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KR920018886A - 반도체기판 평가방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체기판 평가방법 및 그 장치 Download PDF

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KR920018886A
KR920018886A KR1019920004903A KR920004903A KR920018886A KR 920018886 A KR920018886 A KR 920018886A KR 1019920004903 A KR1019920004903 A KR 1019920004903A KR 920004903 A KR920004903 A KR 920004903A KR 920018886 A KR920018886 A KR 920018886A
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light
substrate
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모리야 미야시타
모쿠지 가게야마
하치로 히라츠카
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

반도체기판 평가방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 장치의 평면도.
제2도는 제1도에 도시한 장치의 동작플로차트.
제3도는 웨이퍼표면상의 미림자와 결함을 구별하기 위한 플로차트.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 장치의 단면도.

Claims (19)

  1. 반도체기판을 에칭하는 에칭공정과, 이 에칭공정에서 에칭한 상기 반도체기판의 표면에 광선이나 전자선 등의 빔을 조사하여 상기 기판의 표면에서 상기 빔의 반사빔을 받아들이는 검사공정 및, 임의의 에칭량에 대한 제1반사빔과 임의의 다른 에칭량에 대한 제2반사빔과의 관계로부터 상기 반도체기판을 평가하는 평가공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빔으로서 레이저광을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 빔으로서 전자선을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에칭공정에서는 pH8이상의 알칼리성 수용액을 이용하여 상기 반도체기판을 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 평가공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔의 강도를 비교하여 평가를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검사공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔으로서 산람빔을 받아들이는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검사공정에서는 상기 빔을 상기 기판의 복수의 미소점에 차례로 조사하여, 그들 각 미소점 마다의 반사빔을 미소점 좌표와의 관계로 받아들이는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 평가공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔으로부터 애칭횟수의 증가에 따라 지름이 증가하는 결함에 주목하여 평가하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 검사공정이 0.5㎛이상의 미립자가 10000개/ft3이하의 환경하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  10. 반도체기판을 필요량만큼 에칭할수 있는 에칭기구와, 에칭후의 상기 반도체기판의 표면에 광선이나 전자선 등의 빔을 조사하는 빔사출수단, 상기 빔의 상기 기판표면에서의 반사빔을 받아들이는 반사빔 검출수단 및, 이 반사빔 검출수단으로부터의 출력에 의해 상기 기판을 평가하는 평가수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 빔사출수단이 상기 빔을 상기 기판의 복수의 미소점에 차례로 조사하는 것임을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 빔사출수단이 상기 빔을 조사하고 있는 상기 기판상의 좌표를 출력할수 있는 조사위치출력 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  13. 반도체기판을 전처리하는 전처리공정과, 이 전처리후의 상기 반도체기판 표면의 동일점에 대해 복수의 광빔을 각각 다른 입사각도로 조사하여 그들 각 입사각도 마다의 산란광을 검출하는 검사공정 및, 이 검사공정에서 얻은 다른 입사각도 마다의 산란광 강도에 의해 상기 반도체기판을 평가하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전처리로서 상기 반도체기판을 pH8이상의 분위기중에 놓아두는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  15. 반도체기판을 전처리하는 전처리수단과, 이 전처리후의 상기 반도체기판 표면상의 동일점에 대하여 각각 다른 각도에서 복수의 광빔을 조사할 수 있는 발광수단, 상기 광빔의 상기 반도체기판 표면으로부터의 산란광을 받아들이는 수광수단 및, 이 수광수단으로부터의 상기 입사각 마다의 출력을 토대로 상기 반도체기판을 평가하는 평가수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 전처리수단은 에칭챔버를 갖추고 있고, 상기 발광수단은 상기 입사각도의 광을 사출하는 적어도 2개의 발광유니트를 갖추고 있으며, 상기 수광수단은 상기 발광유니트수에 대응되는 개수의 수광 유니트를 갖추고 있고, 이 소정 수광유니트는 그에 대응되는 특정 발광유니트로 부터의 산란광을 받아들이는 것이며, 상기 반도체기판을 그 면에 거의 수직인 축 주위로 회전시켜 상기 발광유니트로부터의 빛이 상기 반도체기판의 다른 지점을 조사할 수 있도록 하는 회전수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 회전수단이 상기 에칭챔버내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가 장치.
  18. 반도체기판을 pH7이상의 알칼리계 약액으로 처리함으로써, 그 기판의 표면에 직경 0.01~5㎛인 오복부를 0.1~1000개/㎠의 밀도로 형성한 것을 특징으로 하는 광산란식 반도체기판 파트클 측정장치 검정용 표준기판.
  19. 반도체기판을 pH7이상의 알칼리계 약액으로 처리함으로써, 그 기판의 표면에 직경 0.01~5㎛인 오복부를 0.1~1000개/㎠의 밀도로 형성하는 것을 특징으로 하는 광산락식 반도체기판 파티클 측정장치 검정용 표준기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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