[go: up one dir, main page]

JPH0292535A - 金属とポリイミドの複合成形体 - Google Patents

金属とポリイミドの複合成形体

Info

Publication number
JPH0292535A
JPH0292535A JP63243986A JP24398688A JPH0292535A JP H0292535 A JPH0292535 A JP H0292535A JP 63243986 A JP63243986 A JP 63243986A JP 24398688 A JP24398688 A JP 24398688A JP H0292535 A JPH0292535 A JP H0292535A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
film
organic group
metal
polyamic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63243986A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07102646B2 (ja
Inventor
Shunichi Numata
俊一 沼田
Takao Miwa
崇夫 三輪
Takae Ikeda
池田　孝栄
Koji Fujisaki
藤崎　康二
Hisae Shimanoki
嶋之木　久恵
Kunio Miyazaki
邦夫 宮崎
Osamu Miura
修 三浦
Ryuji Watanabe
隆二 渡辺
Toshio Miyamoto
俊夫 宮本
Yukio Ogoshi
大越　幸夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63243986A priority Critical patent/JPH07102646B2/ja
Priority to US07/416,279 priority patent/US5133989A/en
Priority to EP89117907A priority patent/EP0361461B1/en
Priority to DE68922360T priority patent/DE68922360T2/de
Publication of JPH0292535A publication Critical patent/JPH0292535A/ja
Publication of JPH07102646B2 publication Critical patent/JPH07102646B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306—Polyimides or polyesterimides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属とポリイミドの複合成形体に係り、特に
低誘電率高耐熱性絶縁膜であるポリイミドを絶縁膜と、
低抵抗の銅などの導体を配線層に用い九遅延時間の非常
に小さい配線板に係わり、更に大型から中小型全般に渡
シ今後のコンピュータ用の主要な高密度高速配線板、エ
レクトロニクス部品の小型化に不可欠なフレキシブルプ
リント板などに使用できる材料に関する。
〔従来の技術〕
従来、高密度配線板として、エポキシやマレイミド樹脂
ガラスクロス積層板鋼箔との多層板や、アルミナ／タン
グステン多層板が使用されてきた。
しかし、前者の場合製造方法、材質の制限があ夛配線幅
が５０　Ａｍ以下の微細化が出来ず、また後者は、セラ
ミックスが高誘電率なことや、製造工程上非常に高温工
程が有るため、抵抗値が大きくても耐熱性の良いタング
ステンなどを使わざるを得ない問題があり、これらに代
わる今後の高速高密度配線板として、高性能な配線板が
要求されている。その第一の候補が、鋼／ポリイミド配
線基板である。これは、シリコンウェハやセラミック基
板の上に低誘電率のポリイミドと低抵抗の銅とを、半導
体の配線の製造プロセスと同様の微細加工によって、製
造するもので極めて高性能の配線板が期待されている。
しかしながら、銅や銀と接触させてポリイミド前駆体で
あるポリアミック酸を加熱硬化すると、３００℃以上で
の昇温すると本来のポリイミドの耐熱性からとても考え
られない程の熱分解反応が生じる問題がある。例えば、
銅の膜上にポリアミック酸フェスを塗布し熱硬化すると
、３００℃以上で明確な変色が認められ、膜が脆化し機
械的に非常に脆くなる現象が知られている。類似の現象
は、フレキシブルプリント板の製造工程や、導電性の銀
ペーストの硬化過程でも認められている。
金属としては銅と銀の場合特にこの問題があり、アルミ
ニウム、チタン、ニッケル、クロムなどは殆ど無害であ
る。
これまで、このように金属と接触させてイミド化膜を形
成する場合、不活性なりロムなどの金属や８１０２や８
１３Ｎ４などの不活性な膜を形成した上にポリアミック
酸前駆体フェスを塗布熱硬化する方法や、直接当該金属
と接触する場合、水素などの還元雰囲気中で加熱硬化す
る方法等がある。しかし、これらの方法は、大幅な工程
数の増加、ランニングコスト等の点で大きな問題を含ん
でいる。
ま九、本発明者らは、ポリイミド膜上にこれらの金属膜
を形成して加熱しても、ポリイミド膜に殆ど悪影響を与
えないことからヒントを得て、金属膜上にイミド化した
フェスを塗布、加熱硬化した結果、やはシポリイミドの
劣化が無いことを見出した。しかし、この方法にはポリ
イミドの溶解性が非常に悪いため、溶剤として人体に害
のあるクレゾール系のものなどを使わざるを得ないとか
、ポリイミド自身にも極めて溶解性の良い特殊なものし
か使えない問題が生じた。
その解決策を検討した結果、カルボン酸をエステル基で
潰したものを用いるとやは９問題無いことが分かった。
しかし、このカルボン酸をエステル化したポリアミック
酸は、酸無水物とアルコールを反応させた後、チオニル
クロライドで酸塩化物とし更にジアミンと反応させて得
るため、合成工程が大幅に長くなる問題や、合成工程で
イオン性の不純物が混入して使用上支障をきたす問題な
ど多くの解決すべき点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、従来のポリアミック酸を金属膜上に塗布し、
熱硬化したときに問題になるポリイミド膜の熱劣化を防
ぎ、還元雰囲気などの特殊な雰囲気でなくても劣化の問
題が無い高信頼性の金属／ポリイミド複合成形体を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、ポリイミドの前駆体を金属と接触させて
熱イミド化させる工程を含んで金属／ポリイミド複合体
を得る際に起きるポリイミド前駆体と金属との化学反応
を詳細に研究した。その結果、金属がポリアミック酸の
カルボン酸の存在下で溶解し、その後高温に曝したとき
にイミド環がその金属によって熱分解し、同時に微粒子
状の酸化金属が析出してくることを明らかにし、また、
これと同様の現象は、スルフォン酸基を有するポリイミ
ド前駆体でも認められ、酸性官能基の存在が金属を溶解
させることを突き止め、本発明を完成した。
すなわち、本発明＃′ｉ、金属とポリイミド前駆体が接
触してイミド化される工程を含んで製造される金属とポ
リイミドを含む複合成形体において、前記ポリイミド前
駆体は該前駆体中のカルボキシル基やスルフォン基など
の酸性官能基がマスキングされたもので有ることを特徴
とした金属とポリイミドの複合成形体である。
本発明において、ポリイミドの前駆体としては、ポリア
ミック酸に少なくとも１個以上のエポキシ基を有する化
合物との反応などによって得られる次のような化学構造
を有するポリアミック酸エポキシ付加物（１）、又は（
１′） 又は シリル化ジアミンと酸二無水物との反応などによって得
られるシリル化ポリアミック酸（ＩＩＩ）又は（■っ又
は 又は 又は、ジイソシアネート化合物と酸二無水物との反応で
得られる生成物（１ｖ）、 及び、イソシアネート化合物等とポリアミック酸との反
応生成物であるアミド化ポリアミック虐（ｎ）又は（■
′） Ｒ−ＮＨ−ＣＯ２ ＼Ｃｏ−ＮＨ−Ｒ 等が挙げられる。（上記式中、Ａｒ１、Ａｒ”、Ａｒ’
、Ｒ，Ｒ３は有機基を示す。） 上記のポリイミドの前駆体であるマスクポリアミック酸
のうち、（１）には合成時の反応性が優れかつ廊合不縮
物が生成しない特長と、イミド化時に比較的大きな縮合
生成物が揮散するため硬化収縮率が多少大きいという問
題がある。また、（ＩＩ）はインシアネート化合物との
反応なので低温でも反応する反面、未反応官能基が残る
と炭酸ガスが発生し発泡する問題が有る。（ＩＩＩ）は
合成も比較的容易であり、ポリアミック酸合成時の反応
性が強いので多くのモノマーを使用することができ、ま
た極性の低下によりフェス粘度が低くなる傾向が有る。
（ＩＹ）は合成が容易だが、反応が進むと炭酸ガスが発
生してイミド化するため安定性に問題が有る。このよう
にマスク法の違いによって特長があり、用途により使い
分けできる。
上記のポリイミドの前駆体のうち、（１）と（ＩＩ）は
、アミノジカルボン酸誘導体の単独重合またはジアミン
とテトラカルボン酸誘導体の反応によって得られるポリ
アミック酸とエポキシ化合物、或いはインシアネート化
合物等を反応させて得ることができる。テトラカルボン
酸誘導体としては、酸無水物、酸塩化物がある。酸無水
物を用いると、合成上好ましい。
ポリアミック酸の合成反応は、−船釣には、Ｎ−メチル
ピロリドン（ＮＭＰ）　、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭ８０）　、硫酸ジメチル、スルホラン
、ブチルラクトン、クレゾール、フェノール、ハロゲン
化フェノール、シクロヘキサノ／、ジオキサン、テトラ
ヒトミフラン、アセトフェノンなどの溶液中で、−２０
〜２００℃の範囲で行われる。
本発明に用いられるアミノジカルボン酸誘導体として具
体例を挙げると、４−アミノ７タル酸、４−アミノ−５
−メチルフタル酸、４−（ｐ−アニリノ）−フタル酸、
４−（５，５−ジメチル−４−アニリノ）７タル酸など
、或いはこれらの酸無水物、酸塩化物等が挙げられる。
本発明に用いられるジアミンは芳香族ジアミンとしては
、ｐ−７二二レンジアミン（ｐ　−ＰＤＡ）、２．５−
ジアミノトルエン、２．５−ジアミノキシレン、ジアミ
ノキシレン（２，５，５，６−チトラメチルフエニレン
ジアミン）、２．５−ジアミノベンゾトリ７０ライド、
２，５−ジアミノキシンール、２．５−ジアミノアセト
フェノン、２，５−ジアミノベンゾフェノン、２，５−
ジアミノジフェニル、２．５−ジアミノフロロベンゼン
、ベンジジン、ｏ−トｖシフ　（０−ＴＬＤ　）、ｍ−
）リジン、３．３−５．５’−テトラメチルベンジジン
、５．５’−ジメトキシベンジジン、５．５’−’）（
トリフ０ロメチル）ベンジジン、３．３′−ジアセチル
ベンジジン、５．５’−ジフロロペンジジン、オクタフ
ロロベンジジン、４，４ζジアミノターフエニル（ＤＡ
ＴＰ）　　　４．４”’−ジアミノクォーターフェニル
等の直線状のコンホメーションを有するものや、ｍ−７
二二レンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、１．２−ビス（アニリノ）エタン、４．４’−ジア
ミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）、ジアミノジフェニ
ルスルホン、２．２−ビｘ（ｐ−アミノフェニル）プロ
パン、２．２−ビス（ｐ−アミノフェニル）へキサフロ
ロプロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、３．３゛−ジメチル−４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエン、ジアミ
ノベンシトリフロライド、１＃４−ビス（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、４．４−ビス（ｐ−アミノフェノ
キシ）ビフェニル、２．２−ビス（４−（ｐ−アミノフ
ェノキシ）フェニルＪ７″ロバン、２，２−ビス（４−
（ｍ−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−（ｐ〜ルアミノフェノキシフェニル）へキ
サ７０ロプロパン、２．２−ビス（４−（ｍ−アミノフ
ェノキシ）フェニル）へキサフロロプロパン、２．２−
ビス（４−（ｐ　−７ミノフエノキシ）−１，５−ジメ
チルフェニル）へキサフロロプロパン、２．２−ビス１
４−Ｃｐ−アミノフェノキシ）−１，５−ジトリフロロ
メチルフェニル）ヘキサ７０ロプロパン、ｐ−ビス（４
−アミノ２−トリフロロメチルフェノキシ）ベンゼン、
４．４′−ビス（４−アミノ−２−トリフロロメチルフ
ェノキシ）ビフェニル、４，４″−ビス（４−アξ）−
３−トリフロロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４
′−ビス（４−アミノ−２−トリフロロメチルフェノキ
シ）ビフェニルスルホン、４．４″−ビス（５−アミノ
−５−トリフロロメチルフェノキシ）ビフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノ−３−トリフロロ
メチルフェノキシ）フェニル）へキサ７０ロプロパン、
ジアミノアントラキノン、４，４−ビス（３−７ミノフ
エノキシフエニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス
（アニリノ）へキサフロロプロパン、１．４−ビス（ア
ニリノ）オクタフロロブタン、１，５−ビス（アニリノ
）デカ７０ロベンタン、または１，７−ビス（アニリノ
ンテトラデカフロロへブタン、及び一般式、 Ｒ４Ｒ４ または、 （Ｒｓ％Ｒ，は２価の有機基、Ｒ４、Ｒ・は１価の有機
基、ｐ、ｑは１より大きい整数。）で示される本発明に
用いるテトラカルボン酸誘導体としては、ピロメリト酸
（ＰＭＤＡ）　、メチルピロメリト酸、ジメチルピロメ
リト酸、ジ（トリフロロメチル）ピロメリト酸、３．３
；４．４′−ビフェニルテトラカルボン酸（ｓ−ＢＰＤ
Ａ）、５．５′−ジメチ／Ｉ／　−５，３：　４．４″
−ビフェニルテトラカルボン酸、ｐ−（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ベンゼン、　　２．５；　５．’４’
−テトラカルボキシジフェニル、　　５．５：　４．４
’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，５，５
：４″−テトラカルボキシジフェニルエーテル、５．　
！ｌ：　４．４’−テトラカルボキシベンゾフェノン（
ＢＴＤＡ）、２．３．３．’　４’−テトラカルボキシ
ベンゾフェノン、２，５，６．７−テトラカルボキシナ
７タレン、　　＋、　４．５．７−テトラカルボキシナ
フタレン、１゜２、５．６−チトラカルポキシナフタレ
ン、！ｌ、　５；　４．４’　−テトラカルボキシジフ
ェニルメタン、２．５．５＝４′−テトラカルボキシジ
フェニルメタン、２，２−ビス（３゜４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（５，４−ジカルボ
キシフェニルンヘキサフロロプロパン、５，５：４，４
″−テトラカルボキシジフェニルスルホン、３．４．９
．　Ｉ　Ｏ−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス
（４−（５，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−（５，４−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル）ヘキサ７０ロプロパン、ブタン
テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸な
どが挙げられ、これらの酸無水物、酸塩化物なども使用
できる。
本発明の（１）の　ポリアミック酸エポキシ付加物は、
仁のようにして得たポリアミック酸に少なくとも１個以
上のエポキシ基？有する化合物を反応させることなどに
よって得られる。これは、従来のポリアミック酸エポキ
シ付加物が、エステル化テトラカルボン酸とジアミンと
を脱水剤を用いて重縮合させた夛、ポリアミック酸を酸
塩化物にしてからアルコールと反応させることなどで得
られていたのに比較して、非常に容易に高分子量のポリ
イミド前駆体を合成できるメリットがある。
ポリアミック酸とエポキシ化合物との反応は、６０℃以
上で加熱するだけでも良いが、イミド化反応を起こさず
にできるだけ低い温度で反応させるために、５級アミン
やイミダゾール類、トリ７エ二ルホスフインなどのエポ
キシ樹脂の硬化促進剤を触媒として使用する方が好まし
い。
本発明の（ｎ）のアミド化ポリアミック酸は、同様にし
て得たポリアミック酸に少なくとも１個以上のイソシア
ネート基を有する化合物を反応させることなどによって
得られる。これも、ポリアミック酸にイソシアネート化
合物を室温から１００℃付近で反応させることによって
容易に得られる。
本発明の（ＩＩＩ）シリル化ポリアミック酸は、アルキ
ルシリル化ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反
応、ポリアミック酸とアルキルジシラザンとの反応等で
非常に容易に不純物の混入が非常罠少ない条件で合成可
能である。
本発明の（ＩＶ）のジイソシアネートとテトラカルボン
酸二無水物との反応生成物であるポリイミドの前駆体も
、やはり酸性官能基が無いために、金属の溶解混入が非
常に少ないため、高温でのポリイミド膜の劣化の問題が
＃まとんどない。
本発明のこの他のメリットは、フェスの粘度が低く、且
つ安定性にも優れている長所を有する。
本発明のポリイミド前駆体膜は、−船釣に行われている
スピンコード法などで形成できる。膜を形成する場合、
加熱イミド化条件は先ず５０〜２５０℃の範囲で乾燥を
行い、次に２５０〜４００℃程度に加熱してイミド化す
ることが好ましい。
本発明において、ポリイミドと種々の基材との接着性が
問題になる。無機材質の表面を粗化したり、シランカッ
プリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウム
アルコレート、アルミニウムキレート、ジルコニウムキ
レート、アルミニウムアセチルアセトネートなどによ）
表面処理することが好ましい。また、これらの表面処理
剤をポリイミド中に添加しても良い。或いはシロキサン
骨格を有するジアミンや、テトラカルボン酸二無水物を
共重合させても良い。
本発明において、ポリイミド骨格が直線状のコンホメー
ションを有するとき塗膜の熱膨張係数が非常に小さくな
り弾性率が大きくなるが、無機質、有機質、または、金
属などの粉末、繊維、チョップトストランドなどを混合
することによっても熱膨張係数を下げ、弾性率を挙げ、
更に流動性をコントロールしたりすることが出来る。
また、本発明のカルボキシル基やスルフォン基などの酸
性官能基をマスキングしたポリイミド前駆体に、銅、銀
から選ばれた金属粉末を添加混合することによって導電
性の塗料として使用できる。
〔実施例〕
以下に、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明は
これらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ ｐ　−ＰＤＡと６−ＢＰＤＡとを常法により反応させて
ポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ
と略す）１５％溶液を得、この溶液に当量のフェニルグ
リシジルエーテルを添加し、ベンジルジメチルアミンの
存在下に８０℃で５時間反応させてヒドロキシエステル
化ポリアミック酸を得た。ベンジルジメチルアミンの添
加量は、フェニルグリシジルエーテルの２重量％とした
。
このポリアミック酸エポキシ付加物ワニスを表面に銅薄
膜を蒸着したシリコンウェハ表面にスピンコードし、厚
さ１５μｍの塗膜を形成し念。加熱イミド化条件は、１
００℃３０分、１００〜４００℃まで１時間で昇温し、
その温度で５０分保持した。雰囲気は空気中である。こ
のポリイミド膜をシリコンウェハから剥離し、フィルム
の中の銅の含量、色、熱分解温度、引っ張り強度を測定
した。その結果、このフィルム中には鋼が１０２％（原
子吸光法）しか含まれず、フィルムの色も褐色で不活性
な５１０２膜上に形成したフィルムとほとんど同じ（比
較例１）であり、空気中での分解温度は５０５℃、引つ
張り強度が４００　ＭＰａ　、破断伸びが２０％と非常
に優れた耐熱性と、機械特性を有している。
また、銅のエツチング液中に約５時間浸漬した後、フィ
ルムの熱分解温度と機械特性を測定した結果、エツチン
グ液に浸していないものと殆ど同じ値を示し、化学的に
も非常に安定していることが分かった。
比較例１： シリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハ表面にｐ−
ＰＤＡと５−ＢＰＤＡとから得たポリアミック酸のＮＭ
Ｐ　１５％溶液をスピンコードシ、厚す１５μｍの塗膜
を形成した。加熱イミド化条件は、実施例１と同じであ
る。これをシリコンウェハから剥離し、色、熱分解温度
、引っ張り強度を測定した。その結果、このフィルムは
、褐色で、空気中での分解温度は５１０℃、引っ張り強
度が３５０ＭＰａ　、破断伸びが２５％と非常に優れた
耐熱性と、機械特性を有し、実施例１のポリイミドフィ
ルムが、この熱酸化膜のような不活性表面上に形成され
た場合同様の特性を有していることが分かる。
また、このフィルム中の銅の含量は、当然ながら非常に
少な（、（１０００３％以下であった。
また、銅のエツチング液中に約５時間浸漬した後、フィ
ルムの熱分解温度と機械特性を測定した結果、エツチン
グ液に浸していないものと殆ど同じ値を示し、実施例１
と同様に化学的にも非常に安定している。
比較例２： 実施例１と同様にシリコンウェハ上に銅箔膜を蒸着で形
成、エツチングでパターン形成し、その上に比較例１と
同じポリアミック酸ワニスを塗布、実施例と同じ条件で
加熱イミド化した。その結果、銅パターンの上のポリイ
ミド膜は黒褐色に変色し、シリコンウェハから剥がそう
とすると銅パターンの変色部分からちぎれた。同様にシ
リコンウニノル上に銅を蒸着した後、パターンを形成し
ないでポリアミック酸ワニスを塗布熱イミド化した。そ
の後、銅のエツチング液中に浸漬して膜を剥離した。
このフィルム中の銅の含量は、α５％と非常に多かった
。このポリイミドフィルムの熱分解開始温度は３５０℃
と不活性膜上で形成した膜よシも２００℃近く耐熱性に
劣り、且つフィルム強度、破断伸びも１５０　ＭＰａ、
　　５％と非常に低下していた。これは、ポリイミド前
駆体であるポリアミック酸のカルボン酸の存在による銅
の溶解と、膜中の銅によるイミド環の酸化劣化が原因で
あろう。
比較例３： 比較例２の銅の代わりにシリコンウェハ上に銀膜を蒸着
で形成し、比較例２と同じポリアミック酸ワニスを塗布
熱イミド化し九。剥離したポリイミド膜の熱分解開始温
度は４００℃と、銅膜上に形成した場合に比較すればま
だ良いが、不活性膜上で形成した膜よりも１００℃近く
耐熱性に劣広且つフィルム強度、破断伸びも夫々２２０
　ＭＰａ、６％と非常に低下してい虎。これは、ポリイ
ミド前駆体であるポリアミック酸のカルボン酸の存在に
よる銀の溶解と、膜中の銀によるイミド環の酸化劣化が
原因であろう。
比較例４： 比較例２の代わシにシリコンウェハ上にニッケル膜を蒸
着で形成し、比較例２と同じポリアミック酸ワニスを塗
布熱イミド化した。その後、ニッケルのエツチング液中
に浸漬して膜を剥離した。
このポリイミドフィルムの熱分解開始温度は４９５℃と
、不活性膜上で形成した膜の耐熱性に遜色無く、銅膜上
に形成した場合に比較しかなり良い。
且つフィルム強度、破断伸びも夫々２９０　ＭＰａ　。
１７％と余り問題にならない。これは、ポリイミド前駆
体であるボリアεツク酸のカルボン酸の存在によるニッ
ケルの溶解量も非常に少なかった。
ニッケルの場合、イミド環の酸化劣化は余シ問題になら
ない。
比較例５ 比較例２と同じポリアミック酸ワニスを比較例２と同様
に銅薄膜を蒸着したシリコンウェハ上に塗布熱イミド化
した。但し、硬化加熱の雰囲気を空気中でなく、水素を
少量混合した窒素ガス中即ち若干還元雰囲気中にした。
その結果、ポリイミド膜の変化はなかった。銅をエツチ
ングで除去して剥離したポリイミド膜の熱分解開始温度
は５００℃と、空気中で加熱イミド化した場合に比較し
格段に熱分解特性は高く、不活性膜状で硬化した時と殆
ど同じであった。且つフィルム強度、破断伸びも夫々３
５０ＭＰａ、　　２１　’ＩｒとＳ　１０．膜上のポリ
イミド膜よシ多少劣るが殆ど鋼の影響を受けていないこ
とが分かる。これは、ポリイミド前駆体であるポリアミ
ック酸のカルボン酸の存在により銅は溶解するが、フィ
ルム中の銅は還元雰囲気中での熱処理で不活性になって
いると思われる。
実施例２ 実施例１と同様にしてＤＤＥとＰＭＤＡとを常法により
反応させてポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリド
ン（ＮＭＰと略す）１５％溶液を得た。更に実施例１と
同様に前記溶液と当量のフェニルグリシジルエーテルと
をベンジルジメチルアミンの存在下に８０℃で５時間反
応させてポリアミック酸エポキシ付加物を得た。ベンジ
ルジメチルアミンの添加量は、フェニルグリシジルエー
テルの２重量％とした。
このポリアミック酸エポキシ付加物フェスを表面に銅薄
膜を蒸着したシリコンウェハ表面にスピンコードし、厚
さ１５μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条件は、１
００℃３０分、１００〜４００℃まで１時間で昇温し、
その温度で３０分保持した。雰囲気は空気中である。こ
のポリイミド膜をシリコンウェハから剥離し、フィルム
の中の銅の含量、色、熱分解温度、引つ張ｐ強度を測定
した。その結果、このフィルム中には銅がα０３％（原
子吸光法）しか含まれず、フィルムの色も褐色で不活性
なｓｉｏ、膜上に形成したフィルムとほとんど同じであ
る。このフィルムの空気中での分解温度は４６０℃、引
つ張シ強度が＋８０ＭＰａ。
破断伸びが２５％と非常に優れた耐熱性と、機械特性を
有している。この値は５１０ｍ上で作製したフィルムと
殆ど物性上の違いはない。
実施例３ ＤＤＥとトリメチルクロルシランとをトルエン中トリエ
チルアミンの存在下に反応させて、ビス（トリメチルシ
リル）ジアミノジフェニルエーテルを得、これとピロメ
リット酸無水物とをＮＭＰ中で室温で反応させてシリル
メチル化ポリアミック酸の１５％フェスを得た。次にと
のシリル化ポリアミック酸ワニスを実施例１と同様に表
面に銅薄膜を蒸着したシリコンウェハ表面にスピンコー
ドし、厚さ１０μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条
件は、実施例と同じである。このポリイミド膜を銅をエ
ツチングすることによってシリコンウェハから剥離し、
フィルムの中の銅の含量、色、熱分解温度、引つ張９強
度を測定した。その結果、このフィルム中には銅が［１
０２％しか含まれず、フィルムの色も褐色で不活性な８
１０！膜上に形成したフィルムとほとんど同じである。
このフィルムの空気中での分解温度は４６０℃、引っ張
り強度が１７０　ＭＰａ　、破断伸びが３０％と非常に
優れた耐熱性と、機械特性を有している。
実施例４ シリル化ＤＡＴＰとａ−ＢＰＤＡとを常法にょシ反応さ
せてシリル化ポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリ
ドン（ＮＭＰと略す）１５％溶液を得た。
このシリル化ポリアミック酸ワニスを表面に銅薄膜を蒸
着したシリコンウェハ表面にスピンコードし、厚さ１５
μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条件は、１００℃
３０分、１００〜４００ｔｌ：まで１時間で昇温し、そ
の温度で３０分保持し念。
雰囲気は空気中である。このポリイミド膜をシリコンウ
ェハから剥離し、フィルムの中の銅の含量、色、熱分解
温度、引つ張や強度を測定した。その結果、このフィル
ム中には銅が（１０２％（原子吸光法）しか含まれず、
フィルムの色も褐色で不活性な５１０２膜上に形成し之
フィルムとほとんど同じである。このフィルムの空気中
での分解温度は５１０℃、引つ張り強度が４２０　ＭＰ
ａ　、破断伸びが２５％と非常に優れた耐熱性と、機械
特性を有している。
また、銅のエツチング液中に約５時間浸漬した後、フィ
ルムの熱分解温度と機械特性を測定した結果、エツチン
グ液に浸していないものと殆ど同じ値を示し、化学的に
も非常に安定していることが分かった。
実施例５ シリル化ｐ−ＰＤＡとＢＴＤＡとを常法により反応させ
てシリル化ポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリド
ン１５％溶液を得た。
このシリル化ポリアミック酸ワニスを表面に銅薄膜を蒸
着したシリコンウェハ表面にスピンコードし、厚さ１５
μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条件は、実施例１
と同じである。このポリイミド膜を銅箔をエツチングし
てシリコンウェハから剥離し、フィルムの中の銅の含量
、色、熱分解温度、引つ張り強度を測定した。その結果
、このフィルム中には銅が（１０４％しか含まれず、フ
ィルムの色も褐色で不活性なＳｉｎ、　ｉ上に形成した
フィルムとほとんど同じである。このフィルムの空気中
での分解温度は４７０℃で、引っ張シ強度が２７０ＭＰ
ａ、破断伸びが２２％と非常に優れた耐熱性と、機械特
性を有している。
実施例６ シリル化ｐ−ＰＤＡとＢ−ＢＰＤＡとを常法により反応
させてシリル化ポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロ
リドン１５％溶液を得た。
このシリル化ポリアミック酸ワニスを表面に銀薄膜を蒸
着したシリコンウェハ表面にスピンコードし、厚さ１５
μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条件は、空気中で
実施例１と同様に行った。
このポリイミド膜をシリコンウェハから剥離し、フィル
ムの中の銀の含量、色、熱分解温度、引っ張り強度を測
定した。その結果、このフィルム中には銀が１００８％
（原子吸光法）しか含まれず、フィルムの色も褐色で不
活性な８１０１　ｍ上べ形成したフィルムとほとんど同
じである。このフィルムの空気中での分解温度は５１０
℃で、引つ張シ強度が４５０ＭＰａ、破断伸びが２７％
と非常に優れた耐熱性と、機械特性を有している。
実施例７ ｏ−ＴＬＤとＢ’ｌ’ＤＡとを常法により反応させてポ
リアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリドン１５％溶液
を得た。更に、フェニルイソシアネートをＢＴＤＡの２
倍モル添加し室温で５時間、８０℃で２時間反応させて
アミド化ポリアミック酸を得た。
このアミド化ポリアミック酸フェスを表面に銅薄膜を蒸
着し念シリコンウエノ・表面にスピンコードシ、厚さ１
０μｍの塗膜を形成した。加熱イミド化条件は、実施例
１と同じである。このポリイミド膜をシリコンウェハ・
から剥離し、フィルムの中の銅の含量、色、熱分解温度
、引つ張り強度を測定した。その結果、このフィルム中
には銅がｌ１０１％しか含まれず、フィルムの色も褐色
で不活性な５ｉｏ２膜上に形成したフィルムとほとんど
同じである。このフィルムの空気中での分解温度は４３
０℃、引つ張９強度が５７０　ＭＰａ　、破断伸びが１
７％と非常に優れ念耐熱性と、機械特性を有している。
実施例８ ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）と５−Ｂ
ＰＤＡとを常法により反応させてポリイミド前駆体のＮ
−メチル−２−ピロリドン１５％溶液を得た。
このフェスを表面に銅薄膜を蒸着したシリコンウェハ表
面にスピンコードし、厚さ１５μｍの塗膜を形成した。
加熱イミド化条件は、空気中で実施例１と同様に行った
。このポリイミド膜をシリコンウェハから剥離し、フィ
ルムの中の鋼の含量、色、熱分解温度、引つ張う強度を
測定した。その結果、このフィルム中には銀が１０１５
％（原子吸光法）しか含まれず、フィルムの色も褐色で
不活性な＄１０１膜上に形成したフィルムとほとんど同
じである。このフィルムの空気中での分解温度は５００
℃で、引つ張シ強度が５３０ＭＰａ、破断伸びが１９％
と非常に優れた耐熱性と、機械特性を有している。
〔発明の効果〕
本発明によｐｌこれまで銅や銀上にポリアミック酸を塗
布して硬化するときに問題になつなポリイミド膜の酸化
劣化に対し、これまでのような還元雰囲気で硬化すると
か、合成の困難なエステル化ポリアミック酸や溶解性の
点で問題なイミド化フェス等を用いなくても、殆ど酸化
劣化が問題にならない方法を提供出来た。
特許出願人　株式会社　日立裂作所

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、金属とポリイミド前駆体が接触してイミド化される
    工程を含んで製造される金属とポリイミドを含む複合成
    形体において、前記ポリイミド前駆体は該前駆体中のカ
    ルボキシル基やスルフォン基などの酸性官能基がマスキ
    ングされたものであることを特徴とする金属とポリイミ
    ドの複合成形体。 ２、金属が銅または銀であることを特徴とする請求項１
    記載の金属とポリイミドの複合成形体。 ３、ポリイミド前駆体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒ＾１は２価の有機基、Ａｒ＾２は４価の有
    機基、Ａｒ＾３は３価の有機基、Ｒは２価の有機基を示
    す）で表されるポリアミツク酸エポキシ付加物であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の金属とポリイミドの複合
    成形体。 ４、ポリイミド前駆体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒ＾１は２価の有機基、Ａｒ＾２は４価の有
    機基、Ａｒ＾３は３価の有機基、Ｒは１価の有機基を示
    す）で表わされるアミド化ポリアミツク酸であることを
    特徴とする請求項１記載の金属とポリイミドの複合成形
    体。 ５、ポリイミド前駆体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒ＾１は２価の有機基、Ａｒ＾２は４価の有
    機基、Ａｒ＾３は３価の有機基、Ｒ＿３は１価の有機基
    を示す。）で表されるシリル化ポリアミツク酸であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の金属のポリイミドの複合
    成形体。 ６、ポリイミド前駆体がジイソシアネート化合物とテト
    ラカルボン酸二無水物との反応生成物であることを特徴
    とする請求項１記載の金属とポリイミドの複合成形体。 ７、銅、銀から選ばれた金属粉末とカルボキシル基やス
    ルフォン基などの酸性官能基をマスキングしたポリイミ
    ド前駆体からなる導電性塗料。 ８、ポリアミツク酸と、少なくとも１分子中に１個のエ
    ポキシ基を有する化合物とを反応させることを特徴とす
    るリアミツク酸エポキシ付加物の製造方法。
JP63243986A 1988-09-30 1988-09-30 金属とポリイミドの複合成形体 Expired - Lifetime JPH07102646B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63243986A JPH07102646B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 金属とポリイミドの複合成形体
US07/416,279 US5133989A (en) 1988-09-30 1989-09-27 Process for producing metal-polyimide composite article
EP89117907A EP0361461B1 (en) 1988-09-30 1989-09-28 Process for producing metal-polyimide composite article
DE68922360T DE68922360T2 (de) 1988-09-30 1989-09-28 Verfahren zur Herstellung von Metall-Polyimid-Verbundwerkstoffen.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63243986A JPH07102646B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 金属とポリイミドの複合成形体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0292535A true JPH0292535A (ja) 1990-04-03
JPH07102646B2 JPH07102646B2 (ja) 1995-11-08

Family

ID=17112011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63243986A Expired - Lifetime JPH07102646B2 (ja) 1988-09-30 1988-09-30 金属とポリイミドの複合成形体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5133989A (ja)
EP (1) EP0361461B1 (ja)
JP (1) JPH07102646B2 (ja)
DE (1) DE68922360T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273829A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd 金属箔付フレキシブル基板及びフレキシブルプリント配線板

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5209814A (en) * 1991-09-30 1993-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for diffusion patterning
WO1994018701A1 (en) * 1993-02-05 1994-08-18 W.L. Gore & Associates, Inc. Stress-resistant semiconductor chip-circuit board interconnect
TW294702B (ja) * 1994-03-08 1997-01-01 Sumitomo Bakelite Co
KR100312150B1 (ko) * 1994-05-17 2001-12-28 마쯔모또 에이찌 액정배향제및액정표시소자
US5550199A (en) * 1994-12-02 1996-08-27 Exxon Research And Engineering Company Diepoxide crosslinked/esterified polyimide-aliphatic polyester copolymers
US7000313B2 (en) * 2001-03-08 2006-02-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Process for fabricating circuit assemblies using electrodepositable dielectric coating compositions
US6992001B1 (en) * 2003-05-08 2006-01-31 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Screen print under-bump metalization (UBM) to produce low cost flip chip substrate
US8999764B2 (en) * 2007-08-10 2015-04-07 International Business Machines Corporation Ionizing radiation blocking in IC chip to reduce soft errors
US20090130468A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Li-Hua Wang Polyamic acid composition, method for preparing the same, method for preparing polyimide and polyimide flexible metal-clad laminates
KR102068870B1 (ko) 2016-06-17 2020-01-21 주식회사 엘지화학 전극 구조체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법
US20230025661A1 (en) * 2021-06-25 2023-01-26 Essex Furukawa Magnet Wire Usa Llc Amine-Substituted 2-Amino-Ethan-1-Olyl Polymers, Polyimides, Articles, and Methods
CN114355727A (zh) * 2022-01-17 2022-04-15 苏州理硕科技有限公司 一种光刻胶组合物及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4848593A (ja) * 1971-02-26 1973-07-10
JPS5545746A (en) * 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
JPS5968332A (ja) * 1982-10-13 1984-04-18 Nitto Electric Ind Co Ltd 感光性樹脂組成物

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1570660A1 (de) * 1964-04-15 1970-03-19 Gen Electric Polysilylharnstoffe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
FR1571736A (ja) * 1967-06-26 1969-06-20
JPS55135124A (en) * 1979-04-10 1980-10-21 Hitachi Chem Co Ltd Production of polyimide-amide carboxylic acid
DE3060913D1 (en) * 1979-05-12 1982-11-11 Fujitsu Ltd Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure
JPS5888741A (ja) * 1981-11-20 1983-05-26 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物積層体
EP0116297B1 (de) * 1983-01-15 1987-12-02 Akzo GmbH Polyimid-Laminate mit hoher Schälfestigkeit und Verfahren zu deren Herstellung
US4648179A (en) * 1983-06-30 1987-03-10 International Business Machines Corporation Process of making interconnection structure for semiconductor device
DE3486131T2 (de) * 1983-08-01 1993-10-28 Hitachi Chemical Co Ltd Harzmaterial mit geringer thermischer Ausdehnung für Verdrahtungsisolationsfolie.
KR850002551A (ko) * 1983-09-30 1985-05-13 원본미기재 두꺼운 니켈 폴리머필름
US4699803A (en) * 1983-11-30 1987-10-13 International Business Machines Corporation Method for forming electrical components comprising cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers
US4654223A (en) * 1983-11-30 1987-03-31 International Business Machines Corporation Method for forming a film of dielectric material on an electric component
US4656050A (en) * 1983-11-30 1987-04-07 International Business Machines Corporation Method of producing electronic components utilizing cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers
JPS60206639A (ja) * 1984-03-31 1985-10-18 日東電工株式会社 ポリイミド−金属箔複合フイルムの製造方法
US4758476A (en) * 1984-12-12 1988-07-19 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polyimide precursor resin composition and semiconductor device using the same
CA1290490C (en) * 1985-11-20 1991-10-08 Masakazu Uekita Amphiphilic high polymer and process for producing the same
CA1294731C (en) * 1986-04-25 1992-01-21 Masakazu Uekita Copolymeric and amphiphilic polyimide precursor, process for preparing the same and thin film
US4943471A (en) * 1986-05-20 1990-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Patterned thin film and process for preparing the same
JPH0727966B2 (ja) * 1986-07-04 1995-03-29 日立化成工業株式会社 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4848593A (ja) * 1971-02-26 1973-07-10
JPS5545746A (en) * 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
JPS5968332A (ja) * 1982-10-13 1984-04-18 Nitto Electric Ind Co Ltd 感光性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273829A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd 金属箔付フレキシブル基板及びフレキシブルプリント配線板

Also Published As

Publication number Publication date
DE68922360T2 (de) 1995-09-28
JPH07102646B2 (ja) 1995-11-08
EP0361461B1 (en) 1995-04-26
EP0361461A2 (en) 1990-04-04
DE68922360D1 (de) 1995-06-01
US5133989A (en) 1992-07-28
EP0361461A3 (en) 1990-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0133533B1 (en) Low thermal expansion resin material for a wiring insulating film.
KR960007934B1 (ko) 저-열팽창성 수지
JPH04262593A (ja) 多層配線構造体およびその製造方法とその用途
JPS60104129A (ja) フッ素含有ポリアミド酸誘導体及びポリイミドの製造方法
JPH0292535A (ja) 金属とポリイミドの複合成形体
JPH03121132A (ja) 新規ポリイミド
JPH0284434A (ja) ３，５‐ジアミノベンゾトリフルオライドを用いたポリイミドポリマーおよびコポリマー
JPH0214365B2 (ja)
EP0361462B1 (en) Process for producing copper or silver/polyimide composite article
JPH047333A (ja) 新規ポリイミド
JPH03177428A (ja) 耐溶剤性ポリイミドシロキサン
JPS62253621A (ja) ポリイミド樹脂
JPS63264632A (ja) 低熱膨張性樹脂
CN115971017B (zh) 聚酰亚胺膜的制造方法、覆金属层叠板的制造方法及电路基板的制造方法
JPH0812763A (ja) 新規ポリアミドイミド共重合体、その製造方法、それを含む被膜形成材料およびパターン形成方法
JPH1149857A (ja) 熱的寸法安定性のすぐれたポリイミドの製法
JPS63199239A (ja) 新規な溶剤可溶性ポリイミド及びその製造方法
JP2603927B2 (ja) 新規なポリイミド樹脂の製造方法
JPH02167741A (ja) 金属／ポリイミド複合体の製造方法
JP2603928B2 (ja) 新規なポリアミド酸組成物
JP2662425B2 (ja) ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体の製造法
JPH0670136B2 (ja) 変性ポリイミド組成物の製法
JPS61241325A (ja) 低熱膨張性ポリイミド
JPS63225629A (ja) ポリイミド系樹脂
JP7492836B2 (ja) ポリイミドフィルムの製造方法