JPH01265443A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH01265443A JPH01265443A JP63095076A JP9507688A JPH01265443A JP H01265443 A JPH01265443 A JP H01265443A JP 63095076 A JP63095076 A JP 63095076A JP 9507688 A JP9507688 A JP 9507688A JP H01265443 A JPH01265443 A JP H01265443A
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- ray
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- membrane
- particles
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラズマＸ線源からＸ線と同時に放出される粒子線をＸ
線取出窓上に到達する前に除去するＸ線露光装置に関し
、 Ｘ線の強度を損なうことなくＸ線取出窓の損傷を引き起
こす不要な粒子線を除去することを目的とし、 Ｘ線発生部によるプラズマの形成時に発生するＸ線をＸ
線取出窓を通して外部へ放射するに際し、該Ｘ線と同時
に該Ｘ線発生部から放出される荷電粒子及び中性粒子等
からなる粒子線を除去し、該Ｘ線だけを透過して該Ｘ線
取出窓へ照射するｘｌｉ！露光装置において、前記Ｘ線
を透過し前記粒子線を吸収する金属製又は高分子有機物
製の薄膜と、該Ｓ膜の該Ｘ線及び粒子線照射面を順次新
しくするために該薄膜を所望速度で一定方向に移動する
移動手段とより構成する。
線取出窓上に到達する前に除去するＸ線露光装置に関し
、 Ｘ線の強度を損なうことなくＸ線取出窓の損傷を引き起
こす不要な粒子線を除去することを目的とし、 Ｘ線発生部によるプラズマの形成時に発生するＸ線をＸ
線取出窓を通して外部へ放射するに際し、該Ｘ線と同時
に該Ｘ線発生部から放出される荷電粒子及び中性粒子等
からなる粒子線を除去し、該Ｘ線だけを透過して該Ｘ線
取出窓へ照射するｘｌｉ！露光装置において、前記Ｘ線
を透過し前記粒子線を吸収する金属製又は高分子有機物
製の薄膜と、該Ｓ膜の該Ｘ線及び粒子線照射面を順次新
しくするために該薄膜を所望速度で一定方向に移動する
移動手段とより構成する。
本発明はＸ線露光装置に係り、特にプラズマＸ線源から
Ｘ線と同時に放出される粒子線をＸ線取出窓上に到達す
る前に除去するＸ線露光装置に関する。
Ｘ線と同時に放出される粒子線をＸ線取出窓上に到達す
る前に除去するＸ線露光装置に関する。
Ｘ線露光装置は波長が短く焦点深度も深く、更にはレン
ズによる歪みがないことなどから、サブミクロン領域の
転写装誼として開発が進められている。しかし、Ｘ線露
光装置の最も大きな課題の１つとして、Ｘ線源の出力不
足が上げられており、レジスト感度が悪いことも相まっ
て露光時間が長くかかってしまうので、スルーブツト向
上のためＸ線源の大出力化が要望されていた。
ズによる歪みがないことなどから、サブミクロン領域の
転写装誼として開発が進められている。しかし、Ｘ線露
光装置の最も大きな課題の１つとして、Ｘ線源の出力不
足が上げられており、レジスト感度が悪いことも相まっ
て露光時間が長くかかってしまうので、スルーブツト向
上のためＸ線源の大出力化が要望されていた。
そこで、Ｘ線源として従来からの熱電子衝撃型のＸ線源
の代りに、プラズマＸ線源が近年注目されている。この
プラズマＸａａはプラズマを形成することによって、そ
の際に発生するＸ線を利用するもので、熱電子！１ｉｌ
ｉ！ａ型のｘｔａ源よりも大出力が得られる。
の代りに、プラズマＸ線源が近年注目されている。この
プラズマＸａａはプラズマを形成することによって、そ
の際に発生するＸ線を利用するもので、熱電子！１ｉｌ
ｉ！ａ型のｘｔａ源よりも大出力が得られる。
しかし、プラズマＸ線源はプラズマ形成によりＸ線だけ
でなく、荷電粒子や中性粒子等の粒子群からなる粒子線
も同時に放出するので、粒子線がＸａ取出窓に照射され
るとｓｍであるＸ線取出窓が損傷を受け、最後には破壊
に到る。このため、ｘＰ！取出窓上にはＸ線のみが照射
されるように、不要な粒子線を除去する必要がある。
でなく、荷電粒子や中性粒子等の粒子群からなる粒子線
も同時に放出するので、粒子線がＸａ取出窓に照射され
るとｓｍであるＸ線取出窓が損傷を受け、最後には破壊
に到る。このため、ｘＰ！取出窓上にはＸ線のみが照射
されるように、不要な粒子線を除去する必要がある。
第６図は従来のＸ線露光装置の一例をその周辺の構造と
共に示す構成図で、１はチャンバでその内部は真空に保
持されている。２は上部電極、３は下部電極で、下部電
極３間にＸ線取出口４が設けられている。５はＮ磁石、
６はチャンバ１に形成された孔、７はＸ１ｍ取出窓とし
てのベリリウム（Ｂｅ）窓、８はマスク支持ステージで
ある。マスク支持ステージ８は孔８ａ、ヘリウム（Ｈｅ
）導入口８ｂが設けられており、マスク支持ステージ８
とチャンバ１との間の空間８Ｃを大気圧下のＨｅ雰囲気
とすると共に、マスク９を載置する。
共に示す構成図で、１はチャンバでその内部は真空に保
持されている。２は上部電極、３は下部電極で、下部電
極３間にＸ線取出口４が設けられている。５はＮ磁石、
６はチャンバ１に形成された孔、７はＸ１ｍ取出窓とし
てのベリリウム（Ｂｅ）窓、８はマスク支持ステージで
ある。マスク支持ステージ８は孔８ａ、ヘリウム（Ｈｅ
）導入口８ｂが設けられており、マスク支持ステージ８
とチャンバ１との間の空間８Ｃを大気圧下のＨｅ雰囲気
とすると共に、マスク９を載置する。
空間８ＣをＨｅ雰囲気とするのは、Ｂｅ窓７を直接大気
雰囲気中におくと、Ｂｅ窓７が大気中の酸素と反応して
破壊されてしまうことがあり、またＢｅ窓７を透過した
Ｘ線が大気により大きく減衰されてしまうので、これら
を防止するためである。
雰囲気中におくと、Ｂｅ窓７が大気中の酸素と反応して
破壊されてしまうことがあり、またＢｅ窓７を透過した
Ｘ線が大気により大きく減衰されてしまうので、これら
を防止するためである。
マスク９の下方にはウェーハ１０が配置されている、こ
こで、チャンバ１内の下部電極３とＢｅ窓７との間に配
設されている′Ｆｉ磁石５が従来のＸ線露光装置を構成
している。
こで、チャンバ１内の下部電極３とＢｅ窓７との間に配
設されている′Ｆｉ磁石５が従来のＸ線露光装置を構成
している。
次に上記の従来のプラズマＸ線源の動作の概略について
説明する。上部電極２と下部電極３との間に所望のガス
を流すと共に、上部電極２及び下部電極３に高電圧を印
加して両電極間をスパークさせてピンチプラズマを発生
させる。
説明する。上部電極２と下部電極３との間に所望のガス
を流すと共に、上部電極２及び下部電極３に高電圧を印
加して両電極間をスパークさせてピンチプラズマを発生
させる。
このピンチプラズマの形成によりＸ線が発生され、また
これ以外にも荷電粒子や中性粒子が発生し、これらはＸ
線取出口４を通過して孔６方向へ放出される。この放出
飛程路中には電磁石５による磁場が設けられているため
、荷電粒子が第６図に１１で示す如く偏向され、荷電粒
子の８０窓７への照射が除去される。
これ以外にも荷電粒子や中性粒子が発生し、これらはＸ
線取出口４を通過して孔６方向へ放出される。この放出
飛程路中には電磁石５による磁場が設けられているため
、荷電粒子が第６図に１１で示す如く偏向され、荷電粒
子の８０窓７への照射が除去される。
一方、Ｘ線は電磁石５による偏向は受けないので、その
まま電磁石５の中空内部、孔６を夫々通してＢｅ窓７に
照射される。更に、Ｂｅ窓７を透過したＸ線は孔８ａ、
マスク９を夫々・通してつ工−ハ１０上に照射され、マ
スク９のマスクパターンをウェーハ１０に転写する。
まま電磁石５の中空内部、孔６を夫々通してＢｅ窓７に
照射される。更に、Ｂｅ窓７を透過したＸ線は孔８ａ、
マスク９を夫々・通してつ工−ハ１０上に照射され、マ
スク９のマスクパターンをウェーハ１０に転写する。
このような動作を行なうプラズマＸ線源において、電磁
石５は荷電粒子からなる粒子線を偏向除去していた。
石５は荷電粒子からなる粒子線を偏向除去していた。
また、他のＸ線露光装置として、Ｘ線取出口４とＢｅ窓
７との間にガスカーテンと称する小さなガスチャンバを
設け、その中にガスを充填してＸ線や粒子線をそのガス
雰囲気中に透′ｌＡさせ、これにより粒子線はガスに大
きく吸収減衰させ、Ｘ線のみを殆ど減衰させることなく
透過させる装置も従来あった。
７との間にガスカーテンと称する小さなガスチャンバを
設け、その中にガスを充填してＸ線や粒子線をそのガス
雰囲気中に透′ｌＡさせ、これにより粒子線はガスに大
きく吸収減衰させ、Ｘ線のみを殆ど減衰させることなく
透過させる装置も従来あった。
しかるに、第６図に示した電磁石５を用いたＸ線露光装
置は、不要な粒子線中除去できるのは荷電粒子による粒
子線だけであり、中性粒子による粒子線は全く除去でき
ず、除去効果が不十分であるという問題点があった。
置は、不要な粒子線中除去できるのは荷電粒子による粒
子線だけであり、中性粒子による粒子線は全く除去でき
ず、除去効果が不十分であるという問題点があった。
また、前記したガスカーテンを用いる従来のＸ線露光装
置は、小さいとはいってもガスチャンバが必要で、更に
それに隅間して排気設備が必要で大型となり、またガス
チャンバとＸ線発光チャンバとの間にもＢｅ窓７とは別
のＢｅ窓が必要となり、２枚のＢｅ窓を用いることによ
るＸＩ！ｉｌの減衰が大きいという欠点もあった。
置は、小さいとはいってもガスチャンバが必要で、更に
それに隅間して排気設備が必要で大型となり、またガス
チャンバとＸ線発光チャンバとの間にもＢｅ窓７とは別
のＢｅ窓が必要となり、２枚のＢｅ窓を用いることによ
るＸＩ！ｉｌの減衰が大きいという欠点もあった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、Ｘ線の強度
を損なうことなくＸ線取出窓の損傷を引き起こす不要な
粒子線を除去することができるＸ線露光装置を提供する
ことを目的とする。
を損なうことなくＸ線取出窓の損傷を引き起こす不要な
粒子線を除去することができるＸ線露光装置を提供する
ことを目的とする。
上記目的達成のため、本願第１発明のＸ線露光装置はｘ
Ｉ！発生部から放出されたＸ線及び粒子線のうちＸ線を
透過して粒子線を吸収する金属製又は高分子有機物製の
ＩＩ！ｍと、［１を所望速度で一定の方向に移動する移
動手段とよりなる。
Ｉ！発生部から放出されたＸ線及び粒子線のうちＸ線を
透過して粒子線を吸収する金属製又は高分子有機物製の
ＩＩ！ｍと、［１を所望速度で一定の方向に移動する移
動手段とよりなる。
また、本願第２発明のＸＩ’Ｊ露光装置は第１の偏向手
段、荷電変換用７ａｖＡ及び第２の偏向手段よりなる３
段構造としたものである。ここに、第１及び第２の偏向
手段は夫々電場又は磁場を形成して荷電粒子だけを偏向
する。
段、荷電変換用７ａｖＡ及び第２の偏向手段よりなる３
段構造としたものである。ここに、第１及び第２の偏向
手段は夫々電場又は磁場を形成して荷電粒子だけを偏向
する。
更に、本願第３発明のＸＩ！露光装置は第２発明の荷電
変換用薄膜に代えて電子銃を用いた３段構造としたもの
である。この電子銃は中性粒子の進行を遮る方向へ電子
ビームを照射して中性粒子をイオン化する。
変換用薄膜に代えて電子銃を用いた３段構造としたもの
である。この電子銃は中性粒子の進行を遮る方向へ電子
ビームを照射して中性粒子をイオン化する。
第１発明において、Ｘ線発生部よりＸ線と同時に放出さ
れた荷電粒子及び中性粒子等の粒子束からなる粒子線は
、Ｘ線と共に金属製又は高分子有機物製の薄膜に照射さ
れる。この薄膜はＸ線を透過し、粒子線を吸収するので
、Ｘ線だけがＸ線取出窓へ導かれる。
れた荷電粒子及び中性粒子等の粒子束からなる粒子線は
、Ｘ線と共に金属製又は高分子有機物製の薄膜に照射さ
れる。この薄膜はＸ線を透過し、粒子線を吸収するので
、Ｘ線だけがＸ線取出窓へ導かれる。
また第２発明においては、まず第１の偏向手段により荷
電粒子だけが偏向されるため、Ｘ線と中性粒子が第１の
偏向手段を通過して次の荷電変換用薄膜に照射される。
電粒子だけが偏向されるため、Ｘ線と中性粒子が第１の
偏向手段を通過して次の荷電変換用薄膜に照射される。
荷電変換用薄膜は入射した中性粒子を帯電し、荷電変換
する。従って、中性粒子は電荷をもつ粒子、誓−なわち
荷電粒子に変換される。しかし、Ｘ線は荷電変換用ａｍ
による帯電は受けないからそのまま透過する。荷電変換
用薄膜よりのＸ線及び荷電粒子は第２の偏向手段により
荷電粒子だけが偏向され、Ｘ線だけがＸ線取出窓へ照射
される。
する。従って、中性粒子は電荷をもつ粒子、誓−なわち
荷電粒子に変換される。しかし、Ｘ線は荷電変換用ａｍ
による帯電は受けないからそのまま透過する。荷電変換
用薄膜よりのＸ線及び荷電粒子は第２の偏向手段により
荷電粒子だけが偏向され、Ｘ線だけがＸ線取出窓へ照射
される。
更に第３発明においては、第１の偏向手段よりのＸ線及
び中性粒子のうち中性粒子が電子銃からの電子ビームと
の衝突によりイオン化され、次の第２の偏向手段で偏向
される。一方、Ｘ線は電子ビームが照射されてもイオン
化されないので、第２の偏向手段により偏向されること
はなくｘｍ取出窓へ照射される。
び中性粒子のうち中性粒子が電子銃からの電子ビームと
の衝突によりイオン化され、次の第２の偏向手段で偏向
される。一方、Ｘ線は電子ビームが照射されてもイオン
化されないので、第２の偏向手段により偏向されること
はなくｘｍ取出窓へ照射される。
第１図は本発明の第１実施例をその周辺の構造と共に示
す構成図である。同図中、第６図と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。第１図において、
チャンバ１内の電磁石５とＢｅ窓７との間の光路に、薄
膜１３が配設されている。この薄１１１１３はＸ線の透
過率の高い金属製又は高分子有機物製のテープ状の可撓
性薄膜で、ここでは−例としてＢｅから形成されている
。
す構成図である。同図中、第６図と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。第１図において、
チャンバ１内の電磁石５とＢｅ窓７との間の光路に、薄
膜１３が配設されている。この薄１１１１３はＸ線の透
過率の高い金属製又は高分子有機物製のテープ状の可撓
性薄膜で、ここでは−例としてＢｅから形成されている
。
薄膜１３はその多くの部分がローラ１４及び１５に巻回
されており、例えばこのＸ線源の起動と同時に自動的に
ロー５１４と１５が反時計方向に一定速度で回転し始め
、薄膜１３はローラ１４から繰り出されて図中右方向へ
移動し、ローラ１５に巻取られ始め、その後Ｘ線源の停
止と同時に自動的にローラ１４及び１５の回転が停止さ
れる構成とされている。すなわち、ローラ１４及び１５
は前記第１発明の移動手段を構成している。
されており、例えばこのＸ線源の起動と同時に自動的に
ロー５１４と１５が反時計方向に一定速度で回転し始め
、薄膜１３はローラ１４から繰り出されて図中右方向へ
移動し、ローラ１５に巻取られ始め、その後Ｘ線源の停
止と同時に自動的にローラ１４及び１５の回転が停止さ
れる構成とされている。すなわち、ローラ１４及び１５
は前記第１発明の移動手段を構成している。
次に本実施例の動作について説明するに、下部電極３間
を透過したｘＢ及び粒子線は電磁石５により形成されて
いる磁場を通ることにより、電荷をもっている荷電粒子
だけが第１図に１１で示す如く偏向され、Ｘ線及び中性
粒子は全く磁場の影響を受けることなく薄１ｇ１１３上
に照射され、Ｘａはこのｌｆｆ１１３を透過するも中性
粒子は薄膜１３に吸収される。従って１、荷電粒子及び
中性粒子のいずれもＢｅ窓７に到達せず、Ｘ線だけが３
ｅ窓７に到達することになる。
を透過したｘＢ及び粒子線は電磁石５により形成されて
いる磁場を通ることにより、電荷をもっている荷電粒子
だけが第１図に１１で示す如く偏向され、Ｘ線及び中性
粒子は全く磁場の影響を受けることなく薄１ｇ１１３上
に照射され、Ｘａはこのｌｆｆ１１３を透過するも中性
粒子は薄膜１３に吸収される。従って１、荷電粒子及び
中性粒子のいずれもＢｅ窓７に到達せず、Ｘ線だけが３
ｅ窓７に到達することになる。
なお、質量の大なる中性粒子が高エネルギーで薄膜１３
を衝撃するので、簿１ｉ１１３の同じ所に長時間、中性
粒子が照射されるとＩＷＡ１３が破壊されてしまう。し
かし、前記したように薄膜１３は一定方向に所望速度で
移動され、薄膜１３の粒子線照射面は常に新しくされて
いるので、１ＪＩｌ！１３の中性粒子の照射損傷による
破壊から防止することができる。
を衝撃するので、簿１ｉ１１３の同じ所に長時間、中性
粒子が照射されるとＩＷＡ１３が破壊されてしまう。し
かし、前記したように薄膜１３は一定方向に所望速度で
移動され、薄膜１３の粒子線照射面は常に新しくされて
いるので、１ＪＩｌ！１３の中性粒子の照射損傷による
破壊から防止することができる。
上記第１実施例では薄膜１３及びローラ１４゜１５をＸ
線発生部が配置されているチャンバ１内に設けているが
、これに限定されるものではなく、第２図に示す如く別
のチャンバ内に設けてもよく、また第３図に示す如くロ
ー５１４．１５を大気中に出すようにしてもよい。
線発生部が配置されているチャンバ１内に設けているが
、これに限定されるものではなく、第２図に示す如く別
のチャンバ内に設けてもよく、また第３図に示す如くロ
ー５１４．１５を大気中に出すようにしてもよい。
すなわち、第２図に示す変形例では、上部電極２、下部
電極３、電磁石５はメインチャンバ１７内に配設し、薄
膜１３、ローラ１４及び１５はサブチャンバ１８内に配
設し、内部が真空に保たれた両チャンバ１７及び１８の
間をバルブ１９を介して連通ずる構成とされている。サ
ブチャンバ１８の下側にＢｅ窓７が設けられている。
電極３、電磁石５はメインチャンバ１７内に配設し、薄
膜１３、ローラ１４及び１５はサブチャンバ１８内に配
設し、内部が真空に保たれた両チャンバ１７及び１８の
間をバルブ１９を介して連通ずる構成とされている。サ
ブチャンバ１８の下側にＢｅ窓７が設けられている。
また第３図に示す別の変形例では、メインチャンバ１７
とバルブ１９を介して連通されたサブチャンバ２０は、
薄膜１３だけが内部を移動する構成とされており、ロー
ラ１４及び１５は外部の大気圧下に配置されている。従
って、サブチャンバ２０は前記チャンバ１．１７．１８
よりも小型にでき、マスク支持ステージ２１も同様に小
型化できる。また、本変形例ではローラ１３及び１５が
大気中にあるので、Ｘ線源部分の真空を破ることなく、
薄膜１３の変換が容易にできる特長がある。
とバルブ１９を介して連通されたサブチャンバ２０は、
薄膜１３だけが内部を移動する構成とされており、ロー
ラ１４及び１５は外部の大気圧下に配置されている。従
って、サブチャンバ２０は前記チャンバ１．１７．１８
よりも小型にでき、マスク支持ステージ２１も同様に小
型化できる。また、本変形例ではローラ１３及び１５が
大気中にあるので、Ｘ線源部分の真空を破ることなく、
薄膜１３の変換が容易にできる特長がある。
次に本発明の第２実施例について第４図と共に説明する
。第４図中、第１図と同一構成部分には同一符号を付し
、その説明を省略する。第４図において、２３及び２５
は夫々電磁石で、前記第１及び第２の偏向手段を構成し
ており、また２４は荷電変換用簿膜である。すなわち、
本実施例は下部電極３よりＢｅ窓７に至るＸ線の光路中
に、電磁石２３、荷電変換用薄膜２４及び電磁石２５の
３段構造が設けられている。
。第４図中、第１図と同一構成部分には同一符号を付し
、その説明を省略する。第４図において、２３及び２５
は夫々電磁石で、前記第１及び第２の偏向手段を構成し
ており、また２４は荷電変換用簿膜である。すなわち、
本実施例は下部電極３よりＢｅ窓７に至るＸ線の光路中
に、電磁石２３、荷電変換用薄膜２４及び電磁石２５の
３段構造が設けられている。
本実施例によれば、電磁石２３により形成された磁場に
より、粒子線中の荷電粒子だけが偏向されるので、荷電
変換用薄膜２４にＸ線及び中性粒子が入射される。荷電
変換用薄膜２４は前記したように、荷電状態を変化させ
る荷電変換により、中性粒子を帯電するが、Ｘ線は荷電
変換による影費を全く受けない。従って、荷電変換用薄
膜２４からはＸ線と共に荷電粒子が取り出され、次段の
電磁石２５による１＆場を通過する際に荷電粒子だけが
矢印２６で示す如く偏向され、Ｘ線だけがそのまま直進
してＢｅ窓７に照射される。
より、粒子線中の荷電粒子だけが偏向されるので、荷電
変換用薄膜２４にＸ線及び中性粒子が入射される。荷電
変換用薄膜２４は前記したように、荷電状態を変化させ
る荷電変換により、中性粒子を帯電するが、Ｘ線は荷電
変換による影費を全く受けない。従って、荷電変換用薄
膜２４からはＸ線と共に荷電粒子が取り出され、次段の
電磁石２５による１＆場を通過する際に荷電粒子だけが
矢印２６で示す如く偏向され、Ｘ線だけがそのまま直進
してＢｅ窓７に照射される。
本実施例も上記実施例と同様にＸ線の強度をあまり低減
させることなく、不要な粒子線を除去することができる
。
させることなく、不要な粒子線を除去することができる
。
なお、本実施例によれば、荷電変換用薄膜２４は中性粒
子を膜内に吸収するのではないので発熱を抑えることが
でき、中性粒子が持つエネルギーによる薄膜２４の劣化
を低減することができる。
子を膜内に吸収するのではないので発熱を抑えることが
でき、中性粒子が持つエネルギーによる薄膜２４の劣化
を低減することができる。
勿論、荷電変換用簿膜２４を第１実施例のようにロール
状の巻取り方式で巻取るよう構成してもよい。
状の巻取り方式で巻取るよう構成してもよい。
次に本発明の第３実施例について第５図と共に説明する
。同図中、第４図と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例は第４図に示した第２実
施例中の荷電変換用薄膜２４の代りに電子銃２８を設け
た点に特徴を有する。
。同図中、第４図と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例は第４図に示した第２実
施例中の荷電変換用薄膜２４の代りに電子銃２８を設け
た点に特徴を有する。
本実施例では下部電極３の間を通過したＸ線及び粒子線
のうち、初段の電磁石２３で矢印２９で示す如く荷電粒
子を偏向させる点は第２実施例と同様であるが、電磁石
２３の間を通過したＸ線及び中性粒子の進行を妨げるよ
うに電子銃２８から電子ビームｅを照射することにより
、中性粒子をイオン化するようにしたものである。
のうち、初段の電磁石２３で矢印２９で示す如く荷電粒
子を偏向させる点は第２実施例と同様であるが、電磁石
２３の間を通過したＸ線及び中性粒子の進行を妨げるよ
うに電子銃２８から電子ビームｅを照射することにより
、中性粒子をイオン化するようにしたものである。
これにより、最終段の電磁石２５により形成される磁場
にはＸ線の他にイオン化された中性粒子、すなわち荷電
粒子が入射されることになり、よって荷電粒子だけが第
５図に矢印３０で示す如く偏向を受けるため、Ｂｅ窓７
にはＸ線だけが照射される。
にはＸ線の他にイオン化された中性粒子、すなわち荷電
粒子が入射されることになり、よって荷電粒子だけが第
５図に矢印３０で示す如く偏向を受けるため、Ｂｅ窓７
にはＸ線だけが照射される。
なお、本発明は上記の各実施例や変形例に限定されるも
のではなく、例えば荷電粒子を電場を形成して偏向する
ようにしてもよい。
のではなく、例えば荷電粒子を電場を形成して偏向する
ようにしてもよい。
〔発明の効果）
上述の如く、本発明によれば、荷電粒子だけでなく中性
粒子もＸ線の強度を損うことなくＸ線取出窓へ入射しな
いようにする（除去する）ことができ、またＸ線発生部
が設けられているチャンバ内に別のチャンバを設ける必
要がなく、薄膜や偏向手段を設けるだけでよいので、装
置の大型化を防止することができ、Ｘ線取出窓を長寿命
にできる等の特長を有するものである。
粒子もＸ線の強度を損うことなくＸ線取出窓へ入射しな
いようにする（除去する）ことができ、またＸ線発生部
が設けられているチャンバ内に別のチャンバを設ける必
要がなく、薄膜や偏向手段を設けるだけでよいので、装
置の大型化を防止することができ、Ｘ線取出窓を長寿命
にできる等の特長を有するものである。
第１図、第４図及び第５図は夫々本発明の各実施例をそ
の周辺の構造と共に示す構成図、第２図及び第３図は夫
々本発明の第１実施例の各変形例をその周辺の構造と共
に示す構成図、第６図は従来装置の一例をその周辺の構
造と共に示ず構成図である。 図において、 ７はベリリウム（Ｂｅ）窓、 １１．２３．２５は電磁石、 １３は薄膜、 １４．１５はローラ、 ２４は荷電変換用薄膜、 ２８は電子銃 を示す。 第１図 １１４図 １［図 第６図
の周辺の構造と共に示す構成図、第２図及び第３図は夫
々本発明の第１実施例の各変形例をその周辺の構造と共
に示す構成図、第６図は従来装置の一例をその周辺の構
造と共に示ず構成図である。 図において、 ７はベリリウム（Ｂｅ）窓、 １１．２３．２５は電磁石、 １３は薄膜、 １４．１５はローラ、 ２４は荷電変換用薄膜、 ２８は電子銃 を示す。 第１図 １１４図 １［図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線発生部（２、３）によるプラズマの形成時に発
生するＸ線をＸ線取出窓（７）を通して外部へ放射する
に際し、該Ｘ線と同時に該Ｘ線発生部（２、３）から放
出される荷電粒子及び中性粒子等からなる粒子線を除去
し、該Ｘ線だけを透過して該Ｘ線取出窓（７）へ照射す
るＸ線露光装置において、 前記Ｘ線を透過し前記粒子線を吸収する金属製又は高分
子有機物製の薄膜（１３）と、 該薄膜（１３）の該Ｘ線及び粒子線照射面を順次新しく
するために該薄膜（１３）を所望速度で一定方向に移動
する移動手段（１４、１５）とを有することを特徴とす
るＸ線露光装置。 ２、Ｘ線発生部（２、３）によるプラズマの形成時に発
生するＸ線をＸ線取出窓（７）を通して外部へ放射する
に際し、該Ｘ線と同時に該Ｘ線発生部（２、３）から放
出される荷電粒子及び中性粒子等からなる粒子線を除去
し、該Ｘ線だけを透過して該Ｘ線取出窓（７）へ照射す
るＸ線露光装置において、 電場又は磁場を形成することにより前記Ｘ線を透過し、
かつ、前記粒子線のうち前記荷電粒子を偏向する第１の
偏向手段（２３）と、 該第１の偏向手段（２３）を透過した該Ｘ線及び前記中
性粒子が照射される荷電変換用薄膜（２４）と、 該荷電変換用薄膜（２４）と前記Ｘ線取出窓（７）との
間の光路に電場又は磁場を形成して荷電粒子を偏向する
第２の偏向手段（２５）とを有することを特徴とするＸ
線露光装置。 ３、Ｘ線発生部（２、３）によるプラズマの形成時に発
生するＸ線をＸ線取出窓（７）を通して外部へ放射する
に際し、該Ｘ線と同時に該Ｘ線発生部（２、３）から放
出される荷電粒子及び中性粒子等からなる粒子線を除去
し、該Ｘ線だけを透過して該Ｘ線取出窓（７）へ照射す
るＸ線露光装置において、 電場又は磁場を形成することにより前記Ｘ線を透過し、
かつ、前記粒子線のうち前記荷電粒子を偏向する第１の
偏向手段（２３）と、 該第１の偏向手段（２３）を透過した該Ｘ線及び中性粒
子の進行を遮る方向へ電子ビームを照射し該中性粒子を
イオン化する電子銃（２８）と、該電子銃（２８）によ
る電子ビームの照射を受けた該Ｘ線及びイオン化された
中性粒子に対して電場又は磁場を与えて該Ｘ線のみ透過
する第２の偏向手段（２５）とを有することを特徴とす
るＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095076A JPH01265443A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095076A JPH01265443A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265443A true JPH01265443A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14127878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63095076A Pending JPH01265443A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265443A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004519868A (ja) * | 2001-04-17 | 2004-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｕｖに透明な境界構造 |
| JP2004214480A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2006080255A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| US7692169B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for filtering particles out of a beam of radiation and filter for a lithographic apparatus |
| US8530870B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-09-10 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| US8901522B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-12-02 | Gigaphoton Inc. | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63095076A patent/JPH01265443A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004519868A (ja) * | 2001-04-17 | 2004-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｕｖに透明な境界構造 |
| JP2004214480A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2006080255A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
| US7692169B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for filtering particles out of a beam of radiation and filter for a lithographic apparatus |
| US8530870B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-09-10 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| US8841641B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-09-23 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| US8901522B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-12-02 | Gigaphoton Inc. | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system |
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