JPH02216749A - 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置 - Google Patents
走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置Info
- Publication number
- JPH02216749A JPH02216749A JP1246427A JP24642789A JPH02216749A JP H02216749 A JPH02216749 A JP H02216749A JP 1246427 A JP1246427 A JP 1246427A JP 24642789 A JP24642789 A JP 24642789A JP H02216749 A JPH02216749 A JP H02216749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variation
- tunnel current
- probe
- electrode
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/10—STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
- G01Q60/16—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
- G01Q30/04—Display or data processing devices
- G01Q30/06—Display or data processing devices for error compensation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/02—Probe holders
- G01Q70/04—Probe holders with compensation for temperature or vibration induced errors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/06—Probe tip arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
- G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
- G11B9/1445—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other switching at least one head in operating function; Controlling the relative spacing to keep the head operative, e.g. for allowing a tunnel current flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/832—Nanostructure having specified property, e.g. lattice-constant, thermal expansion coefficient
- Y10S977/837—Piezoelectric property of nanomaterial
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/861—Scanning tunneling probe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/873—Tip holder
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/874—Probe tip array
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、熱ドリフトあるいは外部からの振動を除去す
る機構を有した走査型トンネル電流検出装置、走査型ト
ンネル顕微鏡、記録再生装置、及びトンネル電流の検出
方法に関する。
る機構を有した走査型トンネル電流検出装置、走査型ト
ンネル顕微鏡、記録再生装置、及びトンネル電流の検出
方法に関する。
[従来の技術]
最近、導体の表面原子における電子構造を直接観察でき
る走査型トンネル顕微鏡(以後STMと略す)が開発さ
れ [G、 B1nn1g et al、。
る走査型トンネル顕微鏡(以後STMと略す)が開発さ
れ [G、 B1nn1g et al、。
He1vetica Physica Acta、55
.726 (1982) ] 、単結晶、非晶質を問わ
ず実空間像の高い分解能の測定ができるようになった。
.726 (1982) ] 、単結晶、非晶質を問わ
ず実空間像の高い分解能の測定ができるようになった。
しかも、電流による損傷を媒体に与えることなく、低電
力で観測できる利点をも有し、さらに大気中でも動作し
種々の材料に対して用いることができるため、高範囲な
応用が期待されている。
力で観測できる利点をも有し、さらに大気中でも動作し
種々の材料に対して用いることができるため、高範囲な
応用が期待されている。
かかるSTMは、金属の探針(プローブ電極)と導電性
物質(試料媒体)の間に電圧を加えてlnm程度の距離
まで近づけるとトンネル電流が流れるごとを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針な走査することによ
り、実空間の表面構造を描くことができると同時に、表
面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ること
ができる。
物質(試料媒体)の間に電圧を加えてlnm程度の距離
まで近づけるとトンネル電流が流れるごとを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針な走査することによ
り、実空間の表面構造を描くことができると同時に、表
面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ること
ができる。
このため、STMには床振動からの外乱、雰囲気の変化
による構造材の微少な変形を分解能以下に抑える除振装
置が不可欠である。
による構造材の微少な変形を分解能以下に抑える除振装
置が不可欠である。
一般に、除振を行うためには、動吸収器におけるダンパ
ー要素によって振動エネルギーを消散させ、振動の低減
を図ることや、あるいは比較的大きな質量体を装置の支
持体1台等に用いることにより振動に対する抵抗を太き
(し、低い共振周波数を持たせる受動的な方法が行われ
ている。
ー要素によって振動エネルギーを消散させ、振動の低減
を図ることや、あるいは比較的大きな質量体を装置の支
持体1台等に用いることにより振動に対する抵抗を太き
(し、低い共振周波数を持たせる受動的な方法が行われ
ている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、STMを用い、プローブ電極を局所的に
走査させて試料媒体の局部の原子配列を観察する場合に
はそれほどでもないが、プローブ電極を試料媒体の比較
的広範囲に亘って長時間走査させて試料媒体の表面形状
を観察する場合、観察中に、STMを構成している部材
や測定される試料媒体の熱収縮あるいは熱膨張による温
度ドリフトの影響が顕著になり、測定精度が低下すると
いう問題点が生じる。
走査させて試料媒体の局部の原子配列を観察する場合に
はそれほどでもないが、プローブ電極を試料媒体の比較
的広範囲に亘って長時間走査させて試料媒体の表面形状
を観察する場合、観察中に、STMを構成している部材
や測定される試料媒体の熱収縮あるいは熱膨張による温
度ドリフトの影響が顕著になり、測定精度が低下すると
いう問題点が生じる。
この温度ドリフトによる変動(Z方向:走査面に対して
垂直方向)は、最大で0.5Hになることもある。
垂直方向)は、最大で0.5Hになることもある。
すなわち、本発明の目的とするところは、上述した従来
技術の問題点に鑑み、その代表的なものとして、プロー
ブ電極を長時間走査することにより生じる温度ドリフト
あるいは振動による影響を受けない、測定精度の高い走
査型トンネル電流検出装置及びトンネル電流の検出方法
を提供することにある。
技術の問題点に鑑み、その代表的なものとして、プロー
ブ電極を長時間走査することにより生じる温度ドリフト
あるいは振動による影響を受けない、測定精度の高い走
査型トンネル電流検出装置及びトンネル電流の検出方法
を提供することにある。
また、長時間の使用に際しても測定誤差を殆んど生じな
い走査型トンネル顕微鏡を提供することにある。
い走査型トンネル顕微鏡を提供することにある。
さらには、上述のような温度ドリフト、振動等による変
動を除去できる機構を適用した記録再生装置を提供する
ことにある。
動を除去できる機構を適用した記録再生装置を提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段及び作用J本発明の特徴と
するところは、支持台に支持された少なくとも2つのプ
ローブ電極と、該プローブ電極に対して試料媒体を対向
配置させる手段と、該プローブ電極と該試料媒体との間
に電圧を印加する手段とを具備した走査型トンネル電流
検出装置であって、前記プローブ電極の、少なくとも1
つに該プローブ電極の支持台と前記試料媒体間の距離変
動を計測し、該距離変動を補償する機構を持たせ、他の
少なくとも1つを電流検出用電極とする走査型トンネル
電流検出装置にある。
するところは、支持台に支持された少なくとも2つのプ
ローブ電極と、該プローブ電極に対して試料媒体を対向
配置させる手段と、該プローブ電極と該試料媒体との間
に電圧を印加する手段とを具備した走査型トンネル電流
検出装置であって、前記プローブ電極の、少なくとも1
つに該プローブ電極の支持台と前記試料媒体間の距離変
動を計測し、該距離変動を補償する機構を持たせ、他の
少なくとも1つを電流検出用電極とする走査型トンネル
電流検出装置にある。
また、前記距離変動の計測をする手段が、該距離変動に
よって生じるトンネル電流の変化を検出する手段とし、
かかる距離変動を補償する機構を持たせた走査型トンネ
ル電流検出装置にも特徴がある。
よって生じるトンネル電流の変化を検出する手段とし、
かかる距離変動を補償する機構を持たせた走査型トンネ
ル電流検出装置にも特徴がある。
さらに、本発明の特徴とするところは、支持台に支持さ
れた少なくとも2つのプローブ電極と、該プローブ電極
に対して試料媒体を対向配置させる手段と、該プローブ
電極と該試料媒体との間に電圧を印加する手段とを具備
した走査型トンネル顕微鏡であって、前記プローブ電極
の、少なくとも1つに該プローブ電極の支持台と前記試
料媒体間の距離変動を計測し、該距離変動を補償する機
構を持たせ、他の少なくとも1つを試料観測用電極とす
る走査型トンネル顕微鏡にある。
れた少なくとも2つのプローブ電極と、該プローブ電極
に対して試料媒体を対向配置させる手段と、該プローブ
電極と該試料媒体との間に電圧を印加する手段とを具備
した走査型トンネル顕微鏡であって、前記プローブ電極
の、少なくとも1つに該プローブ電極の支持台と前記試
料媒体間の距離変動を計測し、該距離変動を補償する機
構を持たせ、他の少なくとも1つを試料観測用電極とす
る走査型トンネル顕微鏡にある。
また、前記距離変動の計測をする手段が、該距離変動に
よって生じるトンネル電流の変化を検知する段とし、か
かる距離変動を補償する機構を持たせた走査型トンネル
顕微鏡にも特徴がある。
よって生じるトンネル電流の変化を検知する段とし、か
かる距離変動を補償する機構を持たせた走査型トンネル
顕微鏡にも特徴がある。
さらなる特徴としては、支持台に支持された少なくとも
2つのプローブ電極と、該プローブ電極に対して記録媒
体を対向配置させる手段と、該プローブ電極と該記録媒
体との間に電圧を印加する手段とを具備した記録再生装
置であって、前記プローブ電極の、少なくとも1つに該
プローブ電極の支持台と前記記録媒体間の距離変動を計
測し、該距離変動を補償する機構を持たせ、他の少なく
とも1つを記録再生用電極とする記録再生装置にある。
2つのプローブ電極と、該プローブ電極に対して記録媒
体を対向配置させる手段と、該プローブ電極と該記録媒
体との間に電圧を印加する手段とを具備した記録再生装
置であって、前記プローブ電極の、少なくとも1つに該
プローブ電極の支持台と前記記録媒体間の距離変動を計
測し、該距離変動を補償する機構を持たせ、他の少なく
とも1つを記録再生用電極とする記録再生装置にある。
また、前記距離変動の計測をする手段が、該距離変動に
よって生じるトンネル電流の変化を検知する手段とし、
かかる距離変動を補償する機構を持たせた記録再生装置
にも特徴がある。
よって生じるトンネル電流の変化を検知する手段とし、
かかる距離変動を補償する機構を持たせた記録再生装置
にも特徴がある。
また、トンネル電流を検出する方法として、支持台に支
持された少なくとも1つのプローブ電極を用い、該プロ
ーブ電極と対向配置させた試料媒体との間に流れるトン
ネル電流を検出する際に、前記支持台に別個に支持され
た、少なくとも1つのプローブ電極を用い、前記支持台
と前記記録媒体との距離変動を計測し、該距離変動を補
償することを特徴とするトンネル電流の検出方法とする
点にも特徴がある。
持された少なくとも1つのプローブ電極を用い、該プロ
ーブ電極と対向配置させた試料媒体との間に流れるトン
ネル電流を検出する際に、前記支持台に別個に支持され
た、少なくとも1つのプローブ電極を用い、前記支持台
と前記記録媒体との距離変動を計測し、該距離変動を補
償することを特徴とするトンネル電流の検出方法とする
点にも特徴がある。
また、前記距離変動の計測が、距離変動によって生じる
トンネル電流の変化を検出する方法であり、これによっ
てかかる距離変動を補償するトンネル電流の検出方法と
することも可能である。
トンネル電流の変化を検出する方法であり、これによっ
てかかる距離変動を補償するトンネル電流の検出方法と
することも可能である。
すなわち、本発明の構成によれば、例えばSTMにおい
て、観測用とは別個に設けたプローブ電極(位置制御用
ティップ)と導電性試料媒体との間に流れるトンネル電
流の変化により、STMの構造材や測定される試料媒体
の温度ドリフトによる変動あるいは外部からの振動によ
る変動を検知し、この信号に基づいて変動補償用微動機
構を駆動するフィードバックサーボ回路を構成すること
でかかる変動の補償が可能となるものである。
て、観測用とは別個に設けたプローブ電極(位置制御用
ティップ)と導電性試料媒体との間に流れるトンネル電
流の変化により、STMの構造材や測定される試料媒体
の温度ドリフトによる変動あるいは外部からの振動によ
る変動を検知し、この信号に基づいて変動補償用微動機
構を駆動するフィードバックサーボ回路を構成すること
でかかる変動の補償が可能となるものである。
[実施例]
以下、実施例を用いて本発明の各構成部について詳細に
説明する。
説明する。
11■ユ
第1図に本発明の好ましい態様である変動補償機構を有
するSTMのブロック図を示す。尚、本実施例ではプロ
ーブ電極が2つの場合を示す。
するSTMのブロック図を示す。尚、本実施例ではプロ
ーブ電極が2つの場合を示す。
装置全体は、比較的大きな質量を有する除振台101上
に載せられているため、外乱から受ける振動のうち高周
波成分を除(ことができる。本発明の特徴とする位置制
御用ティップ(プローブ電極) 109 、及び観測用
ティップ(プローブ電極)111と導電性試料10gと
の相対位置は、面内(X、Y)方向はXYステージ10
2により、高さ(Z)方向は粗動機構103により任意
に決めることができる。104は103を駆動させるた
めの駆動回路である。観測用ティップ111は、観測用
円筒ピエゾ素子112により、トンネル電流を一定に保
ったままで、面内方向の掃引が可能であり、この際の観
測用円筒ピエゾ素子112のZ方向の変動が導電性試料
108の表面状態となる。また、電流増幅器114は観
測用ティップ111と導電性試料108の間に流れるト
ンネル電流を増幅するものであり、サーボ回路115は
、観測用ティップ111の掃引においてトンネル電流が
一定になるように観測用円筒ピエゾ素子112をZ方向
に駆動するものである。
に載せられているため、外乱から受ける振動のうち高周
波成分を除(ことができる。本発明の特徴とする位置制
御用ティップ(プローブ電極) 109 、及び観測用
ティップ(プローブ電極)111と導電性試料10gと
の相対位置は、面内(X、Y)方向はXYステージ10
2により、高さ(Z)方向は粗動機構103により任意
に決めることができる。104は103を駆動させるた
めの駆動回路である。観測用ティップ111は、観測用
円筒ピエゾ素子112により、トンネル電流を一定に保
ったままで、面内方向の掃引が可能であり、この際の観
測用円筒ピエゾ素子112のZ方向の変動が導電性試料
108の表面状態となる。また、電流増幅器114は観
測用ティップ111と導電性試料108の間に流れるト
ンネル電流を増幅するものであり、サーボ回路115は
、観測用ティップ111の掃引においてトンネル電流が
一定になるように観測用円筒ピエゾ素子112をZ方向
に駆動するものである。
さらに、観測用ティップ111を駆動する観測用円筒ピ
エゾ素子112は、ピエゾ素子支持部材(支持台)11
6を介して位置制御用ティップ109を駆動する位置制
御用ピエゾ素子110と一体となっている。
エゾ素子112は、ピエゾ素子支持部材(支持台)11
6を介して位置制御用ティップ109を駆動する位置制
御用ピエゾ素子110と一体となっている。
観測用ティップ111で導電性試料108面内を掃引し
、表面観測を行っている間、位置制御用ティップ109
は導電性試料108の固定した場所のトンネル電流の測
定を行う。
、表面観測を行っている間、位置制御用ティップ109
は導電性試料108の固定した場所のトンネル電流の測
定を行う。
外部から振動が加わればこのトンネル電流は、変化する
。ここでこのトンネル電流を一定に保つように、位置制
御用サーボ回路106により、変動補償用微動機構10
5を2方向に駆動し、導電性試料108を移動させ温度
ドリフト、振動による変動をキャンセルすることができ
る。
。ここでこのトンネル電流を一定に保つように、位置制
御用サーボ回路106により、変動補償用微動機構10
5を2方向に駆動し、導電性試料108を移動させ温度
ドリフト、振動による変動をキャンセルすることができ
る。
また、機械的な補正とは別に、マイクロコンピュータ−
117によるデーター解析により、観測用ティップ11
1で読み取った観測データーから位置制御用ティップ1
09で読み取った変動分を差し引くことによる振動等の
補正も可能である。これらの手段により、観測用ティッ
プ111を用いた試料の掃引を行っている間、外部から
の振動や雰囲気の変化による構造材の微少な変形等の影
響を受けない観測が可能となる。
117によるデーター解析により、観測用ティップ11
1で読み取った観測データーから位置制御用ティップ1
09で読み取った変動分を差し引くことによる振動等の
補正も可能である。これらの手段により、観測用ティッ
プ111を用いた試料の掃引を行っている間、外部から
の振動や雰囲気の変化による構造材の微少な変形等の影
響を受けない観測が可能となる。
なお、ここで位置制御用ピエゾ素子110は、位置制御
用ティップ109のZ方向の位置を設定することにより
振動などを制御するために適当なトンネル電流の値を、
導電性試料の表面観測を行う前に設定するためのもので
あり、観測を行っている間は、最初に設定した駆動電圧
に保持されている。尚、上述各機器は、マイクロコンピ
ュータ−117により中央制御されている。また11g
は表示装置である。
用ティップ109のZ方向の位置を設定することにより
振動などを制御するために適当なトンネル電流の値を、
導電性試料の表面観測を行う前に設定するためのもので
あり、観測を行っている間は、最初に設定した駆動電圧
に保持されている。尚、上述各機器は、マイクロコンピ
ュータ−117により中央制御されている。また11g
は表示装置である。
ここで、以上のSTMを用いて観測するにあたり、位置
制御用ティップ109による試料の定点におけるトンネ
ル電流の測定によって、本発明の温度ドリフトや振動等
に対するフィードバック系を作動させた場合と作動させ
ない場合についてそれぞれ10回観測を行った。そこで
、平均のばらつき程度を求め比較したところ、フィード
バック系を作動させた場合の方が、温度ドリフトによる
影響を1/100以下にまで低減することができ、本発
明の効果が確認された。尚、ここではSTMとして用い
たが、−船釣なトンネル電流の検出装置として用いるこ
とは可能である。
制御用ティップ109による試料の定点におけるトンネ
ル電流の測定によって、本発明の温度ドリフトや振動等
に対するフィードバック系を作動させた場合と作動させ
ない場合についてそれぞれ10回観測を行った。そこで
、平均のばらつき程度を求め比較したところ、フィード
バック系を作動させた場合の方が、温度ドリフトによる
影響を1/100以下にまで低減することができ、本発
明の効果が確認された。尚、ここではSTMとして用い
たが、−船釣なトンネル電流の検出装置として用いるこ
とは可能である。
叉」1肌旦
次に別の実施例を示す。第2図に示すように1つの位置
制御用のティップ109、及び変動補償用微動機構10
5を3対使用することにより導電性試料の観測前に試料
面の水平を出すことと、観測を行っている間はその水平
を維持することを可能にしたものである。
制御用のティップ109、及び変動補償用微動機構10
5を3対使用することにより導電性試料の観測前に試料
面の水平を出すことと、観測を行っている間はその水平
を維持することを可能にしたものである。
実施例1と同様に、この装置でグラファイト表面を観測
したところ良好なデーターが得られた。
したところ良好なデーターが得られた。
見立■ユ
本実施例では、変動補償機構を記録再生装置に適用した
態様を第3図に示す。記録再生装置の構成は、基本的に
は第1図で示したブロック図と同様であるが、前述試料
媒体108の替わりに、グラファイト108a上に部分
的に記録層108bを設けた記録媒体を使用した。かか
る試料媒体は、プローブ電極111の下に記録層が位置
し、プローブ電極109の下にはグラファイト面が位置
するように配置される。
態様を第3図に示す。記録再生装置の構成は、基本的に
は第1図で示したブロック図と同様であるが、前述試料
媒体108の替わりに、グラファイト108a上に部分
的に記録層108bを設けた記録媒体を使用した。かか
る試料媒体は、プローブ電極111の下に記録層が位置
し、プローブ電極109の下にはグラファイト面が位置
するように配置される。
記録層としては、スクアリリウム−ビス−6−オクチル
アズレンのLB膜(1層)を使用した。LB膜の形成法
は、特開昭63−161552号公報に開示の方法に従
った。
アズレンのLB膜(1層)を使用した。LB膜の形成法
は、特開昭63−161552号公報に開示の方法に従
った。
かかる記録再生の実験を以下の通り行った。
プローブ電極109とグラファイト108aとの間に1
、OVのプローブ電圧を印加し、かかるグラファイトの
固定した場所のプローブ電流Ipが10−”Aになるよ
うに微動機構105を用いて、プローブ電極109とグ
ラファイト1088表面との距離(Z方向)を調整した
。113は位置制御用のピエゾ素子の駆動回路であり、
107はティップ109と試料媒体108との間に流れ
るトンネル電流を増幅するための電流増幅器である。
、OVのプローブ電圧を印加し、かかるグラファイトの
固定した場所のプローブ電流Ipが10−”Aになるよ
うに微動機構105を用いて、プローブ電極109とグ
ラファイト1088表面との距離(Z方向)を調整した
。113は位置制御用のピエゾ素子の駆動回路であり、
107はティップ109と試料媒体108との間に流れ
るトンネル電流を増幅するための電流増幅器である。
次に、プローブ電極111を+側、グラファイト108
aを一側にして、記録層108bが低抵抗状態(ON状
態)に変化する閾値電圧V、、 ON以上の矩形パルス
電圧(第4図に示す)を印加し、ON状態を生じさせた
。プローブ電極111と記録層108bとの距離(Z方
向)を保持したまま、プローブ電極111とグラファイ
ト108aとの間にi、o vのプローブ電圧を印加し
て、プローブ電流Ipを測定したところ、0.5mA程
度の電流が流れ、ON状態となっていることが確かめら
れた。
aを一側にして、記録層108bが低抵抗状態(ON状
態)に変化する閾値電圧V、、 ON以上の矩形パルス
電圧(第4図に示す)を印加し、ON状態を生じさせた
。プローブ電極111と記録層108bとの距離(Z方
向)を保持したまま、プローブ電極111とグラファイ
ト108aとの間にi、o vのプローブ電圧を印加し
て、プローブ電流Ipを測定したところ、0.5mA程
度の電流が流れ、ON状態となっていることが確かめら
れた。
次に、プローブ電圧を、記録層がON状態からOFF状
態に変化する閾値電圧Vth OFF以上のIOVに設
定し、再び記録位置に印加した結果、記録状態が消去さ
れOFF状態に遷移したことも確認した。
態に変化する閾値電圧Vth OFF以上のIOVに設
定し、再び記録位置に印加した結果、記録状態が消去さ
れOFF状態に遷移したことも確認した。
以上の記録再生実験において、プローブ電極109とグ
ラファイト表面との間に流れるトンネル電流を測定し、
このトンネル電流が一定となるように位置制御用サーボ
回路10Bにより、変動補償用微動機構105を駆動さ
せることで、温度ドリフト、振動等による変動をキャン
セルすることができた。
ラファイト表面との間に流れるトンネル電流を測定し、
このトンネル電流が一定となるように位置制御用サーボ
回路10Bにより、変動補償用微動機構105を駆動さ
せることで、温度ドリフト、振動等による変動をキャン
セルすることができた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の熱ドリフトによる変動、
振動による変動を除去する機構を備えた装置、方法によ
れば、例えばSTMの観測において、オングストローム
オーダーの振動や、温度変化によるSTMの構造材及び
測定される試料媒体の微少な変形による影響を除くこと
が可能である。
振動による変動を除去する機構を備えた装置、方法によ
れば、例えばSTMの観測において、オングストローム
オーダーの振動や、温度変化によるSTMの構造材及び
測定される試料媒体の微少な変形による影響を除くこと
が可能である。
また、本発明の装置、方法は、トンネル電流を検知する
装置で、あるなら、トンネル顕微鏡、トンネル電流を用
いた記録再生装置等に限らず、その他にも好ましく用い
ることができる。
装置で、あるなら、トンネル顕微鏡、トンネル電流を用
いた記録再生装置等に限らず、その他にも好ましく用い
ることができる。
第1図は、本発明の変動補償機構を有するSTMを図解
的に示すブロック図である。 第2図は1本発明の実施例2を説明する試料媒体に視点
を置いた斜視図である。 第3図は、本発明の変動補償機構を有する記録再生装置
を図解的に示すブロック図である。 第4図は、実施例3で用いた矩形パルス電圧を示す図で
ある。 101・・・除振台 102・・・XYステー
ジ103・・・粗動機構 104・・・粗動駆動
回路107・・・価計徂用警佛關器 108・・・導電
性試料108a・・・グラファイト 108b・・・
記録層・・・位置制御用ピエゾ駆動回路 ・・・観測用電流増幅器115・・・観測用サーボ回路
・・・ピエゾ素子支持部材(支持台)
的に示すブロック図である。 第2図は1本発明の実施例2を説明する試料媒体に視点
を置いた斜視図である。 第3図は、本発明の変動補償機構を有する記録再生装置
を図解的に示すブロック図である。 第4図は、実施例3で用いた矩形パルス電圧を示す図で
ある。 101・・・除振台 102・・・XYステー
ジ103・・・粗動機構 104・・・粗動駆動
回路107・・・価計徂用警佛關器 108・・・導電
性試料108a・・・グラファイト 108b・・・
記録層・・・位置制御用ピエゾ駆動回路 ・・・観測用電流増幅器115・・・観測用サーボ回路
・・・ピエゾ素子支持部材(支持台)
Claims (8)
- (1)支持台に支持された少なくとも2つのプローブ電
極と、該プローブ電極に対して試料媒体を対向配置させ
る手段と、該プローブ電極と該試料媒体との間に電圧を
印加する手段とを具備した走査型トンネル電流検出装置
であって、前記プローブ電極の、少なくとも1つに該プ
ローブ電極の支持台と前記試料媒体間の距離変動を計測
し、該距離変動を補償する機構を持たせ、他の少なくと
も1つを電流検出用電極とすることを特徴とする走査型
トンネル電流検出装置。 - (2)前記距離変動の計測手段が、該距離変動によって
生じるトンネル電流の変化により検出する手段であるこ
とを特徴とする請求項1記載の走査型トンネル電流検出
装置。 - (3)支持台に支持された少なくとも2つのプローブ電
極と、該プローブ電極に対して試料媒体を対向配置させ
る手段と、該プローブ電極と該試料媒体との間に電圧を
印加する手段とを具備した走査型トンネル顕微鏡であっ
て、前記プローブ電極の、少なくとも1つに該プローブ
電極の支持台と前記試料媒体間の距離変動を計測し、該
距離変動を補償する機構を持たせ、他の少なくとも1つ
を試料観測用電極とすることを特徴とする走査型トンネ
ル顕微鏡。 - (4)前記距離変動の計測手段が、該距離変動によって
生じるトンネル電流の変化により検出する手段であるこ
とを特徴とする請求項3記載の走査型トンネル顕微鏡。 - (5)支持台に支持された少なくとも2つのプローブ電
極と、該プローブ電極に対して記録媒体を対向配置させ
る手段と、該プローブ電極と該記録媒体との間に電圧を
印加する手段とを具備した記録再生装置であって、前記
プローブ電極の、少なくとも1つに該プローブ電極の支
持台と前記記録媒体間の距離変動を計測し、該距離変動
を補償する機構を持たせ、他の少なくとも1つを記録再
生用電極とすることを特徴とする記録再生装置。 - (6)前記距離変動の計測手段が、該距離変動によつて
生じるトンネル電流の変化により検出する手段であるこ
とを特徴とする請求項5記載の記録再生装置。 - (7)支持台に支持された少なくとも1つのプローブ電
極を用い、該プローブ電極と対向配置させた試料媒体と
の間に流れるトンネル電流を検出する際に、前記支持台
に別個に支持された、少なくとも1つのプローブ電極を
用い、前記支持台と前記記録媒体との距離変動を計測し
、該距離変動を補償することを特徴とするトンネル電流
の検出方法。 - (8)前記距離変動の計測が、該距離変動によって生じ
るトンネル電流の変化を検出する方法であることを特徴
とする請求項7記載のトンネル電流の検出方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1246427A JP2896794B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-25 | 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置 |
CA000613677A CA1318980C (en) | 1988-09-30 | 1989-09-27 | Scanning tunnel-current-detecting device and method for detecting tunnel current and scanning tunnelling microscope and recording/reproducing device using thereof |
US07/413,194 US5107112A (en) | 1988-09-30 | 1989-09-27 | Scanning tunnel-current-detecting device and method for detecting tunnel current and scanning tunnelling microscope and recording/reproducing device using thereof |
DE68926648T DE68926648T2 (de) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Verfahren und Detektor-Vorrichtung zum Abtasten durch Tunnelstrom |
AT89309913T ATE139333T1 (de) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Verfahren und detektor-vorrichtung zum abtasten durch tunnelstrom |
EP89309913A EP0361932B1 (en) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Scanning tunnel-current-detecting device and method |
US07/783,790 US5220555A (en) | 1988-09-30 | 1991-10-29 | Scanning tunnel-current-detecting device and method for detecting tunnel current and scanning tunnelling microscope and recording/reproducing device using thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-244590 | 1988-09-30 | ||
JP24459088 | 1988-09-30 | ||
JP1246427A JP2896794B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-25 | 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02216749A true JPH02216749A (ja) | 1990-08-29 |
JP2896794B2 JP2896794B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=26536798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1246427A Expired - Fee Related JP2896794B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-25 | 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5107112A (ja) |
EP (1) | EP0361932B1 (ja) |
JP (1) | JP2896794B2 (ja) |
AT (1) | ATE139333T1 (ja) |
CA (1) | CA1318980C (ja) |
DE (1) | DE68926648T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06207807A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 走査プローブ顕微鏡のサンプル・キャリッジ機構 |
JPH07286981A (ja) * | 1992-05-26 | 1995-10-31 | Ta Instr Inc | 空間分解式変調示差分析の方法及び装置 |
JPH0926427A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 位置決め装置、およびこれを用いたメディア移動型メモリ装置 |
JP2007198815A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Canon Inc | プローブユニットおよび原子間力顕微鏡 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2834173B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1998-12-09 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル音響顕微鏡 |
DE69030040T2 (de) * | 1989-09-07 | 1997-07-03 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Informationsspeicherung, -zugriff und -verarbeitung |
JP2945090B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1999-09-06 | キヤノン株式会社 | エンコーダ |
DE4035075A1 (de) * | 1990-11-05 | 1992-05-07 | Jenoptik Jena Gmbh | Anordnung zum messen linearer abmessungen auf einer strukturierten oberflaeche eines messobjektes |
CA2060674C (en) * | 1991-02-08 | 1996-10-01 | Masahiro Tagawa | Driving apparatus and a recording and/or reproducing apparatus using the same |
JPH04278236A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Canon Inc | 画像信号の記録及び/又は再生の方法、並びに装置 |
JP2930447B2 (ja) * | 1991-05-15 | 1999-08-03 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置 |
JP2919119B2 (ja) * | 1991-06-05 | 1999-07-12 | キヤノン株式会社 | 走査プローブ顕微鏡及び記録再生装置 |
ATE225557T1 (de) * | 1991-07-17 | 2002-10-15 | Canon Kk | Informationsaufzeichnungs-/-wiedergabegerät oder -verfahren zur informationsaufzeichnung/- wiedergabe auf/von einem informationsaufzeichnungsmedium unter verwendung einer vielzahl von sondenelektroden |
US5329122A (en) * | 1991-08-29 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and scanning tunnel microscope |
CA2080251C (en) * | 1991-10-15 | 1997-12-02 | Shunichi Shido | Information processing apparatus with tracking mechanism |
EP0568753A1 (en) * | 1992-05-07 | 1993-11-10 | International Business Machines Corporation | High-density optical data storage unit and method for writing and reading information |
JP3246987B2 (ja) * | 1992-09-10 | 2002-01-15 | キヤノン株式会社 | マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置 |
JP3025120B2 (ja) * | 1992-12-21 | 2000-03-27 | キヤノン株式会社 | 記録再生装置 |
JP3053986B2 (ja) * | 1993-01-21 | 2000-06-19 | キヤノン株式会社 | 記録再生装置 |
JP3207994B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2001-09-10 | キヤノン株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡、およびそれを用いた情報記録再生装置 |
US5633455A (en) * | 1993-10-05 | 1997-05-27 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Method of detecting particles of semiconductor wafers |
DE4344499C2 (de) * | 1993-12-24 | 1998-09-10 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Rastersondenmikroskop mit Detektorsonde |
US6353219B1 (en) | 1994-07-28 | 2002-03-05 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
US6337479B1 (en) | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
US5948972A (en) * | 1994-12-22 | 1999-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Dual stage instrument for scanning a specimen |
US6520005B2 (en) | 1994-12-22 | 2003-02-18 | Kla-Tencor Corporation | System for sensing a sample |
JP3610108B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置 |
DE19754681A1 (de) * | 1997-12-10 | 1999-06-17 | Peter Heiland | In einem Rastermodus abtastende Vorrichtung mit einer Kompensation des Störeinflusses vonmechanischen Schwingungen auf dem Abtastvorgang |
US6923044B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-08-02 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
US6802646B1 (en) * | 2001-04-30 | 2004-10-12 | General Nanotechnology Llc | Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines |
US6752008B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
US6787768B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-09-07 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement |
US7196328B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-03-27 | General Nanotechnology Llc | Nanomachining method and apparatus |
US6506087B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and manufacturing an image forming apparatus having improved spacers |
EP1196939A4 (en) * | 1999-07-01 | 2002-09-18 | Gen Nanotechnology Llc | DEVICE AND METHOD FOR EXAMINING AND / OR CHANGING OBJECT |
US6931710B2 (en) * | 2001-01-30 | 2005-08-23 | General Nanotechnology Llc | Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips |
US7253407B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-08-07 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
US7053369B1 (en) * | 2001-10-19 | 2006-05-30 | Rave Llc | Scan data collection for better overall data accuracy |
US6813937B2 (en) | 2001-11-28 | 2004-11-09 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures |
JP2005538855A (ja) | 2002-09-09 | 2005-12-22 | ジェネラル ナノテクノロジー エルエルシー | 走査型プローブ顕微鏡の流体送達 |
DE10344538A1 (de) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Integrated Dynamics Eng Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Schwingungsisolation, insbesondere für Elektronenstrahl-Meßwerkzeuge |
US7486403B2 (en) * | 2006-07-20 | 2009-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Droplet shape measuring method and apparatus |
US7368928B2 (en) * | 2006-08-29 | 2008-05-06 | Mjc Probe Incorporation | Vertical type high frequency probe card |
CN101769711B (zh) * | 2010-01-26 | 2012-09-05 | 重庆理工大学 | 一种基于隧道效应的接触式纳米位移传感器 |
CN106645803B (zh) * | 2016-12-14 | 2019-03-22 | 国家纳米科学中心 | 一种双探针原子力显微镜快速逼近装置及方法 |
CN112924275B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-06-24 | 武汉大学 | 一种微力测量装置、其制备方法及原位力学测试的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4481616A (en) * | 1981-09-30 | 1984-11-06 | Rca Corporation | Scanning capacitance microscope |
EP0194323B1 (en) * | 1985-03-07 | 1989-08-02 | International Business Machines Corporation | Scanning tunneling microscope |
DE3513799C1 (de) * | 1985-04-17 | 1986-04-10 | Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart | Geraet zur beruehrungslosen Abstandsermittlung mittels Funkenentladung |
EP0247219B1 (en) * | 1986-05-27 | 1991-05-15 | International Business Machines Corporation | Direct access storage unit |
EP0262253A1 (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-06 | International Business Machines Corporation | Micromechanical atomic force sensor head |
CH670504A5 (ja) * | 1986-11-25 | 1989-06-15 | Battelle Memorial Institute | |
JPS63142202A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Fujitsu Ltd | 高周波トンネル顕微鏡 |
DE3789373T2 (de) * | 1986-12-24 | 1994-06-23 | Canon Kk | Aufnahmegerät und Wiedergabegerät. |
JP2810038B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1998-10-15 | 株式会社日立製作所 | 荷電ビーム装置 |
JPS6486002A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 | Fujitsu Ltd | Fine displacement meter |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246427A patent/JP2896794B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-27 US US07/413,194 patent/US5107112A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-27 CA CA000613677A patent/CA1318980C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-28 EP EP89309913A patent/EP0361932B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-28 DE DE68926648T patent/DE68926648T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-28 AT AT89309913T patent/ATE139333T1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07286981A (ja) * | 1992-05-26 | 1995-10-31 | Ta Instr Inc | 空間分解式変調示差分析の方法及び装置 |
JPH06207807A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 走査プローブ顕微鏡のサンプル・キャリッジ機構 |
JPH0926427A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 位置決め装置、およびこれを用いたメディア移動型メモリ装置 |
JP2007198815A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Canon Inc | プローブユニットおよび原子間力顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0361932B1 (en) | 1996-06-12 |
DE68926648T2 (de) | 1996-10-31 |
ATE139333T1 (de) | 1996-06-15 |
US5107112A (en) | 1992-04-21 |
EP0361932A3 (en) | 1991-03-06 |
JP2896794B2 (ja) | 1999-05-31 |
DE68926648D1 (de) | 1996-07-18 |
CA1318980C (en) | 1993-06-08 |
EP0361932A2 (en) | 1990-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02216749A (ja) | 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置 | |
US5220555A (en) | Scanning tunnel-current-detecting device and method for detecting tunnel current and scanning tunnelling microscope and recording/reproducing device using thereof | |
EP0383323B1 (en) | Tunneling acoustic microscope | |
EP0868644B1 (en) | Multi-dimensional capacitive transducer | |
EP0410131A1 (en) | Near-field Lorentz force microscopy | |
JPH04155635A (ja) | 情報記録ユニットと情報記録及び/又は再生装置と情報記録及び/又は再生方法と情報記録媒体 | |
US7041963B2 (en) | Height calibration of scanning probe microscope actuators | |
US5371728A (en) | Information recording/reproducing apparatus using probe | |
JPH05126517A (ja) | 走査機構及びこれを用いた走査型顕微鏡及び記録再生装置 | |
KR100567860B1 (ko) | 주사과정에서기계적진동의교란작용을보상하는래스터모드주사디바이스 | |
Park et al. | 2. Design Considerations for an STM System | |
JP5045902B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡における走査方法及び強磁場走査型プローブ顕微鏡装置 | |
JP2890268B2 (ja) | プローブユニット及びこれを用いた情報処理装置と走査型トンネル顕微鏡 | |
JP3023901B2 (ja) | 情報記録再生装置 | |
JP3185742B2 (ja) | 表面計測器 | |
JPH04330653A (ja) | 情報再生装置及び情報記録再生装置 | |
JP2995126B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JPH0814481B2 (ja) | 物体表面状態アクセスシステム | |
JPH04348204A (ja) | 走査型探針装置 | |
JPH09127138A (ja) | 走査型トンネル顕微鏡装置 | |
JPH11101862A (ja) | 微小領域観察装置 | |
JPH0498633A (ja) | マルチプローブアレイ及びそれを用いた情報処理装置、情報処理方法、走査型トンネル電流検知装置、試料表面の観察方法、マルチプローブ面の平行配置方法 | |
JPH05296710A (ja) | 傾き検知方法及びそれを用いた装置 | |
JPH0414112A (ja) | 圧電素子による微動機構の較正装置 | |
Chahal | Optical end point sensing and digital control of a scanning tunneling microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080312 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |