JPH02186554A - 改良高真空ランプ及びその端部に使用するゲッタ手段 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野］ 本発明は改良高真空ランプに関し、詳しくは真空を改良
する為のゲッタ手段を含むそうした改良高真空ランプに
関する。

更に詳しくは、本発明は金属蒸気ランプに関する。

［従来技術の説明］ 高真空ランプは代表的には、放電管の如き真空とされた
外側包囲体内部に取付けされた光源カプセルを含む。

一般に、外側包囲体内部の真空を改良する為に高真空ラ
ンプ（例えばナトリウムランプ及び金属ハロゲンランプ
の如き金属蒸気ランプ）には例えばバリウム−アルミニ
ウムである、作用の早いゲッタを充填した１つ以上のＵ
字形ゲッタリングを含むゲッタ手段が設けられる。ゲッ
タリングは通常はランプの下方端部に組込まれる。ゲッ
タを活性化させる為に、高周波誘導加熱がランプに被覆
させたコイルによって適用される。ゲッタは活性化され
ることにより燃焼される。

燃焼中に蒸発する金属蒸気はランプのガラス壁」二及び
その他部分に凝縮する。凝縮中、不純物はゲッタによっ
て吸収される。

凝縮された金属蒸気により真空管のガラス壁は汚染され
、ガラス面は不透明となる。更には、燃焼によって真空
管の底部付近は黒ずむ。

明らかに、上記された従来からのランプは、凝縮した金
属がランプの光の強度に悪影響を与え、且つまた真空管
のランプ部品を汚染する不利益を示す。

更に大きな不利益は、黒ずむことに依存してランプの装
飾的外観が著しく低下し、ランプが新しいにも関わらず
それが以前から使用されているもののように見えてしま
うという事実にある。

［発明の目的］ 従って、本発明の目的は前述の如き不利益を呈さない改
良高真空ランプを提供することにある。

〔発明の概要］ 前記目的は、ゲッタ手段を具備する改良高真空ランプに
して、前記ゲッタ手段がゲッタの燃焼中にランプ部品を
保護する保護手段を有することを特徴とする改良高真空
ランプを使用する本発明の原理に従って達成される。最
も好ましい具体例に於ては保護手段は好ましくは、小開
口を有する写真用フラッシュバルブと類似の小型のガラ
ス包囲体によって形成される。従来からのゲッタリング
がこのガラス包囲体に取付けられる。ゲッタが活性化さ
れると金属蒸気はこのガラス包囲体内側に捕捉され、そ
こに、即ち内側ガラス面上に凝縮する。改良高真空ラン
プ内の不純物は前記ガラス包囲体の小開口から拡散され
そしてゲッタによって吸収される。

例えば写真用フラッシュ形式の小型真空管の形態の保護
手段を含むゲッタ手段の使用は、こうした真空管製造中
、真空管内にゲッタリングを落下させた後にゲッタリン
グを不純物排除の為の真空下に配置し得、そして真空管
の先端を密封し得る利益を提供する。このようにしてゲ
ッタ手段は、それらを真空ランプ内に配置する以前に、
ゲッタを汚染させることなく長期間貯蔵可能である。

ゲッタ手段を真空ランプ内に取付けする以前に真空管の
先端が開放される。

明らかに、本発明は先に説明された様な方法に於て真空
を改良する為に使用される具体的な真空ゲッタにもまた
関するものである。

本発明に従う改良高真空ランプは、ゲッタの燃焼によっ
て汚染されることの無い、外側包囲体の内側面における
コーティングを含み得る。

〔実施例の説明〕

第１図に示されるように、従来がらの高真空ランプが例
示され、ソケットｌと、真空管２と、内側ランプ部品３
とを含み、内側ランプ部品３は少くとも１つの金属製の
ゲッタリング４を含んでいる。

ゲッタリング４は通常はランプ導線５に溶接された支持
体によってナトリウムランプの下方端に取付けられる。

第２図に表されるように、ゲッタリング４は通常Ｕ字形
断面を有する。バリウム−アルミニウムゲッタ６がゲッ
タリング４のＵ字溝に配置される。

バリウム−アルミニウムゲッタであるゲッタ６を活性化
する為にゲッタリング４に高周波加熱が適用され、その
結果ゲッタは燃焼される。先に説明されたように、金属
蒸気が真空管２のガラス壁土に凝縮し、ガラス面を不透
明にする。更には、ガラス壁のゲッタリング４に近い部
分は黒ずみ７を呈する。

第３図及び４図は本発明に従うナトリウムランプを示す
。真空管２の内側の汚染を克服する為、これらランプは
、ゲッタ６の燃焼中に真空管２の内側ガラス面及びラン
プ部品（即ち部品３）を保護する為の手段を含むゲッタ
手段８を含んでいる。

好ましくはこれら保護手段は主として、その内側のゲッ
タを捕捉するに十分小さい小開口１０を有するガラス製
の包囲体９から構成される装第３図の具体例に於ては包
囲体９はカップ１１の形状を有する。更に、ゲッタ手段
８は従来からのゲッタリング４を有し、該ゲッタリング
４はカップ１１の底部に配置される。カップ１１は中央
支持体１２に固定し得る。

ゲッタリング４は包囲体９に関し独立され或は非常に小
さい接触領域だけが許容される必要がある。そうでない
場合はゲッタリング４はその高周波加熱中に包囲体９の
ガラス壁を加熱しそれによってガラス壁にひびを生じせ
しめ、それが最終的にゲッタの劣化或はガラス粒子その
他部分の緩みを生じさせ得る。

ゲッタ６が活性されると、少くとも燃焼がランプの真空
管２のガラス壁を黒ずませることはない。

真空管２内部の汚染を最小限に低減する為に、好ましく
は包囲体９は小間口１０を有するびん形状である。第４
図に示されるように、これば例えばＦＣ−４形式の小型
フラッシュバルブ形式の小真空管１３を使用することに
よって達成される。

製造に際し、該小真空管１３を閉鎖する以前にそこにゲ
ッタリングが落下される。ゲッタの為の接触表面を増大
させ且つゲッタリング４を配列支持する為に、例えばジ
ルコニウム箔から成るある量の微細剪断箔１４が真空管
に追加される。

小型の真空管１３は、導線１５をランプ導線５の一つに
溶接することによってランプの内側に固定される。ゲッ
タ手段８は真空管１３と直交状態で或はその軸方向と整
列状態に配置し得、一方真空管１３はランプの真空管２
内部の任意の方向に於て取付けし得る。ゲッタリング４
を、高周波加熱によって活性化され得る位置としなけれ
ばならないことは勿論である。

周知の従来手段によってランプが真空下に置かれそして
シールされた後、真空管１３内のゲッタ６を活性化させ
ることによってランプ内側の真空が改良される。ゲッタ
の蒸気は微細な剪断箔１４及び真空管１３の内側ガラス
面に凝縮する。小開口１０を通して拡散するランプ内に
尚存在する不純物はゲッタ６によって吸収される。

第４図のゲッタ手段８が、３５ワツト及び７０ワツトナ
トリウム放電管を使用して、それらを白色コーティング
した平面真空管に取付けた状態で試験された。新規なゲ
ッタ手段８を使用した状態に於て真空管の装飾的な外観
は著しく改良された。

方、従来からのゲッタ手段を使用したものは真空管の底
部付近に黒ずみを生じた。好ましいゲッタ手段８を具備
する真空管は完全に白色であった。

真空管１３形式の真空管形態の包囲体９の使用は、該包
囲体９を不純物排除の為に真空下に配置し得そして先端
を封着し得る利益を提供する。このようにして、ゲッタ
手段をそれが汚染されることな（、高真空ランプ内への
配置以前に長期間に渡り貯蔵し得る。その後、ナトリウ
ムランプを外側に被覆するに先立って、例えば先端１６
を破除することにより、真空管１３から成るガラス包囲
体が開放される。そして後、ゲッタリング４を収納する
真空管１３は、先に説明されたようにランプ内に配置さ
れる。

ゲッタ手段１８は全てのナトリウムランプその他の高真
空ランプ、例えば、金属ハロゲン化物ランプ、カドミウ
ムランプ、タリウムランプ及びインジウムランプに使用
し得る。ゲッタの速度或は容量を改変する為に異なる寸
法及び形態のゲッタリング４及び真空管１３を使用し得
る。ゲッタ６が使用し得る接触面積を増大する為に、剪
断箔１４に代えてその他手段もまた使用し得る。

具体例は例示の為だけのものであり本発明は記載された
具体例に限定されるものでは無い。本発明に従って構成
される装置は、本発明の精神及び範囲から離れることな
く当業者に既知の様式に於て種々の形状及び寸法に於て
作成し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のランプの側面図である。 第２図は従来からのゲッタリングの拡大断面図である。 第３図は本発明に従う高真空ランプの側面図である。 第４図は本発明の別懇様の高真空ランプの側面図である
。 尚、図中主な部分の名称は以下の通りである。 １：ソケット ２・真空管 ３：内側ランプ部品 ４、ゲッタリング ５：ランプ導線 ６：ゲッタ ８ニゲツタ手段 ９：包囲体 １０：小開口 １２：中央支持体 １３：真空管 １４：ジルコニウム箔

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ゲッタ手段を含む改良高真空ランプであって、ゲッ
   タ手段８が、ゲッタ６の燃焼時にランプ部品２、３を保
   護する為の保護手段９、１１、１３を有していることを
   特徴とする前記ゲッタ手段を含む改良高真空ランプ。 ２、保護手段は小開口１０を具備する包囲体９から成立
   ち、ゲッタ６は包囲体９内に組み入れられることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載のゲッタ手段を含む
   改良高真空ランプ。 ３、包囲体９はガラス製の真空管１３によって形成され
   ることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のゲッ
   タ手段を含む改良高真空ランプ。 ４、ガラス製の真空管１３はフラッシュバルブ形式のも
   のであることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載
   のゲッタ手段を含む改良高真空ランプ。 ５、ガラス製の真空管１３はフラッシュバルブ形式のも
   のであり、その先端１６は小開口１０を形成する為に破
   除される特許請求の範囲第３項に記載のゲッタ手段を含
   む改良高真空ランプ。 ６、真空管１３には該真空管１３から外側に伸延する導
   線１５が取付けられ、真空管１３をランプの内側に固定
   する為に、前記導線１５はランプの導線５の一つに溶接
   されることを特徴とする特許請求の範囲第３項から５項
   の何れかに記載のゲッタ手段を含む改良高真空ランプ。 ７、ゲッタ６には少くとも１つのゲッタリング４が組込
   まれ、包囲体９に組入れられることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項から６項の何れかに記載のゲッタ手段を
   含む改良高真空ランプ。 ８、ゲッタリング４は真空管１３の軸に関して直交状態
   に配置されることを特徴とする特許請求の範囲第７項に
   記載のゲッタ手段を含む改良高真空ランプ。 ９、ゲッタリング４は真空管１３に追加された剪断箔に
   よって配列支持されることを特徴とする特許請求の範囲
   第７項或は８項に記載のゲッタ手段を含む改良高真空ラ
   ンプ。 １０、包囲体９にはゲッタ６の為の接触表面を増大する
   為の手段が設けられることを特徴とする特許請求の範囲
   第２項から９項の何れかに記載のゲッタ手段を含む改良
   高真空ランプ。 １１、ゲッタ６の為の接触表面を増大する為の手段は剪
   断箔１４から構成されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１０項に記載のゲッタ手段を含む改良高真空ランプ
   。 １２、剪断されたジルコニウム箔が使用されることを特
   徴とする特許請求の範囲第１１項に記載のゲッタ手段を
   含む改良高真空ランプ。 １３、ランプはナトリウムランプである前記特許請求の
   範囲何れかの項に記載のゲッタ手段を含む改良高真空ラ
   ンプ。 １４、ゲッタ６は実質的にバリウム−アルミニウムから
   なり立つことを特徴とする前記特許請求の範囲何れかの
   項に記載のゲッタ手段を含む改良高真空ランプ。 １５、高真空ランプに使用する為のゲッタ手段であって
   、ゲッタ手段８は、ゲッタ６と、該ゲッタ６を取巻く完
   全に閉鎖された包囲体９にして、小開口１０を設け得る
   包囲体９とを含む一体化された真空ゲッタから実質的に
   構成されることを特徴とする前記高真空ランプに使用す
   る為のゲッタ手段。 １６、包囲体９は、小開口１０を形成する為に破除し得
   る先端１６を具備するフラッシュバルブ形式のガラス製
   の真空管１３によって形成されることを特徴とする特許
   請求の範囲第１５項記載の高真空ランプに使用する為の
   ゲッタ手段。 １７、ゲッタ６には、包囲体９内に組込まれた少くとも
   １つのゲッタリング１４に組入れられ、剪断されたジル
   コニウム箔が前記包囲体９に追加されることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１５項或は１６項記載の高真空ラン
   プに使用する為のゲッタ手段。 １８、包囲体９は真空とされる特許請求の範囲第１５項
   、１６項或は１７項に記載の高真空ランプに使用する為
   のゲッタ手段。 １９、包囲体９には、ゲッタ手段８を高真空ランプ内に
   取付ける為に包囲体９から外側へと伸延するランプ導線
   ５が設けられることを特徴とする特許請求の範囲第１５
   項から８項の何れかに記載の高真空ランプに使用する為
   のゲッタ手段。