JPH0284414A - ノボラック樹脂、フォトレジスト及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般的にノボラック樹脂及びより詳しくは、
アルデヒドの混合物を用いて製造されるノボラック樹脂
に関する。

本発明はまた、一般的に放射線過敏性ポジ型感光性レジ
スト組成物及び特にアルデヒドの混合物から製造された
ノボラック樹脂を含むそのような組成物にも関する。

〔従来の技術〕

ポジ型感光性レジスト配合物は、たとえばアメリカ特許
筒３，６６６．４７３号；第４，１１５，１２８号；第
４．１７３．４７０号；第４，３７７．６３１号；第４
，５３６，４６５号；及び第４．５２９，６８２号（こ
れらのそれぞれは引用により本明細書に組込まれる）に
記載され、そしてアルカリ可溶性フェノール−ホルムア
ルデヒド又はクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂及び光
過敏性物質、すなわち通常、置換ナフトキノンジアジド
化合物を含有する。その樹脂及び増感剤は、有機溶媒又
は溶媒の混合液中に溶解され、そして所望する特定の用
途のために適切な基板に薄いフィルム又はコーチングと
して適用される。

これらの感光性レジスト配合物のノボラック樹脂成分は
、アルカリ水溶液に溶解するが、しかしナフトキノン増
感剤はその樹脂に対する熔解速度抑制剤として作用する
。しかしながら、化学線への被覆された支持体の選択さ
れた領域の露光に基ずいて、増感剤は、ノボラックのた
めに溶解速度抑制剤としてその効率を下げる放射線誘発
性構造変化を受け、そして続いてその被膜の露光域が、
露光されていない領域よりもより溶解される。この溶解
性速度の相違が、支持体をアルカリ現像溶液に含浸する
場合、その感光性レジスト被膜の露光域の熔解を引き起
こしくところが露光されていない領域は、はとんど影響
されない）、従って基板上に感光性レジストのポジ型レ
リーフパターンを生成する。

ポジ型感光性レジスト、特にマイクロエレクトロニクス
珪素ウェファ−及びチップを製造するために使用される
レジスト類は、しばしば最終製品の製造の間、感光性レ
ジストに対して有害作用を有するほど高い温度にゆだね
られる。従って、改良された熱安定性を有するポジ型感
光性レジストが長く切望されて来た。しかしながら、感
光性レジストは、正確なパターンが支持体に適用され得
るように高い光学的解像能を付与することができること
もまたひじょうに重要である。高い分解能及びコントラ
スト特性を有するポジ型感光性レジスト、たとえばＭｏ
ｒｔｏｎ　Ｔｈ１ｏｋｏｌ、ＩｎｃのＤｙｎａｃｈｅｍ
Ｄｉｖｉｓｉｏｎにより売られているＤＹＮＡＬＩＴＩ
ＩＯＥＰＲ−５０００レジスト及び良好な熱安定性を有
するポジ型感光性レジスト、たとえばＭｏｒｔｏｎ　Ｔ
ｈ１ｏｋｏ、　Ｉｎｃ。

のＤｙｎａｃｈｅｍ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎにより売られて
いるＤＹＮＡＬＩＴＨ’９０ＦＰＲ−８００レジストが
知られているが、これらの熱安定性及び高い解像能並び
に高いコントラスト特性を兼ね備え持つポジ型感光性レ
ジストを開発すべきである。事実、これらの特性の１つ
を高めるためのポジ型感光性レジストの製造は、通常他
の特性に悪影響を与え、すなわち良好な熱安定性を有す
る感光性レジストは、高い解像能及び高いコントラスト
を付与せず、そしてまた逆も同様である。

ひじょうに驚くべきには、使用されるノボラック樹脂が
ホルムアルデヒド（又はホルムアルデヒド前駆体）及び
モノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアルデヒ
ドの混合物から製造される場合、高い程度の熱安定性及
び高い解像能の両者を有するポジ型感光性レジストが製
造され得ことが見された。

〔発明の要約〕

本発明によれば、（ａ）フェノール、フェノール誘導体
又はその混合物及び（ｂ）アルデヒドの縮合生成物であ
る新しく改良された種類のノボラックが提供され、ここ
で改良点とは、ホルムアルデヒド（又はホルムアルデヒ
ド前駆体）及び芳香族アルデヒドの混合物をアルデヒド
として使用することを含んで成る。

本発明によれば、ノボラック樹脂及び光増感剤を含んで
成る改良されたポジ型感光性レジストがまた提供され、
ここで改良点とは、（ａ）フェノール、フェノール誘導
体又はその混合物及び（ｂ）ホルムアルデヒド（又はホ
ルムアルデヒド前駆体）及びモノヒドロキシ芳香族アル
デヒドを含んで成るアルデヒドの混合物の縮合生成物を
ノボラック樹脂として使用することを含んで成る。

さらに、本発明によれば、 Ａ、（ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合
物及び（ｂ）ホルムアルデヒド（又はホルムアルデヒド
前駆体）及びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで
成るアルデヒドの混合物の縮合生成物を含んで成るノボ
ラック樹脂；及びＢ、光増感剤 を含んで成るポジ型感光性レジスト組成物が提供される
。

本発明はまた、 Ｉ、前記基板をポジ型感光性レジスト組成物の層により
被覆し； ＩＩ、前記パターン層を化学線に露光し；そしてＩＩＩ
、露光部分の下の基板領域を露出するために露出された
レジスト組成物のための水性アルカリ現象液により前記
層の露光部分を除去することを含んで成る、基板上にレ
ジストパターンを形成するための方法を提供し； 前記ポジ型感光性レジストは、露光の前、Ａ　、　（ａ
）フェノール、フェノール誘導体又はその混合物、及び
（ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体及
びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアルデ
ヒドの混合物の縮合生成物を含んで成るノボラック樹脂
；及び Ｂ、光増感剤を含んで成ることを特徴とする。

本発明によれば、熱安定性であり且つ高い解像度の露光
されたレジストパターンにより被覆された基板がまた提
供され、ここで前記レジストパターンは、化学線に露光
する前、 Ａ、（ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合
物、及び（ｂ）ホルムアルデヒド（又はホルムアルデヒ
ド前駆体）及びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含ん
で成るアルデヒドの混合物の縮合生成物を含んで成るノ
ボラック樹脂；及びＢ、光増感剤を含んで成る。

〔好ましい態様の詳細な記！３！］ 本発明のノボラック樹脂は、（１）フェノール又はフェ
ノール誘導体、及び（２）ホルムアルデヒド（又はホル
ムアルデヒド前駆体）及び芳香族アルデヒドを含むアル
デヒド混合物から製造される。

これらのノボラック樹脂を調製するのに有用なフェノー
ル及びフェノール誘導体は、以下のものに限定されるも
のではないけれども、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、０−クレゾール及びその混合物を包含す
る。フェノール誘導体のその他の例は、Ｉｌ、１ｌｉｒ
ａｏｋａ、　”ＦｕｎｃｔｉｏｎａｌｌｙＳｕｂｓｔｉ
ｔｕｔｅｄ　Ｎｏｖｏｌａｋ　Ｒｅ５ｉｎｓ：Ｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｉｃ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、　Ｒａ
ｄｉａｔｉｏｎ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、　ａｎｄ　Ｐｈ
ｏｔｏｏｘｉｄａｔｉｏｎ　　、　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
　Ｆｏｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏ　ｒａ　ｈ　。

＾ＣＳ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　５ｅｒｉｅｓ　　Ｎｏ、
２６６（１９８４年）（ここでは参照のためにこの文献
を引用）に認めることができる。また、かかる誘導体は
、例えばアルキル又はハロゲン部分を含むその他の置換
基を芳香族環上に含有していてもよい。

本発明において有用なノボラック樹脂を調製する際に有
利に用いることのできる混合アルデヒドは、ホルムアル
デヒド又はホルムアルデヒド前駆体を含有する。ここで
、°“ホルムアルデヒド前駆体とは、その語を本願明細
書において使用した場合、例えば１，３．５−３−）リ
オキサン及びパラホルＬアルデヒドのような化合物、す
なわちノボラック樹脂を調製するために用いられる反応
条件下にホルムアルデヒドを生成するような化合物を指
す。また、“ホルムアルデヒド”なる語は、それを本願
明細書において使用した場合、本来のホルムアルデヒド
及びホルムアルデヒド前駆体の両者を包含することを理
解されたい。アルデヒド混合物の第２の成分は、フェノ
ール又はフェノール誘導体とともにノボラック樹脂を形
成するような任意の芳香族アルデヒドである。一般的に
、これらの芳香族アルデヒドは、以下のものに限定され
ないけれども、次のような一般式を有する化合物を包含
する： （上式において、Ｒはハロゲン、例えば塩素、アルキル
基、例えばＣ８〜Ｃ４アルキル基である）。

好ましい芳香族アルデヒドの例は、ペンズアルデ１：、
）’、２−１０ロベンズアルデヒド、及ヒモノヒドロキ
シ芳香族アルデヒド、例えば２−ヒドロキシベンズアル
デヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、そして４−
ヒドロキシベンズアルデヒドを包含する。また、芳香族
アルデヒドの混合物を使用してもよい。モノヒドロキシ
ベンズアルデヒドが特に好ましいけれども、これは、か
かるアルデヒドの場合、高解像度、高熱安定性ポジ型感
光性レジストを製造するために使用することのできるノ
ボラック樹脂が得られるからである。

本発明において用いられるノボラック樹脂を調製するた
めに使用するフェノール又はフェノール誘導体と混合ア
ルデヒドの相対的な量は、かなり広い範囲にわたって変
更することができる。一般的に、これらの相対的な量は
、高い融点（Ｔｇ）、橋架は炭素における高度の置換、
そして比較的に低い分子量（ホルムアルデヒドの単独か
ら調製したノボラック樹脂に比較して）を有するノボラ
ック樹脂を製造する方向で置換を行う。通常、本発明の
ノボラック樹脂を製造するため、次のような量の反応体
を使用する： 好ましい１態様において、フェノール成分は、フェノー
ル誘導体の混合物、すなわち、ｍ−クレゾールとｐ−ク
レゾールの混合物である。このような混合物は、もしも
それを使用するならば、次のような相対的な量でｍ−及
びｐ−クレゾールを含有する： （ここで、商業的に入手可能なりレゾールについてみた
場合、僅少量のＯ−クレゾールを含有することは珍しく
ない。したがって、°“全クレゾールのモル数”とは、
ｍ−、ｐ−及び０−クレゾール（もしもあれば）のモル
数を指し、ｍ−及びｐ−クレゾールだけのモル数を指す
ものではない。しかし、Ｏ−クレゾール含有量がクレゾ
ール全量の約１％未満であるのが有利である。）。

上記したような反応体とそれらの反応体の相対的な量が
与えられたとすると、当業者であるならば、ことさらな
実験を行わなくとも、本発明のノボラック樹脂を調製す
ることが可能であるであろう。基本的には、成分の全量
を適当な反応容器に入れ、非反応性の溶媒をこれに添加
する。例えばＰ−）ルエシスルホン酸のような酸触媒は
、全クレゾールのモル数に対する触媒のモル数の比（モ
ル比）で示して、約０．０１〜約０．０４の量で添加す
る。

次いで、反応混合物を還流温度まで加熱し、そしてもは
や副生成物である水が発生しなくなって反応の完結が指
示されるまで、還流を保持する。

本発明のノボラック樹脂は特に、ポジ型感光性レジスト
配合物に有用である。これらの配合物は、典型的にはノ
ボラック樹脂、増感剤（又は“光活性成分”）、溶媒及
び種々の添加剤、たとえば着色剤、しわ助剤及び同様の
ものを含む。市販のポジ型怒光性レジストにおいて、ノ
ボラック樹脂は通常、タレゾールーホルムアルデヒドノ
ボラックであり、そして光活性成分はジアゾキノン化合
物である。ジアゾキノン化合物の例として、２，３０４
−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸モノ−、ジー及びトリエス
テル及び２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モ
ノ−、ジー及びトリエステルを挙げることができる。こ
れら及び他のジアゾ増感剤の例は、１９８５年２月１２
日に発行されたアメリカ特許第４，４９９．１７１号（
ホサカなどによる）（引用により本明細書に組込まれる
）に見出すことができる。溶媒の例として、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）　
、エチルセロソルブアセテート、エチル３−エトキシプ
ロピオネート、ジグリム、ブチロラクトン、キシレン及
び酢酸ブチルを挙げることができるが、但しこれだけに
は限定されない。

ポジ型レジスト配合物の臨界的な成分、すなわち、本発
明のノボランク樹脂及び光活性成分は、広範囲にわたる
相対的な量について使用することができる。一般的に光
像を形成可能なレジストを製造するのに十分な光活性成
分を使用すること、そしてノボラック樹脂の量が結合剤
として有効であること、のみが必要である。相対的な量
について、本発明のポジ型感光性レジストは、光活性成
分１重量部（ｐｂｗ）について約２ｐｂ臀〜約６ｐｂ−
のノボラック樹脂を含有してもよい、好ましくは、光活
性成分１ｐｂ−について約４ｐｂ−のノボラック樹脂の
比を使用する。

レジスト中に含まれる溶媒の量は、かなり幅広く変更す
ることができる。一般的に、ここでもとめられることの
すべてとしては、所定の塗布条件、例えばスピンコード
の速度及びプリベーク温度の下において所望の膜厚を得
るのに十分な溶媒を使用することがある。典型的には、
しかし、約２５〜３０％の固体を有する感光性レジスト
を製造するのに十分な量の溶媒をポジ型感光性レジスト
配合物に添加す″る。

本発明のポジ型レジストは、また、種々の添加剤、例え
ば着色剤、しわ助剤、その他を含有してもよい。また、
レジストのノボラック樹脂成分は、専ら、本発明のノボ
ラック樹脂からなってもよく、あるいは約３５重量％ま
で（レジストの樹脂成分の全重量を基準として）のコン
ベンショナルなノボラック樹脂、例えば６５〜７０％の
ｍ−クレゾール及び３０〜３５％のｐ−クレゾールの混
合物を使用して１周製したクレソ゛−ルホルムアルデヒ
ドノポラック樹脂を含有してもよい。

好ましいモノヒドロキシベンズアルデヒドから調製され
る本発明のノボラック樹脂により製造されたポジ型レジ
ストは、比較的高い熱安定性を有する。たとえば、ホル
ムアルデヒド／モノヒドロキシベンズアルデヒド混合物
を使用するレジストは、従来のオーブン中において約２
００〜２２０°Ｃの温度で少なくとも約３０分間安定す
るが、ところが従来のオーブン中において約３０分間ベ
ータする場合、前記ＤＹＮＡＬＩＴＩＩＯＥＰＲ−５０
００レジストは約１４０°Ｃまででのみ安定し、そして
ＤＹＮＡＬＩＴＩＩＯ０ＦＰＲ−８００は約１８０°Ｃ
まででのみ安定する。

〔実施例〕

次の例は、本発明を例示するものである。

■土 この例は、本発明のノボラック樹脂の典型的な製造方法
を例示する。

次の試薬が、下記に示される量で使用された：パーーゑ
　　　　　　　　　　　　　−１−ｍ−クレゾール　　
　　　　　　　　　　　　１２５．９ｐ−クレゾール　
　　　　　　　　　　　　　１０３．００−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド（９８％’）　　１２３．６トリオキ
サン　　　　　　　　　　　　　　　３０．１イソプロ
ピルアセテ−）　　　　　　　　　　３１３．５２−ト
リエンスルホン酸・Ｈ，０触媒　　　　　４．０触媒を
除くすべての成分を、適切な反応容器に入れた。次に触
媒を添加し、そしてその得られた反応混合物を還流温度
で加熱した。もはや副生成物である水が発生しなくなっ
て反応の完結が指示されるまで、還流を続けた。次にそ
の得られたノボラック樹脂を回収した。

例」二ぢ川 本発明のノボラック樹脂を、下記第表１に示される試薬
を用いて、例１の方法に類似する方法で調製した。

此嘉」←Ｖ二去 比較目的のために、単一のアルデヒドからｆｌＩ製され
たノボラック樹脂を、例１の方法に類似する方法及び表
Ａに示される試薬を用いて製造した。

３１〜５４　　　び　　　　六　　１　Ｋ　−Ｔ前記例
で調製されたノボラック樹脂が、ポジ型感光性レジスト
を製造するために使用された。その感光性レジストは、
下記第２表に示される成分を示される量で単純にブレン
ドすることによって製造された。

次の例は、例３１〜５４及び比較例に−Ｔのポジ型感光
性レジスト配合物の性能を例示する。

５〜　　　　　　Ｕ〜ＤＤ 次に、例３１〜５４及び比較例に−Ｔのレジスト組成物
のそれぞれを、５ｉｌｉｃｏｎ　Ｖａｌｌｅｙ　Ｇｒｏ
ｕｐ＋　Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａにより製造されるトラン
クコーターにより、直径４インチ及びオキシドの厚さ５
０００オングストロームの熱成長性珪素／二酸化珪素被
覆性ウェファ−上に回転被覆した。、ＯＪｎ＆のレジス
トフィルムの均一被膜を、３．５００回転数／分の回転
速度で得た。次に、その被覆されたウェファ−を、１２
０°Ｃで３０分間空気循環オーブン中で又は１１０°Ｃ
で６０秒間ホットプレートを備えるトラック上のいずれ
かによりソフトベークした。次に、そのレジストフィル
ムの厚さを、Ｎａｎｏｓｐｅｃ　ＡＦＴ厚さ測定器具に
より測定した。

被覆されたウェファ−を、３９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範
囲の露光用′紫外線を提供するためにＮ、Ａ、０．３２
５のレンズを備えたＵｌｔｒａｔｅｃｈ＠アルドステッ
プ１０００（１：１）投射ステッパーにより露光した。

種の大きさの線及び間隔幅を有するＭｉｃｒｏｍａｓｋ
Ｏマスク（あるものは、０．７５−の大きさである）を
用いて、選択的露光パターンを提供した。露光時間を、
レジストの感光度、すなわち露光域のレジストが現像の
間、完全に除去／きれいにされるようにレジストの露光
域を溶解するであろう、ミリジュール／　ｃ４での最少
量の露光エネルギー（強さ×時間）を決定するために変
えた。

上記のようにして調製された露光ずみレジスト被覆ウェ
ファ−を、テフロンウェファ−ボート中に置き、そして
口ＹＮＡＬＩＴＨＯＮＭＤ−３現像液（約１９°Ｃ±１
°Ｃで安定化されたアルカリ水溶液である）を含む１ガ
ロンのテフロン容器中に含浸し又は５ｉｌｉｃｏｎ　Ｖ
ａｌｌｅｙ　Ｇｒｏｕｐ、　Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａによ
り製造されるトラック現像装置により加工した。そのウ
ェファ−を、現像溶液中に６０秒間含浸し続けた。現像
液を除去した後、ウェファ−を脱イオン水によりすすぎ
、そして多量の窒素ガスにより又はそれらを回転乾燥機
に置くことによって乾燥せしめた。

現像に続いて、そのウヱファーを、°“１ｏｏｏ　ｘ”
倍で光学顕微鏡により試験した。

現像されたウヱファーのポスト−ベーキングを、約１５
０°Ｃ１２８０”Ｃ又は２００°Ｃで３０分間、空気循
環オープン中で行ない、被膜の溶解されていない部分の
付着性及び耐薬品性を高めた。像のポスト−ベーク流動
性を、’１００ＯＸ′′倍で光学顕微鏡によた試験した
。

これらの性能試験の結果は、下記の第３表に示される： 手続補正書（方式） 平成１年６月　７日 特許庁長官　吉　１）文　毅　殿 １、　事件の表示 平成１年特許願第７８６８９号 ２、　発明の名称 ノボラック樹脂、輻射線敏感性ポジ型感光性レジスト及
びレジストパターンの形成方法３、　補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 名称、モートン　サイオコール。

インコーホレイティド ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 明細書の浄書（内容に変更なし） ８、添附書類の目録 浄書明細書 １通 ４、代理人 住所・　〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号５
、補正命令の日付 （外３名） 手続補正書 平成１年６月３　日 特許庁長官　吉　１）文　毅　殴 １、　事件の表示 平成１年特許願第７８６８９号 ２　発明の名称 ノボラック樹脂、フォトレジスト及びレジストパターン
の形成方法（新名称） ３、　補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 名称　モートンサイオコール。

インコーホレイティド ４、代理 住所 人 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号５、補正の
対象 （１）明細書の「発明の名称」の欄 （２）明細書の「特許請求の範囲」の欄（３）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄６、補正の内容 （１、発明の名称を次のように補正する。

ｒノボラック樹脂、フォトレジスト及びレジストパター
ンの形成方法１ （２、特許請求の範囲を別紙の通り補正する。

（３）ｉ）明細書、１１頁１７〜２０行の記載を次のよ
うに補正する。

ｒ本発明はまた、−船釣に、放射線に対して感度を有す
るポジ型フォトレジスト、そして特に、そのような組成
物であってアルデヒドの混合物から調製されたノボラッ
ク樹脂を含む組成物にも関する。なお、本願明細書では
、“フォトレジスト“なる語と同義で“感光性レジスト
°゛なる語を用いたり、“放射線に対して感度を有する
こと（感放射線性）ｍを“°放射線過敏性”と呼んだり
することもある。１ ｉｉ　）明細書、１４頁１９〜２０行の「製造され得こ
とが見された。」をｒ製造され得ることが見出された。

」に補正する。

１ｉｉ）明細書、１６頁９行の「前記パターン層を化学
線に露光し」をｒ前記層を化学線にパターン露光しｊに
補正する。

ｉｖ）明細書、１６頁１２行の「現象液」をｒ現像液１
に補正する。

■）明細書、２７頁２行の「第表ＩＪをｒ第１表１に補
正する。

ｖｉ）明細書、３０頁第１表（続き）の左から６番目の
欄の見出しｒＣａｔ、」を「触媒１に補正する。

ｖｉ）明細書、４１頁第３表（続き）の“ブリッジ”の
欄の「ｕｎｍｅａｓ、　（１，５）　Ｊ　　（例７１及
び例７３の２個所）を「未測定（１，５）　Ｊに補正す
る。

７、添付書類の目録 特許請求の範囲　　　　　　　　　　１通２、特許請求
の範囲 １、（ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合
物、及び（ｂ）アルデヒドの縮合生成物であるノボラッ
ク樹脂であって、アルデヒドとしてホルムアルデヒド又
はホルムアルデヒド前駆体及び芳香族アルデヒドの混合
物を使用することを特徴とするノボラック樹脂。

２、　ノボラック樹脂及び光増感剤を含んで成るポジ型
フォトレジストであって、ノボラック樹脂として、（ａ
）フェノール、フェノール誘導体又はその混合物、及び
（ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体及
びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアルデ
ヒドの混合物の縮合生成物を使用することを特徴とする
ポジ型フォトレジスト。

３、　ポジ型フォトレジスト組成物であって、Ａ、（ａ
　）フェノール、フェノール誘導体又はその混合物、及
び（ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体
及びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを有するアルデヒ
ドの混合物の縮合生成物を含むノボラック樹脂；及び Ｂ、光増感剤 を含んで成るポジ型フォトレジスト組成物。

４、　基板上にレジストパターンを形成するための方法
であって： Ｉ、前記基板に゛ポジ型フォトレジスト組成物の層を被
覆し； ＩＩ、前記層を化学線にパターン露光し；そしてＩＩＩ
、露光部分の下の基板領域を露出させる゛ために露光後
のレジスト組成物のための水性アルカリ現像液により前
記層の露光部分を除去することを含んで成り； 前記ポジ型フォトレジストは、露光の前、Ａ、（ａ　）
フェノール、フェノール誘導体又ハソの混合物、及び（
ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体及び
モノヒドロキシ芳香族アルデヒドを有するアルデヒドの
混合物の縮合生成物を含むノボラック樹脂；及び Ｂ、光増感剤を含んで成ることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法。

５、　熱安定性で且つ高い解像度の露光レジストパター
ンにより被覆された基板であって；前記レジストパター
ンが、化学線に露光する前、Ａ、（ａ）フェノール、フ
ェノール誘導体又はその混合物、及び（ｂ）ホルムアル
デヒド又はホルムアルデヒド前駆体及びモノヒドロキシ
芳香族アルデヒドを有するアルデヒドの混合物を含むノ
ボラック樹脂；及び Ｂ、光増感剤 を含んで成るポジ型フォトレジスト組成物から形成され
ることを特徴とする特許

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合
   物及び（ｂ）アルデヒドの縮合生成物であるノボラック
   樹脂であって、アルデヒドとしてホルムアルデヒド又は
   ホルムアルデヒド前駆体及び芳香族アルデヒドの混合物
   を使用することを特徴とするノボラック樹脂。 ２、前記フェノール成分がｍ−及びｐ−クレゾールの混
   合物である請求項１記載のノボラック樹脂。 ３、前記フェノール及びアルデヒド成分が次の量： 全アルデヒド成分のモル数／全フェノール又はフェノー
   ル誘導体成分のモル数×１００＝約６０％〜約９５％芳
   香族アルデヒド成分のモル数／全アルデヒド成分のモル
   数×１００＝約１５％〜約９５％で存在する請求項１記
   載のノボラック樹脂。 ４、前記ｍ−及びｐ−クレゾールが次の量：ｍ−クレゾ
   ール成分のモル数／全クレゾール成分のモル数×１００
   ＝約３０％〜約７５％で存在する請求項２記載のノボラ
   ック樹脂。 ５、ノボラック樹脂及び光増感剤を含んで成るポジ型感
   光性レジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）であって、ノ
   ボラック樹脂として、（ａ）フェノール、フェノール誘
   導体又はその混合物及び（ｂ）ホルムアルデヒド又はホ
   ルムアルデヒド前駆体及びモノヒドロキシ芳香族アルデ
   ヒドを含んで成るアルデヒドの混合物の縮合生成物を使
   用することを特徴とするポジ型感光性レジスト。 ６、前記ノボラック樹脂のフェノール成分がｍ−及びｐ
   −クレゾールの混合物である請求項５記載のポジ型感光
   性レジスト。 ７、前記ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホルムア
   ルデヒドと２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒド
   ロキシベンズアルデヒド及び４−ヒドロキシベンズアル
   デヒドから選択されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒド
   との混合物である請求項５記載のポジ型感光性レジスト
   。 ８、前記ノボラック樹脂のフェノール及びアルデヒド成
   分が次の量： 全アルデヒド成分のモル数／全フェノール又はフェノー
   ル誘導体成分のモル数×１００＝約６０％〜約９５％モ
   ノヒドロキシ芳香族アルデヒド成分のモル数／全アルデ
   ヒド成分のモル数×１００＝約１５％〜約９５％で存在
   する請求項５記載のポジ型感光性レジスト。 ９、前記ｍ−及びｐ−クレゾールが次の量：ｍ−クレゾ
   ール成分のモル数／全クレゾール成分のモル数×１００
   ＝約３０％〜約７５％で存在する請求項６記載のポジ型
   感光性レジスト。 １０、ポジ型感光性レジスト組成物であって、Ａ、（ａ
   ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合物及び（
   ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体及び
   モノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアルデヒ
   ドの混合物の縮合生成物を含んで成るノボラック樹脂；
   及び Ｂ、光増感剤 を含んで成るポジ型感光性レジスト組成物。 １１、前記ノボラック樹脂のフェノール成分がｍ−及び
   ｐ−クレゾールの混合物である請求項１０記載のポジ型
   感光性レジスト組成物。 １２、前記ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホルム
   アルデヒドと２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒ
   ドロキシベンズアルデヒド及び４−ヒドロキシベンズア
   ルデヒドから選択されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
   ドとの混合物である請求項１０記載のポジ型感光性レジ
   スト組成物。 １３、前記ノボラック樹脂のフェノール及びアルデヒド
   成分が、次の量： 全アルデヒド成分のモル数／全フェノール又はフェノー
   ル誘導体成分のモル数×１００＝約６０％〜約９５％モ
   ノヒドロキシ芳香族アルデヒド成分のモル数／全アルデ
   ヒド成分のモル数×１００＝約１５％〜約９５％で存在
   する請求項１０記載のポジ型感光性レジスト組成物。 １４、前記ｍ−及びｐ−クレゾールが次の量：ｍ−クレ
   ゾール成分のモル数／全クレゾール成分のモル数×１０
   ０＝約３０％〜約７５％で存在する請求項１１記載のポ
   ジ型感光性レジスト組成物。 １５、前記光増感剤がナフトキノンジアジド増感剤であ
   る請求項１０記載のポジ型感光性レジスト組成物。 １６、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、１、２−ナ
   フトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸のエステル及
   び１、２−ナトトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸
   のエステルから成る群から選択する請求項１５記載のポ
   ジ型感光性レジスト組成物。 １７、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、２、３、４
   −トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフトキノ
   ン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノエステル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸ジエスル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸トリエステル及び
   それらの混合物から成る群から選択する請求項１６記載
   のポジ型感光性レジスト組成物。 １８、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、２、３、４
   −トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフトキノ
   ン−２−ジアゾ−５−スルホン酸モノエステル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸ジエステル；２、
   ３、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフ
   トキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸トリエステル及
   びそれらの混合物から成る群から選択する請求項１６記
   載のポジ型感光性レジスト組成物。 １９、基板上にレジストパターンを形成するための方法
   であって： I 、前記基板をポジ型感光性レジスト組成物の層によ
   り被覆し； II、前記パターン層を化学線に露光し；そしてIII、露
   光部分の下の基板領域を露出するために露出されたレジ
   スト組成物のための水性アルカリ現象液により前記層の
   露光部分を除去することを含んで成り； 前記ポジ型感光性レジストは、露光の前、 Ａ、（ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合
   物、及び（ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド
   前駆体及びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成
   るアルデヒドの混合物の縮合生成物を含んで成るノボラ
   ック樹脂；及び Ｂ、光増感剤を含んで成ることを特徴とする方法。 ２０、前記ノボラック樹脂のフェノール成分が、ｍ−及
   びｐ−クレゾールの混合物である請求項１９記載の方法
   。 ２１、前記ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホルム
   アルデヒドと２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒ
   ドロキシベンズアルデヒド及び４−ヒドロキシベンズア
   ルデヒドから選択されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
   ドとの混合物である請求項１９記載の方法。 ２２、前記ノボラック樹脂のフェノール及びアルデヒド
   成分が、次の量： 全アルデヒド成分のモル数／全フェノール又はフェノー
   ル誘導体成分のモル数×１００＝約６０％〜約９５％モ
   ノヒドロキシ芳香族アルデヒド成分のモル数／全アルデ
   ヒド成分のモル数×１００＝約１５％〜約９５％で存在
   する請求項１９記載の方法。 ２３、前記ｍ−及びｐ−クレゾールが、次の量：ｍ−ク
   レゾール成分のモル数／全クレゾール成分のモル数×１
   ００＝約３０％〜約７５％で存在する請求項２０記載の
   方法。 ２４、熱安定性で且つ高い解像度の露光レジストパター
   ンにより被覆された基板であって； 前記レジストパターンが、化学線に露光する前、Ａ、（
   ａ）フェノール、フェノール誘導体又はその混合物、及
   び（ｂ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体
   及びモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアル
   デヒドの混合物を含んで成るノボラック樹脂；及び Ｂ、光増感剤を含んで成るを含んで成るポジ型感光性レ
   ジスト組成物から形成されることを特徴とする基板。 ２５、前記ノボラック樹脂のフェノール成分が、ｍ−及
   びｐ−クレゾールの混合物である請求項２４記載の基板
   。 ２６、前記ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホルム
   アルデヒドと２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒ
   ドロキシベンズアルデヒド及び４−ヒドロキシベンズア
   ルデヒドから選択されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
   ドとの混合物である請求項２４記載の基板。 ２７、前記ノボラック樹脂のフェノール及びアルデヒド
   成分が、次の量： 全アルデヒド成分のモル数／全フェノール又はフェノー
   ル誘導体成分のモル数×１００＝約６０％〜約９５％モ
   ノヒドロキシ芳香族アルデヒド成分のモル数／全アルデ
   ヒド成分のモル数×１００＝約１５％〜約９５％で存在
   する請求項２４記載の基板。 ２８、前記ｍ−及びｐ−クレゾールが、次の量：ｍ−ク
   レゾール成分のモル数／全クレゾール成分のモル数×１
   ００＝約３０％〜約７５％で存在する請求項２５記載の
   基板。 ２９、前記光増感剤がナフトキノンジアジド増感剤であ
   る請求項２４記載の基板。 ３０、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、１、２−ナ
   フトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸のエステル及
   び１、２−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸
   から成る群から選択する請求項２９記載の基板。 ３１、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、２、３、４
   −トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフトキノ
   ン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノエステル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸ジエスル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸トリエステル及び
   それらの混合物から成る群から選択する請求項３０記載
   の基板。 ３２、前記ナフトキノンジアジド増感剤を、２、３、４
   −トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフトキノ
   ン−２−ジアゾ−５−スルホン酸モノエステル；２、３
   、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフト
   キノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸ジエステル；２、
   ３、４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１、２−ナフ
   トキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸トリエステル及
   びそれらの混合物から成る群から選択する請求項３０記
   載の基板。