JPH02240845A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は、コンピュータ外部起憶装置、或いは音響、映
像情報の記録装置に用いられる光磁気ディスクに関する
ものであり、特に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る希土類−遷移金属非晶質合金薄膜を記録層とする繰り
返し消去記録が可能な光磁気ディスクに関するものであ
る。

（発明の概要〕 本発明は、保護誘電体層と記録磁性層１反射金属層の積
層構造を有する光磁気ディスクにおいて、光学的、［気
光学的な観点ばかりでなく動的な熱応答の観点から最適
構造を規定することで、広い記録良好領域を有する実用
性の高い光磁気ディスクを提供しようとするものである
。

〔従来の技術〕

光磁気ディスクは、磁性１１１１１！を部分的にキエー
リー点又は温度補償点を越えて昇温することでこの部分
の保磁力を消滅させ、外部から印加している記録磁界の
方向にこの部分の磁化の向きを反転させることを基本原
理としている。したがって、記録反転磁区を高密度に希
望する形状で得るためには、記録レーザ光の照射によっ
て昇温される形状が反転磁区の形状として忠実に再現さ
れる必要がある。このためには、記録磁性層は均賞で結
晶粒界を含まない非晶質薄膜であることが第１の必要条
件となる。

また、光磁気ディスクでは、磁気カー効果やファラデー
効果等の磁気光学効果を利用して記録反転磁区の読み出
しを行っている。したがって、十分な再生信号を得るた
めには電磁波である再生レーザ光の電磁界方向と直交す
る方向、つまりレーザ光の入射する方向に磁化されるこ
とが必要であり、記録磁性層は膜面に垂直方向に磁化容
易軸を有する垂直磁化膜であることが第２の必要条件と
なる。

従来、これらの必要条件を満たす光磁気記録膜として、
希土類−遷移金属合金薄膜が提案されている。これらの
希土類−遷移金属合金の非晶質垂直磁化薄膜は、スパッ
タリング法、真空蒸着法等の工業的真空成膜方法で容易
に安価な基板上に形成できる。これらのうち、ＴｂＦｅ
Ｃｏ及びＧｄＴｂＦｅは、それ自身のカー回転角が大き
く実用的である。

しかし、希土類−遷移金属合金は極めて酸化され易く、
酸化によって磁性機能を失ってしまう欠点がある。当然
腐食もし易い、我々の実験結果では、真空成膜後大気暴
露しただけでＴｂＦｅＣ。

膜はその表面から約５０人が酸化されて、この部分は機
能を失うことが明らかになっている。したがって、前記
希土類−遷移金属合金Ｆｌ膜を記録磁性層とする場合に
は、その前後を酸素を透過させない透明な熱的、化学的
に安定な保護膜で挾持することが第３の必要条件となる
。

このような状況から、例えば米国特許第４６１０９１２
号に開示されるように、透明基板上に保ａ１１．記録磁
性層、保護膜が順次積層され、さらに第４番目の層とし
て金属反射膜が設けられた光磁気ディスクが知られてい
る。金属反射膜は、前述の２つの保護膜と共に、見かけ
上のカー回転角を拡大する目的で設けられるものである
。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、前述したように、光磁気ｒイスクにおいては
記録が熱的に行われるために、磁気、光学的性質のみな
らず熱応答特性が記録緒特性を大きく支配している０例
えば、記録の分解能は昇温プロファイルの熱的分解能が
支配している。

また、記録消去特性は、使用時の温度環境にも依存して
いる。記録部分の温度は、記録レーザ光による昇温にデ
ィスクの保存温度が加算されるため、温度がキエーリー
点に達するに必要な記録レーザ光量は、ディスクの保存
温度が高温であれば少なくてよく、保存温度が低温であ
れば多く必要になるからである。光磁気ディスクがコン
ピュータの記憶装置等に実用されるには、ディスク装！
内の温度上昇を考慮しなければならず、−１０°Ｃ〜６
０°Ｃの広範囲な温度環境下で良好な特性を有すること
が必要である。

さらに、実際のディスク装置の記録、消去、再生レーザ
光量には、設定値の誤差、レンズの汚れ等の変動要因が
あり、−２０％〜＋ｌＯ％を越える変動が見込まれる。

同様に外部印加磁界も変動する。光磁気ディスクは、こ
れらの変動幅を持つディスク装置間で互換性が必要であ
る。

このような状況下にあって互換性を確保しようとすると
、最強の組合せで記録された記録反転磁区は、最弱の組
合せで消去できなければならない。

すなわち、高温下、Ｗｋ大光量、最大磁界で記録された
光磁気ディスクは、低温下、最小光１．最小磁界の装置
で消去できる必要がある。また、製造上のばらつき等で
生まれる高感度のディスクが最強の組合せで消去された
時に、過消去として隣接トラックの情報までを消去して
はならない、また、この状態で同一トラックを長時間連
続再生した場合であっても、情報が劣化してはならない
。

したがって、光磁気ディスクは想定される条件の変動幅
を十分に許容できる広い記録良好領域を持つことが、第
４の必要条件となる。そして、これが最も重要な条件で
ある。

しかしながら、従来、光磁気ディスクに関して多くの提
案がなされているにもかかわらず、これらは静止的な光
学的、磁気光学的観点から利点を追求したものであって
、動的な熱応答の観点からの制約条件を提案したもので
はなく、前記の必要条件の全てを満たしてはおらず実用
性に乏しい難点があった。

例えば、前述の米国特許第４６１０９１２号に開示され
るように、４層構造の光磁気ディスクが提案されている
ものの、前記第４の必要条件を満たすためには各層をど
のような膜厚に設定したらよいかという点については全
く検討されていないのが実情である。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、長寿命で、且つ広範囲な環境条件下で、
条件の変動幅を十分に許容できる広い記録良好領域を持
つ実用的な高記録密度の光磁気ディスクを提供すること
を目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の目的を達成するために、透明基板上に
窒素化物よりなる第１の保護誘電体層。

非結晶質の垂直磁化容易性を有する記録磁性層。

窒素化物よりなる第２の保護誘電体層、及び前記記録磁
性層よりも電気化学的に卑なる金属よりなる反射金属層
が順次積層されてなり、前記記録磁性層はＴｂＦｅＣｏ
を主成分とする膜厚１８０Å以上、２８０Å以下の磁性
層であり、前記第１の保護誘電体層はその屈ｙ率と膜厚
との積が使用レーザ光の波長の０．２倍以上、０．３５
倍以下であり、前記第２の保護誘電体層はその屈折率と
膜厚との積が使用レーザ光の波長の０．１倍以上、０．
１５倍以下であり、前記反射金属層は膜厚が５００Å以
上、１０００λ以下であって前記第２の保護誘電体層と
の境界での反射率が７０％以上であることを特徴とする
ものである。

すなわち、本発明は光磁気ディスクにおける光学的な最
適条件だけでなく、熱的な最適条件を溝たす層構成を得
るための制約条件を明らかにしたもので、透明基板上に
第１の保護誘電体層、非結晶質の垂直磁化容易性を有す
る記！！磁性層、第２の保護誘電体層、及び反射金属層
を順次積層してなる光磁気ディスクにおいて、 （ａ）記録磁性層は膜厚１８０Å以上、２８０Å以下の
ＴｂＦｅＣｏを主成分とする磁性層とすること、（ハ）
第１の保護誘電体層はその屈折率と膜厚との積が使用レ
ーザ光の波長の０．２倍以上、０．３５倍以下に相当す
る膜厚を有する窒素化物とすること、（Ｃ）第２の保護
誘電体層はその屈折率と膜厚との積が使用レーザ光の波
長の０．１倍以上、０．１５倍以下に相当する膜厚を有
する窒素化物とすること、（ｄ）反射金属層は膜厚が５
００Å以上、１０００Å以下とし、さらに前記記録磁性
層に比較して電気化学的に卑なる金属で且つ前記第２の
保護誘電体層との境界での反射率が７０％以上の金属と
すること、 により、前述の第１の必要条件から第４の必要条件をい
ずれも満足する光磁気ディスクを提供するものである。

保護誘電体層としては、これまで種々の酸化物、窒化物
が１１１されているが、窒化珪素、窒化アルミニウム等
の窒素化物は、酸素を含有せず成膜工程中で酸素汚染を
引き起こさないために、且つ酸素及び水分子の防御能力
も高いために好適である。

また、前述の保護誘電体層に存在する微細なピンホール
等の欠陥に起因する腐食を防ぐために、例えばＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ等の添加物を記録磁性層に微量添加することも
効果的である。

なお、前述の酸化を防止するためには、保護誘電体層及
び記録磁性層は大気に暴露されることなく連続して真空
成膜されることが望ましい。

〔作用〕

光磁気ディスクの“特性は、材料及びその構成のみで特
徴づけられるものではなく、各層の膜厚の組合せに大き
く依存している。

本発明では、第１の保護誘電体層、記録磁性層。

第２の保護誘電体層１反射金ｉｎの４層構造とされると
ともに、光学的、磁気光学的な観点のみならず動的な熱
応答の観点からこれら各層の膜厚の制約条件が決定され
ており、想定される条件の変動幅を十分に許容できる広
い記録良好領域が実現される。

（実施例） 以下、本発明を適用した具体的な実施例を図面を参照し
ながら説明する。

第１図は、本発明を４用した光磁気ディスクの一構成例
を示す部分断面図である。この光磁気ディスクは、透明
基板（１）上に記録層（！０）及び有機保護Ｍｌ（４）
が積層されてなるものであって、さらに必要に応じて接
着層（５）　を介して同様の構成の基板を重ね合わせる
ことにより両面ディスクとされる。

透明基板（１）は、ここでは厚さが約１．２鵬の透明な
円盤状の基板である。この基板の材料としては、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、
エポキシ樹脂等のプラスチック材料、あるいはガラス板
が適している。

この透明基板（１）のレーザ光入射側表面（ｌａ）は、
光学的に十分平滑であることが必要であり、記録層（１
Ｇ）を設ける側の表面（１ｂ）には、使用するレーザ光
波長のおよそ４分の１の深さを持つ凹凸で案内溝（２）
及び番地符号（３）を設けるのが普通である。

この透明基板（１）の記録層側表面（ｌｂ）上には、第
２図に示すように、真空成膜機によって第１保護誘電体
層（１１）、記録磁性層（１２）、第２保護誘電体７１
（１３）、及び反射金属層（１４）の４層が順次積層さ
れている。これらのうち、第１保護誘電体層（１１）及
び第２保護誘電体層（１３）は、酸素及び水分子を透過
させず、酸素を含まない物質で且つ使用レーザ光に対し
て透明な物質が望ましく、窒化珪素あるいは窒化アルミ
ニウムが適している。

記録磁性層（１２）は、膜面と垂直な方向に磁化容易方
向を有する非晶質の強磁性層であって、室温にて大きな
保磁力を持ち、且つ２００℃近辺にキエーリー点を持つ
ことが望ましい、この条件に叶ったものとして、ＴｂＦ
ｅＣｏが適している。また耐腐食性を持たせる目的でＣ
「等の第４の元素を微量添加させてもよい。

前述の第２保護誘電体層（１３）上に積層される反射金
属層（１４）は、この境界でレーザ光を７０％以上反射
する高反射率の非磁性金属層で、且つ熱的に良導体であ
ることが望ましく、アルミニウムがこれに適している。

さらに、この反射金属層（１４）上には有機保ｍ膜（４
）が設けられているが、この有機保護膜（４）の材質と
しては防水性に富む光硬化性樹脂が高生産性の点で適し
ている。

収束レーザ光は、基板（１）を透過して前述した４層の
積層膜〔記録層（１０）　）上に焦点を結ぶように照射
される。記録磁性層（１２）が波長に比べて薄い場合に
は、レーザ光はこの記録磁性ｔｉｌｌ（１２）を透過す
るので、この記録層（ｌＯ）の実効的な光学及び磁気光
学的性質は、各層単独の光学的性質のみならず、各層の
膜厚の組合せに大きく依存する。各層境界で反射した光
と透過する光とが多重干渉するためである。

照射レーザ光は、透明な第１保護誘電体ｊ！１（１１）
及び第２保護誘電体層（１３）には吸収されず、記録磁
性層（１２）及び反射金属層（１４）に吸収されて熱に
変換され、残りが反射光となって戻ってくる。このとき
、熱伝導に優れる反射金属層（１４）に吸収されたエネ
ルギーは、記録に有効でな（、これが大きい場合には、
熱が膜面方向に広がり、熱の分解能が低下してしまうの
で、これを無視できる程に減らす構成が望ましい、第２
保護誘電体層（１３）の厚さが２００人〜８００人の範
囲内でこれらの条件を満たしている。

次に、前述の４層構造を有する光磁気ディスクにおいて
、先の目的を達成するのに必要な各層の制約条件につい
て述べる。

”　・　　　　　の　　・ 磁気的応答は、熱応答に比較して極めて早い。

したがって、記録時に速やかに昇温しで速やかに冷却す
ることが、その後に近接して記録する時の影響を減じる
上で重要であって、前述のように唯一の発熱層であり記
録層でもある記録磁性層（１２）の熱容量が小さいこと
、すなわちこの記録磁性層（１２）の膜厚が薄いことが
、この条件を満たす上で重要である。この層の膜厚が大
きい場合、膜面方向への熱伝導が増え、且つ冷却が遅れ
るためである。しかし、薄膜の磁性は膜厚が薄いと不安
定になり本来の性質を示さない。

第３図は、ＴｂＦｅＣｏ層の膜厚をかえたサンプルの保
磁力Ｈｃの測定結果である。このサンプルは、ガラス基
板上にスパッタリング法によって同一条件で、窒化珪素
＋　ＴｂＦｅＣｏ層、窒化珪素を連続的に成膜したもの
である。第３図に示されるように、保磁力Ｈｅは膜厚が
１８０Å以下で急減している。

したがって、記録磁性層（１２）の膜厚は１８０人以上
であることが条件である。この膜厚の上限は、記録良好
領域の広さが十分得られる範囲として決められる。記録
レーザ光量を変化させたときの記録良好な領域は重要な
特性パラメータで、良好領域の下限光量をＰａ１ｎ　、
上限をＰｍａｘとしたときに２　Ｘ（Ｐａａｘ　　−Ｐ
ａ１ｎ　　）　　／（Ｐｍａｘ　　＋　Ｐａ１ｎ　　）
なる式より求められる値がその指標となる。そこで、以
下これをエネルギーウィンドウと呼ぶことにする。この
エネルギーウィンドウは、記録良好ｗＩ域の範囲を、そ
の範囲の中心値の相対比で表現したものである。

第１図に示した実施例の構造について、発明者等はコン
ピュータを用いて光学的解析、及び第３次元熱解析を行
った。この解析では記録反転磁区の形状は、温度がキエ
ーリー点を越えた領域として求めた。また、再生信号波
長は、対物レンズの開口数を０．５、レーザ光の波長を
７８０ｎｍとして回折理論を用いて求めた。さらに幾つ
かの解析に用いた構造と同一構造のディスクを試作し、
計算結果と照合して計算精度を高めた。

第４図に、この解析の結果として、前述のエネルギーウ
ィンドウ及び最適記録光量を示した。この計算では、第
１保護誘電体層（１１）を１０００人、第２保護誘電体
層（１３）を５００人、反射金属層（１４）を７００人
とした。また、エネルギーウィンドウを信号・雑音比が
４５ｄＢ以上得られる範囲として求めた。その結果は第
４図に示す通りであり、エネルギーウィンドウは、記録
磁性層（１２）の膜厚が２００人のときに最大となり、
その前後で低下することが明らかである。また、最適記
録光量は、記録磁性ｊｉ（１２）が厚い程多く必要であ
る。エネルギーウィンドウの値は０．７５以上が望まし
く、したがって記録磁性層（１２）の膜厚の上限は２８
０人となる。さらに望ましいエネルギーウィンドウの値
を０．８０以上と考えると、記録磁性層（１２）の膜厚
の上限はおよそ２６０人となる。

次に、前記した０〜６０°Ｃの広範囲の使用温度条件に
適合させるための記録磁性層（１２）のキューリー温度
の制限について述べる。

第５図は、前述の計算における温度プロファイルで、毎
分３６００回転時に、１０ｍＷ、４５ｎ秒の記録レーザ
パルスを半径３０−の位置を走査させて照射したときの
各部の最高到達温度を走査方向と直交する断面で見た図
である０図中、曲線（ａ）は６０℃の環境下での温度プ
ロファイル、曲線（ｂ）は０°Ｃの温度下での温度プロ
ファイル、及び曲線（ｃ）は温度プロファイルの傾きを
示している。熱的な分解能を高めるには、記録反転磁区
の境界を決めるキエーリー点で温度プロファイルの傾き
が大きい範囲にあることが必要である。

この傾きが２３０℃／μｍ以上の大きさを持つ範囲にキ
エーリー点を選定すると、図中直＊（ｄ）で示す１７０
℃以上となる。

このキエーリー点が高いと、記録時の温度がその分高温
になる。この上限は、非晶質である記録磁性層（１２）
が結晶化する温度で決まる。これが結晶化すると垂直磁
化容易性が消磁して機能を失う。

ＴｂＦｅＣｏ１１の静止的な結晶化温度は、示差熱分析
によるとおよそ４００℃であった。記録時の１００ｎ秒
程度の短時間にこれを越える温度に昇温されても、すぐ
に結晶化することはないが、１０１回以上の記録消去が
求められる場合に、徐々に結晶化が進行するので、結晶
化温度を越えた昇温は好ましくない、第５図はキューリ
ー点が１８０℃の場合に最適記録状態となる温度プロフ
ァイルを示したもので、このときの最高温度はおよそ３
３０℃である。キューリー点が１８０℃を越える場合に
は、最適記録状態での最高到達温度はキューリー点の比
に相当する分だけ高温になるため、最高到達温度が４０
０℃の結晶化温度を越えない範囲にキューリー点を決め
ると、２２０℃が上限となる。

槍の 第１保！！誘電体層（１１）は、前述したように、高温
多湿の環境下で基板より侵入する酸素、水分子。

あるいは腐食性イオン類等の反応物質を防ぐ機能、及び
積層ｌｌ膜の構成要素としての光学的な機能ををしてい
る。保護機能としては、生産性を悪化させない範囲で厚
い程望ましく、この条件を満たした上で第１保護誘電体
１１（１１）の厚さは磁気光学的な最適条件から決定で
きる。

第６図及び第７図は、前述のように規定した記録磁性層
（１２）の厚さの範囲で、第１保護誘電体層（ここでは
窒化珪素、屈折率ｎ−２，０５）の膜厚ｄを変えたとき
に、反射率Ｒ１実効カー回転角θ。

と反射率Ｒの積（ＲＸθ１）、及び位相補償量の値を計
算したものである。横軸は、第１保護誘電体層（１１）
の膜厚を光学的光路長として、この膜の屈折率ｎと厚さ
ｄの積を使用レーザ光の波長λの比ｎ−ｄ／λで表現し
ている。実効カー回転角θ。

と反射率Ｒの積は再生信号の大きさに相当するもので、
再生信号はこれに比例する０位相補償量は、楕円偏光に
なって反射されるレーザ光を直線偏光に戻すに必要な位
相補償量のことで、位相補償しない場合には、再生信号
は減少するのでこの位相補償量の値は小さい程望ましい
。

図示の如（、第１保ＩＩ誘電体層（１１）の厚さが磁気
光学的な特性に及ぼす寄与は、記録磁性層（１２）の厚
さや後述する第２保護誘電体層（１３）の厚さに比べて
小さいが、この膜厚の光路長が０．２〜０．３５波長相
当の領域で、実効カー回転角と反射率の積が大きく、且
つ位相補償量の値が小さいことから、第１保護誘電体層
（１１）の厚さはこの範囲にあることが望ましい。

°１３　　　　の、。

第８図及び第９図は、前述した第１保ｉｔ誘電体ｊｉ（
１１）及び記録磁性層（１２）の膜厚制約の範囲内で第
２保護誘電体層（１３）　（同様に窒化珪素、ｉ折率ｎ
　−２，０５）の厚さを変化させた場合に、記録磁性層
（１２）のレーザ光吸収効率、反射率Ｒと実効カー回転
角θ、との積（Ｒｘθ、）、及び位相補償量がどのよう
に変化するのか計算した結果である。

横軸は、第６図、第７図と同じく、膜厚ｄと屈折率ｎの
積をレーザ光の波長λの比として表している０図示の如
く、この第２保護誘電体層（１３）の厚さは、磁気光学
特性に大きな影響を与えており、この範囲は重要である
。

記録磁性層（１２）のレーザ光吸収効率は、第２保護誘
電体層（１３）の厚さにあまり依存しない、再生信号の
大きさに相当する実効カー回転角θ、と反射率Ｒの積で
あるカー信号は、第２保護誘電体層（１３）の厚さが薄
い領域で大きくなり、且つ位相補償量の値もこの領域で
小さく、磁気光学的にみた場合は再生信号特性は薄い領
域が有利である。

しかし、保護膜としての機能は膜厚が厚い程有効で、光
路長が０．１波長相当以下では不十分である。さらに、
熱の良導体である反射金属Ｎ（１４）との間の断熱効果
は、厚さが薄いと不十分となって記録感度が悪化するば
かりか、反射金属１！　（１４）を通して熱が横方向に
広がるため、熱の分解能が低下してしまう。

第１０図は、第４図と同様に重要な記録特性であるエネ
ルギーウィンドウを第２保護誘電体層（１３）の厚さを
変化させて計算したものである０図示の如く、エネルギ
ーウィンドウは、この膜厚が光路長で０．１４波長相当
で最大になっており、前述したように、膜厚が薄い領域
で磁気光学的な適性があるにもかかわらず、薄くなる程
エネルギーウィンドウは小さくなりでいる。エネルギー
ウィンドウの値が第４図の場合と同じ＜　０．７５以上
が望ましく、第２保護誘電体層（１３）の膜厚は、光路
長で０．１〜０．１５波長相当の範囲が適当な範囲とな
る。さらに、望ましいエネルギーウィンドウの値を０．
８０以上と考えると、光路長の下限は０．１０８程度と
なる。

の　　・ この反射金属層（１４）には、反射層としての光学的機
能、ヒートシンクとしての熱的機能、及び腐食し易い記
録磁性層の防食機能を持たせている。

この反射金属層（１４）の存在はこれが無い場合に比較
して、光学的には記録磁性層（１２）に吸収される記録
レーザ光の吸収効率が改善され、熱的には最適記録感度
の走査線速依存性が少なくなり、化学的には防食効果が
改善される。これらの機能は、膜厚が厚い程効果的であ
り、４００Å以下では不十分である。しかし熱容量が膜
厚が増加するにともなって増加するために、記録感度が
悪化する。

したがって、本発明の目的である実用性を達成するには
５００Å以上、１０００Å以下が適当である。

この反射金属層（１４）に記録磁性層（１２）の防食効
果を持たせるためには、反射金属層（１４）が記録磁性
層（１２）に比較して、電気化学的に卑であることが必
要である。これは、ピンホール等の欠陥の存在で局部電
池を構成した場合、記録磁性層（１２）が優先腐食され
ないようにするためである。アルミニウムはこの条件に
適合するが、例えば白金、金。

銀、銅等の金属を用いることは、記録磁性層（１２）の
腐食を促進するので不適当である。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
光学的、磁気光学的な観点のみならず動的な熱応答の観
点から第１の保護誘電体層、記録磁性層、第２の保護誘
電体層９反射金属層の膜厚の制約条件が決定されており
、熱的分解能が高く高密度記録が可能で、しかも想定さ
れる条件の変動幅を十分に許容で合る広い記録良好領域
を持った光磁気ディスクを提供することが可能である。

さらに、本発明によれば、耐腐食性に富み、信転性が高
く、極めて実用性に冨む光磁気ディスクを提供すること
が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した光磁気ディスクの一構成例を
一部破断して示す要部概略斜視図であり、第２図は記録
層の構成を示す要部拡大断面図である。 第３図は記！！磁性層の膜厚と保磁力Ｈｅの関係を示す
特性図であり、第４図はＪ１通記録光量並びにエネルギ
ーウィンドウの記録磁性ＪＩＭ厚依存性を示す特性図、
第５図は記録レーザパルスを照射したときの到達温度の
分布並びに温度プロファイルの傾き示す特性図である。 第６図は第１保ｖ１誘電体層の光路長と反射率の関係を
示す特性図であり、第７図は第１保護誘電体層の光路長
とＲ×θ、並びに位相補償量の関係を示す特性図である
。 第８図は第２保護誘電体層の光路長と記録磁性層のレー
ザ光吸収効率並びにＲ×θおの関係を示す特性図であり
、第９図は第２保護誘電体層の光路長と位相補償量の関
係を示す特性図、第１０図は第２保護誘電体層の光路長
とエネルギーウィンドウの関係を示す特性図である。 ｌ　・　・ １１　・ １２　・ １３　・ １４　・ 透明基板 第１保護誘電体層 記録磁性層 第２保護誘電体層 反射金属層 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人弁理士　小泡　晃（他２名） 阪オＷ眩層／１剛ｌｉ　（人） 第３図 第４図 第８ 図 第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 透明基板上に窒素化物よりなる第１の保護誘電体層、非
   結晶質の垂直磁化容易性を有する記録磁性層、窒素化物
   よりなる第２の保護誘電体層、及び前記記録磁性層より
   も電気化学的に卑なる金属よりなる反射金属層が順次積
   層されてなり、前記記録磁性層はＴｂＦｅＣｏを主成分
   とする膜厚１８０Å以上、２８０Å以下の磁性層であり
   、前記第１の保護誘電体層はその屈折率と膜厚との積が
   使用レーザ光の波長の０．２倍以上、０．３５倍以下で
   あり、 前記第２の保護誘電体層はその屈折率と膜厚との積が使
   用レーザ光の波長の０．１倍以上、０．１５倍以下であ
   り、 前記反射金属層は膜厚が５００Å以上、１０００Å以下
   であって前記第２の保護誘電体層との境界での反射率が
   ７０％以上であることを特徴とする光磁気ディスク。