JPH02237220A - 出力回路 - Google Patents
出力回路Info
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- JPH02237220A JPH02237220A JP1056942A JP5694289A JPH02237220A JP H02237220 A JPH02237220 A JP H02237220A JP 1056942 A JP1056942 A JP 1056942A JP 5694289 A JP5694289 A JP 5694289A JP H02237220 A JPH02237220 A JP H02237220A
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- Japan
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
出力回路、特に、Bi−CMOS型の出力回路に関し、
出力フォール波形のリンギングの発生を回避するごとを
目的とし、 入力回路の出力が第1の電位状態にあるときに出力端子
をI−1レベルに駆動する}1レベル駆動手段と、ベー
ス電流が供給されると該出力端子をLレベルに駆動する
ハイボーラI・ランジスタからなるLレベル駆動手段と
を備えた出力回路において、前記入力回路の出力が第2
の電位状態にあるとき第1のベース電流を生成して前記
Lレベル駆動手段に供給する第1のベース電流供給手段
と、前記出力端子の電位がI1→L変化時に■]レベル
よりも小ざくかつLレベルよりも大きい所定電位になる
ときに起動信号を出力する起動手段と、前記入力回路の
出力が第2の電位状態にあるとき導通ずるスイソヂ手段
と、該スイソチ手段が導通し、かつ前記起動手段から起
動信号が出力されると第2のベース電?ヌεを生成して
前記I5レベル駆動手段に供給する第2のー・−ス電流
供給手段と、を備えて構成し、また、前記起動手段、ス
イソチ手段および第2のベース電流供給手段を複数組備
えるとともに、各組の起動手段の所定電位を各々異なら
せて構成している。
目的とし、 入力回路の出力が第1の電位状態にあるときに出力端子
をI−1レベルに駆動する}1レベル駆動手段と、ベー
ス電流が供給されると該出力端子をLレベルに駆動する
ハイボーラI・ランジスタからなるLレベル駆動手段と
を備えた出力回路において、前記入力回路の出力が第2
の電位状態にあるとき第1のベース電流を生成して前記
Lレベル駆動手段に供給する第1のベース電流供給手段
と、前記出力端子の電位がI1→L変化時に■]レベル
よりも小ざくかつLレベルよりも大きい所定電位になる
ときに起動信号を出力する起動手段と、前記入力回路の
出力が第2の電位状態にあるとき導通ずるスイソヂ手段
と、該スイソチ手段が導通し、かつ前記起動手段から起
動信号が出力されると第2のベース電?ヌεを生成して
前記I5レベル駆動手段に供給する第2のー・−ス電流
供給手段と、を備えて構成し、また、前記起動手段、ス
イソチ手段および第2のベース電流供給手段を複数組備
えるとともに、各組の起動手段の所定電位を各々異なら
せて構成している。
(産業上の利用分野]
本発明は、出力回路に関し、特に、Bi−CMOS型の
出力回路に関する。
出力回路に関する。
CMOS+−ランジスタとハイボーラ1・ランシスタと
を混載したBi−CMOS出力回路は、CMOSの特長
である高速性とハイボーラの特長である負荷駆動能力と
を兼ね備えたもので、高速動作と高ファンアウI・を要
求される各種半導体集積回路に使用される。
を混載したBi−CMOS出力回路は、CMOSの特長
である高速性とハイボーラの特長である負荷駆動能力と
を兼ね備えたもので、高速動作と高ファンアウI・を要
求される各種半導体集積回路に使用される。
第5図は従来のB i −CMOS出力回路の一例を示
す図である。この図において、1はPチャネルMOS+
−ランジスタP,およびNチャネルMOS1−ランジス
タN1よりなる第1のCMOS回路、2はPチャネルM
OS+−ランジスタP2およびNチ.1・ネルMOSト
ランジスタN2よりなる第2のCMOS回路、3はNP
Nハイボーラ1・ランジスタT, T.ダイオードD
1および抵抗R1よりなるHレベル駆動回路、4はNP
NハイボーラI・ランシスタT3よりなるLレベル駆動
回路、5ばT−1レベル駆動回路3およびLレベル駆動
回路4によってI1レ・\ル若しくはLレベルに駆動さ
れる出力端子、6は人力端子である。なお、■1は入力
信号、V.は出力信号である。
す図である。この図において、1はPチャネルMOS+
−ランジスタP,およびNチャネルMOS1−ランジス
タN1よりなる第1のCMOS回路、2はPチャネルM
OS+−ランジスタP2およびNチ.1・ネルMOSト
ランジスタN2よりなる第2のCMOS回路、3はNP
Nハイボーラ1・ランジスタT, T.ダイオードD
1および抵抗R1よりなるHレベル駆動回路、4はNP
NハイボーラI・ランシスタT3よりなるLレベル駆動
回路、5ばT−1レベル駆動回路3およびLレベル駆動
回路4によってI1レ・\ル若しくはLレベルに駆動さ
れる出力端子、6は人力端子である。なお、■1は入力
信号、V.は出力信号である。
このような構成において、今、■1をLレベルにすると
、第1のCMOS回路1の出力はI1レベル(第1の電
位状態)となり、したがって、出力端了5は11レベル
駆動回路3によって駆動ざれてV.=T{レベルとなる
。なお、このとき、第2のCMOS回路2の出力はI,
レベルであり、Lレベル駆動回路4にはベース電流I[
lが供給されない。
、第1のCMOS回路1の出力はI1レベル(第1の電
位状態)となり、したがって、出力端了5は11レベル
駆動回路3によって駆動ざれてV.=T{レベルとなる
。なお、このとき、第2のCMOS回路2の出力はI,
レベルであり、Lレベル駆動回路4にはベース電流I[
lが供給されない。
−・方、■1をLレベルからHレベルへと変化させると
、第1のCMOS回路1の出力が第1の電位状態から第
2の電位状態(Lレベル)へと変化し、これにより、第
2のCMOS回路2の出力がHレベルに変化してI,レ
ベル駆動回路4にベース電流■8が供給され、出力端子
5はLレベルに駆動される。
、第1のCMOS回路1の出力が第1の電位状態から第
2の電位状態(Lレベル)へと変化し、これにより、第
2のCMOS回路2の出力がHレベルに変化してI,レ
ベル駆動回路4にベース電流■8が供給され、出力端子
5はLレベルに駆動される。
しかしながら、このような従来の出力回路にあっては、
Lレベル駆動回路4に供給するベース電流■8が比較的
に大きくしかもその大きさが常に一定であったため、ベ
ース電流■,の供給直後に出力信号■。がI]レベルか
らLレベルへと急激に立ち下がる結果、その出力フォー
ル波形にリンギングを発生させるといった問題点があっ
た。
Lレベル駆動回路4に供給するベース電流■8が比較的
に大きくしかもその大きさが常に一定であったため、ベ
ース電流■,の供給直後に出力信号■。がI]レベルか
らLレベルへと急激に立ち下がる結果、その出力フォー
ル波形にリンギングを発生させるといった問題点があっ
た。
そこで、本発明は、ベース電流IEを段階的に増大させ
ることにより、出力信号V。の立ち下がり変化を緩徐な
ものにして、出力フォール波形のリンギングの発生を回
避することを目的としている。
ることにより、出力信号V。の立ち下がり変化を緩徐な
ものにして、出力フォール波形のリンギングの発生を回
避することを目的としている。
本発明に係る出力回路は、」二記目的を達成するため、
その原理ブロソクを第1図に示すように、入力回路の出
力が第1の電位状態にあるときに出力端子をHレベルに
駆動する■Iレ・゛\ル駆動手段と、ベース電流が供給
されると該出力端子をLレベルに駆動するハイボーラl
−ランジスタからなるLレベル駆動手段とを備えた出力
回路において、前記人力回路の出力が第2の電位状態に
あるとき第1のベース電流を生成して前記Lレベル駆動
手段に供給する第1のベース電流供給手段と、前記出力
端子の電位がl−I−+L変化時にHレベルよりも小さ
くかつLレー・ルよりも大きい所定電位になるときに起
動信号を出力する起動手段と、前記入力回路の出力が第
2の電位状態にあるとき導通ずるスイノチ手段と、該ス
イッヂ手段が導通し、かつ前記起動手段から起動信彊が
出力されると第2のベース電流を生成して前記Lレベル
駆動手段に供給する第2のベース電流供給手段と、を備
えて構成し、また、前記起動手段、スイッチ手段および
第2のベース電流供給手段を複数組備えるとともに、各
組の起動手段の所定電位を各々異ならせて構成している
。
その原理ブロソクを第1図に示すように、入力回路の出
力が第1の電位状態にあるときに出力端子をHレベルに
駆動する■Iレ・゛\ル駆動手段と、ベース電流が供給
されると該出力端子をLレベルに駆動するハイボーラl
−ランジスタからなるLレベル駆動手段とを備えた出力
回路において、前記人力回路の出力が第2の電位状態に
あるとき第1のベース電流を生成して前記Lレベル駆動
手段に供給する第1のベース電流供給手段と、前記出力
端子の電位がl−I−+L変化時にHレベルよりも小さ
くかつLレー・ルよりも大きい所定電位になるときに起
動信号を出力する起動手段と、前記入力回路の出力が第
2の電位状態にあるとき導通ずるスイノチ手段と、該ス
イッヂ手段が導通し、かつ前記起動手段から起動信彊が
出力されると第2のベース電流を生成して前記Lレベル
駆動手段に供給する第2のベース電流供給手段と、を備
えて構成し、また、前記起動手段、スイッチ手段および
第2のベース電流供給手段を複数組備えるとともに、各
組の起動手段の所定電位を各々異ならせて構成している
。
(作用〕
本発明では、入力回路の出力か第1の電位状態から第2
の電位状態・\と変化すると、まず、第1のベース電流
を生成し、この第1のベース電流によってI,レ・\ル
駆動手段を動作させて、出力!j;!.i子の電位をH
レベルからしレベルへと変化させ、次いて、出力端子の
電位が所定電位に到達すると、第2のベース電流を生成
し、先の第1のー・−ス電流に加算している。第2図は
出力信−号■。の立ち下がり変化とそのときのベース電
流1.の変化を示す図で、ベース電流を時間の経過と共
に加算増大することにより、出力信号■。の立下がり変
化を緩徐なものとしてリンギングを回避している。
の電位状態・\と変化すると、まず、第1のベース電流
を生成し、この第1のベース電流によってI,レ・\ル
駆動手段を動作させて、出力!j;!.i子の電位をH
レベルからしレベルへと変化させ、次いて、出力端子の
電位が所定電位に到達すると、第2のベース電流を生成
し、先の第1のー・−ス電流に加算している。第2図は
出力信−号■。の立ち下がり変化とそのときのベース電
流1.の変化を示す図で、ベース電流を時間の経過と共
に加算増大することにより、出力信号■。の立下がり変
化を緩徐なものとしてリンギングを回避している。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第3、4図は本発明に係る出力回路の一実施例を示す図
である。
である。
第3図において、10は出力回路であり、出力回路10
は、入力回路11、I{レベル駆動手段12、Lレベル
駆動手段13、第1のベース電流供給千段14、起動千
段15、スイソチ手段1Gおよび第2のベース電流供給
千段17を侃えている。
は、入力回路11、I{レベル駆動手段12、Lレベル
駆動手段13、第1のベース電流供給千段14、起動千
段15、スイソチ手段1Gおよび第2のベース電流供給
千段17を侃えている。
人力回路11はPヂャ不ルMos+・ランジスタPとN
チャ不ルMOS+・ランジスタN11とを有し、人力信
号■1の反転論理の信号(CMOS出力S。)を出力す
る。Hレベル駆動手段12はNPNハイボーラ1一ラン
ジスタT.,,T,2およびダイオードD I+を有し
、CMOS出力S。が第1の電位状態(Hレベル)にあ
るときに出力端子18をHレベル電源線■。,に接続し
、出力信号■。をHレベルに駆動する。■−レベル駆動
手段13はNPNハイボラ1〜ランジスタT+3を有し
、ベース電流■8の供給により出力端子18をLレベル
電源線CNDに接続し、出力信号■。をLレベルに駆動
する。第1のー・−ス電流供給千段14ばPチャネルM
OSトランジノ、タPl2とNチャネルMOS+−ラン
ジスクN + zとを有し、CMOS出力S。が第2の
電位状jJ(Lレベル)にあるとき第1のベース電流i
aを生成してLレベル駆動千段13に供給する。起動千
段15はPヂャネルMOS+−ランジスタP1s,P1
6およびNチャネルMOS+一ランジスタNI3,N?
4からなる2段のインハータ15a,15bを有し、出
力端子18の電位(出力信7 V。の電位)がI−1→
L変化時にIIレー、ルよりも小さくかつLレ・\ルよ
りも大きい所定電位■8にあるときに起動信号Sを出力
する。スイソチ手段16はPチャネルMOSトランジス
タP 13を有し、CMOS出力S。が第2の電位状態
にあるときに導通ずる。第2のヘス電流供給千段17は
PチャネルMOSI−ランシスタPl4を有し、スイッ
チ手段1Gが導通しかつ起動千段15からSlが出力さ
れているときに第2のベース電流11を生成してI,レ
ベル駆動手段13に供給する。
チャ不ルMOS+・ランジスタN11とを有し、人力信
号■1の反転論理の信号(CMOS出力S。)を出力す
る。Hレベル駆動手段12はNPNハイボーラ1一ラン
ジスタT.,,T,2およびダイオードD I+を有し
、CMOS出力S。が第1の電位状態(Hレベル)にあ
るときに出力端子18をHレベル電源線■。,に接続し
、出力信号■。をHレベルに駆動する。■−レベル駆動
手段13はNPNハイボラ1〜ランジスタT+3を有し
、ベース電流■8の供給により出力端子18をLレベル
電源線CNDに接続し、出力信号■。をLレベルに駆動
する。第1のー・−ス電流供給千段14ばPチャネルM
OSトランジノ、タPl2とNチャネルMOS+−ラン
ジスクN + zとを有し、CMOS出力S。が第2の
電位状jJ(Lレベル)にあるとき第1のベース電流i
aを生成してLレベル駆動千段13に供給する。起動千
段15はPヂャネルMOS+−ランジスタP1s,P1
6およびNチャネルMOS+一ランジスタNI3,N?
4からなる2段のインハータ15a,15bを有し、出
力端子18の電位(出力信7 V。の電位)がI−1→
L変化時にIIレー、ルよりも小さくかつLレ・\ルよ
りも大きい所定電位■8にあるときに起動信号Sを出力
する。スイソチ手段16はPチャネルMOSトランジス
タP 13を有し、CMOS出力S。が第2の電位状態
にあるときに導通ずる。第2のヘス電流供給千段17は
PチャネルMOSI−ランシスタPl4を有し、スイッ
チ手段1Gが導通しかつ起動千段15からSlが出力さ
れているときに第2のベース電流11を生成してI,レ
ベル駆動手段13に供給する。
次に、作用を説明する。
CMOS出力S。は、■1の反転論理であり、例えばV
1がLレベルてあればS。はI−1レベルである。この
場合、出力信号■。はIIレベル駆動千段12によって
[Iレベルに駆動される。
1がLレベルてあればS。はI−1レベルである。この
場合、出力信号■。はIIレベル駆動千段12によって
[Iレベルに駆動される。
今、■1がL→1lレベルへど変化した場合、ずなわち
、Soが■1→Lへと変化すると、まず、第1のベース
電流供給千段14のP1■とスイッチ手段q ?GのP+:+点か導通し、これにより、P1■を介し
てiaが流される。このlaばLレベル駆動手段13の
’I”+3に供給され、T11はこのときのIE (
ずなわらi,,)に対応した大きさのコレクク電流を流
す。その結果、出力信号V。がHレベルがらLレベルへ
と低下しはしめ.その低下速度は’I”+3のベース電
流の大きさに対応している。すなわち、1aを比較的に
小さなものに設定しておけば、このときのV。の低下速
度を緩徐なものとすることができる。
、Soが■1→Lへと変化すると、まず、第1のベース
電流供給千段14のP1■とスイッチ手段q ?GのP+:+点か導通し、これにより、P1■を介し
てiaが流される。このlaばLレベル駆動手段13の
’I”+3に供給され、T11はこのときのIE (
ずなわらi,,)に対応した大きさのコレクク電流を流
す。その結果、出力信号V。がHレベルがらLレベルへ
と低下しはしめ.その低下速度は’I”+3のベース電
流の大きさに対応している。すなわち、1aを比較的に
小さなものに設定しておけば、このときのV。の低下速
度を緩徐なものとすることができる。
■oが低下してVl (起動手段15のVTI{に相
当する)6こ到達すると、起動千段15がらS,が出力
される。第2のベース電流供給手段17のPl4はこの
S1を受りて導通し、このPI4と先に導通していたス
イソチ手段l6のPI3とを介して第2のベース電流1
1が流され、この11ば既に流されていた1aに加算さ
れる。したがって、Lレベル駆動手段1GのT13ば、
I)1 +i’l に増大ざれたベース電流IBの供給
を受けてそのコレクタ電流を増大ざせ、これにより、V
oはその電位を急速に■,レベル・\と低下さ氾ていく
。
当する)6こ到達すると、起動千段15がらS,が出力
される。第2のベース電流供給手段17のPl4はこの
S1を受りて導通し、このPI4と先に導通していたス
イソチ手段l6のPI3とを介して第2のベース電流1
1が流され、この11ば既に流されていた1aに加算さ
れる。したがって、Lレベル駆動手段1GのT13ば、
I)1 +i’l に増大ざれたベース電流IBの供給
を受けてそのコレクタ電流を増大ざせ、これにより、V
oはその電位を急速に■,レベル・\と低下さ氾ていく
。
このように、本実施例では、SoがIT→L−、と変化
すると、まず、第1の・・・−ス電流14をr7レ・\
ル駈動手段13に供給し、次いで、■oが■1まで低下
するとi4に加えて第2のベース電流1を供給するよう
にしている。したがって、T,レベル駆動千段13に供
給されるベース電?Mj I sを第4図に示すように
段階的に増大ざせることができ、出力信号■。の立ち下
がりを、はしめ緩徐に、その後急速にと変化させること
ができる。その結果、出力信号■。の急激な立ち下がり
変化を避けることができ、出力フォール波形のリンギン
グの発生を回避することができる。
すると、まず、第1の・・・−ス電流14をr7レ・\
ル駈動手段13に供給し、次いで、■oが■1まで低下
するとi4に加えて第2のベース電流1を供給するよう
にしている。したがって、T,レベル駆動千段13に供
給されるベース電?Mj I sを第4図に示すように
段階的に増大ざせることができ、出力信号■。の立ち下
がりを、はしめ緩徐に、その後急速にと変化させること
ができる。その結果、出力信号■。の急激な立ち下がり
変化を避けることができ、出力フォール波形のリンギン
グの発生を回避することができる。
なお、上記実施例では起動千段15、スイソヂ手段16
および第2のベース電流供給手段17を1組とした例を
示したが、これに限るものではない。例えば起動千段1
5、スインヂ手段16および第2のベース電流供給千段
17を複数組にして、各組の起動千段15の所定電位(
すなわち■1)を各々異ならせるようにしてもよい。
および第2のベース電流供給手段17を1組とした例を
示したが、これに限るものではない。例えば起動千段1
5、スインヂ手段16および第2のベース電流供給千段
17を複数組にして、各組の起動千段15の所定電位(
すなわち■1)を各々異ならせるようにしてもよい。
[発明の効果]
本発明によれば、Lレー・ル駆動手段に供給する・\−
ス電?!lmを段階的に増大させるようにしたので、出
力信号V。の立ち下がり変化を緩徐なものとすることが
でき、出力フォールの波形のリンギングを回避すること
ができる。
ス電?!lmを段階的に増大させるようにしたので、出
力信号V。の立ち下がり変化を緩徐なものとすることが
でき、出力フォールの波形のリンギングを回避すること
ができる。
第1、2図は本発明の原理を示す図であり、第1図はそ
の原理ブロノク図、 第2図はその出力信号とベース電流の変化を示す図、 第3、4図は本発明に係る出力回路の一実施例を示す図
であり、 第3図はその構成図、 第4図はその出力信号とベース電流の変化を示す図、 第5、6図は従来の出力回路を示す図であり、第5図は
その構成図、 第6同ほぞの出力信号の変化を示す図である。 11・・・・・一人ノノ@路、 12・・・・・・Hレベル駆動手段、 13・・・・・■,レベル駆動手段、 14・・・・・・第1のベース電流供給手段、]5・・
・・・・起動手段、 1G・・・・・・スイッチ手段、 17・・・・・・第2のベース電流供給手段、18・・
・・・・出力端子、 So・・・・・・CMOS出力、 S1・・・・・・起動信号、 ■1・・・・・・入力信号、 ■。・・・−・・出力信号、 Ill・・・・・・ベース電流、 ia・・・・・・第1のー・−ス電流、iI・・・・・
・第2のベースli。 代 理 人 弁理士 井 桁 貞 l3
の原理ブロノク図、 第2図はその出力信号とベース電流の変化を示す図、 第3、4図は本発明に係る出力回路の一実施例を示す図
であり、 第3図はその構成図、 第4図はその出力信号とベース電流の変化を示す図、 第5、6図は従来の出力回路を示す図であり、第5図は
その構成図、 第6同ほぞの出力信号の変化を示す図である。 11・・・・・一人ノノ@路、 12・・・・・・Hレベル駆動手段、 13・・・・・■,レベル駆動手段、 14・・・・・・第1のベース電流供給手段、]5・・
・・・・起動手段、 1G・・・・・・スイッチ手段、 17・・・・・・第2のベース電流供給手段、18・・
・・・・出力端子、 So・・・・・・CMOS出力、 S1・・・・・・起動信号、 ■1・・・・・・入力信号、 ■。・・・−・・出力信号、 Ill・・・・・・ベース電流、 ia・・・・・・第1のー・−ス電流、iI・・・・・
・第2のベースli。 代 理 人 弁理士 井 桁 貞 l3
Claims (2)
- (1)入力回路の出力が第1の電位状態にあるときに出
力端子をHレベルに駆動するHレベル駆動手段と、 ベース電流が供給されると該出力端子をL レベルに駆動するバイポーラトランジスタからなるLレ
ベル駆動手段とを備えた出力回路において、 前記入力回路の出力が第2の電位状態にあ るとき第1のベース電流を生成して前記Lレベル駆動手
段に供給する第1のベース電流供給手段と、 前記出力端子の電位がH→L変化時にHレ ベルよりも小さくかつLレベルよりも大きい所定電位に
なるときに起動信号を出力する起動手段と、 前記入力回路の出力が第2の電位状態にあ るとき導通するスイッチ手段と、 該スイッチ手段が導通し、かつ前記起動手 段から起動信号が出力されると第2のベース電流を生成
して前記Lレベル駆動手段に供給する第2のベース電流
供給手段と、 を備えたことを特徴とする出力回路。 - (2)前記起動手段、スイッチ手段および第2のベース
電流供給手段を複数組備えるとともに、各組の起動手段
の所定電位を各々異ならせ たことを特徴とする請求項1記載の出力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1056942A JPH02237220A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1056942A JPH02237220A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 出力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02237220A true JPH02237220A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13041598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1056942A Pending JPH02237220A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 出力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02237220A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH066195A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 出力ドライバ回路 |
JPH09167956A (ja) * | 1992-03-06 | 1997-06-24 | Samsung Electron Co Ltd | BiCMOS駆動回路 |
JP2006314197A (ja) * | 2002-10-25 | 2006-11-16 | Marvell World Trade Ltd | 低損失dc/dcコンバータ |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1056942A patent/JPH02237220A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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