JPH011114A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は一軸磁気異方性を有する磁性薄膜に信号磁界を
印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検
出する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）を具備
して磁気記録媒体に記録される信号の検出を行なう、薄
膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘッドという）に関する。

〈従来の技術〉 従来、薄膜ＭＲヘッドは巻線型の磁気ヘッドと比較して
、多くの利点があることが知られている○この薄膜ＭＲ
ヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書き込まれた信
号磁界を受けることにょシ、ＭＲ素子内部の磁化方向が
変化し、この磁化方向の変化に応じたＭＲ水素子内部抵
抗の変化を外部出力として取り出すものである。従って
、薄膜ＭＲヘッドは磁束応答型のヘッドであり磁気記録
媒体の移送速度に依存せずに信号磁界を再生できる。又
、この薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術を適用す
ることによ勺高集積化及び多素子化が容易であるので、
高密度記録が行なわれる固定ヘッド弐ＰＣＭ録音機の再
生用磁気ヘッドとして有望視されている。

このようなＭＲ水素子外部磁界に対して２乗変化を示す
感応特性ケもつことから、ＭＲ水素子再生ヘッドとして
構成する場合、所定のバイアス磁界が必要となる。この
バイアス磁界を印加する方法には導体に直流電流を流す
ことによりバイアス磁界を誘起する方法及びＣｏ−Ｐ層
等の高抗磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法
等が知られでいる。

一方、ＭＲ素子単体で構成した薄膜ＭＲヘッドよりも、
ＭＲ水素子ヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生し
た磁束をＭＲヘッドまで導く磁束導入路（ヨーク）を配
置したヨーク型ＭＲヘッド（以下、ＹＭＲヘッドという
）と呼ばれる薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上
やＭＲ水素子耐久性の向上に有利であることが知られて
いる。

従来のＹＭＲヘッドになるＭＲ素子部の製造方法を第６
図及び第７図に示す。但し、第７図は第６図のＡ−Ｂ断
面の構造を示す。

基板１上にＭＲ水素子なる強磁性薄膜５　Ｎｉ　−Ｆｅ
合金膜が蒸着法等により形成され、同図（ａ）に示す如
く目的の形状に加工される。ＭＲ水素子トラック幅は多
トラツク構成となるため５０〜２００μｍ程度に設定さ
れる。ＭＲ水素子トラック幅が小さくなると、磁区状態
が不可逆的に変化して、ツ寵特性にバルクハウゼンノイ
ズが発生しやすくなる。

そこで、同図ら）のようにＭＲ素子両端部にＣｏ　−Ｐ
層からなる高保磁力薄膜６を備えて、容易軸方向に弱い
磁界を印加して磁壁を消失させ、バルクハウゼン・ノイ
ズのないＭＲ水素子得る必要がある。

上記、高保磁力薄膜６は無電解メツキにより作成される
。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし無電解メツキ膜はメツキされる面積が小さくなる
ほどメツキの前処理条件及びメツキ条件が厳しくなる。

従って、ＭＲ水素子トラック幅が小さくなるほど、被着
面積部分が小さくなり、無電解メツキにより作成される
高抗磁力薄膜の再現性が悪かった。即ちメツキ前処理条
件を厳しくすると、ＭＲ水素子なる強磁性薄膜の膜厚が
２００〜５００Ａと非常に薄いため、前処理液で腐食さ
れる。またメツキがされやすい条件にすると、高抗磁力
薄膜の特性が劣化する問題があった。

更に、ＭＲ水素子リード部には同図（ｃ）のようにＡＬ
、Ａｔ−Ｃｕ等の導電層７が蒸着法、ＲＦスパッタ法に
よシ作成され、これがケミカルエツチング等により目的
の形状に加工されるが、上記の条件で形成されたＭＲ水
素子、強磁性薄膜と導電層の接触面積が小さいので、コ
ンタクト抵抗が無視できず、トラック間でＭＲ水素子抵
抗値にバラツキが生じるという問題もあった。

本発明は薄膜磁気ヘッドに使用される再生用薄膜ＭＲヘ
ッドに於いて、ＭＲ素子部となる高抗磁力薄膜を再現性
良く作成し、リードとの接触抵抗の向上を図るものであ
る。

く問題点を解決するための手段〉 印加される信号磁界の変化を一軸磁気異方性を有する強
磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子部のリード部は強磁
性薄膜と高抗磁力薄膜との少なくとも２層を積層して構
成する〇 く作　用〉 ＭＲ素子部のリードが強磁性薄膜だけでなく少なくとも
高抗磁力薄膜を重ねて堆積した２層膜を使用するため、
信号検出のためのリードが安定に作製することができ、
磁気ヘッドの動作の信頼性を高め得゛る。

〈実施例１．〉 平面構成を示す。第２図（ａ）は第１図のＡ−Ｂ断面の
構造を示し、第２図（ｂ）は第１図のＣ−Ｄ断面の構造
を示す。

下部ヨークを形成する基板１１はＮｉＺｎフェライト基
板等から成る。この基板１１上にＳ　ｉＯ＋５ｉＯｚ等
の第１絶縁層２がＲＦ’スパッタ法等により形成される
。次にこのＭ１絶縁層２上にＡｔ等の導体層３がＲＦス
パッタ法等により形成される。

この導体層３を目的の形状にドライエツチング法等によ
り加工される。次に導体層３を被う第２絶縁層４を介し
てＭＲ水素子なる強磁性薄膜５が形成される。上記強磁
性薄膜（Ｎｉ−Ｆｅ合金膜）５は図に示すようにＭＲ素
子部５ａ及びリード部５ｂ、５ｃの形状にケミカルエツ
チング法により加工される。次に、リード部５ｂ＋　　
５ｃに第２図（ｂ）に示す如く高抗磁力薄膜Ｃｏ−Ｐ等
６を１層程度無電解メツキする。上記Ｃｏ−Ｐメツキ膜
はリード部の広い面積にわたるため従来と比較して３０
０〜１０００倍と大きくなシ、再現性良（Ｃｏ−Ｐメノ
キ層を形成することができる。またＮ　ｉ　Ｆ　ｅ合金
膜とＣｏ−Ｐメツキ膜の接触面積が大きいので、コンタ
クト抵抗も無視できる。Ｃｏ−Ｐメツキ膜を厚膜形成し
ても、メツキ膜の特徴により断面形状がまるくなり、強
磁性薄膜を被う第３絶縁層８による段差被覆も良好とな
る。

その後従来のＹＭＲヘッドの作製工程と同様にフロント
ギツプ部及び上部ヨーク９と下部ヨーク１１間に位置す
る絶縁層をエツチング後、上部ヨーク９を形成してＹＭ
Ｒヘッドが完成する。

〈実施例２〉 本発明をＭＲ素子に適用した場合の例を示す。　。

第３図（ａ）〜（ｃ）において、まず基板上に被着した
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜５をＭＲ素子部５ｄ及びリード部５ｅ
、５ｆの形状にケミカルエツチングにより加工後、リー
ド部６ｅ＋　６ｆの形状にＣｏ−Ｐ膜６を無電解メツキ
により選択メツキする。次にＡｔ等からなる導電層を全
面形成（ＲＦスパッタ法等）後、リード形状７ｅ＋　７
ｆにケミカルエツチングにより（エツチング液＝　ＫＯ
Ｈ＋（ＮＨ３）２８２ｇ５　＋Ｈ２０）加工し、第３図
（ｃ）に示すＭＲ素子が完成する０ 第４図（ａ）、　（ｂ）において、Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ合
金膜５を基板全面に形成後、リード形状６　ｈ　＋　６
１にＣｏ−Ｐ６を無電解メツキにより選択メツキする。

次にＮ　ｉ　−Ｆ　ｅ合金膜５をＭＲ素子形状５ｇ及び
リード形状にＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２０組成のエツ
チング液を利用してエツチングすることによりＭＲ素子
が完成する。

第５図（ａ）〜（Ｃ）において、基板上にＮｉ−Ｆｅ合
金膜５を全面に形成後、リード形状６に、６１にＣｏ−
Ｐ６を無電解メツキにより選択メツキする。

次に導電層Ａｔを全面蒸着後、リード形状７ｋ。

７１にケミカルエツチングにより加工する。さらに、Ｍ
Ｒ素子部５ｊ及びリード部７に、７１の形状にＮｉ−Ｆ
ｅ合金膜５を加工して、完成する。

上記第３図〜第５図に於いても無電解メツキ膜の面積が
大きいので再現性良くメツキされ、コンタクト抵抗も無
視できる。

尚、本実施例ではＹＭＲヘッドに適用した場合について
、説明したが、ノンシールド型ＭＲヘッド、両面シール
ド型ＭＲヘッド等の他のＭＲヘッドに適用した場合も同
様の効果が得られる。

〈発明の効果〉 以上、詳述したように、本発明の構造によれば、ＭＲ素
子部を形成する高抗磁力薄膜が再現性良く得られ、コン
タクト抵抗のバラツキも少なく、良好なＭＲヘッドが得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＹＭＲヘッドの平面図、第２図（
ａ）は第１図のＡ−Ｂ断面構造図、第２図（ｂ）はＣ−
Ｄ断面構造図、第３図、第４図、第５図は本発明に係る
他の実施例のＹＭＲヘッドのＭＲ素子部の平面図、第６
図は従来の実施例のＹＭＲヘッドのＭＲ素子部の平面図
、第７図は要部断面構造図である。 １＝基板　２，４．８＝絶絶縁　３，７−導電層　５−
強磁性薄膜　６＝高抗磁力薄膜　９＝上部ヨーク 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名う■ １に３　図 く　　　　　０ ７に Ｊｔ 第５　図 ＼ 岑６ｖＡ （Ｃ）　　　　７ 覗 ＄　７　可

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、印加される信号磁界の変化を一軸磁気異方性を有す
   る強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効
   果型薄膜磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子に接続
   されたリード部は少なくとも強磁性薄膜と高抗磁力薄膜
   が積層されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド