JPH0254494B2 - - Google Patents
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- JPH0254494B2 JPH0254494B2 JP14281679A JP14281679A JPH0254494B2 JP H0254494 B2 JPH0254494 B2 JP H0254494B2 JP 14281679 A JP14281679 A JP 14281679A JP 14281679 A JP14281679 A JP 14281679A JP H0254494 B2 JPH0254494 B2 JP H0254494B2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 33
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はほぼ平担な面に発生する欠陥を検査
する装置に関する。
する装置に関する。
半導体製造プロセスや電子管製造プロセス等に
おいては、ほぼ平担な表面を有する被検体上に各
種の不規則な欠陥が生じ、プロセスの生産率を大
きく左右している。
おいては、ほぼ平担な表面を有する被検体上に各
種の不規則な欠陥が生じ、プロセスの生産率を大
きく左右している。
このため、従来製造ラインでは、このような欠
陥を発生後直ちに発見・除去するために、光学的
顕微鏡を用いた肉眼目視検査が行なわれていた。
特に微小な欠陥を検出するには、白熱電燈からの
光を斜入射させ、欠陥からの散乱光を検出し、そ
の光量の変化から欠陥の有無や大小を判別してい
た。
陥を発生後直ちに発見・除去するために、光学的
顕微鏡を用いた肉眼目視検査が行なわれていた。
特に微小な欠陥を検出するには、白熱電燈からの
光を斜入射させ、欠陥からの散乱光を検出し、そ
の光量の変化から欠陥の有無や大小を判別してい
た。
この目視検査では、肉眼による検査のため個人
差が大きいこと、強力な光源がないために欠陥で
散乱される光量が少なく見落しが多いこと、欠陥
に方向性がある場合見る(検査する)方向によつ
て思わぬ大きな欠陥を見落す危険性が高い等の欠
点を持つていた。
差が大きいこと、強力な光源がないために欠陥で
散乱される光量が少なく見落しが多いこと、欠陥
に方向性がある場合見る(検査する)方向によつ
て思わぬ大きな欠陥を見落す危険性が高い等の欠
点を持つていた。
この発明は上記事情に鑑みて為されたものであ
り、その目的は上記欠点を除き信頼性の高い欠陥
検査装置を提供するにある。
り、その目的は上記欠点を除き信頼性の高い欠陥
検査装置を提供するにある。
本発明によれば、被検体の照明に複数のコヒー
レント光ビームを用い、各ビームは互いに異なる
方向から被検体表面の所定位置に照射される、好
ましくはこれらのビームは被検体の表面に対して
数度の角度を為して入射される。
レント光ビームを用い、各ビームは互いに異なる
方向から被検体表面の所定位置に照射される、好
ましくはこれらのビームは被検体の表面に対して
数度の角度を為して入射される。
第1図にこの発明の一実施例を示す。同図にお
いて1はほぼ平担な表面を有する被検体であり、
例えばシリコンウエハである。被検体1はテーブ
ル2に載置されており、テーブル2は回転機構3
により矢印Aの方向へ回転するとともに、移動機
構4により矢印Bの方向へ移動されるように構成
されている。被検体1の表面上の1点Pにはレー
ザ光源51,52,53からのレーザビーム101,
102,103が照射される。各レーザビームは点
Pで反射、その反射光201,202,203とな
る。しかしながら、点Pでは散乱光が生じてい
る。散乱光はレンズ系6を介して光検出器7に導
びかれる。本実施例ではレンズ系6の光軸は被検
体1と垂直に設定してある。
いて1はほぼ平担な表面を有する被検体であり、
例えばシリコンウエハである。被検体1はテーブ
ル2に載置されており、テーブル2は回転機構3
により矢印Aの方向へ回転するとともに、移動機
構4により矢印Bの方向へ移動されるように構成
されている。被検体1の表面上の1点Pにはレー
ザ光源51,52,53からのレーザビーム101,
102,103が照射される。各レーザビームは点
Pで反射、その反射光201,202,203とな
る。しかしながら、点Pでは散乱光が生じてい
る。散乱光はレンズ系6を介して光検出器7に導
びかれる。本実施例ではレンズ系6の光軸は被検
体1と垂直に設定してある。
ここで、光検出器7がレーザビームの正反射成
分を受光していない理由は、表面の欠陥からの
(散乱光)信号が微弱であり、正反射成分に対す
る欠陥信号の変調度が非常に小さくS/Nが劣る
ためである。
分を受光していない理由は、表面の欠陥からの
(散乱光)信号が微弱であり、正反射成分に対す
る欠陥信号の変調度が非常に小さくS/Nが劣る
ためである。
また、各レーザビーム101,102,103は
互いに異なる方向から点Pに入射している。各レ
ーザビームの波長はそれぞれ異なるものであつて
も同一であつてもよい。
互いに異なる方向から点Pに入射している。各レ
ーザビームの波長はそれぞれ異なるものであつて
も同一であつてもよい。
回転機構3及び移動機構4とは被検体1の全表
面を走査するための機構であり、これらの機構に
よつてビーム照射点Pは被検体1の表面をスパイ
ラル状(渦巻き状)に走査することになる。
面を走査するための機構であり、これらの機構に
よつてビーム照射点Pは被検体1の表面をスパイ
ラル状(渦巻き状)に走査することになる。
次にコヒーレント光ビームを多方向から照射す
ることの有用性を第2図を用いて説明する。第2
図aは被検体1の正面図であり、糸くずのような
欠陥100が存在する。第2図bはその断面図で
ある。このような欠陥100に対して矢印101
の方向から照射された場合の散乱光と、矢印10
2の方向から照射された場合の散乱光とでは当然
矢印102の方向から照射した場合の方が多い。
これは照明ビームに対する欠陥100の散乱断面
積が矢印101の方向からよりも矢印102の方
向からのほうが大きいためである。
ることの有用性を第2図を用いて説明する。第2
図aは被検体1の正面図であり、糸くずのような
欠陥100が存在する。第2図bはその断面図で
ある。このような欠陥100に対して矢印101
の方向から照射された場合の散乱光と、矢印10
2の方向から照射された場合の散乱光とでは当然
矢印102の方向から照射した場合の方が多い。
これは照明ビームに対する欠陥100の散乱断面
積が矢印101の方向からよりも矢印102の方
向からのほうが大きいためである。
また第2図c,dは、被検体1の表面に凹状欠
陥103がある状態を示している。第2図dにお
いて矢印104,105,106はそれぞれ照明
ビームの入射方向を示している。この種の欠陥か
らの散乱光は、主として凹部のエツジでの散乱に
よつている。従つて欠陥103に対して垂直に入
射するビーム104よりも、矢印105,106
方向からの照明ビームによるほうが検出に有利で
あることが明らかである。
陥103がある状態を示している。第2図dにお
いて矢印104,105,106はそれぞれ照明
ビームの入射方向を示している。この種の欠陥か
らの散乱光は、主として凹部のエツジでの散乱に
よつている。従つて欠陥103に対して垂直に入
射するビーム104よりも、矢印105,106
方向からの照明ビームによるほうが検出に有利で
あることが明らかである。
第3図に実験結果を示す。同図は数μm程度の
誘電体凸起検出にあたつての照射角依存性を単一
レーザ光を用いて実験したものである。縦軸には
(欠陥+表面散乱光光電出力)/(表面散乱光光
電出力)をとり、横軸に被検体の表面との為す角
度(照射角)をとつて示した。照射角が1゜以下で
データがないのは、ビームの太さにより被検体の
表面に対してこの値以下で照射することができな
いためである。同図より、照射角は小さい程検出
能力が大きいことが判る。すなわち、第1図にお
けるレーザビーム101,102,103は被検体
1の表面に対してほぼ平行に近い1゜〜3゜で入射す
ることが望ましい。
誘電体凸起検出にあたつての照射角依存性を単一
レーザ光を用いて実験したものである。縦軸には
(欠陥+表面散乱光光電出力)/(表面散乱光光
電出力)をとり、横軸に被検体の表面との為す角
度(照射角)をとつて示した。照射角が1゜以下で
データがないのは、ビームの太さにより被検体の
表面に対してこの値以下で照射することができな
いためである。同図より、照射角は小さい程検出
能力が大きいことが判る。すなわち、第1図にお
けるレーザビーム101,102,103は被検体
1の表面に対してほぼ平行に近い1゜〜3゜で入射す
ることが望ましい。
以上のように本発明によれば、ほぼ平担な表面
を持つ被検体に生じる各種欠陥を信頼性高く検出
することができる。特に第1図に示すように欠陥
情報を光電検出系の光軸で得ているため、光学系
の収差の影響が少ないので安価な光学素子を用い
て高性能な検査装置を構成することができる。ま
た本発明で用いる光学系は、被検体からの正反射
成分を用いずに、検査光ビームに対してほぼ垂直
方向より欠陥情報を得ているため、被検体を回転
させながら検査することができる。即ち、被検体
の回転と水平方向へのシフトの組合せによるスパ
イラル状の走査によつて、大面積における欠陥検
査を容易に行なうことができる。このようなスパ
イラル状の走査は保守性・信頼性に優れまた、検
査ビーム自身を走査させる場合において出力信号
中に生ずるシエーデイングの影響も除くことがで
きる。更に本発明において用いられる光学系はす
べて固定されてよいので調整も容易であるという
利点がある。また空間的に多くの方向から欠陥を
照明することは、実効的に輝度の高いインコヒー
レント照明を実現している意味もある。
を持つ被検体に生じる各種欠陥を信頼性高く検出
することができる。特に第1図に示すように欠陥
情報を光電検出系の光軸で得ているため、光学系
の収差の影響が少ないので安価な光学素子を用い
て高性能な検査装置を構成することができる。ま
た本発明で用いる光学系は、被検体からの正反射
成分を用いずに、検査光ビームに対してほぼ垂直
方向より欠陥情報を得ているため、被検体を回転
させながら検査することができる。即ち、被検体
の回転と水平方向へのシフトの組合せによるスパ
イラル状の走査によつて、大面積における欠陥検
査を容易に行なうことができる。このようなスパ
イラル状の走査は保守性・信頼性に優れまた、検
査ビーム自身を走査させる場合において出力信号
中に生ずるシエーデイングの影響も除くことがで
きる。更に本発明において用いられる光学系はす
べて固定されてよいので調整も容易であるという
利点がある。また空間的に多くの方向から欠陥を
照明することは、実効的に輝度の高いインコヒー
レント照明を実現している意味もある。
今仮りに上述したような回転運動と水平運動に
よるスパイラル状の走査に代えてX―Y二次元方
向の走査を行なつた場合を考えると、走査は同一
欠陥部に対し行きと帰りの双方向によるものとな
る。これをセンサの検出出力波形で見ると、装置
に設けられているセンサ7のレスポンス特性と図
示しないアンプの特性とによつて検出出力に尾引
き現象が必ずと言つてよい程起こる。それが同一
方向に現れるならば尾引き部分を考慮してその大
きさ等を判定することが出来る。しかし、この現
象が双方向に現れてしまうと、検出出力が実際の
欠陥部分のものか尾引き現象によるものかの判定
が難しく、欠陥の大きさを正確に判定できない
か、あるいは左右に現れる尾引きの部分が新たに
発生した別の欠陥であると誤判定してしまう可能
性もある。この場合、検査装置に設けられている
センサの感度を上げれば上げる程レスポンスが鈍
つてしまうので誤判定は著しく現れる。
よるスパイラル状の走査に代えてX―Y二次元方
向の走査を行なつた場合を考えると、走査は同一
欠陥部に対し行きと帰りの双方向によるものとな
る。これをセンサの検出出力波形で見ると、装置
に設けられているセンサ7のレスポンス特性と図
示しないアンプの特性とによつて検出出力に尾引
き現象が必ずと言つてよい程起こる。それが同一
方向に現れるならば尾引き部分を考慮してその大
きさ等を判定することが出来る。しかし、この現
象が双方向に現れてしまうと、検出出力が実際の
欠陥部分のものか尾引き現象によるものかの判定
が難しく、欠陥の大きさを正確に判定できない
か、あるいは左右に現れる尾引きの部分が新たに
発生した別の欠陥であると誤判定してしまう可能
性もある。この場合、検査装置に設けられている
センサの感度を上げれば上げる程レスポンスが鈍
つてしまうので誤判定は著しく現れる。
又この二次元方向の走査を、同一位置の2度の
走査をし逆方向の走査を空走査とすることも考え
られるが、この様な方法によると検査にかなりの
時間を費してしまい全く効率が悪い。よつて上述
したようにスパイラル状の走査が検査精度と検査
時間からして最良の走査である。
走査をし逆方向の走査を空走査とすることも考え
られるが、この様な方法によると検査にかなりの
時間を費してしまい全く効率が悪い。よつて上述
したようにスパイラル状の走査が検査精度と検査
時間からして最良の走査である。
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図
a〜d及び第3図はこの発明による効果を説明す
るための図である。 1……被検体、2……テーブル、3……回転機
構、4……移動機構、51,52,53……レーザ
光源、6……レンズ系、7……光検出器。
a〜d及び第3図はこの発明による効果を説明す
るための図である。 1……被検体、2……テーブル、3……回転機
構、4……移動機構、51,52,53……レーザ
光源、6……レンズ系、7……光検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ほぼ平坦な面よりなる被検体に光ビームを照
射する光源と、前記被検体の面に対して、ほぼ垂
直な方向に設けられ、前記光源からの光ビームの
うち前記被検体表面の欠陥により散乱された光を
受光する受光手段と、この受光手段により前記欠
陥の検出を行う欠陥検査装置において、 前記被検体を保持する保持手段と、 この保持手段に保持された前記被検体に対し
て、渦巻き状の走査を行うための走査手段とを備
え、前記光源および受光手段とを固定したまま前
記欠陥の検査を行うことを特徴とする欠陥検査装
置。 2 光源は、複数の光ビームを照射するものであ
つて、そのうち少なくとも1本は被検体の表面に
対して微小角度をなして入射して成ることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の欠陥検査装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14281679A JPS5667739A (en) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Defect inspecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14281679A JPS5667739A (en) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Defect inspecting apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23887691A Division JPH0545303A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5667739A JPS5667739A (en) | 1981-06-08 |
JPH0254494B2 true JPH0254494B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=15324286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14281679A Granted JPS5667739A (en) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Defect inspecting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5667739A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241716A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面検査装置及び方法 |
WO2014073532A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0827238B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1996-03-21 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 表面検査装置 |
JPH0545303A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-02-23 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
JP4536337B2 (ja) | 2003-06-10 | 2010-09-01 | 株式会社トプコン | 表面検査方法および表面検査装置 |
JP4641143B2 (ja) | 2003-06-30 | 2011-03-02 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
-
1979
- 1979-11-06 JP JP14281679A patent/JPS5667739A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241716A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面検査装置及び方法 |
WO2014073532A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
JP2014095578A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5667739A (en) | 1981-06-08 |
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