JPH02133599A - 酸化イリジウム膜の製造方法 - Google Patents
酸化イリジウム膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化イリジウム膜の製造方法に関する。
従来の技術及びその問題点
正または負の電荷をもつイオンの注入により薄膜状物体
が変色もしくは発、消色する現象は、エレクトロクロミ
ズムと呼ばれ、この現象は、例えばエレクトロクロミッ
ク素子に利用されている。
が変色もしくは発、消色する現象は、エレクトロクロミ
ズムと呼ばれ、この現象は、例えばエレクトロクロミッ
ク素子に利用されている。
電解酸化発色性を示す無機材料としては、酸化イリジウ
ム、酸化ロジウム、酸化ニッケル、酸化コバルト等の金
属酸化物が知られている。この中でも、酸化イリジウム
は応答速度が早い、化学的安定性に優れている等の利点
を備えているので、最も活発にその研究が行われている
。従来、酸化イリジウム膜を作製する方法としては、陽
極酸化法と反応性スパッタリング法とが知られているが
、両者には共に解決すべき問題点がある。陽極酸化法は
、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて基板上に
形成したイリジウム膜を、硫酸溶液中で陽極酸化するこ
とによって酸化イリジウム膜とする方法であり、表示面
積が大きい場合には、表示面全面にわたって均質な酸化
イリジウム膜を得られないという欠点があり、更に、硫
酸溶液中にイリジウムが溶出することや酸化イリジウム
の形成に長時間を要するという欠点もある。
ム、酸化ロジウム、酸化ニッケル、酸化コバルト等の金
属酸化物が知られている。この中でも、酸化イリジウム
は応答速度が早い、化学的安定性に優れている等の利点
を備えているので、最も活発にその研究が行われている
。従来、酸化イリジウム膜を作製する方法としては、陽
極酸化法と反応性スパッタリング法とが知られているが
、両者には共に解決すべき問題点がある。陽極酸化法は
、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて基板上に
形成したイリジウム膜を、硫酸溶液中で陽極酸化するこ
とによって酸化イリジウム膜とする方法であり、表示面
積が大きい場合には、表示面全面にわたって均質な酸化
イリジウム膜を得られないという欠点があり、更に、硫
酸溶液中にイリジウムが溶出することや酸化イリジウム
の形成に長時間を要するという欠点もある。
また、反応性スパッタリング法には、酸化イリジウム膜
を得る最適成膜速度が１０人／分と非常に遅いため、表
示素子として必要な厚さの薄膜、例えば９００人程鹿の
膜厚の酸化イリジウム膜を得るためには１時間以上を要
する欠点があった。
を得る最適成膜速度が１０人／分と非常に遅いため、表
示素子として必要な厚さの薄膜、例えば９００人程鹿の
膜厚の酸化イリジウム膜を得るためには１時間以上を要
する欠点があった。
更に、かかる方法の他に、イリジウム膜を加熱すること
によって、酸化イリジウム膜を得ることは原理的には可
能である。しかしながら、酸化イリジウム膜は、３００
°Ｃ以上で加熱すると結晶化して、エレクトロクロミッ
ク特性が失われるという問題点があり、一方、イリジウ
ム単体を３００℃以下で加熱しても酸化イリジウム膜を
得ることはできない。
によって、酸化イリジウム膜を得ることは原理的には可
能である。しかしながら、酸化イリジウム膜は、３００
°Ｃ以上で加熱すると結晶化して、エレクトロクロミッ
ク特性が失われるという問題点があり、一方、イリジウ
ム単体を３００℃以下で加熱しても酸化イリジウム膜を
得ることはできない。
このような点を改善した方法として、金属イリジウムと
炭素とからなる複合膜を２５０ ℃程度で加熱酸化する
ことによる酸化イリジウム膜の製造が知られている（特
公昭６２−５７７０７号）。
炭素とからなる複合膜を２５０ ℃程度で加熱酸化する
ことによる酸化イリジウム膜の製造が知られている（特
公昭６２−５７７０７号）。
しかしながら、この方法によって得られる酸化イリジウ
ム膜は、電気化学的に完全に消色できず、消色時にいわ
ゆる「消え残り」が生じるという欠点があり、表示素子
として用いる場合に、その表示品位を低くするので改善
が必要である。
ム膜は、電気化学的に完全に消色できず、消色時にいわ
ゆる「消え残り」が生じるという欠点があり、表示素子
として用いる場合に、その表示品位を低くするので改善
が必要である。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記した如き問題点に鑑みて、鋭意研究を
重ねてきた。その結果、金属イリジウムと炭素とからな
る複合膜を加熱酸化した後、これを電気化学的酸化−還
元過程の繰り返しにより電解酸化して得られる酸化イリ
ジウム膜は、酸化状態において発色する「電解酸化発色
性」を有するとともに、消色時の透過率が非常に高く、
「消え残り」がほとんど生じないことを見出した。
重ねてきた。その結果、金属イリジウムと炭素とからな
る複合膜を加熱酸化した後、これを電気化学的酸化−還
元過程の繰り返しにより電解酸化して得られる酸化イリ
ジウム膜は、酸化状態において発色する「電解酸化発色
性」を有するとともに、消色時の透過率が非常に高く、
「消え残り」がほとんど生じないことを見出した。
即ち、本発明は、金属イリジウムと炭素とからなる複合
膜を加熱酸化して得た酸化イリジウム膜に、交流電位を
連続的に印加して電解酸化を行なうことを特徴とする酸
化イリジウム膜の製造方法に係る。
膜を加熱酸化して得た酸化イリジウム膜に、交流電位を
連続的に印加して電解酸化を行なうことを特徴とする酸
化イリジウム膜の製造方法に係る。
本発明で用いる金属イリジウムと炭素とからなる複合膜
を加熱酸化して得られる酸化イリジウム膜は、特公昭６
２−５７７０７号に記載された方法に従って作製するこ
とができる。該方法を詳述すると以下の通りである。
を加熱酸化して得られる酸化イリジウム膜は、特公昭６
２−５７７０７号に記載された方法に従って作製するこ
とができる。該方法を詳述すると以下の通りである。
まず、基板上にイリジウム−炭素複合膜を形成させる。
イリジウム−炭素複合膜の形成は、公知の薄膜製造にお
いて一般に採用されている真空下での蒸着法、例えば電
子ビーム蒸着法、またはスパッタリング法等により行う
ことができる。より具体的には、（ｉ）イリジウムと炭
素とを別々の蒸発源から電子ビームを用いて蒸発させ、
同一基板上に複合膜を形成させる電子ビーム二元蒸着法
、（１１）黒鉛るつぼにイリジウムを収容し、電子ビー
ムを用いてイリジウムとともに炭素を蒸発させ、基板上
に複合膜を形成させる方法、（ｉｉｉ ）炭素上にイリ
ジウムを配置したものをターゲットとして、アルゴンガ
ス中でスパッタリングを行うことにより複合膜を形成さ
せる方法等が挙げられる。但し、イリジウム−炭素複合
膜はこれ等の例示した方法だけではなく、他の方法によ
っても形成され得ることはいうまでもない。
いて一般に採用されている真空下での蒸着法、例えば電
子ビーム蒸着法、またはスパッタリング法等により行う
ことができる。より具体的には、（ｉ）イリジウムと炭
素とを別々の蒸発源から電子ビームを用いて蒸発させ、
同一基板上に複合膜を形成させる電子ビーム二元蒸着法
、（１１）黒鉛るつぼにイリジウムを収容し、電子ビー
ムを用いてイリジウムとともに炭素を蒸発させ、基板上
に複合膜を形成させる方法、（ｉｉｉ ）炭素上にイリ
ジウムを配置したものをターゲットとして、アルゴンガ
ス中でスパッタリングを行うことにより複合膜を形成さ
せる方法等が挙げられる。但し、イリジウム−炭素複合
膜はこれ等の例示した方法だけではなく、他の方法によ
っても形成され得ることはいうまでもない。
イリジウムと炭素の組成比は、イリジウムの炭素に対す
る割合（原子比）が０．０５〜０． ３０程度であるこ
とが好ましく、蒸発源を制御することによって、任意の
組成比のイリジウム−炭素複合膜を得ることが可能であ
る。イリジウムと炭素の組成比が上記範囲外となる場合
には、加熱酸化において、該複合膜からの炭素の脱離が
不充分となり、透過率の低い膜しか得られないので好ま
しくない。該複合膜の膜厚は、通常１００〜２０００人
程度が適当である。
る割合（原子比）が０．０５〜０． ３０程度であるこ
とが好ましく、蒸発源を制御することによって、任意の
組成比のイリジウム−炭素複合膜を得ることが可能であ
る。イリジウムと炭素の組成比が上記範囲外となる場合
には、加熱酸化において、該複合膜からの炭素の脱離が
不充分となり、透過率の低い膜しか得られないので好ま
しくない。該複合膜の膜厚は、通常１００〜２０００人
程度が適当である。
イリジウム−炭素複合膜を形成させるための基板として
は、導電性を有する材料、例えば金属の他に、ガラス、
磁器、合成樹脂等の非導電性材料も使用可能であるが、
電解酸化過程において、通電の必要があるので、非導電
性基板を用いる場合には、基板上に予め透明導電膜、導
電性金属膜等を設けることが好ましい。
は、導電性を有する材料、例えば金属の他に、ガラス、
磁器、合成樹脂等の非導電性材料も使用可能であるが、
電解酸化過程において、通電の必要があるので、非導電
性基板を用いる場合には、基板上に予め透明導電膜、導
電性金属膜等を設けることが好ましい。
次いで、基板上に形成されたイリジウム−炭素複合膜を
加熱酸化する。加熱酸化雰囲気は、酸化イリジウムが形
成される酸化雰囲気であれば特に限定されるものではな
く、通常、大気中で加熱すればよく、その他、例えば酸
素富化雰囲気、酸素及び水蒸気富化雰囲気等でもよい。
加熱酸化する。加熱酸化雰囲気は、酸化イリジウムが形
成される酸化雰囲気であれば特に限定されるものではな
く、通常、大気中で加熱すればよく、その他、例えば酸
素富化雰囲気、酸素及び水蒸気富化雰囲気等でもよい。
加熱温度は、２２５〜３５０℃程度、好ましくは２４０
〜２６０℃程度とする。加熱時間は、通常５〜３０分間
程度、好ましくは１０〜２０分間程度とすればよい。
〜２６０℃程度とする。加熱時間は、通常５〜３０分間
程度、好ましくは１０〜２０分間程度とすればよい。
上記した方法によって、金属イリジウムと炭素とからな
る複合膜を加熱酸化することができる。
る複合膜を加熱酸化することができる。
本発明では、上記した方法によって加熱酸化して得た酸
化イリジウム膜に対して、電気化学的酸化−辺元過程を
繰り返すことによって電解酸化を行なう。このような方
法で電解酸化を行なうことによって、加熱酸化したイリ
ジウム膜中に残存する金属イリジウムの酸化が進行して
均一な酸化イリジウム膜が形成され、これにより「消え
残り」の現象が著るしく減少するものと推測される。こ
れに対して、酸化電位のみを付与して陽極酸化を行なう
場合には、残存する金属イリジウムの酸化が十分には進
行せず「消え残り」を充分に減少させることはできない
。
化イリジウム膜に対して、電気化学的酸化−辺元過程を
繰り返すことによって電解酸化を行なう。このような方
法で電解酸化を行なうことによって、加熱酸化したイリ
ジウム膜中に残存する金属イリジウムの酸化が進行して
均一な酸化イリジウム膜が形成され、これにより「消え
残り」の現象が著るしく減少するものと推測される。こ
れに対して、酸化電位のみを付与して陽極酸化を行なう
場合には、残存する金属イリジウムの酸化が十分には進
行せず「消え残り」を充分に減少させることはできない
。
本発明における電解酸化は、通常の金属イリジウムの陽
極酸化に用いられる公知の各種水溶液中で行なうことが
でき、例えば硫酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液、過塩素酸リチウム水溶液、過塩素
酸リチウムと水酸化リチウムとの混合水溶液等を用いる
ことができる。
極酸化に用いられる公知の各種水溶液中で行なうことが
でき、例えば硫酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液、過塩素酸リチウム水溶液、過塩素
酸リチウムと水酸化リチウムとの混合水溶液等を用いる
ことができる。
これらの水溶液の濃度は特に限定はなく、通常の金属イ
リジウムの陽極酸化用電解液と固定度の濃度とすればよ
く、例えば、０． １〜１モル／Ｑ程度の硫酸水溶液、
０．０５〜０．２モル／ Ｑ Ｆ２度、好ましくは０．
１モル／Ｑ程度の水酸化ナトリウム水溶液、０．０５〜
０．２モル／Ｑ程度、好ましくは０．１モル／Ｑ程度の
炭酸ナトリウム水溶液、０．１〜１．０モル／Ｑ程度、
好ましくは１．０モル／Ｑ程度の過塩素酸リチウム水溶
液、０．１〜１．０モル／Ｑ程度、好ましくは１．θモ
ル／Ｑ程度の過塩素酸リチウムと０．０５〜０．２モル
／Ｑ程度、好ましくは０，１モル／Ｑ程度の水酸化リチ
ウムとの混合水溶液等を用いることができる。
リジウムの陽極酸化用電解液と固定度の濃度とすればよ
く、例えば、０． １〜１モル／Ｑ程度の硫酸水溶液、
０．０５〜０．２モル／ Ｑ Ｆ２度、好ましくは０．
１モル／Ｑ程度の水酸化ナトリウム水溶液、０．０５〜
０．２モル／Ｑ程度、好ましくは０．１モル／Ｑ程度の
炭酸ナトリウム水溶液、０．１〜１．０モル／Ｑ程度、
好ましくは１．０モル／Ｑ程度の過塩素酸リチウム水溶
液、０．１〜１．０モル／Ｑ程度、好ましくは１．θモ
ル／Ｑ程度の過塩素酸リチウムと０．０５〜０．２モル
／Ｑ程度、好ましくは０，１モル／Ｑ程度の水酸化リチ
ウムとの混合水溶液等を用いることができる。
電解酸化の方法としては、上記した加熱酸化イリジウム
膜に対して、交流電位を繰り返し印加する方法を適用す
ればよく、このような方法を適用することによって、加
熱酸化イリジウム膜中に残存する金属イリジウムの酸化
を充分に進行させることができる。
膜に対して、交流電位を繰り返し印加する方法を適用す
ればよく、このような方法を適用することによって、加
熱酸化イリジウム膜中に残存する金属イリジウムの酸化
を充分に進行させることができる。
印加する交流電位の上限は、使用する電解液の種類に応
じて適宜決定すればよく、通常、使用する電解液での水
素発生電位を基準として、＋１．２５Ｖから＋１．６Ｖ
程度の範囲の電位を上限とすればよい。また、印加する
交流電位の下限は、使用する電解液での水素発生電位を
基準として、−０，ＩＶから＋０．２５Ｖ程度の範囲と
することが適当である。
じて適宜決定すればよく、通常、使用する電解液での水
素発生電位を基準として、＋１．２５Ｖから＋１．６Ｖ
程度の範囲の電位を上限とすればよい。また、印加する
交流電位の下限は、使用する電解液での水素発生電位を
基準として、−０，ＩＶから＋０．２５Ｖ程度の範囲と
することが適当である。
本発明では、加熱酸化後の複合膜に対して」２記した交
流電位を連続的に印加する方法によって電解酸化を行な
う。電位走査の方法は、特に限定はなく、三角波、正弦
波等の各種波形の連続波により電位走査する方法、或い
は矩形波によりパルス状の電位を印加する方法などを適
用できる。電位走査の周波数は、連続波の場合には、通
常０．０３３〜０．５Ｈｚ程度、好ましくは０．０５〜
０．１Ｈｚ程度とすればよく、矩形波の場合には０．１
〜１．０Ｈｚ程度、好ましくは０．３〜０．７Ｈｚ程度
とすればよい。
流電位を連続的に印加する方法によって電解酸化を行な
う。電位走査の方法は、特に限定はなく、三角波、正弦
波等の各種波形の連続波により電位走査する方法、或い
は矩形波によりパルス状の電位を印加する方法などを適
用できる。電位走査の周波数は、連続波の場合には、通
常０．０３３〜０．５Ｈｚ程度、好ましくは０．０５〜
０．１Ｈｚ程度とすればよく、矩形波の場合には０．１
〜１．０Ｈｚ程度、好ましくは０．３〜０．７Ｈｚ程度
とすればよい。
電解液は、５０°Ｃ程度まで加熱して用いてもよいが、
液温か高くなるとイリジウムが溶出し易くなるので、通
常、１０〜２５℃程度の室温で用いることが適当である
。
液温か高くなるとイリジウムが溶出し易くなるので、通
常、１０〜２５℃程度の室温で用いることが適当である
。
電解酸化時間は、膜の厚さに応じて適宜調節すればよく
、１００人〜２０００人程度の酸化イリジウム膜では、
通常１〜３０分間程度、好ましくは５〜２５分間程度と
すればよい。電解時間が短かすぎる場合には、加熱酸化
膜中に残存する金属イリジウムの酸化が不充分となり、
一方電解時間が長くなると膜のエツチングが進行するの
で注意が必要である。尚、矩形波によるパルス電位によ
り電解酸化する場合には、連続波により電解酸化する場
合と比べて、酸化速度が速くなるが、膜のエツチングの
進行も速くなるので、膜厚１００〜２０００人程度の場
合には、電解時間を１〜５分間分間色することが好まし
い。
、１００人〜２０００人程度の酸化イリジウム膜では、
通常１〜３０分間程度、好ましくは５〜２５分間程度と
すればよい。電解時間が短かすぎる場合には、加熱酸化
膜中に残存する金属イリジウムの酸化が不充分となり、
一方電解時間が長くなると膜のエツチングが進行するの
で注意が必要である。尚、矩形波によるパルス電位によ
り電解酸化する場合には、連続波により電解酸化する場
合と比べて、酸化速度が速くなるが、膜のエツチングの
進行も速くなるので、膜厚１００〜２０００人程度の場
合には、電解時間を１〜５分間分間色することが好まし
い。
本発明によって得られる酸化イリジウム膜は、顕著な電
解酸化発色性を示すので、エレクトロクロミック素子、
薄膜電池等として極めて有用である。
解酸化発色性を示すので、エレクトロクロミック素子、
薄膜電池等として極めて有用である。
発明の効果
本発明によれば、以下の如き効果が奏される。
（１） 優れたエレクトロクロミズムを示す酸化イリジ
ウム膜を形成することができる。
ウム膜を形成することができる。
（２） 得られる酸化イリジウム膜は、消色時の「消え
残り」が極めて少なく、高いコントラスト比を有するも
のである。
残り」が極めて少なく、高いコントラスト比を有するも
のである。
（３） イリジウム膜を陽極酸化する従来法に比べて、
短い処理時間で酸化イリジウム膜を形成でき、しかも電
解液中へのイリジウムの溶出が少なく、有効にイリジウ
ムを利用できる。
短い処理時間で酸化イリジウム膜を形成でき、しかも電
解液中へのイリジウムの溶出が少なく、有効にイリジウ
ムを利用できる。
実施例
以下、実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明らかにする。
一層明らかにする。
実施例１
イリジウム粉末を黒鉛るつぼに入れ、加速電圧６ＫＶ、
ミッション電流１８０〜２００ｍＡ、真空度１〜２Ｘ１
０−５ トールの条件下に、電子ビーム蒸着を行なうこ
とにより、酸化スズ透明電極上に、厚さ約１０００人の
イリジウム−炭素複合膜（イリジウム：炭素（原子比）
＝１ ： １０〜１：５程度）を形成させた。
ミッション電流１８０〜２００ｍＡ、真空度１〜２Ｘ１
０−５ トールの条件下に、電子ビーム蒸着を行なうこ
とにより、酸化スズ透明電極上に、厚さ約１０００人の
イリジウム−炭素複合膜（イリジウム：炭素（原子比）
＝１ ： １０〜１：５程度）を形成させた。
次いで、この複合膜を大気中２５０℃で１０分間加熱し
て、加熱酸化イリジウム膜を形成させた。
て、加熱酸化イリジウム膜を形成させた。
得られた加熱酸化イリジウム膜を０．５モル／Ｑの硫酸
水溶液中に浸漬し、飽和材コウ電極を基準電位として、
−０，２５〜１．２５Ｖの範囲で、周波数０．０３３Ｈ
ｚ （周期３０秒）の三角波を印加し、７０回電位走
査を行なうことによって電解酸化を行ない、酸化イリジ
ウム膜を得た。
水溶液中に浸漬し、飽和材コウ電極を基準電位として、
−０，２５〜１．２５Ｖの範囲で、周波数０．０３３Ｈ
ｚ （周期３０秒）の三角波を印加し、７０回電位走
査を行なうことによって電解酸化を行ない、酸化イリジ
ウム膜を得た。
得られた酸化イリジウム膜を硫酸水溶液中に浸漬し、飽
和口°コウ電極を基準電極として、１〜−０．２Ｖの範
囲で電位を走査させたところ、薄膜の発消色が認められ
た。第１図は、電位走査を行なったときの電流密度変化
、第２図は電位走査を行なったときの透過率変化を示す
。電位走査速度は１００ｍｖ／秒とし、透過率の測定は
、６３３ｎｍの波長で行なった。尚、酸化イリジウム膜
を浸漬する前に測定した電解セルの透過率を１．０とし
た。
和口°コウ電極を基準電極として、１〜−０．２Ｖの範
囲で電位を走査させたところ、薄膜の発消色が認められ
た。第１図は、電位走査を行なったときの電流密度変化
、第２図は電位走査を行なったときの透過率変化を示す
。電位走査速度は１００ｍｖ／秒とし、透過率の測定は
、６３３ｎｍの波長で行なった。尚、酸化イリジウム膜
を浸漬する前に測定した電解セルの透過率を１．０とし
た。
図中、実線は、電解酸化を行なった薄膜についての測定
結果、破線は、加熱酸化のみで電解酸化を行なっていな
い薄膜についての測定結果を示す。
結果、破線は、加熱酸化のみで電解酸化を行なっていな
い薄膜についての測定結果を示す。
第１図から、電解前に比べて、電解後では、特に０．４
〜１．Ｏｖの範囲で膜に流れる電流密度が増加しており
、着消色に寄与する酸化イリジウムの足が増加している
ことが判る。また、第２図から判るように、電解酸化を
行なった薄膜では、消色時の透過率が非常に高くなり、
一方着色時の透過率については、電解酸化の有無により
ほとんど差異はなかった。このため、電解酸化を行なっ
た薄膜のコントラスト比（消色時の透過率／着色時の透
過率）は、２．１という大きな値となった。
〜１．Ｏｖの範囲で膜に流れる電流密度が増加しており
、着消色に寄与する酸化イリジウムの足が増加している
ことが判る。また、第２図から判るように、電解酸化を
行なった薄膜では、消色時の透過率が非常に高くなり、
一方着色時の透過率については、電解酸化の有無により
ほとんど差異はなかった。このため、電解酸化を行なっ
た薄膜のコントラスト比（消色時の透過率／着色時の透
過率）は、２．１という大きな値となった。
第２図では、電解セルの透過率を１．０としているが、
使用した酸化スズ透明電極は完全に透明ではなく酸化ス
ズ透明電極そのものの硫酸水溶液中での透過率は８８％
程度であるので、電解酸化後の酸化イリジウム膜自体の
消色時の透過率は０．９３であった。
使用した酸化スズ透明電極は完全に透明ではなく酸化ス
ズ透明電極そのものの硫酸水溶液中での透過率は８８％
程度であるので、電解酸化後の酸化イリジウム膜自体の
消色時の透過率は０．９３であった。
また、電解酸化の前後の薄膜中のイリジウムの蛍光Ｘ線
強度比を測定したところ、電解酸化後の強度比は約０．
９８であり、電解酸化による硫酸溶液中へのイリジウム
の溶出が非常に少ないことが判った。
強度比を測定したところ、電解酸化後の強度比は約０．
９８であり、電解酸化による硫酸溶液中へのイリジウム
の溶出が非常に少ないことが判った。
実施例２
周波数０．０６７Ｈｚ （周期１５秒）の三角波によ
り電位を印加し、電位走査回数を７０回とする以外は実
施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した。
り電位を印加し、電位走査回数を７０回とする以外は実
施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は１
．９であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０．９９であった。
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は１
．９であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０．９９であった。
実施例３
周波数０．１６７Ｈｚ （周期６秒）の三角波により
電位を印加し、電位走査回数を１５０回とする以外は、
実施例１と同様にして、酸化イリジウム膜を作製した。
電位を印加し、電位走査回数を１５０回とする以外は、
実施例１と同様にして、酸化イリジウム膜を作製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．８４であり、コントラスト比は１
．８であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０．９９であった。
消色時の透過率は０．８４であり、コントラスト比は１
．８であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０．９９であった。
実施例４
周波数０．０３３Ｈｚ （周期３０秒）の正弦波によ
り電位を印加し、電位走査回数を２６回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
り電位を印加し、電位走査回数を２６回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．９４であり、コントラスト 後の膜中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は０、９６であ
った。
消色時の透過率は０．９４であり、コントラスト 後の膜中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は０、９６であ
った。
実施例５
周波数０．０６７Ｈｚ （周期１５秒）の正弦波によ
り電位を印加し、電位走査回数を５０回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
り電位を印加し、電位走査回数を５０回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は２
．１であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９７であった。
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は２
．１であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９７であった。
実施例６
周波数０．１６７Ｈｚ （周期６秒）の正弦波により
電位を印加し、電位走査回数を６０回とすること以外は
、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した。
電位を印加し、電位走査回数を６０回とすること以外は
、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は２
．０であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９７であった。
消色時の透過率は０．９３であり、コントラスト比は２
．０であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９７であった。
実施例７
周波数０． ５Ｈｚ （周期２秒）の矩形波により
電位を印加し、電位走査回数を１００回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
電位を印加し、電位走査回数を１００回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製した
。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極に対する
消色時の透過率は０．９２であり、コントラスト比は２
．１であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９５であった。
消色時の透過率は０．９２であり、コントラスト比は２
．１であった。また、電解酸化前後の膜中のイリジウム
の蛍光Ｘ線強度比は０、９５であった。
第１図は、実施例１における電解酸化前後の酸化イリジ
ウム膜の電位変化による電流密度変化を示すグラフであ
り、第２図は、実施例１における電解酸化前後の酸化イ
リジウム膜の電位変化による透過率変化を示すグラフで
ある。 （以 上）
ウム膜の電位変化による電流密度変化を示すグラフであ
り、第２図は、実施例１における電解酸化前後の酸化イ
リジウム膜の電位変化による透過率変化を示すグラフで
ある。 （以 上）
Claims (1)
- １ 金属イリジウムと炭素とからなる複合膜を加熱酸化
して得た酸化イリジウム膜に、交流電位を連続的に印加
して電解酸化を行なうことを特徴とする酸化イリジウム
膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286433A JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
| US07/420,061 US5030331A (en) | 1988-11-11 | 1989-10-11 | Process for preparing iridium oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286433A JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133599A true JPH02133599A (ja) | 1990-05-22 |
| JPH0313318B2 JPH0313318B2 (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=17704323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63286433A Granted JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5030331A (ja) |
| JP (1) | JPH02133599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586499A (ja) * | 1990-12-13 | 1993-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化イリジウム膜／金属接合体の製造方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697119A4 (en) * | 1993-11-12 | 1996-06-19 | Ppg Industries Inc | IRIDIUM OXIDE FILM FOR ELECTROCHROME DEVICE |
| US6052271A (en) * | 1994-01-13 | 2000-04-18 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode |
| US5798134A (en) * | 1994-10-11 | 1998-08-25 | Agency Of Industrial Science & Technology | Process for producing nickel oxide film |
| US5702575A (en) * | 1995-01-27 | 1997-12-30 | Chiron Diagnostics Corporation | Method of preparing an electrochemical planar metal/metal oxide electrode |
| US5935392A (en) * | 1995-06-01 | 1999-08-10 | Upscale Water Technologies, Inc. | Electrodes for electrolytic removal of nitrates from water, methods of making same, and apparatus incorporating said electrodes |
| US5958196A (en) * | 1995-06-01 | 1999-09-28 | Upscale Water Technologies, Inc. | Planar carbon fiber and noble metal oxide electrodes and methods of making the same |
| US5798860A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-25 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
| US20030031928A1 (en) * | 1999-05-20 | 2003-02-13 | Saint-Gobain Vitrage | Electrochemical device |
| US6586260B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-07-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Single c-axis PGO thin film electrodes having good surface smoothness and uniformity and methods for making the same |
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| US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8535396B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-09-17 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
| US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
| KR100533973B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하부전극과 강유전체막의 접착력을 향상시킬 수 있는강유전체캐패시터 형성 방법 |
| US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
| DE602005017512D1 (de) | 2004-12-08 | 2009-12-17 | Symmorphix Inc | Abscheidung von licoo2 |
| KR20090069323A (ko) | 2006-09-29 | 2009-06-30 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 가요성 기판의 마스킹 및 가요성 기판에 배터리 층을 증착하기 위한 재료의 구속 |
| US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
| KR20100102180A (ko) | 2007-12-21 | 2010-09-20 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 |
| US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
| JP5705549B2 (ja) | 2008-01-11 | 2015-04-22 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化 |
| EP2266183B1 (en) | 2008-04-02 | 2018-12-12 | Sapurast Research LLC | Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting |
| JP2012500610A (ja) | 2008-08-11 | 2012-01-05 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 電磁エネルギー獲得ための統合コレクタ表面を有するエネルギーデバイスおよびその方法 |
| EP2332127A4 (en) | 2008-09-12 | 2011-11-09 | Infinite Power Solutions Inc | ENERGY DEVICE HAVING AN INTEGRATED CONDUCTIVE SURFACE FOR DATA COMMUNICATION VIA ELECTROMAGNETIC ENERGY AND ASSOCIATED METHOD |
| WO2010042594A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
| KR101792287B1 (ko) | 2009-09-01 | 2017-10-31 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 집적된 박막 배터리를 갖는 인쇄 회로 보드 |
| JP2013528912A (ja) | 2010-06-07 | 2013-07-11 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 再充電可能高密度電気化学素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4191453A (en) * | 1978-06-27 | 1980-03-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Iridium oxide based electrochromic devices |
| US4258984A (en) * | 1979-09-14 | 1981-03-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Iridium oxide based electrochromic devices |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63286433A patent/JPH02133599A/ja active Granted
-
1989
- 1989-10-11 US US07/420,061 patent/US5030331A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0586499A (ja) * | 1990-12-13 | 1993-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化イリジウム膜／金属接合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5030331A (en) | 1991-07-09 |
| JPH0313318B2 (ja) | 1991-02-22 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |