JPH01239091A - ダイヤモンドの改質法 - Google Patents
ダイヤモンドの改質法Info
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- JPH01239091A JPH01239091A JP63064863A JP6486388A JPH01239091A JP H01239091 A JPH01239091 A JP H01239091A JP 63064863 A JP63064863 A JP 63064863A JP 6486388 A JP6486388 A JP 6486388A JP H01239091 A JPH01239091 A JP H01239091A
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- JP
- Japan
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- diamond
- resistance value
- substrate
- oxygen
- resistance
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンドの電気的特性を改善する方法に
関する。
関する。
ダイヤモンドは硬度が高く、化学的に安定しているので
従来から工具などへの応用が図られてさたが、最近では
エレクトロニクス材料としての用途も開発されつつある
。
従来から工具などへの応用が図られてさたが、最近では
エレクトロニクス材料としての用途も開発されつつある
。
例えば、ダイヤモンドは熱伝導率が２Ｑ Ｗ／１３−に
と物質中最高であることから、ヒートシンク材料として
既に応用されている。又、バンドギャップが５．５θＶ
と大きく、本来絶縁物であることから、絶縁材料やパッ
シベーション用材料として応用可能である。更に、不純
物として硼素を含有させるとＰ型半導体となるので、耐
熱性、耐環境性に優れた半導体材料としても期待されて
いる。
と物質中最高であることから、ヒートシンク材料として
既に応用されている。又、バンドギャップが５．５θＶ
と大きく、本来絶縁物であることから、絶縁材料やパッ
シベーション用材料として応用可能である。更に、不純
物として硼素を含有させるとＰ型半導体となるので、耐
熱性、耐環境性に優れた半導体材料としても期待されて
いる。
これらエレクトロニクス材料としての用途に関する応用
研究は、近年ダイヤモンドの気相合成法が確立してから
一層盛んになっている。このダイヤモンドの気相合成法
は炭化水素と水素企原料ガスとし、これを活性化させ、
加熱した基板上にダイヤモンド膜を成長させるものであ
つ、原料ガスの活性化方法によって、例えば加熱した金
属フイラメントを用いる熱ＣＶＤ法（特願昭５６−１８
９４２３号公報参照）、あるいはマイクロ波プラズマを
用いるマイクロ波プラズマＯＶＤ法（特願昭５６−２０
４３２１号公報参照）などがある。基板として金属やシ
リコン等分使用すればダイヤモンド多結晶膜が成長し、
ダイヤモンド単結晶基板上にはダイヤモンド単結晶膜を
成長させることができる。
研究は、近年ダイヤモンドの気相合成法が確立してから
一層盛んになっている。このダイヤモンドの気相合成法
は炭化水素と水素企原料ガスとし、これを活性化させ、
加熱した基板上にダイヤモンド膜を成長させるものであ
つ、原料ガスの活性化方法によって、例えば加熱した金
属フイラメントを用いる熱ＣＶＤ法（特願昭５６−１８
９４２３号公報参照）、あるいはマイクロ波プラズマを
用いるマイクロ波プラズマＯＶＤ法（特願昭５６−２０
４３２１号公報参照）などがある。基板として金属やシ
リコン等分使用すればダイヤモンド多結晶膜が成長し、
ダイヤモンド単結晶基板上にはダイヤモンド単結晶膜を
成長させることができる。
本来、不純物を含まないダイヤモンドの比抵抗は１０
Ω・鋸である。然るに、人工的に合成したダイヤモン
ドの抵抗値は上記比抵抗より計算した値より低く、特に
上記の気相合成法により形成したダイヤモンドの抵抗値
は１２桁以上低くなり、エレクトロニクス材料として用
いる場合の絶縁性に問題があった。加えて、これらのダ
イヤモンドの抵抗値は雰囲気や温度によって経時的に変
化し安定していないため、半導体デバイス等に応用でき
なかった。
Ω・鋸である。然るに、人工的に合成したダイヤモン
ドの抵抗値は上記比抵抗より計算した値より低く、特に
上記の気相合成法により形成したダイヤモンドの抵抗値
は１２桁以上低くなり、エレクトロニクス材料として用
いる場合の絶縁性に問題があった。加えて、これらのダ
イヤモンドの抵抗値は雰囲気や温度によって経時的に変
化し安定していないため、半導体デバイス等に応用でき
なかった。
本発明はこのような従来の事情に鑑み、ダイヤモンドの
抵抗値を理論値近くに高め、且つその抵抗値を安定化さ
せること分目的とする。
抵抗値を理論値近くに高め、且つその抵抗値を安定化さ
せること分目的とする。
上記目的を達成するため、本発明においては、（１）ダ
イヤモンドを０．０１ ｔｏｒｒ以上の酸素含有雰囲気
中で１５０Ｃ以上に加熱することにより、又は（２）４
蛎ダイヤモンドを酸素分圧がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒ
以上の酸素含有ガスプラズマにさらすことにより、ダイ
ヤモンドの電気抵抗を高抵抗化し且つ安定化させる。
イヤモンドを０．０１ ｔｏｒｒ以上の酸素含有雰囲気
中で１５０Ｃ以上に加熱することにより、又は（２）４
蛎ダイヤモンドを酸素分圧がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒ
以上の酸素含有ガスプラズマにさらすことにより、ダイ
ヤモンドの電気抵抗を高抵抗化し且つ安定化させる。
絶縁性に問題のあるダイヤモンドは天然でも合成でも全
て本方法により電気抵抗の高抵抗化及び安定化をなし得
る。なかでも温度差法などによるバルク単結晶ダイヤモ
ンドや気相合成法による単結晶又は多結晶ダイヤモンド
膜に対して効果的であり１特に気相合成法では成長時に
活性化された水素雰囲気中に置かれるため、アズグロウ
ンのダイヤモンド膜は必ず抵抗値が相当低く且つ不安定
であり、本方法による効果が大きい。又、ダイヤモンド
として不純物を含まないものだけでなく、Ｎ、 ＢＸｉ
、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｓ、 Ｓｅ、 Ｃ１等の不純物を含
有たダイヤモンドであっても、本方法により電気抵抗を
高抵抗化し安定化させることができる。
て本方法により電気抵抗の高抵抗化及び安定化をなし得
る。なかでも温度差法などによるバルク単結晶ダイヤモ
ンドや気相合成法による単結晶又は多結晶ダイヤモンド
膜に対して効果的であり１特に気相合成法では成長時に
活性化された水素雰囲気中に置かれるため、アズグロウ
ンのダイヤモンド膜は必ず抵抗値が相当低く且つ不安定
であり、本方法による効果が大きい。又、ダイヤモンド
として不純物を含まないものだけでなく、Ｎ、 ＢＸｉ
、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｓ、 Ｓｅ、 Ｃ１等の不純物を含
有たダイヤモンドであっても、本方法により電気抵抗を
高抵抗化し安定化させることができる。
本方法による効果は、
（１）ダイヤモンドを０．０１ ｔｏｒｒ以上の酸素含
有雰囲気中で１５０Ｃ以上に加熱する方法では、酸素分
圧が高いほど又加熱温度が高いほど顕著で５つて、最大
１０桁以上抵抗値を上げることができる。特に好ましい
態様としては、酸素分圧が１０ ｔｏｒｒ以上であり、
大気中でも充分に目的を達成でさる利点がある。
有雰囲気中で１５０Ｃ以上に加熱する方法では、酸素分
圧が高いほど又加熱温度が高いほど顕著で５つて、最大
１０桁以上抵抗値を上げることができる。特に好ましい
態様としては、酸素分圧が１０ ｔｏｒｒ以上であり、
大気中でも充分に目的を達成でさる利点がある。
又、（２）ダイヤモンドを酸素分圧がＩ Ｘ １０−５
ｔｏｒｒ以上の酸素含有ガスプラズマにさらす方法は、
ダイヤモンドの温度によらず有効である利点があり、例
えば加熱なしに酸素分圧Ｉ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ及び
Ａｒ分圧５ Ｘ １０ ｔｏｒｒのガスを１３．５６
ＭＨｚ 、出力５０Ｗの放電プラズマ中に１０分間保
持するだけで効果が得られる。
ｔｏｒｒ以上の酸素含有ガスプラズマにさらす方法は、
ダイヤモンドの温度によらず有効である利点があり、例
えば加熱なしに酸素分圧Ｉ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ及び
Ａｒ分圧５ Ｘ １０ ｔｏｒｒのガスを１３．５６
ＭＨｚ 、出力５０Ｗの放電プラズマ中に１０分間保
持するだけで効果が得られる。
実施例１
人工合成したダイヤモンドのより型単結晶基板の（１１
０）面、（１００）面、（ｌｌ’ｌ）面上、並びに天然
の工ａ型ダイヤモンド基板の（１１１）面上に、マイク
ロプラズマＣＶＤ法により夫々ダイヤモンド単結晶膜を
成長させた。成長条件はいずれも、原料ガスＣＨ４／Ｈ
２＝１／２００、マイクロ波パワー４００Ｗ及び反応圧
力４０ ｔｏｒｒとし、各基板上に縦１．５朋、横２．
０羽で戻厚１μｍのダイヤモンド膜分得たＯ このダイヤモンド膜上にＡｕ／Ｍｏ／Ｔｉ ｉｉ極をｆ
ｌＱ、５ｍｍで蒸着により形成し、２端子法により室温
での電気抵抗を測定した後、大気中にて５００Ｃで１時
間加熱し再び室温での電気抵抗を測定した。
０）面、（１００）面、（ｌｌ’ｌ）面上、並びに天然
の工ａ型ダイヤモンド基板の（１１１）面上に、マイク
ロプラズマＣＶＤ法により夫々ダイヤモンド単結晶膜を
成長させた。成長条件はいずれも、原料ガスＣＨ４／Ｈ
２＝１／２００、マイクロ波パワー４００Ｗ及び反応圧
力４０ ｔｏｒｒとし、各基板上に縦１．５朋、横２．
０羽で戻厚１μｍのダイヤモンド膜分得たＯ このダイヤモンド膜上にＡｕ／Ｍｏ／Ｔｉ ｉｉ極をｆ
ｌＱ、５ｍｍで蒸着により形成し、２端子法により室温
での電気抵抗を測定した後、大気中にて５００Ｃで１時
間加熱し再び室温での電気抵抗を測定した。
結果を第１表に要約した。
第 １ 表
基 板 加熱後抵抗値 加熱後抵抗値より （１１０
） ｌＸｌ０ Ω １×１０ Ω以上より
（１００） ２Ｘ１０ Ω １×１０
Ω以上より （１１１） ４Ｘ１０ Ω
１×１０ Ω以上工 ａ （１１，１）
Ｉ Ｘ １０ Ω １×］ＯΩ以」
ニいずれの場合も抵抗値は７桁以上高くなり、この抵抗
値は以後殆ど変化しなかった。
） ｌＸｌ０ Ω １×１０ Ω以上より
（１００） ２Ｘ１０ Ω １×１０
Ω以上より （１１１） ４Ｘ１０ Ω
１×１０ Ω以上工 ａ （１１，１）
Ｉ Ｘ １０ Ω １×］ＯΩ以」
ニいずれの場合も抵抗値は７桁以上高くなり、この抵抗
値は以後殆ど変化しなかった。
実施例２
熱ＣＶＤ法により基板温度９００Ｃの基板上に成長させ
た以外、実施例１と同様にしてダイヤモンド膜を形成し
、実施例１と同様にして抵抗値を測定した結果を第２表
に示した。
た以外、実施例１と同様にしてダイヤモンド膜を形成し
、実施例１と同様にして抵抗値を測定した結果を第２表
に示した。
第 ２ 表
基 板 加熱剤抵抗値 加熱後抵抗値より （１１
０） ２Ｘ１０ Ω １×１０ Ω
以上より （１００） ４Ｘ１０ Ω
１×１０ Ω以上より （１１１） ｌＸ
ｌ０ Ω １×１０ Ω以上工ａ （１１１
） ３Ｘ１０ Ω １×１０ Ω以
上いずれの場合も、抵抗値は７桁以上高くなり、この抵
抗値は以後殆ど変化しなかった。
０） ２Ｘ１０ Ω １×１０ Ω
以上より （１００） ４Ｘ１０ Ω
１×１０ Ω以上より （１１１） ｌＸ
ｌ０ Ω １×１０ Ω以上工ａ （１１１
） ３Ｘ１０ Ω １×１０ Ω以
上いずれの場合も、抵抗値は７桁以上高くなり、この抵
抗値は以後殆ど変化しなかった。
実施例３
より型単結晶ダイヤモンド基板の（１００）面に、実施
例１と同様の条件でマイクロ波プラズマＣｖＤ法により
ダイヤモンド膜を形成し、実施例１と同様に抵抗値を測
定したが、大気中での加熱温度を変化させた。結果分第
３表に要約した。
例１と同様の条件でマイクロ波プラズマＣｖＤ法により
ダイヤモンド膜を形成し、実施例１と同様に抵抗値を測
定したが、大気中での加熱温度を変化させた。結果分第
３表に要約した。
第３表
８×１ｏ Ω ２００ ＣＸ ６時間 ４×１
０ Ω１×１ｏ Ω ３００ＣＸ６ ／／
３Ｘ１０Ω５×１ｏ Ω ４００ＣＸ６ ＩＩ
３Ｘ１０ Ω７×１ｏ Ω ５０’０ＣＸ６
／／ ｌＸｌ０ Ω加熱温度が高いほど、ダ
イヤモンドは高抵抗化されることが判る。
０ Ω１×１ｏ Ω ３００ＣＸ６ ／／
３Ｘ１０Ω５×１ｏ Ω ４００ＣＸ６ ＩＩ
３Ｘ１０ Ω７×１ｏ Ω ５０’０ＣＸ６
／／ ｌＸｌ０ Ω加熱温度が高いほど、ダ
イヤモンドは高抵抗化されることが判る。
実施例４
Ｍｏ基板上に実施例１と同様の条件で多結晶ダイヤモン
ド膜〔膜厚５μｍ〕を成長させ、ダイヤモンド膜上とＭ
ｏ基板裏面とに直径３ ＷＩｍの電極を形成し、大気中
にて５００ Ｃで１時間加熱前後における厚さ方向の抵
抗値を測定した。加熱前（成長後）の抵抗値は１０
Ωであったのに対して、加熱後の抵抗値は１０ Ωと
なり、この抵抗値は以後殆ど変化しなかった。
ド膜〔膜厚５μｍ〕を成長させ、ダイヤモンド膜上とＭ
ｏ基板裏面とに直径３ ＷＩｍの電極を形成し、大気中
にて５００ Ｃで１時間加熱前後における厚さ方向の抵
抗値を測定した。加熱前（成長後）の抵抗値は１０
Ωであったのに対して、加熱後の抵抗値は１０ Ωと
なり、この抵抗値は以後殆ど変化しなかった。
実施例５
実施例３と同じ基板上に実施例１と同様の条件で弔結晶
ダイヤモンド膜を成長させ、実施例１と同様に電極を形
成して抵抗値を測定した。抵抗値は５×１０ Ωであっ
た。その後、このダイヤモンド膜を酸素圧０．０１ ｔ
ｏｒｒ ＳＲＦパワー２００Ｗの平行平板ＲＦ酸素プラ
ズマ中で３分間処理し、再び抵抗値を測定したところ、
抵抗値は１０ Ωに高ぬられ、この抵抗値は以後殆ど
変化しなかった。
ダイヤモンド膜を成長させ、実施例１と同様に電極を形
成して抵抗値を測定した。抵抗値は５×１０ Ωであっ
た。その後、このダイヤモンド膜を酸素圧０．０１ ｔ
ｏｒｒ ＳＲＦパワー２００Ｗの平行平板ＲＦ酸素プラ
ズマ中で３分間処理し、再び抵抗値を測定したところ、
抵抗値は１０ Ωに高ぬられ、この抵抗値は以後殆ど
変化しなかった。
実施例６
実施例３と同じ２枚の基板上に実施例１と同様の条件で
単結晶ダイヤモンド膜を成長させ、実施例１と同様に電
極を形成して抵抗値分測定した。
単結晶ダイヤモンド膜を成長させ、実施例１と同様に電
極を形成して抵抗値分測定した。
次に、このダイヤモンド膜を２０ ｔｏｒｒのＡｒ雰囲
気中で５００Ｃで１時間加熱したものと、２０ ｔｏｒ
ｒの０ 雰囲気中で５００ Ｃで１時間加熱したものと
につき夫々抵抗値を測定した。測定結果は、Ａｒ雰囲気
中で加熱したものが加熱前後で３×１０Ωと抵抗値が変
わらなかったのに対し、０ 雰囲気中で加熱したものは
５×１０ Ωから１０ Ωへと抵抗値が高くなった。
気中で５００Ｃで１時間加熱したものと、２０ ｔｏｒ
ｒの０ 雰囲気中で５００ Ｃで１時間加熱したものと
につき夫々抵抗値を測定した。測定結果は、Ａｒ雰囲気
中で加熱したものが加熱前後で３×１０Ωと抵抗値が変
わらなかったのに対し、０ 雰囲気中で加熱したものは
５×１０ Ωから１０ Ωへと抵抗値が高くなった。
本発明によれば、ダイヤモンドの抵抗値を理論値近くに
高め、且つその抵抗値を安定化させることができる。
高め、且つその抵抗値を安定化させることができる。
出願人 住友電気工業株式会社
＋（１，−＼
代理人 弁理土中村勝ツ広□’ニー７゛〜じ１
Claims (3)
- （１）ダイヤモンドを０．０１ｔｏｒｒ以上の酸素含有
雰囲気中で１５０℃以上に加熱することにより、その電
気抵抗を高抵抗化し且つ安定化させるダイヤモンドの改
質法。 - （２）ダイヤモンドを酸素分圧が１×１０＾−＾５ｔｏ
ｒｒ以上の酸素含有ガスプラズマにさらすことにより、
その電気抵抗を高抵抗化し且つ安定化させるダイヤモン
ドの改質法。 - （３）ダイヤモンドが気相合成法により基板上に形成し
たダイヤモンド膜であることを特徴とする請求項（１）
又は（２）に記載のダイヤモンドの改質法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064863A JP2620293B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ダイヤモンドの改質法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064863A JP2620293B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ダイヤモンドの改質法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239091A true JPH01239091A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2620293B2 JP2620293B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=13270428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63064863A Expired - Fee Related JP2620293B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ダイヤモンドの改質法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2620293B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
| US5352908A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond Schottky diode with oxygen |
| US5653952A (en) * | 1991-12-18 | 1997-08-05 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Process for synthesizing diamond using combustion method |
| EP0930378A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method of processing of CVD diamond coatings |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355197A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Toshiba Corp | 高純度ダイヤモンドの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63064863A patent/JP2620293B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355197A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Toshiba Corp | 高純度ダイヤモンドの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
| US5352908A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond Schottky diode with oxygen |
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| EP0930378A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method of processing of CVD diamond coatings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2620293B2 (ja) | 1997-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |