[go: up one dir, main page]

JPH0254494B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0254494B2
JPH0254494B2 JP14281679A JP14281679A JPH0254494B2 JP H0254494 B2 JPH0254494 B2 JP H0254494B2 JP 14281679 A JP14281679 A JP 14281679A JP 14281679 A JP14281679 A JP 14281679A JP H0254494 B2 JPH0254494 B2 JP H0254494B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
light
inspected
scanning
subject
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14281679A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5667739A (en
Inventor
Akito Iwamoto
Hidekazu Sekizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP14281679A priority Critical patent/JPS5667739A/ja
Publication of JPS5667739A publication Critical patent/JPS5667739A/ja
Publication of JPH0254494B2 publication Critical patent/JPH0254494B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はほぼ平担な面に発生する欠陥を検査
する装置に関する。
半導体製造プロセスや電子管製造プロセス等に
おいては、ほぼ平担な表面を有する被検体上に各
種の不規則な欠陥が生じ、プロセスの生産率を大
きく左右している。
このため、従来製造ラインでは、このような欠
陥を発生後直ちに発見・除去するために、光学的
顕微鏡を用いた肉眼目視検査が行なわれていた。
特に微小な欠陥を検出するには、白熱電燈からの
光を斜入射させ、欠陥からの散乱光を検出し、そ
の光量の変化から欠陥の有無や大小を判別してい
た。
この目視検査では、肉眼による検査のため個人
差が大きいこと、強力な光源がないために欠陥で
散乱される光量が少なく見落しが多いこと、欠陥
に方向性がある場合見る(検査する)方向によつ
て思わぬ大きな欠陥を見落す危険性が高い等の欠
点を持つていた。
この発明は上記事情に鑑みて為されたものであ
り、その目的は上記欠点を除き信頼性の高い欠陥
検査装置を提供するにある。
本発明によれば、被検体の照明に複数のコヒー
レント光ビームを用い、各ビームは互いに異なる
方向から被検体表面の所定位置に照射される、好
ましくはこれらのビームは被検体の表面に対して
数度の角度を為して入射される。
第1図にこの発明の一実施例を示す。同図にお
いて1はほぼ平担な表面を有する被検体であり、
例えばシリコンウエハである。被検体1はテーブ
ル2に載置されており、テーブル2は回転機構3
により矢印Aの方向へ回転するとともに、移動機
構4により矢印Bの方向へ移動されるように構成
されている。被検体1の表面上の1点Pにはレー
ザ光源51,52,53からのレーザビーム101
102,103が照射される。各レーザビームは点
Pで反射、その反射光201,202,203とな
る。しかしながら、点Pでは散乱光が生じてい
る。散乱光はレンズ系6を介して光検出器7に導
びかれる。本実施例ではレンズ系6の光軸は被検
体1と垂直に設定してある。
ここで、光検出器7がレーザビームの正反射成
分を受光していない理由は、表面の欠陥からの
(散乱光)信号が微弱であり、正反射成分に対す
る欠陥信号の変調度が非常に小さくS/Nが劣る
ためである。
また、各レーザビーム101,102,103
互いに異なる方向から点Pに入射している。各レ
ーザビームの波長はそれぞれ異なるものであつて
も同一であつてもよい。
回転機構3及び移動機構4とは被検体1の全表
面を走査するための機構であり、これらの機構に
よつてビーム照射点Pは被検体1の表面をスパイ
ラル状(渦巻き状)に走査することになる。
次にコヒーレント光ビームを多方向から照射す
ることの有用性を第2図を用いて説明する。第2
図aは被検体1の正面図であり、糸くずのような
欠陥100が存在する。第2図bはその断面図で
ある。このような欠陥100に対して矢印101
の方向から照射された場合の散乱光と、矢印10
2の方向から照射された場合の散乱光とでは当然
矢印102の方向から照射した場合の方が多い。
これは照明ビームに対する欠陥100の散乱断面
積が矢印101の方向からよりも矢印102の方
向からのほうが大きいためである。
また第2図c,dは、被検体1の表面に凹状欠
陥103がある状態を示している。第2図dにお
いて矢印104,105,106はそれぞれ照明
ビームの入射方向を示している。この種の欠陥か
らの散乱光は、主として凹部のエツジでの散乱に
よつている。従つて欠陥103に対して垂直に入
射するビーム104よりも、矢印105,106
方向からの照明ビームによるほうが検出に有利で
あることが明らかである。
第3図に実験結果を示す。同図は数μm程度の
誘電体凸起検出にあたつての照射角依存性を単一
レーザ光を用いて実験したものである。縦軸には
(欠陥+表面散乱光光電出力)/(表面散乱光光
電出力)をとり、横軸に被検体の表面との為す角
度(照射角)をとつて示した。照射角が1゜以下で
データがないのは、ビームの太さにより被検体の
表面に対してこの値以下で照射することができな
いためである。同図より、照射角は小さい程検出
能力が大きいことが判る。すなわち、第1図にお
けるレーザビーム101,102,103は被検体
1の表面に対してほぼ平行に近い1゜〜3゜で入射す
ることが望ましい。
以上のように本発明によれば、ほぼ平担な表面
を持つ被検体に生じる各種欠陥を信頼性高く検出
することができる。特に第1図に示すように欠陥
情報を光電検出系の光軸で得ているため、光学系
の収差の影響が少ないので安価な光学素子を用い
て高性能な検査装置を構成することができる。ま
た本発明で用いる光学系は、被検体からの正反射
成分を用いずに、検査光ビームに対してほぼ垂直
方向より欠陥情報を得ているため、被検体を回転
させながら検査することができる。即ち、被検体
の回転と水平方向へのシフトの組合せによるスパ
イラル状の走査によつて、大面積における欠陥検
査を容易に行なうことができる。このようなスパ
イラル状の走査は保守性・信頼性に優れまた、検
査ビーム自身を走査させる場合において出力信号
中に生ずるシエーデイングの影響も除くことがで
きる。更に本発明において用いられる光学系はす
べて固定されてよいので調整も容易であるという
利点がある。また空間的に多くの方向から欠陥を
照明することは、実効的に輝度の高いインコヒー
レント照明を実現している意味もある。
今仮りに上述したような回転運動と水平運動に
よるスパイラル状の走査に代えてX―Y二次元方
向の走査を行なつた場合を考えると、走査は同一
欠陥部に対し行きと帰りの双方向によるものとな
る。これをセンサの検出出力波形で見ると、装置
に設けられているセンサ7のレスポンス特性と図
示しないアンプの特性とによつて検出出力に尾引
き現象が必ずと言つてよい程起こる。それが同一
方向に現れるならば尾引き部分を考慮してその大
きさ等を判定することが出来る。しかし、この現
象が双方向に現れてしまうと、検出出力が実際の
欠陥部分のものか尾引き現象によるものかの判定
が難しく、欠陥の大きさを正確に判定できない
か、あるいは左右に現れる尾引きの部分が新たに
発生した別の欠陥であると誤判定してしまう可能
性もある。この場合、検査装置に設けられている
センサの感度を上げれば上げる程レスポンスが鈍
つてしまうので誤判定は著しく現れる。
又この二次元方向の走査を、同一位置の2度の
走査をし逆方向の走査を空走査とすることも考え
られるが、この様な方法によると検査にかなりの
時間を費してしまい全く効率が悪い。よつて上述
したようにスパイラル状の走査が検査精度と検査
時間からして最良の走査である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図
a〜d及び第3図はこの発明による効果を説明す
るための図である。 1……被検体、2……テーブル、3……回転機
構、4……移動機構、51,52,53……レーザ
光源、6……レンズ系、7……光検出器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ほぼ平坦な面よりなる被検体に光ビームを照
    射する光源と、前記被検体の面に対して、ほぼ垂
    直な方向に設けられ、前記光源からの光ビームの
    うち前記被検体表面の欠陥により散乱された光を
    受光する受光手段と、この受光手段により前記欠
    陥の検出を行う欠陥検査装置において、 前記被検体を保持する保持手段と、 この保持手段に保持された前記被検体に対し
    て、渦巻き状の走査を行うための走査手段とを備
    え、前記光源および受光手段とを固定したまま前
    記欠陥の検査を行うことを特徴とする欠陥検査装
    置。 2 光源は、複数の光ビームを照射するものであ
    つて、そのうち少なくとも1本は被検体の表面に
    対して微小角度をなして入射して成ることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の欠陥検査装
    置。
JP14281679A 1979-11-06 1979-11-06 Defect inspecting apparatus Granted JPS5667739A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14281679A JPS5667739A (en) 1979-11-06 1979-11-06 Defect inspecting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14281679A JPS5667739A (en) 1979-11-06 1979-11-06 Defect inspecting apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23887691A Division JPH0545303A (ja) 1991-08-27 1991-08-27 欠陥検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5667739A JPS5667739A (en) 1981-06-08
JPH0254494B2 true JPH0254494B2 (ja) 1990-11-21

Family

ID=15324286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14281679A Granted JPS5667739A (en) 1979-11-06 1979-11-06 Defect inspecting apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5667739A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008241716A (ja) * 2008-04-03 2008-10-09 Shibaura Mechatronics Corp 表面検査装置及び方法
WO2014073532A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827238B2 (ja) * 1986-05-06 1996-03-21 日立電子エンジニアリング株式会社 表面検査装置
JPH0545303A (ja) * 1991-08-27 1993-02-23 Toshiba Corp 欠陥検査装置
JP4536337B2 (ja) 2003-06-10 2010-09-01 株式会社トプコン 表面検査方法および表面検査装置
JP4641143B2 (ja) 2003-06-30 2011-03-02 株式会社トプコン 表面検査装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008241716A (ja) * 2008-04-03 2008-10-09 Shibaura Mechatronics Corp 表面検査装置及び方法
WO2014073532A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置
JP2014095578A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5667739A (en) 1981-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100261387B1 (ko) 이물검사방법 및 장치
US6366690B1 (en) Pixel based machine for patterned wafers
US4555635A (en) Surface flaw inspection apparatus for a convex body
US7643139B2 (en) Method and apparatus for detecting defects
JP5349742B2 (ja) 表面検査方法及び表面検査装置
US4674875A (en) Method and apparatus for inspecting surface defects on the magnetic disk file memories
KR920018886A (ko) 반도체기판 평가방법 및 그 장치
US6122047A (en) Methods and apparatus for identifying the material of a particle occurring on the surface of a substrate
JP2947513B1 (ja) パターン検査装置
JPH0254494B2 (ja)
JPS63143831A (ja) 面板欠陥検出光学装置
JPH11153549A (ja) 表面検査方法及びその方法を用いる表面検査装置
JPH11230912A (ja) 表面欠陥検出装置及びその方法
JP2006017685A (ja) 表面欠陥検査装置
JP3078784B2 (ja) 欠陥検査装置
JPH0545303A (ja) 欠陥検査装置
JP3432273B2 (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP3476742B2 (ja) 基板の表面に発生する粒子の材料を識別する方法と装置
JPH0587781B2 (ja)
JPH04344447A (ja) 透明ガラス基板の欠陥検出装置
JPS62223649A (ja) 検査方法および装置
JPS5848837A (ja) 欠陥検査方法
JPH0329177B2 (ja)
JPS5944578B2 (ja) 透明な被検査物の欠陥検出方法
JP2009236519A (ja) 欠陥検査装置およびそれを用いた欠陥の検査方法