JPH01255637A - 導電用アルミニウム合金 - Google Patents
導電用アルミニウム合金Info
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- JPH01255637A JPH01255637A JP8367488A JP8367488A JPH01255637A JP H01255637 A JPH01255637 A JP H01255637A JP 8367488 A JP8367488 A JP 8367488A JP 8367488 A JP8367488 A JP 8367488A JP H01255637 A JPH01255637 A JP H01255637A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は各種電子橢器、電気機器等における導電材料
として使用される高導電率アルミニウム合金に関するも
のである。
として使用される高導電率アルミニウム合金に関するも
のである。
従来の技術
一般に導電用の純アルミニウム系高導電率アルミニウム
合金としては、JIS H4180で規定される10
60合金や、JIS H4000で規定される107
0合金が広く用いられている。
合金としては、JIS H4180で規定される10
60合金や、JIS H4000で規定される107
0合金が広く用いられている。
1060合金は、JIS H4180の規格において
その合金成分含有量がSi0.25%(vt%、以下同
じ)以下、Feo、35%以下、Cu0.05%以下、
MnO,03%以下、Mqo、03%以下、Zn0.0
5%以下、Ti 0.03%以下と定められ、また1
070合金はJIS H4000の規格においてその
合金成分含有量がSi0.20%以下、1”eO,25
%以下、Quo、04%以下、M n O,03%以下
、Mg0.03%以下、Zr10.04%以下、Ti
0.03%以下と定められている。
その合金成分含有量がSi0.25%(vt%、以下同
じ)以下、Feo、35%以下、Cu0.05%以下、
MnO,03%以下、Mqo、03%以下、Zn0.0
5%以下、Ti 0.03%以下と定められ、また1
070合金はJIS H4000の規格においてその
合金成分含有量がSi0.20%以下、1”eO,25
%以下、Quo、04%以下、M n O,03%以下
、Mg0.03%以下、Zr10.04%以下、Ti
0.03%以下と定められている。
ところで一般に導電用の高導電率アルミニウム合金とし
ては、導電率がlAC3%(以下導電率については全て
lAC3%で示す)にして61%以上のものが要求され
ている。アルミニウム合金においては、そのうちに含ま
れる不純物含有量を少なくすれば、導電率が高くなるこ
とが知られている。実際の導電用アルミニウム合金にお
いては、特にCu。
ては、導電率がlAC3%(以下導電率については全て
lAC3%で示す)にして61%以上のものが要求され
ている。アルミニウム合金においては、そのうちに含ま
れる不純物含有量を少なくすれば、導電率が高くなるこ
とが知られている。実際の導電用アルミニウム合金にお
いては、特にCu。
Mn、T!、Vを極微量に規制した高純度電気用アルミ
ニウム地金を用いて鋳造し、合金中の不純物元素含有吊
を少なくしており、またFeff1やSi吊も規制し、
一般にはSi0.05%程度、Fe O,10%程度と
して導電率61.0%以上の材料を得ている。
ニウム地金を用いて鋳造し、合金中の不純物元素含有吊
を少なくしており、またFeff1やSi吊も規制し、
一般にはSi0.05%程度、Fe O,10%程度と
して導電率61.0%以上の材料を得ている。
弁明が解決すべき問題点
前述のようにCu、Mn、Ti、Vなどの不純物元素の
含有量やFe、Siの含有量を極力低減すれば高4電率
のアルミニウム合金を得ることかできるが、やみくもに
これらの吊を低減しようとすれば、導電率は高くなって
も、地金コストや溶解炉等の問題から高コスト化をIB
いてしまう。
含有量やFe、Siの含有量を極力低減すれば高4電率
のアルミニウム合金を得ることかできるが、やみくもに
これらの吊を低減しようとすれば、導電率は高くなって
も、地金コストや溶解炉等の問題から高コスト化をIB
いてしまう。
この発明は以上の事情を背傾としてなされたもので、い
たずらに高コスト化を眉くことなく、導電率61%以上
の高導電率を確実に得ることができるアルミニウム合金
を提供することを目的とするものである。
たずらに高コスト化を眉くことなく、導電率61%以上
の高導電率を確実に得ることができるアルミニウム合金
を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本光明者等が導電率とアルミニウム合金の成分組成、粗
織との関係について詳細に検討を重ねたところ、単純に
不純物量を低減するのではなく、合金中のFe固溶量、
Si固溶阜をそれぞれ特定の値以下どすることによって
、導電率61%以上の高導電率材料が得られることを見
出し、この発明をなでに至った。
織との関係について詳細に検討を重ねたところ、単純に
不純物量を低減するのではなく、合金中のFe固溶量、
Si固溶阜をそれぞれ特定の値以下どすることによって
、導電率61%以上の高導電率材料が得られることを見
出し、この発明をなでに至った。
すなわちこの光間の4 T5用アルミニウム合金は、F
e O,04〜0.70 wt%、S i 0.0
4〜0.25 wt%を含有し、不可避的不純物を各元
素それぞれQ、Q2 wt%以下、総量で0.05 w
t%以下に規制し、残部がA1からなる成分組成を有し
、しかも[eの固溶量が1ooppm+以下、$1の固
溶量が400ppm+以下であることを特徴とするもの
である。
e O,04〜0.70 wt%、S i 0.0
4〜0.25 wt%を含有し、不可避的不純物を各元
素それぞれQ、Q2 wt%以下、総量で0.05 w
t%以下に規制し、残部がA1からなる成分組成を有し
、しかも[eの固溶量が1ooppm+以下、$1の固
溶量が400ppm+以下であることを特徴とするもの
である。
作 用
不純物元素含有量を少量に規制したアルミニウム合金の
4電率には、マトリックス中に固溶しているFeの吊(
固溶Feff1)および同じくマトリックス中に固溶し
ているSlの吊(固溶5iffi)が大きく影響し、特
に固溶Fe吊の影響が大きい。
4電率には、マトリックス中に固溶しているFeの吊(
固溶Feff1)および同じくマトリックス中に固溶し
ているSlの吊(固溶5iffi)が大きく影響し、特
に固溶Fe吊の影響が大きい。
固溶Siは同じ固溶量で比較すれば固溶Feはとには導
電率に与える影響は大きくないが、SiはFeと比較し
て固溶度が大きく、実際の合金中で固溶しているSi吊
も固溶Fe吊より格段に多いから、量的な変動が大きく
、そのため固溶5iffiも結局は導電率に大きな影響
を及ぼす。固溶Fe量、固溶5i吊が導電率に及ぼす影
響を本発明者等が調べたところ、合金中の総Felや総
Si量、その他の不純物量をかなりの程度まで規制して
も、固溶「e吊が100ppmを越えるかまたは固溶5
iffiが400ppm+を越えれば、導電率61%以
上の材料を安定して得ることが困難であることが判明し
た。そして逆にFeの総量やSiの総量がある程度大き
くても、固溶Fe吊を100ppI11以下としかつ固
溶Si吊を400ppra以下とすれば導電率61%以
上の材料を安定して得ることができることが判明した。
電率に与える影響は大きくないが、SiはFeと比較し
て固溶度が大きく、実際の合金中で固溶しているSi吊
も固溶Fe吊より格段に多いから、量的な変動が大きく
、そのため固溶5iffiも結局は導電率に大きな影響
を及ぼす。固溶Fe量、固溶5i吊が導電率に及ぼす影
響を本発明者等が調べたところ、合金中の総Felや総
Si量、その他の不純物量をかなりの程度まで規制して
も、固溶「e吊が100ppmを越えるかまたは固溶5
iffiが400ppm+を越えれば、導電率61%以
上の材料を安定して得ることが困難であることが判明し
た。そして逆にFeの総量やSiの総量がある程度大き
くても、固溶Fe吊を100ppI11以下としかつ固
溶Si吊を400ppra以下とすれば導電率61%以
上の材料を安定して得ることができることが判明した。
したがってこの発明では固溶Fe吊を100ρpi以下
、固溶S1量を400ppm以下に規制することとした
。
、固溶S1量を400ppm以下に規制することとした
。
さらにこの発明のアルミニウム合金ではFeの総量J3
よびSiの総量、不可避的不純物元木吊も規定しており
、これらの限定理由について以下に説明する。
よびSiの総量、不可避的不純物元木吊も規定しており
、これらの限定理由について以下に説明する。
Fe:
Feff1を0.04%未満とすることは著しいコスト
1胃を招く。またFeff1が0.7%を越えれば、鋳
造法によってはFeの強制固溶量が著しく大きくなり、
固m F e fflを100+1p11以下に規制す
ることが困難となる。したがってFeの総量は0.04
〜0.7%の範囲内とした。
1胃を招く。またFeff1が0.7%を越えれば、鋳
造法によってはFeの強制固溶量が著しく大きくなり、
固m F e fflを100+1p11以下に規制す
ることが困難となる。したがってFeの総量は0.04
〜0.7%の範囲内とした。
Sl:
5iffiを0.04%未満とすることはFeの場合と
同作に著しいコスト1胃を招く。一方Si量が0.25
%を越えれば、固溶5ifflを400ppm以下に抑
制することが困難となる。したがってSiの総量は0゜
04〜0.25%の範囲内とした。
同作に著しいコスト1胃を招く。一方Si量が0.25
%を越えれば、固溶5ifflを400ppm以下に抑
制することが困難となる。したがってSiの総量は0゜
04〜0.25%の範囲内とした。
不可避的不純物:
通常のアルミニウム合金においては、Mn。
Ti、Cr、V、Zr、M(7,CIJ等が不可避的不
純物として含まれるが、いずれかの不純物元素の単独含
有量が0.02%を越えるか、または合計の含有量が0
.05%を越えれば、前述のように固溶F e ffi
、固1siffiをそれぞれ100ppTIl以下、4
(10ppl以下に規制しても、61%以上の導電率を
1qることが困難となる。したがって不可避的不純物元
素は、それぞれ0.02%以下、合計でO,OS%以下
に規制した。なお各種不可避的不純物元素のうちでも特
にMn、Ti、Cr、V、Zrは導電率に悪影響を及ぼ
すから、これらはそれぞれ0.01%以下とすることが
望ましい。
純物として含まれるが、いずれかの不純物元素の単独含
有量が0.02%を越えるか、または合計の含有量が0
.05%を越えれば、前述のように固溶F e ffi
、固1siffiをそれぞれ100ppTIl以下、4
(10ppl以下に規制しても、61%以上の導電率を
1qることが困難となる。したがって不可避的不純物元
素は、それぞれ0.02%以下、合計でO,OS%以下
に規制した。なお各種不可避的不純物元素のうちでも特
にMn、Ti、Cr、V、Zrは導電率に悪影響を及ぼ
すから、これらはそれぞれ0.01%以下とすることが
望ましい。
以上のように、この発明のアルミニウム合金では、固溶
Feff1を100ppI以下、固溶5iffiを40
0pp+i以下に規制し、併せて不可避的不純物元素含
有量を前述のように規制することによって、導電率61
%以上の材料を安定して得ることが可能となつ 1こ
。
Feff1を100ppI以下、固溶5iffiを40
0pp+i以下に規制し、併せて不可避的不純物元素含
有量を前述のように規制することによって、導電率61
%以上の材料を安定して得ることが可能となつ 1こ
。
発明の実施のための具体的な説明
この発明のアルミニウム合金は、基本的には固溶Fe吊
、固溶5iffiをそれぞし1100pp以下、 ′
400ppm以下に規制していることが重要であるが、
このような固溶Feeは第1図に示すような分析方法に
よって知得することができ、また固溶S1吊は第2図に
示すような分析方法によって求めた残漬Si吊を総Si
吊から差引くことにより知得することができる。
、固溶5iffiをそれぞし1100pp以下、 ′
400ppm以下に規制していることが重要であるが、
このような固溶Feeは第1図に示すような分析方法に
よって知得することができ、また固溶S1吊は第2図に
示すような分析方法によって求めた残漬Si吊を総Si
吊から差引くことにより知得することができる。
次この弁明の導電用アルミニウム合金の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
この発明の導電用アルミニウム合金は前述のように合金
中の固溶Fe量および固溶5iffiを規制しており、
したがってその製造方法とし°てもこれらの固溶量を規
制するための方策を講じる必要がある。そこで基本的に
は、1IfJ述のような成分組成の合金鋳塊を熱間圧延
するに先立って300〜550℃において0.5〜24
時間加熱し、熱間圧延後に加工率50%以上の冷間加工
(冷間圧延もしくは線引加工等)を施し、最終焼鈍とし
て220〜330℃において0.5〜24時間加熱する
方法を適用することが望ましい。あるいはまた前記成分
組成の合金鋳塊を熱間圧延するに先立って前記同様に3
00〜550℃において0.5〜24時間加熱し、熱間
圧延後に加工率30%以上の冷間加工と220〜330
℃での0.5〜24時間の中間焼鈍とを1回または2回
以上繰返し実施した後、加工率50%以上の最終冷間加
工を行ない、その後最終焼鈍として前記同様に220〜
330℃において0.5〜24時間加熱する方法を適用
することが望ましい。
中の固溶Fe量および固溶5iffiを規制しており、
したがってその製造方法とし°てもこれらの固溶量を規
制するための方策を講じる必要がある。そこで基本的に
は、1IfJ述のような成分組成の合金鋳塊を熱間圧延
するに先立って300〜550℃において0.5〜24
時間加熱し、熱間圧延後に加工率50%以上の冷間加工
(冷間圧延もしくは線引加工等)を施し、最終焼鈍とし
て220〜330℃において0.5〜24時間加熱する
方法を適用することが望ましい。あるいはまた前記成分
組成の合金鋳塊を熱間圧延するに先立って前記同様に3
00〜550℃において0.5〜24時間加熱し、熱間
圧延後に加工率30%以上の冷間加工と220〜330
℃での0.5〜24時間の中間焼鈍とを1回または2回
以上繰返し実施した後、加工率50%以上の最終冷間加
工を行ない、その後最終焼鈍として前記同様に220〜
330℃において0.5〜24時間加熱する方法を適用
することが望ましい。
以下にこれらの製造方法についてさらに詳細に説明する
。
。
先ず前述のようにF e O,04〜0.70%、Si
0.04〜0.25%、その他の不可避的不純物を各元
素それぞれo、 02%以下、総量で0.05%以下ど
なるように調整されたアルミニウム合金溶湯を常法にし
たがって鋳造し、鋳塊を作成する。ここで常法とは、ブ
ロベルチ法や連続鋳造圧延法等による連続鋳造、あるい
はビレットやスラブのDC猜造等を意味する。
0.04〜0.25%、その他の不可避的不純物を各元
素それぞれo、 02%以下、総量で0.05%以下ど
なるように調整されたアルミニウム合金溶湯を常法にし
たがって鋳造し、鋳塊を作成する。ここで常法とは、ブ
ロベルチ法や連続鋳造圧延法等による連続鋳造、あるい
はビレットやスラブのDC猜造等を意味する。
このような鋳塊においては、その冷却速度によっても異
なるが、Feの固溶量は少なくとも300ppmを越え
ており、またSiはその添加量の大半が固溶している。
なるが、Feの固溶量は少なくとも300ppmを越え
ており、またSiはその添加量の大半が固溶している。
このようなレベルのFe固溶量、Si[1lil溶吊で
は当然のことながら導電率が低いから、固溶していたF
e、Siを鋳造後の工程において析出させて、これらの
固溶量を低減させる必要がある。そのための第1段階と
して、鋳塊の加熱および熱間圧延がある。すなわち、熱
間圧延に先立つ鋳塊の加熱を300〜550℃の温度範
囲にて0.5〜24時間保持の条件にて行ない、その後
熱間圧延を行なう。但しこの加熱は、均熱処理として行
なっても、あるいは熱間圧延直前の加熱処理として行な
っても良い。すなわち予め鋳塊を300〜b 再びその温度範囲に再加熱して熱間圧延に供しても良く
、あるいは鋳塊を300〜550℃X0.5〜24時間
加熱し、そのまま熱間圧延に供しても良い。
は当然のことながら導電率が低いから、固溶していたF
e、Siを鋳造後の工程において析出させて、これらの
固溶量を低減させる必要がある。そのための第1段階と
して、鋳塊の加熱および熱間圧延がある。すなわち、熱
間圧延に先立つ鋳塊の加熱を300〜550℃の温度範
囲にて0.5〜24時間保持の条件にて行ない、その後
熱間圧延を行なう。但しこの加熱は、均熱処理として行
なっても、あるいは熱間圧延直前の加熱処理として行な
っても良い。すなわち予め鋳塊を300〜b 再びその温度範囲に再加熱して熱間圧延に供しても良く
、あるいは鋳塊を300〜550℃X0.5〜24時間
加熱し、そのまま熱間圧延に供しても良い。
上述のように熱間圧延前の加熱を300〜b×0.5〜
24時間とする理由は次の通りである。
24時間とする理由は次の通りである。
すなわち、Feは300〜550℃の範囲でその析出が
最大どなるから、その温度範囲での加熱によりFeの固
溶量を低減することができる。ここで300℃未満では
「eの析出が不充分でその固溶量を充分に低減させるこ
とができず、一方550℃を越えればFeの再固溶が生
じてその固溶量が多くなってしまう。またSiは、鋳塊
段階では金属S:どじでは析出しないが、300〜55
0℃の範囲内の温度での加熱により固溶SiがAf−F
e系の晶出物中に移行して、αAtx Fes r 。
最大どなるから、その温度範囲での加熱によりFeの固
溶量を低減することができる。ここで300℃未満では
「eの析出が不充分でその固溶量を充分に低減させるこ
とができず、一方550℃を越えればFeの再固溶が生
じてその固溶量が多くなってしまう。またSiは、鋳塊
段階では金属S:どじでは析出しないが、300〜55
0℃の範囲内の温度での加熱により固溶SiがAf−F
e系の晶出物中に移行して、αAtx Fes r 。
βAlFe5 iとなったり、Al3Fe (S i
)となったりし、また析出物もαAI FeS i等と
なり、Feの析出とSiの析出とが共存する。ここで3
00℃未満ではSiの析出も不充分となり、一方550
℃を越えれば晶出物中のSiが再びマトリックス中へ移
行し、マトリックス中のSi固溶吊が増大してしまう。
)となったりし、また析出物もαAI FeS i等と
なり、Feの析出とSiの析出とが共存する。ここで3
00℃未満ではSiの析出も不充分となり、一方550
℃を越えれば晶出物中のSiが再びマトリックス中へ移
行し、マトリックス中のSi固溶吊が増大してしまう。
なお鋳塊加熱時間が0.5時間未満ではFe、Siを析
出させる効果が充分に得られず、一方24時間を越える
長時間加熱を行なってもいたずらにコストが増すだけで
ある。したがって鋳塊加熱の条件は300〜550℃に
て0.5〜24時間とする。
出させる効果が充分に得られず、一方24時間を越える
長時間加熱を行なってもいたずらにコストが増すだけで
ある。したがって鋳塊加熱の条件は300〜550℃に
て0.5〜24時間とする。
もちろん上述のような鋳塊加熱と熱間圧延の段階のみで
は、固F8F e量、固溶5iffiを目標とするレベ
ルまで低減させることは困難であるが、その後の処理に
先立って、上記条件での熱処理によりFe、5iの固溶
レベルを適当なレベルまで下げておかなければ、最終的
な目標レベルまで低下させることは困難である。
は、固F8F e量、固溶5iffiを目標とするレベ
ルまで低減させることは困難であるが、その後の処理に
先立って、上記条件での熱処理によりFe、5iの固溶
レベルを適当なレベルまで下げておかなければ、最終的
な目標レベルまで低下させることは困難である。
熱間圧延後には冷間圧延や冷間線引加工等の冷間加工を
行ない、その後最終焼鈍を施すが、この場合の冷間加工
は加工率50%以上どし、また最終焼鈍は220〜33
0℃の範囲内の温度で0.5〜24時間の加熱とする。
行ない、その後最終焼鈍を施すが、この場合の冷間加工
は加工率50%以上どし、また最終焼鈍は220〜33
0℃の範囲内の温度で0.5〜24時間の加熱とする。
これらの冷間圧延および最終焼鈍の条件も、Fe、5i
の析出を促進してその固溶量を低減させるために重要で
ある。すなわち、FeおよびSiの析出サイトとしては
転位が重要であり、転位密度を高くすることがFe、S
iの析出に寄与する。したがって冷間加工度を大きくし
て転位密度を高めておくことにより、その後の焼鈍でF
e、Siの析出量を多くし、固溶Fe吊、固溶5iff
iを目標レベルまで低減させることができる。冷間加工
後の最終焼鈍では、Fe、SiはAlFeSi系析出物
として析出し、またSiは金属Siとしても析出する。
の析出を促進してその固溶量を低減させるために重要で
ある。すなわち、FeおよびSiの析出サイトとしては
転位が重要であり、転位密度を高くすることがFe、S
iの析出に寄与する。したがって冷間加工度を大きくし
て転位密度を高めておくことにより、その後の焼鈍でF
e、Siの析出量を多くし、固溶Fe吊、固溶5iff
iを目標レベルまで低減させることができる。冷間加工
後の最終焼鈍では、Fe、SiはAlFeSi系析出物
として析出し、またSiは金属Siとしても析出する。
ここで、冷間加工率が50%未満では転位密度の1屏が
不充分であり、その後の最終焼鈍で充分なFe、Siの
析出が図れない。またR終焼鈍温度が220℃未満では
Fe、Siの析出が不充分であって、特にFeの析出が
不充分となり、一方330℃を越えてもFe、Siの析
出が不充分で、特にSlが再固溶をはじめて、固溶量低
減が達成されなくなる。最終焼鈍の時間が0.5時間未
満では上述のようなFe、Siの析出が充分に行なわれ
ず、一方24時間を越える長時間加熱を行なってもいた
ずらにコスト増大を招くだけである。したがって冷間加
工は加工率50%以上、最終焼鈍の条件は220〜b 鈍における加熱速度は遅いことが好ましく、通常は10
0’C/hr以下の昇温速度とすることが望ましい。
不充分であり、その後の最終焼鈍で充分なFe、Siの
析出が図れない。またR終焼鈍温度が220℃未満では
Fe、Siの析出が不充分であって、特にFeの析出が
不充分となり、一方330℃を越えてもFe、Siの析
出が不充分で、特にSlが再固溶をはじめて、固溶量低
減が達成されなくなる。最終焼鈍の時間が0.5時間未
満では上述のようなFe、Siの析出が充分に行なわれ
ず、一方24時間を越える長時間加熱を行なってもいた
ずらにコスト増大を招くだけである。したがって冷間加
工は加工率50%以上、最終焼鈍の条件は220〜b 鈍における加熱速度は遅いことが好ましく、通常は10
0’C/hr以下の昇温速度とすることが望ましい。
またFe、Siの析出をより一一促進させるために、熱
間圧延後に1次冷間加工と中間焼鈍とを1回行なうかま
たはこれらを2回以上繰返した後、最終冷間加工し、そ
の後R終焼鈍を施しても良い。
間圧延後に1次冷間加工と中間焼鈍とを1回行なうかま
たはこれらを2回以上繰返した後、最終冷間加工し、そ
の後R終焼鈍を施しても良い。
この場合の1次冷間加工は加工率30%以上とし、中間
焼鈍は220〜b とが好ましい。この場合も最終冷間加工は前述の場合と
同様に50%以上どし、最終焼鈍も220〜b 冷間加工による転位速度増大と上記温度範囲での焼鈍に
よるFe、Siの析出を繰返すことによって、Fe、S
iの固溶量を充分に低減させることが可能となる。
焼鈍は220〜b とが好ましい。この場合も最終冷間加工は前述の場合と
同様に50%以上どし、最終焼鈍も220〜b 冷間加工による転位速度増大と上記温度範囲での焼鈍に
よるFe、Siの析出を繰返すことによって、Fe、S
iの固溶量を充分に低減させることが可能となる。
実施例
第1表の合金符@1,2に示す成分組成の合金をDC鋳
造法により厚さ500rRIn1幅1200..のスラ
ブに鋳造し、そのスラブを第2表中に示す鋳塊加熱条件
で加熱して常法にしたがって熱間圧延し、厚さ41Rm
の熱延板とした。次いでその熱延板を第2表に示すよう
に冷間圧延−最終焼鈍、もしくは1次冷間圧延−中間焼
鈍−最終冷間圧延−R終焼鈍の工程にしたがって処理し
た。最終焼鈍後の板におけるFe固固溶、Si[ifl
溶量を既に述べた方法により調べるとともに、導電率を
調べた。その結果も第2表中に併せて示す。
造法により厚さ500rRIn1幅1200..のスラ
ブに鋳造し、そのスラブを第2表中に示す鋳塊加熱条件
で加熱して常法にしたがって熱間圧延し、厚さ41Rm
の熱延板とした。次いでその熱延板を第2表に示すよう
に冷間圧延−最終焼鈍、もしくは1次冷間圧延−中間焼
鈍−最終冷間圧延−R終焼鈍の工程にしたがって処理し
た。最終焼鈍後の板におけるFe固固溶、Si[ifl
溶量を既に述べた方法により調べるとともに、導電率を
調べた。その結果も第2表中に併せて示す。
第2表において、条件符号A−Cは同じ成分組成の合金
1について製造条件を変えることによって「e固溶量、
Si固溶吊を異ならしめたものであるが、条件符号Cで
はFe固固溶、Si固溶吊がこの発明で規定する上限を
越えているため61%以上の導電率が得られなかったの
に対し、条件符号A、8ではFe固固溶、Si固固溶が
それぞれこの発明の上限値の1001)111.4oo
ppHを下廻り、導電率61%以上を確保することがで
きた。また条件rT号り、Eは合金2について製造条件
を変えることによりFe、Siの固溶量を異ならしめた
ものであり、この場合も条件符号EではFe固固溶、S
i固固溶がこの弁明の上限を越えているため導電率が低
く、一方条件符号りでは「e固溶量、Si固固溶がそれ
ぞれ1100pp、4ooppmを下廻り、61%以上
の4電亭を確保することができた。
1について製造条件を変えることによって「e固溶量、
Si固溶吊を異ならしめたものであるが、条件符号Cで
はFe固固溶、Si固溶吊がこの発明で規定する上限を
越えているため61%以上の導電率が得られなかったの
に対し、条件符号A、8ではFe固固溶、Si固固溶が
それぞれこの発明の上限値の1001)111.4oo
ppHを下廻り、導電率61%以上を確保することがで
きた。また条件rT号り、Eは合金2について製造条件
を変えることによりFe、Siの固溶量を異ならしめた
ものであり、この場合も条件符号EではFe固固溶、S
i固固溶がこの弁明の上限を越えているため導電率が低
く、一方条件符号りでは「e固溶量、Si固固溶がそれ
ぞれ1100pp、4ooppmを下廻り、61%以上
の4電亭を確保することができた。
発明の効果
この発明の4電用アルミニウム合金は、Feの固溶量を
100ppm以下に規制するとともにSiの固溶量を4
00pp11以下に規制することによって、Feの総合
有量やSiの総合有量は極端に低減しなくても、またそ
の他の不純物元素含有量を極端に規制しなくても、61
%以上の高導電率が確実に得られ、したがってこの発明
の導電用アルミニウム合金を用いれば、いたずらに高コ
スト化を眉くことなく高導電率材料を得ることができる
。
100ppm以下に規制するとともにSiの固溶量を4
00pp11以下に規制することによって、Feの総合
有量やSiの総合有量は極端に低減しなくても、またそ
の他の不純物元素含有量を極端に規制しなくても、61
%以上の高導電率が確実に得られ、したがってこの発明
の導電用アルミニウム合金を用いれば、いたずらに高コ
スト化を眉くことなく高導電率材料を得ることができる
。
第1図はアルミニウム合金中におけるFeの固溶量を測
定するための分析方法を示すフローチャート、第2図は
アルミニウム合金中における固溶Siを除いた残漬Si
吊を測定づるための分析方法を示すフローチャートであ
る。 出願人 スカイアルミニウム株式会社代狸人 弁理士
閤田武久 (ほか1名) 第2図 0.3〜1、Og γ冷10分 ベンジルアルコール50威、140℃ メンブランフィルタ−ポアサイズ0.45伽ベンジルア
ルコ一ル6回 メタノール7回 20%Na0I−120ae 3%1−1202 2m 50%トI01 23d 50%HNO32戒 250威蒸溜水 50成 10%モリブデン酸アンモニウム4威 30℃×10分保持
定するための分析方法を示すフローチャート、第2図は
アルミニウム合金中における固溶Siを除いた残漬Si
吊を測定づるための分析方法を示すフローチャートであ
る。 出願人 スカイアルミニウム株式会社代狸人 弁理士
閤田武久 (ほか1名) 第2図 0.3〜1、Og γ冷10分 ベンジルアルコール50威、140℃ メンブランフィルタ−ポアサイズ0.45伽ベンジルア
ルコ一ル6回 メタノール7回 20%Na0I−120ae 3%1−1202 2m 50%トI01 23d 50%HNO32戒 250威蒸溜水 50成 10%モリブデン酸アンモニウム4威 30℃×10分保持
Claims (1)
- Fe0.04〜0.70wt%、Si0.04〜0.2
5wt%を含有し、不可避的不純物を各元素それぞれ0
.02wt%以下、総量で0.05wt%以下に規制し
、残部がAlからなる成分組成を有し、しかもFeの固
溶量が100ppm以下、Siの固溶量が400ppm
以下であることを特徴とする導電用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8367488A JPH01255637A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 導電用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8367488A JPH01255637A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 導電用アルミニウム合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255637A true JPH01255637A (ja) | 1989-10-12 |
JPH0543774B2 JPH0543774B2 (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=13809031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8367488A Granted JPH01255637A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 導電用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255637A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0456744A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 高導電性Al―Mg―Si系合金管の製造方法 |
WO2014057738A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | 株式会社Uacj | バスバー用板状導電体及びそれよりなるバスバー |
US10475547B2 (en) | 2014-04-10 | 2019-11-12 | Uacj Corporation | Aluminum-alloy sheet for bus bar and manufacturing method thereof |
WO2025028381A1 (ja) * | 2023-07-31 | 2025-02-06 | 田中電子工業株式会社 | アルミニウム配線材及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS495808A (ja) * | 1972-05-11 | 1974-01-19 | ||
JPS4910563A (ja) * | 1972-05-30 | 1974-01-30 | ||
JPS5068907A (ja) * | 1971-11-11 | 1975-06-09 | ||
JPS5150213A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-05-01 | Pechiney Aluminium | |
JPS5358915A (en) * | 1976-09-22 | 1978-05-27 | Alusuisse | Method of making a wire conductor consisted of aluminium alloy |
JPS549111A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-23 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Method of making conductive aluminum alloy wire |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8367488A patent/JPH01255637A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068907A (ja) * | 1971-11-11 | 1975-06-09 | ||
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JPS5358915A (en) * | 1976-09-22 | 1978-05-27 | Alusuisse | Method of making a wire conductor consisted of aluminium alloy |
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JPH0456744A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 高導電性Al―Mg―Si系合金管の製造方法 |
WO2014057738A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | 株式会社Uacj | バスバー用板状導電体及びそれよりなるバスバー |
JP5558639B1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-07-23 | 株式会社Uacj | バスバー用板状導電体及びそれよりなるバスバー |
US9362014B2 (en) | 2012-10-11 | 2016-06-07 | Uacj Corporation | Plate-like electric conductor for a busbar and the busbar formed therefrom |
US10475547B2 (en) | 2014-04-10 | 2019-11-12 | Uacj Corporation | Aluminum-alloy sheet for bus bar and manufacturing method thereof |
WO2025028381A1 (ja) * | 2023-07-31 | 2025-02-06 | 田中電子工業株式会社 | アルミニウム配線材及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0543774B2 (ja) | 1993-07-02 |
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