JPH02205852A - 自動現像装置および方法 - Google Patents
自動現像装置および方法Info
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- JPH02205852A JPH02205852A JP1025225A JP2522589A JPH02205852A JP H02205852 A JPH02205852 A JP H02205852A JP 1025225 A JP1025225 A JP 1025225A JP 2522589 A JP2522589 A JP 2522589A JP H02205852 A JPH02205852 A JP H02205852A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現像
液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基づ
いて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現像
装置および方法に関する。
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現像
液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基づ
いて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現像
装置および方法に関する。
（従来の技術）
塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが描画された
導電体を電極とともに現像液中に浸漬し、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点を判別する技術は知られている（特願昭６１−
１６０２０９号参照）。
導電体を電極とともに現像液中に浸漬し、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点を判別する技術は知られている（特願昭６１−
１６０２０９号参照）。
この技術においては、有機溶液に電離する物質を添加し
た液（例えば、メチルイソブチルケトンに電解質として
１．ｍＭの過塩素酸テトラブチルアンモニウムを添加し
た液）が現像液として用いられている。また有機溶液ま
たは現像液に電離する物質を添加する手段としては二液
混合システム例えば、長潮産業（株）製のＭＯＤＥＬ−
ＭＸ−１００ＯＮが用いられる。
た液（例えば、メチルイソブチルケトンに電解質として
１．ｍＭの過塩素酸テトラブチルアンモニウムを添加し
た液）が現像液として用いられている。また有機溶液ま
たは現像液に電離する物質を添加する手段としては二液
混合システム例えば、長潮産業（株）製のＭＯＤＥＬ−
ＭＸ−１００ＯＮが用いられる。
上述の現像液に、パターンが描画された導電体と電極を
浸漬すると、導電体と電極間に流れる電流に明瞭なピー
クが現れ、このピークを利用して描画されたパターンの
現像終点を判別している。
浸漬すると、導電体と電極間に流れる電流に明瞭なピー
クが現れ、このピークを利用して描画されたパターンの
現像終点を判別している。
（発明が解決しようとする課題）
複数の種類のパターンが描画された導電体基板、（例え
ば石英板上にクロムを蒸着したフォトマスク基板上に電
子線レジストとしてＰＭＭＡを塗布Ｌ、このＰＭＭＡ上
に２μｍのライン及びスペースのパターンと、２５μｍ
のライン及びスペースのパターンと、１００μｍのライ
ン及びスペースのパターンとが描画された導電体基板）
を上述の技術を用いて現像を行うと、電極と導体との間
に流れる電流は第４図に示すグラフΩ１のようになる。
ば石英板上にクロムを蒸着したフォトマスク基板上に電
子線レジストとしてＰＭＭＡを塗布Ｌ、このＰＭＭＡ上
に２μｍのライン及びスペースのパターンと、２５μｍ
のライン及びスペースのパターンと、１００μｍのライ
ン及びスペースのパターンとが描画された導電体基板）
を上述の技術を用いて現像を行うと、電極と導体との間
に流れる電流は第４図に示すグラフΩ１のようになる。
すなわち、１００μｍ、２５μｍ１および２μｍのパタ
ーンのそれぞれのピークがＡ、Ｂ、および６点に現れる
。したがって、従来の技術のようにピークとなるところ
が単純に現像終点とした場合、例えば第４図においては
現像終点が本来Ｃ点であるにもかかわらずＡ点として検
出されることになり、パターンの寸法精度が低下すると
いう問題があった。
ーンのそれぞれのピークがＡ、Ｂ、および６点に現れる
。したがって、従来の技術のようにピークとなるところ
が単純に現像終点とした場合、例えば第４図においては
現像終点が本来Ｃ点であるにもかかわらずＡ点として検
出されることになり、パターンの寸法精度が低下すると
いう問題があった。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであって、
複数のパターンが描画されている場合でもパターンの寸
法精度を可及的に向上させることのできる自動現像装置
および方法を提供することを目的とする。
複数のパターンが描画されている場合でもパターンの寸
法精度を可及的に向上させることのできる自動現像装置
および方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現像
液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基づ
いて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現像
装置において、液中で電離する物質を現像液に含有させ
る手段と、現像液の導電率を検出する検出手段と、この
検出手段の検出値に基づいて現像液の導電率が最適とな
るように含有させる手段を制御する制御手段とを備えて
いることを特徴とする。
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現像
液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基づ
いて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現像
装置において、液中で電離する物質を現像液に含有させ
る手段と、現像液の導電率を検出する検出手段と、この
検出手段の検出値に基づいて現像液の導電率が最適とな
るように含有させる手段を制御する制御手段とを備えて
いることを特徴とする。
また本発明の自動現像方法は、液中で電離する物質を現
像液に含有させる工程と、現像液の導電率を検出する工
程と、導電率の検出値に基づいて現像液の導電率が最適
となるように現像液中の電離する物質の含有量を制御す
る工程と、塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに導電
率が一定となった現像液中に浸漬する工程と、導電体と
電極との間に流れる電流値に基づいて描画されたパター
ンの現像終点を判別する工程とを備えていることを特徴
とする。
像液に含有させる工程と、現像液の導電率を検出する工
程と、導電率の検出値に基づいて現像液の導電率が最適
となるように現像液中の電離する物質の含有量を制御す
る工程と、塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが
描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに導電
率が一定となった現像液中に浸漬する工程と、導電体と
電極との間に流れる電流値に基づいて描画されたパター
ンの現像終点を判別する工程とを備えていることを特徴
とする。
（作 用）
このように構成された本発明の自動現像装置によれば、
現像液の導電率を検出する検出手段の検出値に基づいて
制御手段によって現像液の導電率が最適となるように制
御される。このように導電率が最適となるように制御さ
れた現像液を用いて、描画されたパターンの現像が行わ
れることにより複数のパターンが描画された場合でもパ
ターンの寸法精度を可及的に向上させることができる。
現像液の導電率を検出する検出手段の検出値に基づいて
制御手段によって現像液の導電率が最適となるように制
御される。このように導電率が最適となるように制御さ
れた現像液を用いて、描画されたパターンの現像が行わ
れることにより複数のパターンが描画された場合でもパ
ターンの寸法精度を可及的に向上させることができる。
また、上述のように構成された本発明の自動現像方法に
よれば、現像液の導電率の検出値に基づいて現像液の導
電率が最適となるように現像液中の電離する物質の含有
量が制御される。このように導電率が最適となるように
制御された現像液中に、所定のパターンが描画された導
電体が電極とともに浸漬される。そして、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点が判別される。これにより複数のパターンが描
画されている場合でもパターンの寸法精度を可及的に向
上させることができる。
よれば、現像液の導電率の検出値に基づいて現像液の導
電率が最適となるように現像液中の電離する物質の含有
量が制御される。このように導電率が最適となるように
制御された現像液中に、所定のパターンが描画された導
電体が電極とともに浸漬される。そして、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点が判別される。これにより複数のパターンが描
画されている場合でもパターンの寸法精度を可及的に向
上させることができる。
（実施例）
本発明による自動現像装置の一実施例を図面を参照して
説明する。この実施例の自動現像装置は現像液調製部と
現像部とを備えている。第１図に上記実施例の現像液調
製部を示す。第１図において、導電率の異なる予め調製
された液（以下、被混合液ともいう）Ａ、Ｂが入ってい
るタンク３Ａ。
説明する。この実施例の自動現像装置は現像液調製部と
現像部とを備えている。第１図に上記実施例の現像液調
製部を示す。第１図において、導電率の異なる予め調製
された液（以下、被混合液ともいう）Ａ、Ｂが入ってい
るタンク３Ａ。
３Ｂに加圧された窒素の気体を圧送する。するとタンク
３Ａ、３Ｂに入っていた被混合液Ａ、Ｂは、それぞれ逆
止弁４Ａ、４Ｂ、および流量計５Ａ。
３Ａ、３Ｂに入っていた被混合液Ａ、Ｂは、それぞれ逆
止弁４Ａ、４Ｂ、および流量計５Ａ。
５Ｂ、ならびにスパイラルチューブ７を介して混合タン
ク３Ｃに流入し混合されて、現像液となる。
ク３Ｃに流入し混合されて、現像液となる。
このとき、タンク３Ａ、３Ｂ、３Ｃ内の液の導電率をそ
れぞれ測定する導電率測定器１０Ａ、１０Ｂ ＩＯＣ
の検出値に基づいて、混合タンク３Ｃ内の現像液の導電
率が所定の範囲内に入るように混合液制御回路９によっ
て逆止弁４Ａおよび４Ｂの開度の設定が行われる。そし
て、混合タンク３Ｃ内に現像液が所定の量流入した後、
逆止弁４Ａおよび４Ｂの開度を混合液制御回路９によっ
て閉とする。その後、混合液制御回路９によって切換弁
６を制御してＡ液またはＢ液を混合タンク３Ｃ内に微量
注入させることにより混合タンク３Ｃ内の導電率が最適
（一定値）となるようにする。ここで最適と考えられる
導電率は２μｓ／ｃｍ〜１００μｓ／ｃｍの範囲である
。なお、導電率の測定にバラツキがでないように各タン
ク３Ａ。
れぞれ測定する導電率測定器１０Ａ、１０Ｂ ＩＯＣ
の検出値に基づいて、混合タンク３Ｃ内の現像液の導電
率が所定の範囲内に入るように混合液制御回路９によっ
て逆止弁４Ａおよび４Ｂの開度の設定が行われる。そし
て、混合タンク３Ｃ内に現像液が所定の量流入した後、
逆止弁４Ａおよび４Ｂの開度を混合液制御回路９によっ
て閉とする。その後、混合液制御回路９によって切換弁
６を制御してＡ液またはＢ液を混合タンク３Ｃ内に微量
注入させることにより混合タンク３Ｃ内の導電率が最適
（一定値）となるようにする。ここで最適と考えられる
導電率は２μｓ／ｃｍ〜１００μｓ／ｃｍの範囲である
。なお、導電率の測定にバラツキがでないように各タン
ク３Ａ。
３Ｂ、３Ｃにはそれぞれ電磁回転の撹拌器８ａ１゜８ｂ
、８Ｃ％および撹拌棒８ａ２，８ｂ２゜８ ｃ ２が設
けられている。また、上記撹拌器および撹拌棒を用いて
撹拌する代りに窒素（Ｎ２）の気体等によってバブリン
グしても良い。
、８Ｃ％および撹拌棒８ａ２，８ｂ２゜８ ｃ ２が設
けられている。また、上記撹拌器および撹拌棒を用いて
撹拌する代りに窒素（Ｎ２）の気体等によってバブリン
グしても良い。
また上述の現像液調製部としては２液温合の場合につい
て説明したが３液またはそれ以上の被混合液を用意して
導電率が最適となるようにそれらの被混合液を混合させ
るシステムとしても良い。
て説明したが３液またはそれ以上の被混合液を用意して
導電率が最適となるようにそれらの被混合液を混合させ
るシステムとしても良い。
なお、それぞれの被混合液の導電率が１桁舅上異なるも
のを用意して混合させれば目的とする導電率の現像液を
容易に得ることができる。更に運用上の面から、どれか
１つの被混合液として、電離する物質を含まない市販の
現像液を用いても良い。
のを用意して混合させれば目的とする導電率の現像液を
容易に得ることができる。更に運用上の面から、どれか
１つの被混合液として、電離する物質を含まない市販の
現像液を用いても良い。
また、市販の現像液を購入するに際して例えば３００μ
ｓ ／ ｃｍ程度の導電率となるように電離物質（例え
ば過塩素酸テトラブチルアンモニウム）が添加されてい
るものを購入して、一方の被混合液として用いても良い
。
ｓ ／ ｃｍ程度の導電率となるように電離物質（例え
ば過塩素酸テトラブチルアンモニウム）が添加されてい
るものを購入して、一方の被混合液として用いても良い
。
次に上記実施例の現像部について第２図ないし第３図を
参照して説明する。第２図においてモータ２２の駆動力
により回転する回転軸２３が処理室２５の底部中央から
処理室２１内部に挿入され、この回転軸２３上には基板
ステージ２４が載置されている。これら回転軸２３及び
基板ステージ２４内部には恒温水の流通孔２５が設けら
れており、これら流通孔２５は処理室２１の外部の回転
軸２３側面で開口し、これら開口部に対応して継手２６
．２６が設けられている。これら継手２６゜２６には電
子恒温槽２７及びポンプ２８を介装した配管２９が接続
されており、前記回転軸２３及び基板ステージ２４の内
部に恒温水を供給するようになっている。なお、継手２
６．２６が設けられている流通孔２５の開口部近傍はシ
ール材３０によりシールされている。
参照して説明する。第２図においてモータ２２の駆動力
により回転する回転軸２３が処理室２５の底部中央から
処理室２１内部に挿入され、この回転軸２３上には基板
ステージ２４が載置されている。これら回転軸２３及び
基板ステージ２４内部には恒温水の流通孔２５が設けら
れており、これら流通孔２５は処理室２１の外部の回転
軸２３側面で開口し、これら開口部に対応して継手２６
．２６が設けられている。これら継手２６゜２６には電
子恒温槽２７及びポンプ２８を介装した配管２９が接続
されており、前記回転軸２３及び基板ステージ２４の内
部に恒温水を供給するようになっている。なお、継手２
６．２６が設けられている流通孔２５の開口部近傍はシ
ール材３０によりシールされている。
また、前記基板ステージ２４上には基板受爪３１が設け
られている。また、処理室２１底部にはシリンダ３２．
３２が設けられており、これらシリンダ３２．３２の上
端には前記基板ステージ２４の周回を囲む処理枠３３が
取付けられている。
られている。また、処理室２１底部にはシリンダ３２．
３２が設けられており、これらシリンダ３２．３２の上
端には前記基板ステージ２４の周回を囲む処理枠３３が
取付けられている。
この処理枠３３は上昇した時に基板ステージ２４の底面
との間がリングシールにより液密にシールされ、現像槽
を形成するようになっている。そして、前記処理室２１
を貫通して、基板ステージ２４及び処理枠３３で形成さ
れる現像槽の内部に、第１図に示す現像液調製部で調製
された現像液を供給する供給管３４が設けられている。
との間がリングシールにより液密にシールされ、現像槽
を形成するようになっている。そして、前記処理室２１
を貫通して、基板ステージ２４及び処理枠３３で形成さ
れる現像槽の内部に、第１図に示す現像液調製部で調製
された現像液を供給する供給管３４が設けられている。
また、処理室２１の側壁には基板搬入口３５及び基板搬
出口３６が設けられている。前記基板搬入口３５の外側
には例えばガラス上にＣｒが被着され、更にレジストの
塗布、ベーク、電子線描画工程が終了した基板が搬送さ
れるコンベア３７及び基板を処理室２１内に搬入する搬
入アーム３８が設けられている。また、前記搬出口３６
の外側には基板を次工程へ搬送するコンベア３９、及び
基板を処理室２１内からコンベア３９上に搬出する搬出
アーム４０が設けられている。
出口３６が設けられている。前記基板搬入口３５の外側
には例えばガラス上にＣｒが被着され、更にレジストの
塗布、ベーク、電子線描画工程が終了した基板が搬送さ
れるコンベア３７及び基板を処理室２１内に搬入する搬
入アーム３８が設けられている。また、前記搬出口３６
の外側には基板を次工程へ搬送するコンベア３９、及び
基板を処理室２１内からコンベア３９上に搬出する搬出
アーム４０が設けられている。
更に、処理室２１上部にはリンス液をスプレーするノズ
ル４１が設けられている。現像液やリンス液等の処理液
は処理室２１の底部に設けられた排液口４２から処理室
２１外部へ排出される。なお、この排液口４２は処理室
２１内の雰囲気ガスの排気口としても用いられる場合が
ある。
ル４１が設けられている。現像液やリンス液等の処理液
は処理室２１の底部に設けられた排液口４２から処理室
２１外部へ排出される。なお、この排液口４２は処理室
２１内の雰囲気ガスの排気口としても用いられる場合が
ある。
上記現像装置を用いた基板の現像は以下のようにして行
なわれる。
なわれる。
まず、シリンダ３２．３２を作動させて処理枠３３を上
昇させて基板ステージ２４底面との間を液密にシールし
て現像槽を形成する。次に、供給管３４から所定温度の
現像液を基板ステージ２４及び処理枠３３で形成される
現像槽内に供給する。
昇させて基板ステージ２４底面との間を液密にシールし
て現像槽を形成する。次に、供給管３４から所定温度の
現像液を基板ステージ２４及び処理枠３３で形成される
現像槽内に供給する。
つづいて、基板搬入口３５を図示しないペンシリンダな
どにより開いた後、搬入アーム３８により基板５３を基
板受爪３１上に載置し、現像を開始する。なお、現像時
には現像液中に温度センサを浸し、現像液の温度が設定
温度からはずれた場合には、制御信号を電子恒温槽２７
の温度制御機構にフィードバックし、現像液の温度制御
をより厳密に行なうことが望ましい。そして、現像液中
に浸漬された基準電極５５と基板に形成された導体側電
極５６との間に流れる電流に基づいて終点判別回路６０
によって基板に塗布されたレジスト膜上に描画されたパ
ターンの現像終点の判別が行われる（なお導体側電極５
６の形成については特願昭６１−２８５４６２号参照）
。現像終点が判別された後、シリンダ３２．３２を作動
させ、処理枠３３を下降させて現像液を流出させて現像
を終了する。その後、モータ２２を回転しながら、ノズ
ル４１からリンス液をスプレーさせ、リンスを行なう。
どにより開いた後、搬入アーム３８により基板５３を基
板受爪３１上に載置し、現像を開始する。なお、現像時
には現像液中に温度センサを浸し、現像液の温度が設定
温度からはずれた場合には、制御信号を電子恒温槽２７
の温度制御機構にフィードバックし、現像液の温度制御
をより厳密に行なうことが望ましい。そして、現像液中
に浸漬された基準電極５５と基板に形成された導体側電
極５６との間に流れる電流に基づいて終点判別回路６０
によって基板に塗布されたレジスト膜上に描画されたパ
ターンの現像終点の判別が行われる（なお導体側電極５
６の形成については特願昭６１−２８５４６２号参照）
。現像終点が判別された後、シリンダ３２．３２を作動
させ、処理枠３３を下降させて現像液を流出させて現像
を終了する。その後、モータ２２を回転しながら、ノズ
ル４１からリンス液をスプレーさせ、リンスを行なう。
更に、基板ステージ２４を２０００ ｒｐｍ程度の回転
数で高速回転させることにより基板５３の乾燥を行なう
。次いで、搬出アーム４ｏにより基板５３を基板受爪３
１からはずし、処理室２１外へ搬出した後、コンベア３
９上に載せて次工程へ搬送する。
数で高速回転させることにより基板５３の乾燥を行なう
。次いで、搬出アーム４ｏにより基板５３を基板受爪３
１からはずし、処理室２１外へ搬出した後、コンベア３
９上に載せて次工程へ搬送する。
このような自動現像装置によれば、処理枠３３の上昇に
よる現像槽の形成、基板５３の搬入、現像液の供給、処
理枠３３の下降による現像液の排出、基板５３の搬出と
いう工程で浸漬方式を自動化することができる。
よる現像槽の形成、基板５３の搬入、現像液の供給、処
理枠３３の下降による現像液の排出、基板５３の搬出と
いう工程で浸漬方式を自動化することができる。
また、ノズル４１からリンス液をスプレーすることによ
り、ただちにリンスが行なえるので、基板５３の移動中
のレジストパターンの溶解が生じることがなく、現像精
度をより高精度化することができる。
り、ただちにリンスが行なえるので、基板５３の移動中
のレジストパターンの溶解が生じることがなく、現像精
度をより高精度化することができる。
なお、上記実施例では基板ステージ２４中に恒温水を流
すことにより現像時の現像液の温度制御を行なったが、
処理枠３３にも恒温水を流してもよい。これらの温度制
御に用いる流体は水に限らず、グリセリン等の熱溶媒で
もよいし、気体でもよい。また、上記実施例では現像液
中に温度センサを浸し、フィードバック制御を行なう場
合について説明したが、更にこの温度センサにより現像
液の温度をモニタし、その積分を行ない、現像時間を補
正してもよい、。
すことにより現像時の現像液の温度制御を行なったが、
処理枠３３にも恒温水を流してもよい。これらの温度制
御に用いる流体は水に限らず、グリセリン等の熱溶媒で
もよいし、気体でもよい。また、上記実施例では現像液
中に温度センサを浸し、フィードバック制御を行なう場
合について説明したが、更にこの温度センサにより現像
液の温度をモニタし、その積分を行ない、現像時間を補
正してもよい、。
また、第３図に示すように、基板ステージ２４及び処理
枠３３の現像液との接液面に熱電素子４４を配設し、現
像液を直接温度制御するようにしてもよい。この場合、
熱雷素子４４の効率を向上させるため、配管２９及び流
通孔２５には冷却エアを流し、熱電素子４４の接液面と
反対側の面を冷却することが望ましい。
枠３３の現像液との接液面に熱電素子４４を配設し、現
像液を直接温度制御するようにしてもよい。この場合、
熱雷素子４４の効率を向上させるため、配管２９及び流
通孔２５には冷却エアを流し、熱電素子４４の接液面と
反対側の面を冷却することが望ましい。
更に、処理枠３３の周囲に温度制御された不活性ガス（
例えば窒素ガス）を流し、排液口４２又は他の位置に設
けられた排気口から排気する操作を加えることにより、
現像液の温度制御をより厳密に行なうことができる。た
だし、現像中は排気を停止させることが望ましい。
例えば窒素ガス）を流し、排液口４２又は他の位置に設
けられた排気口から排気する操作を加えることにより、
現像液の温度制御をより厳密に行なうことができる。た
だし、現像中は排気を停止させることが望ましい。
２μｍのライン及びスペースのパターンと、２５μｍの
ライン及びスペースのパターンと、１００μｍのライン
及びスペースのパターンとが描画された導電体基板を本
実施例の自動現像装置に適用すると、２５μｍのパター
ンの電流ピークと２μｍのパターンの電流ピークとの間
にピーク（第４図のグラフΩ２の点り参照）がくるよう
に現像液の導電率が調製される。これにより第５図に示
すように従来の技術を用いた場合のパターンの寸法精度
（グラフｈ１参照）よりも本実施例の自動現像装置を用
いた場合のパターンの寸法精度（グラフｈ２参照）のほ
うがバラツキが少ないことがわかる。
ライン及びスペースのパターンと、１００μｍのライン
及びスペースのパターンとが描画された導電体基板を本
実施例の自動現像装置に適用すると、２５μｍのパター
ンの電流ピークと２μｍのパターンの電流ピークとの間
にピーク（第４図のグラフΩ２の点り参照）がくるよう
に現像液の導電率が調製される。これにより第５図に示
すように従来の技術を用いた場合のパターンの寸法精度
（グラフｈ１参照）よりも本実施例の自動現像装置を用
いた場合のパターンの寸法精度（グラフｈ２参照）のほ
うがバラツキが少ないことがわかる。
以上述べたように、本実施例によれば、パターンの種類
、レジストの種類、およびプロセス条件に応じて最適な
導電率の現像液を調製することができ、パターンの寸法
精度を可及的に向上させることが可能となる。
、レジストの種類、およびプロセス条件に応じて最適な
導電率の現像液を調製することができ、パターンの寸法
精度を可及的に向上させることが可能となる。
また、導電率を制御することにより電子ビームで露光し
たパターンの状！３（例えばパターン化率）または電子
ビーム特有の近接効果等の影響が推定可能であるととも
に、これらの影響度合の逆補正も可能となる。
たパターンの状！３（例えばパターン化率）または電子
ビーム特有の近接効果等の影響が推定可能であるととも
に、これらの影響度合の逆補正も可能となる。
本発明によれば、パターンの種類、レジストの種類、お
よびプロセス条件に応じて最適な導電率の現像液を調製
することができ、これによりパターンの寸法精度を可及
的に向上させることができる。
よびプロセス条件に応じて最適な導電率の現像液を調製
することができ、これによりパターンの寸法精度を可及
的に向上させることができる。
第１図は本発明の自動現像装置の一実施例にかかる現像
液調製部の構成図、第２図乃至第３図は本発明の自動現
像装置の一実施例にかかる現像部の断面図、第４図は本
発明の自動現像装置と従来の技術を用いて現像した場合
の電極と導電体間に流れる電流の変化を示すグラフ、第
５図は本発明の自動現像装置と従来の技術を用いた場合
の現像後のパターンの寸法精度の比較を示すグラフであ
る。 ３Ａ ３Ｂ・・・タンク、３Ｃ・・・混合タンク、４
Ａ。 ４Ｂ・・・逆止弁、５Ａ、５Ｂ・・・流量計、６・・・
切換弁、７・・・スパイラルチューブ、８ ａ 、
８ ｂ １ 。 １ □ ８Ｃ・・・撹拌Ｂｃ−・
・撹拌器、８ａ 、８ｂｚ、 ２棒、９・・・混
合液制御回路、ＩＯＡ、ＩＯＢ。 １０Ｃ・・・導電率測定器。 図面の浄書（内容に変更なし）
液調製部の構成図、第２図乃至第３図は本発明の自動現
像装置の一実施例にかかる現像部の断面図、第４図は本
発明の自動現像装置と従来の技術を用いて現像した場合
の電極と導電体間に流れる電流の変化を示すグラフ、第
５図は本発明の自動現像装置と従来の技術を用いた場合
の現像後のパターンの寸法精度の比較を示すグラフであ
る。 ３Ａ ３Ｂ・・・タンク、３Ｃ・・・混合タンク、４
Ａ。 ４Ｂ・・・逆止弁、５Ａ、５Ｂ・・・流量計、６・・・
切換弁、７・・・スパイラルチューブ、８ ａ 、
８ ｂ １ 。 １ □ ８Ｃ・・・撹拌Ｂｃ−・
・撹拌器、８ａ 、８ｂｚ、 ２棒、９・・・混
合液制御回路、ＩＯＡ、ＩＯＢ。 １０Ｃ・・・導電率測定器。 図面の浄書（内容に変更なし）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが描画さ
れた導電体を現像液中で安定な電極とともに前記現像液
に浸漬し、前記導電体と前記電極との間に流れる電流値
に基づいて前記描画されたパターンの現像終点を判別す
る自動現像装置において、 液中で電離する物質を前記現像液に含有させる手段と、
前記現像液の導電率を検出する検出手段と、この検出手
段の検出値に基づいて前記現像液の導電率が最適となる
ように前記含有させる手段を制御する制御手段とを備え
ていることを特徴とする自動現像装置。 ２、前記含有させる手段は、前記電離する物質が含有さ
れていない現像液と含有されている現像液とを混合させ
る手段からなることを特徴とする請求項１記載の自動現
像装置。 ３、液中で電離する物質を現像液に含有させる工程と、
前記現像液の導電率を検出する工程と、導電率の検出値
に基づいて前記現像液の導電率が最適となるように前記
現像液中の電離する物質の含有量を制御する工程と、塗
布されたレジスト膜上に所定のパターンが描画された導
電体を現像液中で安定な電極とともに前記導電率が一定
となった現像液中に浸漬する工程と、前記導電体と前記
電極との間に流れる電流値に基づいて前記描画されたパ
ターンの現像終点を判別する工程とを備えていることを
特徴とする自動現像方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025225A JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
| US07/473,722 US5026467A (en) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | Automatic developing apparatus |
| DE4003119A DE4003119A1 (de) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | Automatische entwicklungsvorrichtung und -verfahren |
| KR1019900001272A KR910008709B1 (ko) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | 자동현상장치 및 자동현상방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025225A JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205852A true JPH02205852A (ja) | 1990-08-15 |
| JP2585784B2 JP2585784B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=12160026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025225A Expired - Lifetime JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5026467A (ja) |
| JP (1) | JP2585784B2 (ja) |
| KR (1) | KR910008709B1 (ja) |
| DE (1) | DE4003119A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04215420A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Ckd Corp | 流体制御装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2670211B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1997-10-29 | 東京応化工業株式会社 | 現像液の調整方法 |
| JPH06190256A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | 現像液調合装置及び現像液調合方法 |
| US5476320A (en) * | 1992-12-28 | 1995-12-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Developer preparing apparatus and developer preparing method |
| CN103207538A (zh) * | 2012-01-13 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种显影液自动添加装置 |
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| JPS63175425A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Toshiba Corp | 電極構成体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3531252A (en) * | 1966-10-17 | 1970-09-29 | Calgon C0Rp | Methods of analyzing conductive solutions |
| US4102756A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus |
| US4497692A (en) * | 1983-06-13 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Laser-enhanced jet-plating and jet-etching: high-speed maskless patterning method |
| JPS61251135A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Corp | 自動現像装置 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025225A patent/JP2585784B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-02 DE DE4003119A patent/DE4003119A1/de active Granted
- 1990-02-02 KR KR1019900001272A patent/KR910008709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-02-02 US US07/473,722 patent/US5026467A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04215420A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Ckd Corp | 流体制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4003119A1 (de) | 1990-08-16 |
| JP2585784B2 (ja) | 1997-02-26 |
| KR910008709B1 (ko) | 1991-10-19 |
| DE4003119C2 (ja) | 1992-09-10 |
| KR900013347A (ko) | 1990-09-05 |
| US5026467A (en) | 1991-06-25 |
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Legal Events
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