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JPH02239623A - 安定化層及びその製法 - Google Patents

安定化層及びその製法

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JPH02239623A
JPH02239623A JP2020347A JP2034790A JPH02239623A JP H02239623 A JPH02239623 A JP H02239623A JP 2020347 A JP2020347 A JP 2020347A JP 2034790 A JP2034790 A JP 2034790A JP H02239623 A JPH02239623 A JP H02239623A
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stabilizing layer
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stabilizing
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Johann Kammermaier
ヨハン、カンマーマイヤー
Gerhard Schmidt
ゲルハルト、シユミツト
Albrecht Winnacker
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体デバイスの電気的に活性な安定化層並
びにその製法に関する． 〔従来の技術〕 集積された個別半導体デバイス、特にＭＯＳ技術におけ
る半導体デバイスは、表面的な充電による障害に対して
敏感であり、従って特にその表面にｐｎ接合が生じる箇
所に半導電性の電気的に活性な安定化層及び保護層を必
要とする。この種の安定化層は次の特性を有していなけ
ればならない。
ａ）　障壁効果なしに層をｎ及びｐ導電性の活性基板に
効果的に電気的に結合することを可能とするものでなけ
ればならない。すなわち小さな障壁及びそれによる高い
逆方向電流（オーム接触）を生じるものでなければなら
ない．この要件はバンドギャップでの高い欠陥密度及び
ホッピング機構又は光学的エネルギーギャップ（移動度
ギャップ）１．１〜ｌ．４ｅＶによる十分な真性導電率
を意味し、これにより熱的に十分な数の電荷キャリアを
生じることができる． ｂ》　導電率（室温での）は１０−●Ω−１・ｅｌｍ−
’以下でなければならず、従って寄生表面電流は保護す
べき半導体のｐ及びｎ導電性範囲間の逆方向電流よりも
小さい。
Ｃ》　保護すべき半導体のｎ及びｐ導電部に対し十分な
遮蔽効果を生じる必要がある．このため保護層及び安定
化層は、酸化可能な状態での高い密度（数１　０　ＩＩ
ｃｍ−”　・ｅ　Ｖ−’まテ）ノ他に、特に電荷の僅少
なドリフト移動度を有さなければならない． ｄ）安定化層はピンホールを有していてはならないが、
水素及び水に対する透過係数は低く、また機械的保護及
び湿気に対する保護をもたらすものでなければならない
． ｅ）　製造に際して必然的な半導体の２９０゜Ｃにおけ
る加熱処理において安定化層は水素を放出してはならな
い． 現在半導体デバイス用の電気的に活性な安定化層として
は、無定形ケイ素（ａ−Ｓｉ）からなる層が適している
．これらの層は半導体デバイス上に成長させることがで
きるが、ケイ素を蒸着することも可能であり、この場合
には蒸着した層を後で熱処理する（これに関してはドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第２７３０３６７号明細書（
特公昭６１−５８９７６号公報）参照）．電気比抵抗を
調節するために安定化層はホウ素、リン及びアルミニウ
ムのようなドーピング材を含んでいてもよい． ａ−Ｓｉからなる電気的に活性な安定化層はバンドギャ
ップ中の欠陥密度が十分であり、要求される抵抗値ｌＯ
ａΩ・１は析出及び焼結条件を介して調節することがで
き、またドーピングの影響はその高い状態密庫により極
く僅かであるにすぎない．しかしこれらの層の大きな欠
点は、ｐ導電性の基板への結合力がｎ導電性基板への結
合力よりも著しく劣ることである．これは後に、高遮断
性のｐｎ接合部に表面破裂を生ぜしめる可能性がある．
更にａ−ＳＬ層の場合光学的エネルギーギャップはほと
んど変えられず、従って任意の活性基板に適合させるこ
とはできない．この層の場合特に湿気、イオン拡散及び
機械的作用に対する安定性が欠けていることが欠点であ
る． 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の課題は、バンドギャップにおける高い欠陥密度
と、十分に低い導電性及び必要な光学的エネルギーギャ
ップの他に、湿気、イオン拡散及び機械的作用に対して
良好な安定性を有し、またｐ導電性並びにｎ導電性基板
にも良好に結合することのできる半導体デバイス用の半
導電性の電気的に活性な安定化層を提供することにある
．〔課題を解決するための手段〕 この課題は本発明によれば、安定化層が無定形の水素含
有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）からなる薄層からなることによっ
て解決される． 〔作用効果〕 無定形の水素含有炭素（略記ａ−（，＋Ｈ）は無定形の
炭素格子構造が存在する炭素材料であり、その機械的硬
度によりこの炭素材料はダイヤモンド様炭素ともいわれ
る〔例えば「イー・ディー・エル・インドゥストリー・
ディアマンテン・ルントシャウ（　Ｉ　Ｄ　Ｒ　−　１
ｎｄｕｓｔｒｉｅ　Ｄｉａａａｎｔｅｎ　Ｒｕｎｄｓｃ
ｈａｕ）　Ｊ第１８巻（１９８４年）、ＮＩｌ４、第２
４９頁以降参照〕．炭素のこの無定形変体は四面体（ｓ
ｐト）及び三方晶（ｓｐ３・）ハイプリット化の共存に
よって及び水素を組み込むことによって（約１０〜４　
０．原子％）、光学的透明度、微小硬度、化学抵抗性及
び電気絶縁性のような特性をもたらされる． 脊利には約０．０５〜３μ―の厚さを有するａＣ＋Ｈ薄
層形の本発明による安定化層は、表面充電に敏感な半導
体デバイスの電気的に活性な安定化に際して設定される
すべての要件を満足する．ａ−Ｃ＋Ｈはａ−ＳＬとは異
なりその製造時の諸条件を克服して種々の光学的エネル
ギーギャップ、可変欠陥密度及び可変電気抵抗を伴って
、ドーピング処理を必要とすることなく製造することが
できる．すなわち特にａ−Ｃ二Ｈを用いて次の値、すな
わち欠陥密度約１０１９ｃｉ＋−”・ｅ　Ｖ−１、導電
率〈ｌ０１Ω−１・ＣＩ−１、光学的エネルギーギャッ
プ約１．　１　ｅ　Ｖを同時にまた最通に満たすことが
できる． 本発明による電気的に活性な安定化層の製造は、基板上
にガス状の炭化水素を高周波一低圧−プラズマ析出処理
することにより無定形の水素含有炭素からなる薄層を施
すことによって行う．この場合プラズマ析出は有利には
無線周波数（ＲＦ）、すなわち０．１〜１００ＭＨｚの
範囲で行うが、中マイクロ波（ＭＷ）　、すなわち０．
　１〜ＩＯＯＯＧＨｚの範囲で行うこともできる． 本発明による安定化層の製造に際してはガス状炭化水素
として有利にはアルカン、すなわちメタン、エタン及び
プロパンのような飽和脂肪族炭化水素を使用するが、こ
の場合好ましいのはメタンである．しかしその他にアル
ケン、すなわちエテン及びブロペンのような不飽和の脂
肪族炭化水素並びにアセチレン、シクロアルカン、すな
わちシクロヘキサンのような飽和環状炭化水素、及び蒸
気状態でのベンゾール及びベンゾール誘導体の形の芳香
族炭化水素も使用することができる。上記の各炭化水素
は単独又は混合物として使用することができる．更にこ
れらの炭化水素には水素及び／又ハ、ヘリウム及びアル
ゴンのような希ガスを添加することもできる。
特にＲＦ励起での高周波放電中で、放電装置の異なる大
きさの内部電極（表面比≦０．５、有利には０．２５〜
０．　０　５　）に空間電荷により約１ｋＶまでの、高
周波（ＨＦ）のタイミングパルスで脈動する直流電圧成
分（バイアス電圧又はセルフバイアス電圧）が生じる．
この直流電圧成分は高周波交流電圧にヘテログイン変換
し、一層小さな電極を陰極化する．これにより反応ガス
のイオン化及びフラグメント化によって生じる帯電した
Ｃｘ　Ｈｙ粒子は陰橿に向かっ．て加速され、陰極の前
に配置された基板に高い運動エネルギーでａ−Ｃ：Ｈの
形成下に析出される．先に記載した形式のセルフバイア
ス」効果は、内部電極が欠けていることにより極く僅か
な規模ではあるが、ＭＷ誘起析出プラズマの場合にも有
効である．それというのもプラズマと基板表面との間に
はいずれの場合にも電位差が生じるからである． このプラズマ析出処理での条件を介して種々の特性を有
するａ−Ｃ：Ｈを製造することができる．この場合諸可
変条件は高周波放電の周波数、プラズマに供給されるエ
ネルギー密度、電極の配置及び大きさ、ガス圧すなわち
反応ガスの部分圧、ガス流速度並びに物質流量及び基板
温度（≧２５０℃）である．これらのパラメータのすべ
ては互いに無関係に調整することができ、こうしてａ−
Ｃ：Ｈ層の諸特性を意図的に制御することができる。
〔実施例〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）半導体デバイス用の電気的に活性な安定化層におい
    て、この安定化層が無定形の水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ
    ）からなる薄層からなることを特徴とする安定化層。 ２）欠陥密度約１０＾１＾９ｃｍ＾−＾３・ｅＶ＾−＾
    １、電気比抵抗＞１０＾■Ω・ｃｍ及び光学的エネルギ
    ーギャップ約１．１ｅＶを有することを特徴とする請求
    項１記載の安定化層。 ３）厚さ約０．０５〜３μｍを有することを特徴とする
    請求項１又は２記載の安定化層。 ４）基板上にガス状の炭化水素を高周波−低圧−プラズ
    マ析出処理することにより、無定形水素含有炭素からな
    る薄層を施すことを特徴とする請求項１ないし３の１つ
    に記載の電気的に活性な安定化層の製法。 ５）プラズマ析出を無線周波数を用いて行うことを特徴
    とする請求項４記載の方法。 ６）炭化水素としてアルカン、特にメタンを使用するこ
    とを特徴とする請求項４又は５記載の方法。 ７）基板を析出中≦２５０℃の温度に保持することを特
    徴とする請求項４ないし６の１つに記載の方法。
JP02034790A 1989-02-01 1990-01-30 安定化層及びその製法 Expired - Lifetime JP3428984B2 (ja)

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0381110B1 (de) * 1989-02-01 1994-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Schutzschicht für elektroaktive Passivierschichten
EP0472054A1 (de) * 1990-08-20 1992-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Photozelle mit amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff
FR2675947A1 (fr) * 1991-04-23 1992-10-30 France Telecom Procede de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogene et procede de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive.
EP0624901A1 (de) * 1993-05-13 1994-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht
EP0644266A1 (de) * 1993-09-22 1995-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Arbeitselektrode für ekektrodechemisch-enzymatische Sensorsysteme
DE4428524A1 (de) * 1994-08-11 1997-12-04 Eupec Gmbh & Co Kg Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht
US5562781A (en) * 1995-01-19 1996-10-08 Ohio University Amorphous, hydrogenated carbon (a-C:H) photovoltaic cell
DE19514079A1 (de) * 1995-04-13 1996-10-17 Siemens Ag Verfahren zum Passivieren einer Siliciumcarbid-Oberfläche gegenüber Sauerstoff
US5942328A (en) * 1996-02-29 1999-08-24 International Business Machines Corporation Low dielectric constant amorphous fluorinated carbon and method of preparation
US6071597A (en) * 1997-08-28 2000-06-06 3M Innovative Properties Company Flexible circuits and carriers and process for manufacture
US6448655B1 (en) * 1998-04-28 2002-09-10 International Business Machines Corporation Stabilization of fluorine-containing low-k dielectrics in a metal/insulator wiring structure by ultraviolet irradiation
DE19851461C2 (de) * 1998-11-09 2003-07-31 Semikron Elektronik Gmbh Schnelle Leistungsdiode und Verfahren zu ihrer Passivierung
EP1062700A1 (de) * 1999-01-12 2000-12-27 EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleiterbauelement mit mesa-randabschluss
US6995821B1 (en) * 1999-04-23 2006-02-07 International Business Machines Corporation Methods of reducing unbalanced DC voltage between two electrodes of reflective liquid crystal display by thin film passivation
DE10047152B4 (de) * 2000-09-22 2006-07-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Hochvolt-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
US8137105B2 (en) 2003-07-31 2012-03-20 International Business Machines Corporation Chinese/English vocabulary learning tool
DE10358985B3 (de) 2003-12-16 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem pn-Übergang und einer auf einer Oberfläche aufgebrachten Passivierungsschicht
DE10359371A1 (de) * 2003-12-18 2005-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Passivierte Endoberflächen
DE102004002908B4 (de) * 2004-01-20 2008-01-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements oder einer mikromechanischen Struktur
DE102006007093B4 (de) * 2006-02-15 2008-08-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer haftfähigen Schicht auf einem Halbleiterkörper
DE102006011697B4 (de) * 2006-03-14 2012-01-26 Infineon Technologies Austria Ag Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US8013340B2 (en) * 2008-09-30 2011-09-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with semiconductor body and method for the production of a semiconductor device
WO2010132284A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Photolithographically defined contacts to carbon nanostructures
US8884378B2 (en) * 2010-11-03 2014-11-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060660A (en) * 1976-01-15 1977-11-29 Rca Corporation Deposition of transparent amorphous carbon films
DE2730367A1 (de) * 1977-07-05 1979-01-18 Siemens Ag Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen
US4742384A (en) * 1978-02-01 1988-05-03 Rca Corporation Structure for passivating a PN junction
JPS55115386A (en) * 1979-02-26 1980-09-05 Hitachi Ltd Semiconductor laser unit
US4254426A (en) * 1979-05-09 1981-03-03 Rca Corporation Method and structure for passivating semiconductor material
JPS5930709A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Toa Nenryo Kogyo Kk 炭素膜及び／又は炭素粒子の製造方法
JPS5955077A (ja) * 1982-09-22 1984-03-29 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
DE3316693A1 (de) * 1983-05-06 1984-11-08 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate
JPS6154036A (ja) * 1984-08-24 1986-03-18 Nec Corp 磁気記録媒体およびその製造方法
JPS61219961A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Fuji Electric Co Ltd 電子写真感光体
DE3610076A1 (de) * 1985-03-26 1986-10-09 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Elektrofotografisches lichtempfindliches element
US4675265A (en) * 1985-03-26 1987-06-23 Fuji Electric Co., Ltd. Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer
US4673589A (en) * 1986-02-18 1987-06-16 Amoco Corporation Photoconducting amorphous carbon
US4737429A (en) * 1986-06-26 1988-04-12 Xerox Corporation Layered amorphous silicon imaging members
US4756964A (en) * 1986-09-29 1988-07-12 The Dow Chemical Company Barrier films having an amorphous carbon coating and methods of making
US4695859A (en) * 1986-10-20 1987-09-22 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film light emitting diode, photonic circuit employing said diode imager employing said circuits
US4760005A (en) * 1986-11-03 1988-07-26 Xerox Corporation Amorphous silicon imaging members with barrier layers
JPH07120812B2 (ja) * 1986-12-17 1995-12-20 三田工業株式会社 電子写真用感光体及びその製造方法
JPS63210268A (ja) * 1987-02-26 1988-08-31 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 炭素薄膜の形成方法
US4972250A (en) * 1987-03-02 1990-11-20 Microwave Technology, Inc. Protective coating useful as passivation layer for semiconductor devices
JPS63246283A (ja) * 1987-03-31 1988-10-13 Minolta Camera Co Ltd 光記録体

Also Published As

Publication number Publication date
US5039358A (en) 1991-08-13
EP0381111A2 (de) 1990-08-08
DE59009167D1 (de) 1995-07-06
EP0381111B1 (de) 1995-05-31
JP3428984B2 (ja) 2003-07-22
ES2072321T3 (es) 1995-07-16
EP0381111A3 (en) 1990-12-19

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