JPH0255342A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH0255342A JPH0255342A JP63206352A JP20635288A JPH0255342A JP H0255342 A JPH0255342 A JP H0255342A JP 63206352 A JP63206352 A JP 63206352A JP 20635288 A JP20635288 A JP 20635288A JP H0255342 A JPH0255342 A JP H0255342A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電気化学的着消色現象、すなわちエレクトロ
クロミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に
関し、特に調光(防眩)ミラーに適したエレクトロクロ
ミック素子に関する。
クロミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に
関し、特に調光(防眩)ミラーに適したエレクトロクロ
ミック素子に関する。
(従来の技術)
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応により物質が着色又は消色する現象を指す。
還元反応により物質が着色又は消色する現象を指す。
このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子、すなわちエレクトロクロミック素子は
、例えば、調光(防眩)ミラー可変NDフィルタ、数字
表示素子、x−yマトリックスデイスプレィ、光学シャ
ッタ、絞り機構等に応用が期待されている。
学的発消色素子、すなわちエレクトロクロミック素子は
、例えば、調光(防眩)ミラー可変NDフィルタ、数字
表示素子、x−yマトリックスデイスプレィ、光学シャ
ッタ、絞り機構等に応用が期待されている。
従来のエレクトロクロミック素子は一般に第1図に示す
如く、基板1の上に導電体膜よりなる第一電極2、陽極
側着色層である第一エレクトロクロミック層3、誘電体
膜からなる絶縁層4、陰極側着色層である第二エレクト
ロクロミック層5及び第二電極6を順次積層してなるも
のである。
如く、基板1の上に導電体膜よりなる第一電極2、陽極
側着色層である第一エレクトロクロミック層3、誘電体
膜からなる絶縁層4、陰極側着色層である第二エレクト
ロクロミック層5及び第二電極6を順次積層してなるも
のである。
この様なエレクトロクロミック素子を調光ミラーに応用
するには反射層が必要であり、この反射層は従来は第一
電極2と兼用されていた。
するには反射層が必要であり、この反射層は従来は第一
電極2と兼用されていた。
上記の従来のエレクトロクロミック素子の構造において
、基板1は一般的にはガラス板によって形成されるが、
絶縁物であればカラス板に限らず、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、アクリル等のプラスチック板でもよい。
、基板1は一般的にはガラス板によって形成されるが、
絶縁物であればカラス板に限らず、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、アクリル等のプラスチック板でもよい。
第一′1゛「極2か反射層を兼用する場合は、第一電極
2にはA1、八g、へ〇等の金属が用いられ、第二電極
6には透明導電膜としてITO(In203中に5n0
2を5%前後ドープしたもの) 、 SnO2、In2
O3等が用いられる。
2にはA1、八g、へ〇等の金属が用いられ、第二電極
6には透明導電膜としてITO(In203中に5n0
2を5%前後ドープしたもの) 、 SnO2、In2
O3等が用いられる。
陽極側着色層である第一エレクトロクロミック層3は、
例えば、酸化イリジウム(Ire、)、酸化ニッケル(
Nip、) 、三酸化クロム(Cr20+)等によって
形成され、誘電体からなる絶縁層4は、五酸化タンタル
(Ta20s)、二酸化ジルコニウム(7,r02)
、二酸化硅素(SiO□)等により代表される酸化物或
いは弗化リチウム(LiF)、弗化マグネシウム(Mg
F 2 )等に代表される弗化物を用いて形成される。
例えば、酸化イリジウム(Ire、)、酸化ニッケル(
Nip、) 、三酸化クロム(Cr20+)等によって
形成され、誘電体からなる絶縁層4は、五酸化タンタル
(Ta20s)、二酸化ジルコニウム(7,r02)
、二酸化硅素(SiO□)等により代表される酸化物或
いは弗化リチウム(LiF)、弗化マグネシウム(Mg
F 2 )等に代表される弗化物を用いて形成される。
又、陰極側着色層である第二エレクトロクロミック層5
は、三酸化タングステン(WO3)、二酸化タングステ
ン(WO2)、二酸化モリブデン(閘。02)、三酸化
モリブデン(MOO3)、五酸化バナジウム(V2O5
)等を用いて形成される。
は、三酸化タングステン(WO3)、二酸化タングステ
ン(WO2)、二酸化モリブデン(閘。02)、三酸化
モリブデン(MOO3)、五酸化バナジウム(V2O5
)等を用いて形成される。
以上の如き構造を有する全固体型エレクトロクロミック
素子は、第一電極2と第二電極6との間に電圧を印加す
ることにより、エレクトロクロミック層中で電気化学反
応が起き着色又は消色するものであり、この着色機構は
、例えば、エレクトロクロミック層5へのカチオンと電
子のダブルインジェクションによるブロンズ形成にある
と一般に云われている。
素子は、第一電極2と第二電極6との間に電圧を印加す
ることにより、エレクトロクロミック層中で電気化学反
応が起き着色又は消色するものであり、この着色機構は
、例えば、エレクトロクロミック層5へのカチオンと電
子のダブルインジェクションによるブロンズ形成にある
と一般に云われている。
例えば、エレクトロクロミック物質としてWOlを用い
た場合には、次の(1)式で表わされる酸化還元反応が
起きて着色する。
た場合には、次の(1)式で表わされる酸化還元反応が
起きて着色する。
V403+xll” +xe−z 1lJO3(1)ト
記(1)式に従って、タングステンブロンズ+I、Wo
、が形成されて着色するが、ここで印加電圧を逆転すれ
ば、消色状態になる。
記(1)式に従って、タングステンブロンズ+I、Wo
、が形成されて着色するが、ここで印加電圧を逆転すれ
ば、消色状態になる。
(1)式のこのような反応では、全固体型のエレクトロ
クロミック素子においては、素子内部の絶縁層によって
プロトン1ドが供給され着色する。
クロミック素子においては、素子内部の絶縁層によって
プロトン1ドが供給され着色する。
(発明が解決しようとしている問題点)上記の如き従来
のエレクトロクロミック調光ミラーの作成方法において
は、反射層を兼用する電極2を基板1上に真空蒸着法等
により予め形成した後、その電極2上に第一エレクトロ
クロミック層3として陽極側着色層である金属酸化物を
形成していた。この第一エレクトロクロミック層3を陽
極酸化法により形成する場合には、予め形成した反射層
を兼ねる電極2上に更に陽極酸化する金属膜を形成し、
この金属膜の全てを陽極酸化して金属酸化物である第一
エレクトロクロミック層3を得ていた。
のエレクトロクロミック調光ミラーの作成方法において
は、反射層を兼用する電極2を基板1上に真空蒸着法等
により予め形成した後、その電極2上に第一エレクトロ
クロミック層3として陽極側着色層である金属酸化物を
形成していた。この第一エレクトロクロミック層3を陽
極酸化法により形成する場合には、予め形成した反射層
を兼ねる電極2上に更に陽極酸化する金属膜を形成し、
この金属膜の全てを陽極酸化して金属酸化物である第一
エレクトロクロミック層3を得ていた。
この様に従来技術では、作成プロセスが複雑になるとい
う欠点があった。
う欠点があった。
従って本発明は、上記従来例の欠点を除去し、調光ミラ
ーとして適したエレクトロクロミック素子を効率的に作
成することを目的とする。
ーとして適したエレクトロクロミック素子を効率的に作
成することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上記目的は以下の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は、導電体1反よりなる第一電極と陽
極側着色層である第一エレクトロクロミック層と誘電体
膜よりなる絶縁層と陰極側着色層である第二エレクトロ
クロミック層と導電体膜よりなる第二電極とを順次積層
してなるエレクトロクロミック素子において、第一電極
が金属層であり、第一エレクトロクロミック層が第一電
極の金属層の上部を陽極酸化して得られる酸化物である
ことを特徴とするエレクトロクロミック素子である。
極側着色層である第一エレクトロクロミック層と誘電体
膜よりなる絶縁層と陰極側着色層である第二エレクトロ
クロミック層と導電体膜よりなる第二電極とを順次積層
してなるエレクトロクロミック素子において、第一電極
が金属層であり、第一エレクトロクロミック層が第一電
極の金属層の上部を陽極酸化して得られる酸化物である
ことを特徴とするエレクトロクロミック素子である。
(作 用)
陽極酸化法の場合には、酸化は金属膜の表面から徐々に
内部に進行していくことから、基板上に第一電極として
金属層を形成しておき、この金属層の上部を酸化して第
一エレクトロクロミック層を得ることにより、作成プロ
セスを簡単にでき、調光ミラーとして適したエレクトロ
クロミック素子を効率的に作成することができる。
内部に進行していくことから、基板上に第一電極として
金属層を形成しておき、この金属層の上部を酸化して第
一エレクトロクロミック層を得ることにより、作成プロ
セスを簡単にでき、調光ミラーとして適したエレクトロ
クロミック素子を効率的に作成することができる。
(好ましい実施態様)
次に図面に示す好ましい実施形態により本発明を更に詳
しく説明する。
しく説明する。
第1図は、従来のエレクトロクロミック素子の断面図で
あり、第2図は本発明のエレクトロクロミック素子の断
面図である。
あり、第2図は本発明のエレクトロクロミック素子の断
面図である。
本発明では第2図示の如く、基板lの表面に第電極2分
としての厚み(7a)と、酸化して第一エレクトロクロ
ミック層3とする分としての厚み(7b)とからなる金
属層7を形成しておいて、金属層7の酸化して第一エレ
クトロクロミック層にする厚みの金属層7bを陽極酸化
して第一エレクトロクロミック層3とし、残りの金属層
7aを金属のままとして第一電極2及び反射層を兼ねさ
せることにより、第一エレクトロクロミック層3と第一
電極2(反射層)とを簡便なプロセスで作製することが
できる。
としての厚み(7a)と、酸化して第一エレクトロクロ
ミック層3とする分としての厚み(7b)とからなる金
属層7を形成しておいて、金属層7の酸化して第一エレ
クトロクロミック層にする厚みの金属層7bを陽極酸化
して第一エレクトロクロミック層3とし、残りの金属層
7aを金属のままとして第一電極2及び反射層を兼ねさ
せることにより、第一エレクトロクロミック層3と第一
電極2(反射層)とを簡便なプロセスで作製することが
できる。
尚、本発明において形成する金属層7は遷移金属を用い
るのが良く、従って第一電極2は遷移金属で且つ第一エ
レクトロクロミック層3は上記第電極2と同一遷移金属
の酸化物からなる。
るのが良く、従って第一電極2は遷移金属で且つ第一エ
レクトロクロミック層3は上記第電極2と同一遷移金属
の酸化物からなる。
以上は本発明を主として特徴づける第一電極と第一エレ
クトロクロミック層の母金属(金属層7)の好ましい態
様であるが、本発明のエレクトロクロミック素その他の
構成、すなわち、基板l、絶縁層4、第二エレクトロク
ロミック層5及び第二電極6の構成は前述の如くいずれ
も従来技術と同様でよく、特に限定されない。
クトロクロミック層の母金属(金属層7)の好ましい態
様であるが、本発明のエレクトロクロミック素その他の
構成、すなわち、基板l、絶縁層4、第二エレクトロク
ロミック層5及び第二電極6の構成は前述の如くいずれ
も従来技術と同様でよく、特に限定されない。
(実施例)
次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例1
第2図に示す様に、ガラス基板l上にスバッダリング法
により、厚さ1,300人の金属イリジウム(lr)l
l!27を成膜した。この金属IIS!7は反射層を兼
ねる第一電極7a分として1,000人の厚みと、後に
酸化して第一エレクトロクロミック層3にする7bの分
300人の合計1,300人の厚みを有している。この
300人の金属イリジウム膜7bのみを陽極酸化法によ
り酸化して800人の酸化イリジウム(Ire、)膜か
らなる第エレクトロクロミック層3を得た。
により、厚さ1,300人の金属イリジウム(lr)l
l!27を成膜した。この金属IIS!7は反射層を兼
ねる第一電極7a分として1,000人の厚みと、後に
酸化して第一エレクトロクロミック層3にする7bの分
300人の合計1,300人の厚みを有している。この
300人の金属イリジウム膜7bのみを陽極酸化法によ
り酸化して800人の酸化イリジウム(Ire、)膜か
らなる第エレクトロクロミック層3を得た。
更に絶縁層としてTa205膜4を3,000人のJ7
みに、そしてその上に第二エレクトロクロミック層とし
てWO3膜5を4,000人の厚みに夫々電子ビーム法
により形成し、更にそのトに第二電極としてITO膜6
を1,200人の厚みに反応性イオンブレーティング法
により成膜し、第2図に示すエレクトロクロミック調光
ミラーを作成した。
みに、そしてその上に第二エレクトロクロミック層とし
てWO3膜5を4,000人の厚みに夫々電子ビーム法
により形成し、更にそのトに第二電極としてITO膜6
を1,200人の厚みに反応性イオンブレーティング法
により成膜し、第2図に示すエレクトロクロミック調光
ミラーを作成した。
この素子の第一電極2及び第二電極6の間に直流電圧を
印加すると、電圧に応じて第一エレクトロクロミック層
3及び第二エレクトロクロミック層5が同時に着色して
反射率が低下し、逆電圧を加えると消色して元の状態に
戻る調光ミラーとなる。
印加すると、電圧に応じて第一エレクトロクロミック層
3及び第二エレクトロクロミック層5が同時に着色して
反射率が低下し、逆電圧を加えると消色して元の状態に
戻る調光ミラーとなる。
本実施例により従来必要であった電極2として形成する
AI、へg等の金属膜形成プロセスを全く省略すること
ができ、調光ミラーの作成か効率的に実施できた。
AI、へg等の金属膜形成プロセスを全く省略すること
ができ、調光ミラーの作成か効率的に実施できた。
実施例2
第2図に示す様にガラス基板1上に、抵抗加熱法により
、7a分として800人、7b分として200人、合計
1,000人の厚みの金属ニッケル(Ni)膜7を成膜
した。この7b分のみを陽極酸化法により酸化して30
0人の酸化ニッケル(Nip、l)からなる第一エレク
トロクロミック層3を得た。更に実施例1と同様にTa
205膜4、WO。
、7a分として800人、7b分として200人、合計
1,000人の厚みの金属ニッケル(Ni)膜7を成膜
した。この7b分のみを陽極酸化法により酸化して30
0人の酸化ニッケル(Nip、l)からなる第一エレク
トロクロミック層3を得た。更に実施例1と同様にTa
205膜4、WO。
1i5及びITO膜6を形成して第2図に示すエレクト
ロクロミック調光ミラーを作成した。
ロクロミック調光ミラーを作成した。
本実施例により従来必要であった^l、へg等の電極2
を形成するプロセスを全く省略することができ、調光ミ
ラーの作成が効率的に実施できた。
を形成するプロセスを全く省略することができ、調光ミ
ラーの作成が効率的に実施できた。
(発明の効果)
以上説明した様に本発明によれば、反射層を兼ねる第一
電極の上部を陽極酸化して第一エレクトロクロミック層
を得るので、従来よりも効率的にエレクトロクロミック
調光ミラーを作成することができた。
電極の上部を陽極酸化して第一エレクトロクロミック層
を得るので、従来よりも効率的にエレクトロクロミック
調光ミラーを作成することができた。
第1図は従来の全固体型エレクトロクロミック素子を、
第2図は本発明に係る全固体型エレクトロクロミック素
子の1例を示す断面図である。 特許出願人 キャノン株式会社 〜署)ゴ 第1図 第2図
第2図は本発明に係る全固体型エレクトロクロミック素
子の1例を示す断面図である。 特許出願人 キャノン株式会社 〜署)ゴ 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)導電体膜よりなる第一電極と陽極側着色層である
第一エレクトロクロミック層と誘電体膜よりなる絶縁層
と陰極側着色層である第二エレクトロクロミック層と導
電体膜よりなる第二電極とを順次積層してなるエレクト
ロクロミック素子において、第一電極が金属層であり、
第一エレクトロクロミック層が第一電極の金属層の上部
を陽極酸化して得られた酸化物であることを特徴とする
エレクトロクロミック素子。 - (2)第一電極の金属が遷移金属であり、第一エレクト
ロクロミック層が第一電極と同一遷移金属の酸化物であ
る請求項1に記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63206352A JPH0255342A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63206352A JPH0255342A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0255342A true JPH0255342A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16521891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63206352A Pending JPH0255342A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0255342A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104991294A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-10-21 | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 | 极低温环境大口径反射式望远镜防霜膜系及其制备方法 |
CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
CN113549882A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-10-26 | 电子科技大学 | 一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63206352A patent/JPH0255342A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104991294A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-10-21 | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 | 极低温环境大口径反射式望远镜防霜膜系及其制备方法 |
CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
CN110764331B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-02-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
CN113549882A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-10-26 | 电子科技大学 | 一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 |
CN113549882B (zh) * | 2021-06-03 | 2022-06-14 | 电子科技大学 | 一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 |
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