〜3の整数を示す。 但し、nが複数のときは、各R^5は同一でも異なるも
    のであってもよい。また、R^2、R^3、R^4のう
    ち少なくとも一つは、水素原子以外の置換基を示す。〕 で表わされる置換スチレン系モノマー(但し、前記一般
    式〔 I 〕で表わされるスチレン系モノマーと同一の場
    合を除く)を重合することを特徴とする重量平均分子量
    1,000以上のスチレン系重合体の製造方法。
JP30222489A 1989-11-22 1989-11-22 スチレン系重合体の製造方法 Expired - Lifetime JP2846003B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30222489A JP2846003B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 スチレン系重合体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30222489A JP2846003B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 スチレン系重合体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03163113A true JPH03163113A (ja) 1991-07-15
JP2846003B2 JP2846003B2 (ja) 1999-01-13

Family

ID=17906442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30222489A Expired - Lifetime JP2846003B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 スチレン系重合体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2846003B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2846003B2 (ja) 1999-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1308848C (en) Styrene copolymer and process for producing said copolymers
US5403908A (en) Aryl styrene-based copolymer
US5023304A (en) Process for producing styrene-based polymer
JP3369294B2 (ja) 遷移金属化合物、それを用いた重合用触媒及び該重合用触媒を用いたスチレン系重合体の製造方法
JP2948630B2 (ja) スチレン系重合体の製造方法
JP2531583B2 (ja) スチレン系共重合体およびその製造方法
JP2911501B2 (ja) スチレン系重合体の製造方法
WO1995001378A1 (fr) Catalyseur de production d'un polymere de styrene et procede de production d'un polymere de styrene l'utilisant
JPH04252207A (ja) スチレン系重合体の精製方法
JPH03163113A (ja) スチレン系重合体の製造方法
JP2834806B2 (ja) スチレン系共重合体およびその製造方法
JPH03109405A (ja) アリールスチレン系重合体およびその製造方法
JP2923024B2 (ja) スチレン系共重合体およびその製造方法
JP2834805B2 (ja) スチレン系重合体の製造方法
JPH01294705A (ja) スチレン系重合体の製造方法とその触媒
JP3121113B2 (ja) スチレン系樹脂組成物の製造方法
JP2820964B2 (ja) スチレン系重合体の精製方法
DE69612214T2 (de) Polymerisationskatalysator und verfahren zur herstellung von polymeren
JP2001172315A (ja) スチレン系モノマー重合用多重金属メタロセン触媒およびその合成方法ならびにこれを用いたスチレン系重合体の合成方法
JPH0485311A (ja) シンジオタクチック構造を有するアルキルスチレン系重合体及び該重合体を含む樹脂組成物
JPH03153713A (ja) スチレン系低分子量共重合体およびその製造方法ならびに該共重合体を主成分とする樹脂用配合剤
JPH0488004A (ja) スチレン系重合体,その製造方法及び該重合体からなる気体分離膜
US6100352A (en) Process for producing polymer
JPH04130114A (ja) スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法
JPH04185619A (ja) スチレン系共重合体およびその製造方法