JP7545822B2 - 封止用樹脂シート、封止用多層樹脂シートおよび電子素子パッケージ - Google Patents

Description

本発明は、封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シート、詳しくは、封止用樹脂シート、および、それを備える封止用多層樹脂シートに関する。

従来、熱硬化性樹脂を含む封止用シートを用いて、基板に隙間を隔てて実装される素子を、プレスにより封止し、その後、熱硬化性樹脂を熱硬化させて、封止用シートから硬化体を形成することが知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開２０１６－１６２９０９号公報

近年、電子機器の高機能化に伴い、素子の小型化が要求されている。それに伴い、硬化体に対しても、硬化時の寸法精度の向上が要求されている。具体的には、封止用シートには、素子の側端縁から、素子および基板間の隙間に進入する硬化体の進入長さを揃えて（近似させて）、素子の特性への影響を精度よくコントロールすることが求められる。

また、隙間の端縁を確実に閉塞して、素子への封止性を向上させることも求められる。

そして、進入長さは、基板および素子の隙間の厚み（厚み方向長さ）によって、通常、相違する。

例えば、第１隙間と、それより薄い（狭い）第２隙間とがある場合には、第１隙間における進入長さは、第２隙間における進入長さより、長い傾向にある。

そのため、第２隙間における硬化体の進入長さを抑制できるように、封止用シートの組成を調整しても、第１隙間における硬化体の進入長さを抑制できず、第１隙間に対応する素子、および、第２隙間に対応する素子の特性への影響を精度よくコントロールできないという不具合がある。

一方、第１隙間における硬化体の進入長さを抑制できるように、封止用シートの組成を調整すれば、第２隙間における硬化体の進入長さを十分に抑制できる。しかし、この場合には、硬化時の封止用シートの流動性が極端に低下するため、第２隙間の端縁を確実に閉塞できず、第２隙間に対応する素子に対する封止性が低減するという不具合がある。

本発明は、基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間に対する進入長さを近似させながら、それらに対応する素子に対する封止性にも優れる封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートを提供する。

本発明[１］は、熱硬化性樹脂を含有し、素子を封止するための封止用樹脂シートであり、熱硬化性樹脂を含有し、下記の＜試験１＞により求めれる第１進入長さＸ１、および、下記の＜試験２＞により求められる第２進入長さＸ２が、下記式（１）を満足する、封止用樹脂シートを含む。

Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （１）
＜試験１＞
ステップＡ：前記封止用樹脂シートから、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み２６０μｍのサンプルシートを形成する。
ステップＢ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミー素子が、厚みＴ５０μｍのバンプを介してガラス基板に実装されたダミー素子実装基板を準備する。
ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミー素子実装基板における前記ダミー素子を、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で封止して、前記サンプルシートから封止体を形成する。
ステップＤ：前記ステップＣの後に、前記封止体を、１５０℃、大気圧下、１時間加熱により熱硬化させて、前記封止体から硬化体を形成する。
ステップＥ：前記ステップＤの後に、前記ダミー素子の側端縁を基準として、前記側端縁から前記ダミー素子と前記ガラス基板との間の前記隙間に前記硬化体が進入する前記第１進入長さＸ１を測定する。
＜試験２＞
前記バンプの厚みＴを５０μｍから２０μｍに変更する以外は、前記試験１と同様にステップＢを実施し、続いて、前記ステップＣ～前記ステップＥを実施して、前記硬化体が前記隙間に進入する前記第２進入長さＸ２を実施する。

本発明[２］は、前記第１進入長さＸ１が、５０μｍ以下である、［１］に記載の封止用樹脂シートを含む。

本発明[３］は、前記素子は、基板に実装され、前記基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間が隔てられており、前記素子は、第１素子および第２素子を含み、前記複数の隙間は、前記第１素子および前記基板の間に位置する第１隙間と、前記第２素子および前記基板の間に位置し、前記第１隙間より厚み方向長さが短い第２隙間とを含む、［１］または［２］に記載の封止用樹脂シートを含む。

本発明[４］は、前記素子は、基板に実装され、前記基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間が隔てられており、前記基板は、絶縁板と、前記絶縁板の一方面に配置される端子とを備え、前記複数の隙間は、前記素子および前記絶縁板の間に位置する第１隙間と、前記素子および前記端子の間に位置する第２隙間とを含むことを特徴とする、［１］または［２］に記載の封止用樹脂シートを含む。

本発明［５］は、前記素子を封止するときに、前記封止用樹脂シートが前記素子に接触する[１］～[４］のいずれか一項に記載の封止用樹脂シートと、前記素子を封止するときに、前記封止用樹脂シートに対して前記素子の反対側に位置し、熱硬化性樹脂を含有する第２封止用樹脂シートとを厚み方向に順に備える、封止用多層樹脂シートを含む。

本発明の封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートは、第１進入長さＸ１および第２進入長さＸ２が式（１）（Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ）を満足する。そのため、封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートは、基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間への硬化体の進入長さを揃え（近似させ）ることができ、素子への特性の影響を精度よくコントロールできながら、素子に対する封止性に優れる。従って、本発明の封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートを、厚み方向長さが異なる隙間に対応する素子に配置し、これを加熱して硬化体を形成するときに、これらの隙間への硬化体の進入量を制御して、素子を封止することができる。

図１Ａ～図１Ｄは、封止用樹脂シート、および、それを含む封止用多層樹脂シートから第１進入長さＸ１を測定するステップ図であり、図１Ａが、サンプルシートを形成するステップＡ、図１Ｂが、基板との間隔Ｔが５０μｍであるダミー素子を準備するステップＢ、図１Ｃが、サンプルシートおよびダミー素子をプレスして封止体を形成するステップＣ、図１Ｄが、封止体を加熱して硬化体を形成するステップＤを示す。 図２Ａ～図２Ｄは、封止用樹脂シート、および、それを含む封止用多層樹脂シートから第２進入長さＸ２を測定するステップ図であり、図２Ａが、サンプルシートを形成するステップＡ、図２Ｂが、基板との間隔Ｔが２０μｍであるダミー素子を準備するステップＢ、図２Ｃが、サンプルシートおよびダミー素子をプレスして封止体を形成するステップＣ、図２Ｄが、封止体を加熱して硬化体を形成するステップＤを示す。 図３Ａ～図３Ｄは、封止用樹脂シート、および、封止用多層樹脂シートの第２実施形態を用いて、基板との間隔（Ｔ１、Ｔ２）が異なる複数の電子素子を封止して、電子素子パッケージを製造する工程図であり、図３Ａが、封止用樹脂シートを準備する工程、図３Ｂが、厚みが異なる複数の電子素子を準備する工程、図３Ｃが、封止用樹脂シートおよび複数の電子素子をプレスして封止体を形成する工程、図３Ｄが、封止体を加熱して硬化体を形成する工程を示す。 図４Ａ～図４Ｄは、図３Ａ～図３Ｄの一実施形態の変形例の工程断面図であり、図４Ａが、電極への距離、および、基板への異なる距離を形成する他方面を有する電子素子を準備する工程、図４Ｂが、封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートを、複数の電子素子に配置する工程、図４Ｃが、これらをプレスして封止体を形成する工程、図４Ｄが、封止体を加熱して硬化体を形成する工程を示す。 図５は、図４Ａに示す電子素子を備える素子実装基板の平面図である。

＜封止用樹脂シートの一実施形態＞
本発明の封止用樹脂シートおよび封止用多層樹脂シートの一実施形態を順に説明する。

封止用樹脂シートは、素子（図３Ｂ、図４Ａ参照）を封止するための樹脂シートである。より具体的には、封止用樹脂シートは、基板に実装され、基板に対する複数の隙間を有し、隙間の厚み方向長さ（以下、単に厚みという場合がある）が異なる素子（図３Ｂ、図４Ａ参照）を封止するための樹脂シートである。封止用樹脂シートは、熱硬化性樹脂を含有する。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。これらは、単独または２種以上併用することができる。

熱硬化性樹脂として、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は、後の封止用樹脂シートの製造方法で詳述する。

なお、熱硬化性樹脂は、完全硬化前（ＢステージまたはＡステージを含む）、および、完全硬化後（Ｃステージ）のいずれでもよい。好ましくは、完全硬化前、より好ましくは、Ｂステージである。

［第１進入長さおよび第２進入長さ］
この封止用樹脂シートは、下記の＜試験１＞および＜試験２＞のそれぞれを実施し、＜試験１＞により求めれる第１進入長さＸ１、および、下記の＜試験２＞により求められる第２進入長さＸは、下記式（１）を満足する。

Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （１）
＜試験１＞
ステップＡ：図１Ａに示すように、封止用樹脂シートから、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み２６０μｍのサンプルシート６１を形成する。

ステップＢ：図１Ｂに示すように、縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミー素子７１が、厚みＴ５０μｍのバンプ２３を介してガラス基板７２に実装されたダミー素子実装基板７４を準備する。

ステップＣ：図１Ｃに示すように、サンプルシート６１によって、ダミー素子実装基板７４におけるダミー素子７１を、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で封止して、サンプルシート６１から封止体３１を形成する。

ステップＤ：図１Ｄに示すように、ステップＣの後に、封止体３１を、１５０℃、大気圧下、１時間加熱により熱硬化させて、封止体３１から硬化体４１を形成する。

ステップＥ：図１Ｄの拡大図に示すように、ステップＤの後に、ダミー素子７１の側端縁７５を基準として、側端縁７５からダミー素子７１とガラス基板７２との隙間２６に硬化体４１が進入する第１進入長さＸ１を測定する。

＜試験２＞
図２Ａ～図２Ｄに示すように、バンプ２３の厚みＴを５０μｍから２０μｍに変更（薄く）する以外は、上記試験１と同様にステップＢを実施し、続いて、ステップＣ～ステップＥを実施して、側端縁７５からの硬化体４１が進入する第２進入長さＸ２を測定する。

＜試験１および試験２の各ステップの詳細＞
図１Ａおよび図２Ａに示すように、ステップＡにおいて、試験１および試験２のいずれにおいても、サンプルシート６１は、封止用樹脂シートを上記サイズにカットして準備する。

図１Ｂおよび図２Ｂに示すように、ステップＢにおいて、試験１および試験２のいずれにおいても、ダミー素子７１は、面方向に延びる略平板形状（チップ形状）を有する。

図１Ｂおよび図２Ｂに示すように、試験１および試験２のいずれにおいても、ガラス基板７２は、面方向に延びる略平板形状を有する。

試験１および試験２のいずれにおいても、バンプ２３は、ダミー素子７１の厚み方向他方面２８と、ガラス基板７２の厚み方向一方面２５に間に配置される。

図１Ｂに示すように、試験１では、バンプ２３の厚みＴは、５０μｍである。試験１において、厚み方向に投影したときに、バンプ２３と重複しない領域では、ダミー素子７１の厚み方向他方面２８と、ガラス基板７２の厚み方向一方面２５との間には、上記したバンプ２３の厚みＴ５０μｍと同一サイズの隙間２６が隔てられる。

図２Ｂに示すように、試験２では、バンプ２３の厚みは、２０μｍである。試験２において、厚み方向に投影したときに、バンプ２３と重複しない領域では、ダミー素子７１の厚み方向他方面２８と、ガラス基板７２の厚み方向一方面２５との間には、上記したバンプ２３の厚みＴ２０μｍと同一サイズの隙間２６が隔てられる。

図１Ｃおよび図２Ｃに示すように、ステップＣにおいて、２つの平板を備えるプレス２７により、サンプルシート６１およびダミー素子実装基板７４をセットして、それらをプレスする。

ステップＤでは、サンプルシート６１における熱硬化性樹脂が熱硬化（完全硬化、Ｃステージ化）する。

ステップＥでは、側端縁７５は、面方向に隣接するダミー素子７１の内側端縁を含む。
＜差（Ｘ１－Ｘ２）＞
＜試験１＞により求めれる第１進入長さＸ１（図１Ｄ参照）、および、下記の＜試験２＞により求められる第２進入長さＸ２（図２Ｄ参照）が、下記式（１）を満足する。

Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （１）
Ｘ１－Ｘ２（差）が３０μｍを上回れば、第２進入長さＸ２が、第１進入長さＸ１より、顕著に短くなる。つまり、第２進入長さＸ２と、第１進入長さＸ１とを揃えることができない。

この場合には、少なくとも、第２進入長さＸ２そのものが過度に短い場合（１）と、第２進入長さＸ２が過度に短くなくても、第１進入長さＸ１が過度に長い場合（２）とを含む。

場合（１）では、封止用樹脂シート１の材料（熱硬化性樹脂組成物）の処方が極端に流動性が低い。そのため、図２Ｄの拡大図における仮想線で示すように、隙間２６の外側において硬化体４１が形成（充填）されない第２隙間（未充填部分）が大きく形成され、そのため、電子に対する封止性が低減してしまう。

一方、場合（２）では、例えば、素子の厚み方向他方面に設けられる電極（図示せず）に硬化体４１が接触することに起因する素子の機能への影響が大きくなってしまう。つまり、素子への影響を精度よくコントロールできない。

Ｘ１－Ｘ２（差）の上限は、好ましくは、２７μｍ、より好ましくは、２６μｍ、さらに好ましくは、２５μｍ、とりわけ好ましくは、２０μｍ、最も好ましくは、１５μｍであり、さらには、１５μｍ、１０μｍ、５μｍが好適である。

他方、Ｘ１－Ｘ２（差）の下限は、例えば、０μｍである。通常、隙間２６の間隔Ｔが５０μｍである試験１、および、隙間２６の間隔Ｔが２０μｍである試験２のうち、試験１は、試験２より、隙間への間口（隙間の端縁）が広い。そのため、Ｘ１－Ｘ２（差）は、通常、０μｍ未満とならず、下記式（２）を満足する。
０≦Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （２）
Ｘ１－Ｘ２（差）の下限は、好ましくは、１μｍであり、また、好ましくは、３μｍである。

なお、この一実施形態では、第２進入長さＸ２および／または第１進入長さＸ１が、正数、負数のいずれをも含む。

なお、第２進入長さＸ２が負数ということは、ダミー素子７１の側端縁７５より外側に突出する空間（図２Ｄの太い破線参照）が形成されることを意味する。第１進入長さＸ１が負数である場合には、上記した第２進入長さＸ２が負数である場合と同様である。

好ましくは、第２進入長さＸ２および第１進入長さＸ１のいずれも正数である。第２進入長さＸ２および第１進入長さＸ１のいずれも正数であれば、隙間２６の外側において未充填部分が形成されないので、素子に対する封止性に優れる。

具体的には、第１進入長さＸ１の上限は、例えば、１００μｍ、好ましくは、９０μｍ、より好ましくは、７５μｍ、さらに好ましくは、５５μｍ、とりわけ好ましくは、５０μｍ、最も好ましくは、４０μｍであり、さらには、３０μｍ、２０μｍ、１０μｍが好適である。

第１進入長さＸ１が上記した上限以下であれば、異なる隙間のいずれに対しても、硬化体の進入を抑制でき、いずれの素子への影響も確実に抑制できる。

なお、第２進入長さＸ２の具体的な上限および下限は、上記した第１進入長さＸ１とともに上記式（１）を満足するように設定されていれば、特に限定されない。

＜封止用樹脂シートの製造方法＞
封止用樹脂シートを調製するには、まず、熱硬化性樹脂を準備する。好ましくは、熱硬化性樹脂および層状ケイ酸塩化合物を含有する熱硬化性樹脂組成物を調製する。

熱硬化性樹脂の好適な例であるエポキシ樹脂は、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物として調製される。

主剤としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これら主剤は、単独で使用または２種以上を併用することができる。主剤として、好ましくは、２官能エポキシ樹脂、より好ましくは、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が挙げられる。

主剤のエポキシ当量の下限は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．である。主剤のエポキシ当量の上限は、例えば、３００ｇ／ｅｑ．、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．である。

主剤の軟化点の下限は、例えば、５０℃、好ましくは、７０℃、より好ましくは、７２℃、さらに好ましくは、７５℃である。主剤の軟化点の上限は、例えば、１３０℃、好ましくは、１１０℃、より好ましくは、９０℃である。

主剤の軟化点が上記した下限以上であれば、図２Ｃに示す工程において、封止用樹脂シート１が流動できる。従って、図２Ｃに示す工程の時間短縮、および、図２Ｃに示す工程における封止用樹脂シート１の厚み方向一方面を平坦にできる。

硬化剤は、加熱によって、上記した主剤を硬化させる潜在性硬化剤である。硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。硬化剤がフェノール樹脂であれば、フェノール樹脂が主剤とともに、それらの硬化体が、高い耐熱性と高い耐薬品性とを有する。従って、硬化体は、封止信頼性に優れる。

硬化促進剤は、加熱によって、主剤の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）である。硬化促進剤としては、例えば、有機リン系化合物、例えば、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ－ＰＷ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。

熱硬化性樹脂組成物（固形分）（図１Ａおよび図２Ａに示す封止用樹脂シート１に相当）における熱硬化性樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂組成物）の含有割合の下限は、例えば、５質量％、好ましくは、１５質量％、より好ましくは、１７質量％である。熱硬化性樹脂組成物（固形分）における熱硬化性樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂組成物）の含有割合の上限は、例えば、３０質量％、好ましくは、２５質量％、より好ましくは、２０質量％、さらに好ましくは、１８質量％である。

熱硬化性樹脂組成物における主剤の割合の下限は、例えば、１質量％、好ましくは、３質量％、より好ましくは、１０質量％である。熱硬化性樹脂組成物における主剤の割合の上限は、例えば、３０質量％、好ましくは、１５質量％、より好ましくは、１２．５質量％である。エポキシ樹脂組成物における主剤の割合の下限は、例えば、３０質量％、好ましくは、５０質量％である。エポキシ樹脂組成物における主剤の割合の上限は、例えば、８０質量％、好ましくは、７０質量％である。

硬化剤の割合は、下記の当量比となるように設定される。具体的には、主剤中のエポキシ基１当量に対する、フェノール樹脂中の水酸基の合計の下限が、例えば、０．７当量、好ましくは、０．９当量である。主剤中のエポキシ基１当量に対する、フェノール樹脂中の水酸基の合計の上限が、例えば、１．５当量、好ましくは、１．２当量である。具体的には、主剤１００質量部に対する硬化剤の含有部数の下限は、例えば、２０質量部、好ましくは、４０質量部である。主剤１００質量部に対する硬化剤の含有部数の上限は、例えば、８０質量部、好ましくは、６０質量部である。

主剤１００質量部に対する硬化促進剤の含有部数の下限は、例えば、０．０５質量部である。主剤１００質量部に対する硬化促進剤の含有部数の上限は、例えば、５質量部である。

層状ケイ酸塩化合物は、封止用樹脂シートから封止体および硬化体（後述）を順に形成するときの流動調整剤である。具体的には、封止用樹脂シートを加熱して硬化体を形成するときに、硬化体の流動性を低減する、硬化時流動低減剤である。

層状ケイ酸塩化合物は、例えば、二次元（面方向に）に広がった層が、厚み方向に積み重なった構造（三次元構造）を有するケイ酸塩であって、フィロケイ酸塩と呼称される。

具体的には、層状ケイ酸塩化合物としては、例えば、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、ヘクトライト、ソーコナイト、スチーブンサイトなどのスメクタイト、例えば、カオリナイト、例えば、ハロイサイト、例えば、タルク、例えば、マイカなどが挙げられる。層状ケイ酸塩化合物として、好ましくは、スメクタイトが挙げられ、より好ましくは、モンモリロナイトが挙げられる。

層状ケイ酸塩化合物は、表面が変性されていない未変性物であってもよく、また、表面が有機成分により変性された変性物でもよい。好ましくは、熱硬化性樹脂との優れた親和性を得る観点から、層状ケイ酸塩化合物は、表面が有機成分により変性されている。具体的には、層状ケイ酸塩化合物として、表面が有機成分で変性された有機化スメクタイト、さらに好ましくは、表面が有機成分で変性された有機化ベントナイトが挙げられる。

有機成分として、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、フォスフォニウムなどの有機カチオン（オニウムイオン）が挙げられる。

アンモニウムとしては、例えば、ジメチルジステアリルアンモニウム、ジステアリルアンモニウム、オクタデシルアンモニウム、ヘキシルアンモニウム、オクチルアンモニウム、２－ヘキシルアンモニウム、ドデシルアンモニウム、トリオクチルアンモニウムなどが挙げられる。イミダゾリウムとしては、例えば、メチルステアリルイミダゾリウム、ジステアリルイミダゾリウム、メチルヘキシルイミダゾリウム、ジヘキシルイミダゾリウム、メチルオクチルイミダゾリウム、ジオクチルイミダゾリウム、メチルドデシルイミダゾリウム、ジドデシルイミダゾリウムなどが挙げられる。ピリジニウムとしては、例えば、ステアリルピリジニウム、ヘキシルピリジニウム、オクチルピリジニウム、ドデシルピリジニウムなどが挙げられる。フォスフォニウムとしては、例えば、ジメチルジステアリルフォスフォニウム、ジステアリルフォスフォニウム、オクタデシルフォスフォニウム、ヘキシルフォスフォニウム、オクチルフォスフォニウム、２－ヘキシルフォスフォニウム、ドデシルフォスフォニウム、トリオクチルフォスフォニウムなどが挙げられる。有機カチオンは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、アンモニウム、より好ましくは、ジメチルジステアリルアンモニウムが挙げられる。

有機化層状ケイ酸塩化合物として、好ましくは、表面がアンモニウムで変性された有機化スメクタイト、より好ましくは、表面がジメチルジステアリルアンモニウムで変性された有機化ベントナイトが挙げられる。

層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径の下限は、例えば、１ｎｍ、好ましくは、５ｎｍ、より好ましくは、１０ｎｍである。層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径の上限は、例えば、１００μｍ、好ましくは、５０μｍ、より好ましくは、１０μｍである。なお、層状ケイ酸塩化合物の平均粒子径は、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。

層状ケイ酸塩化合物としては、市販品を用いることができる。例えば、有機化ベントナイトの市販品として、エスベンシリーズ（ホージュン社製）などが用いられる。

熱硬化性樹脂組成物（封止用樹脂シート）における層状ケイ酸塩化合物の含有割合の下限は、例えば、０．１質量％、好ましくは、０．５質量％で、より好ましくは、１質量％、さらに好ましくは、２質量％、とりわけ好ましくは、３質量％、とりわけ好ましくは、４質量％、最も好ましくは、５質量％である。熱硬化性樹脂組成物（封止用樹脂シート）における層状ケイ酸塩化合物の含有割合の上限は、例えば、２５質量％、好ましくは、２０質量％、より好ましくは、１５質量％、さらに好ましくは、１０質量％である。

層状ケイ酸塩化合物の含有割合が上記した下限以上であれば、上記式（１）を確実に満足できる。

なお、熱硬化性樹脂組成物には、例えば、層状ケイ酸塩化合物以外の無機フィラー、熱可塑性樹脂、顔料、シランカップリング剤、その他の添加剤を添加することができる。

無機フィラーとしては、例えば、オルトケイ酸塩、ソロケイ酸塩、イノケイ酸塩などの層状ケイ酸塩化合物以外のケイ酸塩化合物、例えば、石英（ケイ酸）、シリカ（無水ケイ酸）、窒化ケイ素などのケイ素化合物（層状ケイ酸塩化合物以外のケイ素化合物）などが挙げられる。また、無機フィラーとして、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素なども挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、層状ケイ酸塩化合物以外のケイ素化合物、より好ましくは、シリカが挙げられる。

無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。

無機フィラーのメジアン径の上限は、例えば、５０μｍ、好ましくは、２０μｍ、より好ましくは、１０μｍである。無機フィラーのメジアン径の下限は、また、例えば、０．１μｍ、好ましくは、０．５μｍである。なお、無機フィラーの平均粒子径は、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。

また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーのメジアン径より小さいメジアン径を有する第２フィラーとを含むことができる。

第１フィラーのメジアン径の下限は、例えば、１μｍ、好ましくは、３μｍである。第１フィラーのメジアン径の上限は、例えば、５０μｍ、好ましくは、３０μｍである。

第２フィラーのメジアン径の上限は、例えば、０．９μｍ、好ましくは、０．８μｍである。第２フィラーのメジアン径の下限は、例えば、０．０１μｍ、好ましくは、０．１μｍである。

第１フィラーのメジアン径の、第２フィラーのメジアン径に対する比の下限は、例えば、２、好ましくは、５である。第１フィラーのメジアン径の、第２フィラーのメジアン径に対する比の上限は、例えば、５０、好ましくは、２０である。

第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。

さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるいは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。

熱硬化性樹脂組成物における無機フィラーの含有割合の下限は、例えば、５０質量％、好ましくは、５５質量％、より好ましくは、６０質量％、さらに好ましくは、６５質量％である。熱硬化性樹脂組成物における無機フィラーの含有割合の上限は、例えば、９０質量％、好ましくは、８５質量％、より好ましくは、８０質量％、さらに好ましくは、７５質量％である。

無機フィラーの含有割合および／または含有部数が上記した下限以上であれば、図３Ｃに示す工程における封止用樹脂シート１が流動できる。

なお、無機フィラー１００質量部に対する層状ケイ酸塩化合物の含有部数の下限は、例えば、１質量部、好ましくは、２質量部、より好ましくは、３質量部、さらに好ましくは、５質量部である。無機フィラー１００質量部に対する層状ケイ酸塩化合物の含有部数の上限は、例えば、２５質量部、好ましくは、２０質量部、より好ましくは、１５質量部、さらに好ましくは、１０質量部、とりわけ好ましくは、８質量部である。

無機フィラーが第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、熱硬化性樹脂組成物における第１フィラーの含有割合の下限は、熱硬化性樹脂組成物中、例えば、３０質量％、好ましくは、４０質量％である。熱硬化性樹脂組成物における第１フィラーの含有割合の上限は、熱硬化性樹脂組成物中、例えば、６０質量％、好ましくは、５０質量％である。
第１フィラー１００質量部に対する第２フィラーの含有部数の下限は、例えば、３０質量部、好ましくは、４０質量部、より好ましくは、５０質量部である。第１フィラー１００質量部に対する第２フィラーの含有部数の上限は、例えば、７０質量部、好ましくは、６０質量部、より好ましくは、５５質量部である。

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６－ナイロンや６，６－ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。

熱可塑性樹脂として、好ましくは、熱硬化性樹脂との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー（共重合性モノマー）とを含むモノマー成分を重合してなる、カルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルコポリマー（好ましくは、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー）などが挙げられる。

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｔ－ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどの炭素数１～６のアルキル基などが挙げられる。

その他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマーなどが挙げられる。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量の下限は、例えば、１０万、好ましくは、３０万である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量の上限は、例えば、１００万、好ましくは、９０万である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。

熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）は、熱硬化性樹脂の熱硬化を阻害しないように調整される。具体的には、熱硬化性樹脂組成物における熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）の下限は、例えば、１質量％、好ましくは、２質量％である。熱硬化性樹脂組成物における熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）の上限は、例えば、１０質量％、好ましくは、５質量％である。

なお、熱可塑性樹脂は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の粒子径の下限は、例えば、０．００１μｍである。顔料の粒子径の上限は、例えば、１μｍである。熱硬化性樹脂組成物に対する顔料の割合の下限は、例えば、０．１質量％である。顔料の粒子径は、顔料を電子顕微鏡で観察して求めた算術平均径である。熱硬化性樹脂組成物に対する顔料の割合の上限は、例えば、２質量％である。

シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３－グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。熱硬化性樹脂組成物におけるシランカップリング剤の含有割合の下限は、例えば、０．１質量％、好ましくは、１質量％である。熱硬化性樹脂組成物におけるシランカップリング剤の含有割合の上限は、例えば、１０質量％、好ましくは、５質量％である。

まず、上記した各成分を配合して混合し、熱硬化性樹脂組成物を調製する。

必要により、溶媒をさらに適宜の割合で配合して、熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製する。溶媒としては、特に限定されず、例えば、アセトンなどのケトン系溶媒、例えば、メタノールなどのアルコール系溶媒などが挙げられ、好ましくは、ケトン系溶媒が挙げられる。

その後、ワニスを、図示しない剥離シートに塗布し、その後、加熱により乾燥させて、シート形状を有する封止用樹脂シート１（図１Ａおよび図２Ａ参照）を製造する。

なお、溶媒を配合せず、混練によって、熱硬化性樹脂組成物を調製し、押出によって、封止用樹脂シート１を製造することもできる。

なお、この封止用樹脂シートは、Ｂステージ（半硬化状態）であって、具体的には、Ｃステージ前の状態である。つまり、完全硬化前の状態である。封止用樹脂シートは、上記した乾燥における加熱や、混練押出における加熱によって、Ａステージ組成物から、Ｂステージシートに形成される。

封止用樹脂シート１の厚みの下限は、例えば、１０μｍ、好ましくは、２５μｍ、より好ましくは、５０μｍである。封止用樹脂シート１の厚みの上限は、例えば、３０００μｍ、好ましくは、１０００μｍ、より好ましくは、５００μｍ、さらに好ましくは、３００μｍ、とりわけ好ましくは、１００μｍである。

＜電子素子パッケージの製造＞
次いで、封止用樹脂シートによって、素子の一例としての電子素子を封止して、電子素子パッケージ５０を製造する方法を、図３Ａ～図３Ｄを参照して説明する。

この方法では、図３Ａに示すように、まず、封止用樹脂シート１を準備する。封止用樹脂シート１は、厚み方向に互いに対向する厚み方向一方面およびおよび他方面を有する。

別途、図３Ｂに示すように、電子素子２１を準備する。例えば、複数の電子素子２１を準備する。

図３Ｂに示すように、複数の電子素子２のそれぞれは、面方向に延びる略平板形状（チップ形状）を有する。複数の電子素子２のそれぞれの厚み方向他方面２８には、図示しない電極が設けられている。電子素子２１は、例えば、公知の電子材料を含有する。

複数の電子素子２１の基板２２に対する隙間（間隔）Ｔは、複数の電子素子２１毎に、異なる。

例えば、複数の電子素子２１は、基板２２に対して第１隙間Ｔ１が隔てられる第１素子９１と、基板２２に対して、第１隙間Ｔ１より狭い第２隙間Ｔ２で隔てられる第２素子９２とを含む。

第１素子９１および第２素子９２（複数の電子素子２１）のそれぞれは、第１隙間Ｔ１および第２隙間Ｔ２のそれぞれが形成される厚み方向他方面２８を有するように、基板２２に、第１バンプ３１および第２バンプ３２のそれぞれ（次に説明）を介して実装されている。

第２隙間Ｔ２に対する第１隙間Ｔ１の比（Ｔ１／Ｔ２）の下限は、例えば、１．１、好ましくは、１．２、より好ましくは、１．５、さらに好ましくは、２である。第２隙間Ｔ２に対する第１隙間Ｔ１の比（Ｔ１／Ｔ２）の上限は、例えば、１０，０００、好ましくは、１，０００、より好ましくは、１００、さらに好ましくは、１０である。

なお、この一実施形態では、複数の電子素子２１のそれぞれは、例えば、同一形状および同一サイズ（面方向長さおよび厚み）を有する。

複数の電子素子２１および基板２２は、素子実装基板２４に備えられる。

基板２２は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板２２の厚み方向一方面２５は、例えば、複数の電子素子２１の厚み方向他方面２８に平行する。基板２２は、絶縁板と、その一方面に配置される電極（図示せず）とを含む。電極（図示せず）は、第１バンプ３１および第２バンプ３２のそれぞれを介して、電気的に接続されている。

第１バンプ３１および第２バンプ３２は、第１素子９１および第２素子９２に対応して設けられる。

第１バンプ３１は、第１素子９１の電極（図示せず）と、基板２２の端子（図示せず）の間に配置される。第１バンプ３１の厚みは、第１素子９１と基板２２との間の間に形成される第１隙間８１の厚みに相当する。

第２バンプ３２は、第２素子９２の電極（図示せず）と、基板２２の端子（図示せず）の間に配置される。第２バンプ３２の厚みは、第１素子９１と基板２２との間の間に形成される第２隙間８２の厚みに相当する。

第１バンプ３１および第２バンプ３２の材料としては、例えば、半田、金などの金属などが挙げられる。

次いで、図３Ｂに示すように、封止用樹脂シート１を、複数の電子素子２１に配置する。具体的には、封止用樹脂シート１の厚み方向他方面を、複数の電子素子２１の厚み方向一方面に接触させる。

次いで、図３Ｃに示すように、封止用樹脂シート１および素子実装基板２４を、プレスする。具体的には、封止用樹脂シート１および素子実装基板２４を、熱プレスする。

例えば、２つの平板を備えるプレス２７により、封止用樹脂シート１および素子実装基板２４を厚み方向に挟みながら、それらをプレスする。なお、プレス２７の平板には、例えば、図示しない熱源が備えられる。

プレス条件（圧力、時間、さらには、温度など）は、特に限定されず、封止用樹脂シート１が、複数の電子素子２１のそれぞれの周側面を被覆する一方、素子実装基板２４（電子素子２１、第１バンプ３１、第２バンプ３２など）が損傷しない条件が選択される。より具体的には、プレス条件は、封止用樹脂シート１が複数の電子素子２１のそれぞれの周側面の外側において流動して、複数の電子素子２１のそれぞれの周側面を被覆しつつ、複数の電子素子２１のそれぞれと平面視で重複しない基板２２の厚み方向一方面２５に接触できるように、設定される。

具体的には、プレス圧の下限は、例えば、０．０５ＭＰａ、好ましくは、０．１ＭＰａである。プレス圧の上限は、例えば、１０ＭＰａ、好ましくは、５ＭＰａである。プレス時間の下限は、例えば、０．３分、好ましくは、０．５分である。プレス時間の上限は、例えば、１０分、好ましくは、５分である。

具体的には、加熱温度の下限は、例えば、４０℃、好ましくは、６０℃である。加熱温度の上限は、例えば、１００℃、好ましくは、９５℃である。

封止用樹脂シート１のプレスよって、封止用樹脂シート１は、複数の電子素子２１の外形に対応して塑性変形する。封止用樹脂シート１の厚み方向他方面は、複数の電子素子２１のそれぞれの厚み方向一方面および周側面と、複数の電子素子２１と平面視で重複しない基板２２の厚み方向一方面２５とに対応する形状に変形する。

これによって、封止用樹脂シート１は、第１隙間８１の端縁、および、第２隙間８２の端縁を閉塞する。これによって、電子素子２１は、優れた封止性で封止される。

なお、封止用樹脂シート１は、Ｂステージを維持しながら、塑性変形する。

これによって、封止用樹脂シート１は、複数の電子素子２１のそれぞれの周側面を被覆しつつ、平面視において、電子素子２１と重複しない基板２２の厚み方向一方面２５に接触する。

これによって、複数の電子素子２１を封止する封止体３１が、封止用樹脂シート１から形成（作製）される。封止体３１の厚み方向一方面は、平坦面になる。

このとき、図示しないが、封止体３１は、第１隙間８１および第２隙間８２にわずかに進入することが許容される。

その後、図３Ｄに示すように、封止体３１を加熱して、封止体３１から硬化体４１を形成する。

具体的には、封止体３１および素子実装基板２４をプレス２７から取り出し、続いて、封止体３１および素子実装基板２４を乾燥機で、大気圧下で、加熱する。

加熱温度（キュア温度）の下限は、例えば、１００℃、好ましくは、１２０℃である。加熱温度（キュア温度）の上限は、例えば、２００℃、好ましくは、１８０℃である。加熱時間の下限は、例えば、１０分、好ましくは、３０分である。加熱時間の上限は、例えば、１８０分、好ましくは、１２０分である。

上記した封止体３１の加熱によって、封止体３１から、Ｃステージ化（完全硬化）した硬化体４１が形成される。硬化体４１の厚み方向一方面は、露出面である。

第１隙間８１および第２隙間８２へのわずかな進入が許容された封止体３１の端縁が、隙間２６の内部にさらにわずかに進入して、硬化体４１となることが許容される。

そして、この一実施形態では、第１進入長さＸ１および第２進入長さＸ２が式（１）（Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ）を満足する。

そのため、封止用樹脂シート１は、基板２２に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間への硬化体４１の進入長さを揃え（近似させ）ることができ、電子素子２１への特性の影響を精度よくコントロールできながら、電子素子２１に対する封止性に優れる。

より具体的には、封止用樹脂シート１は、第１素子９１および基板２２間の第１隙間８１への硬化体５１の進入長さと、第２素子９２および基板２２間の第２隙間８２への硬化体５１の進入長さを揃え（近似させ）ることができ、第１素子９１および第２素子９２への特性を影響を精度よくコントロールできながら、第１素子９１および第２素子９２に対する封止性に優れる。つまり、複数の電子素子２１に対する封止性に優れる。

また、封止用樹脂シート１を、サイズが異なる第１隙間８１および第２隙間８２のそれぞれに対応する第１素子９１および第２素子９２のそれぞれに配置し、これを加熱して硬化体４１を形成するときに、サイズが異なる第１隙間８１および第２隙間８２への硬化体４１の進入量を制御して、第１素子９１および第２素子９２を均一に封止することができる。

従って、高い機能を有する第１素子９１および第２素子９２を含む電子素子２１を備える電子素子パッケージ５０を製造することができる。

＜封止用多層樹脂シート＞
図３Ａに示すように、封止用樹脂シート１は、封止用多層樹脂シート１１に、第２封止用樹脂シート１２とともに備えられてもよい。

封止用多層樹脂シート１１は、図３Ａ～図３Ｄに示すように、複数の電子素子２１を封止するときに、複数の電子素子２１に接触する封止用樹脂シート１と、複数の電子素子２１を封止するときに、封止用樹脂シート１に対して複数の電子素子２１の反対側に位置する第２封止用樹脂シート１２とを備える。

封止用多層樹脂シート１１は、封止用樹脂シート１と、第２封止用樹脂シート１２とを厚み方向一方側に順に備える。具体的には、封止用多層樹脂シート１１は、封止用樹脂シートと、その厚み方向一方面全面に配置される第２封止用樹脂シート１２とを備える。好ましくは、封止用多層樹脂シート１１は、封止用樹脂シート１と、第２封止用樹脂シート１２とのみを備える。

第２封止用樹脂シート１２の厚みの下限は、例えば、２５μｍ、好ましくは、５０μｍ、より好ましくは、１００μｍ、さらに好ましくは、１５０μｍである。第２封止用樹脂シート１２の厚みの上限は、例えば、１０００μｍ、好ましくは、５００μｍ、より好ましくは、３００μｍである。

封止用多層樹脂シート１１は、封止用樹脂シートと第２封止用樹脂シート１２とを貼り合わせることにより、準備される。

封止用多層樹脂シート１１の＜試験１＞および＜試験２＞のそれぞれで求められる第１進入長さＸ１および第２進入長さＸ２は、封止用樹脂シート１単独の＜試験１＞および＜試験２＞のそれぞれで求められる第１進入長さＸ１および第２進入長さＸ２と実質的に同一である。

なお、封止用多層樹脂シート１１の＜試験１＞および＜試験２＞のそれぞれで求められる第１進入長さＸ１および第２進入長さＸ２の測定対象は、例えば、第２封止用樹脂シート１２の硬化体ではなく、封止用樹脂シート１の硬化体である。

封止用多層樹脂シート１１も、上記した封止用樹脂シート１と同様の作用効果を奏することができる。

さらに、封止用多層樹脂シート１１が第２封止用樹脂シート１２を具備することで、他の機能を付与することができる。他の機能としては、例えば、硬化後の反り抑制などが挙げられる。

さらにまた、図３Ａ～図３Ｄでは、封止用多層樹脂シート１１および封止用樹脂シート１で、複数の電子素子２１を封止しているが、これに限定されず、例えば、図１Ａ～図１Ｄに示すように、単数の電子素子を封止することもできる。

なお、封止用樹脂シート１が上記した下限以上の割合でフィラーを含有し、第２封止用樹脂シート１２が上記した下限以上の割合でフィラーを含有すれば、図３Ｃに示すプレスによって、封止用樹脂シート１と第２封止用樹脂シート１２とが、流動できる。

このとき、封止用樹脂シート１は、電子素子２１に接触する一方、第２封止用樹脂シート１２は、封止用樹脂シート１に対して電子素子２１の反対側に位置する。つまり、封止体３１において隙間２６に面する端縁は、封止用樹脂シート１から形成される。一方、封止体３１の厚み方向一方面は、第２封止用樹脂シート１２から形成される。

その後、図３Ｄに示すように、封止体３１を加熱して、封止体３１から硬化体４１を形成する。

この封止用多層樹脂シート１１も、上記した封止用樹脂シート１と同じ作用効果を奏することができる。

とりわけ、封止用樹脂シート１および第２封止用樹脂シート１２が、５０℃以上、１３０℃以下の軟化点を有するエポキシ樹脂の主剤を含有すれば、図３Ｃに示す工程において、封止用樹脂シート１および第２封止用樹脂シート１２が流動できる。従って、図３Ｃに示す工程の時間短縮、および、図３Ｃに示す工程における第２封止用樹脂シート１２の厚み方向一方面を平坦にできる。

さらに、封止用樹脂シート１および第２封止用樹脂シート１２が、エポキシ樹脂の主剤とともにフェノール樹脂を硬化剤として含有すれば、硬化体４１が、高い耐熱性と高い耐薬品性とを有する。従って、硬化体４１は、封止信頼性に優れる。

なお、図３Ｃに示す工程において、第２封止用樹脂シート１２は、押圧力を受けて流動化し、厚み方向一方面が平坦になる。また、図３Ｃに示す工程において、封止用多層樹脂シート１１では、上述のように、第２封止用樹脂シート１２とともに封止用樹脂シート１が、押圧力を受けて軟化流動して、電子素子２１の外形に追従して変形する。図３Ｃに示す工程では、封止用樹脂シート１が、隙間２６にわずかに進入することが許容される。

そして、図３Ｄに示す工程では、封止用樹脂シート１は、昇温に伴う粘度の低下に基づいて、流動が抑制され、隙間２６への過度の進入が抑制される。すなわち、封止用樹脂シート１を含む封止用多層樹脂シート１１が硬化した硬化体４１では、硬化体進入長さＹを低減できる。

［変形例］
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。

図４Ａ～図５に示すように、電子素子２１と、絶縁板２０および端子２９間に厚みが互いに異なる隙間Ｔ１およびＴ２があってもよい。素子実装基板２４は、第１隙間８１、および、第２隙間８２を含む。

なお、図４Ａ～図４Ｄは、図５に示す電子素子パッケージのＸ－Ｘ線に沿う工程断面図である。図４Ａでは、Ｘ－Ｘ線に沿う部材（具体的には、端子２９、バンプ３３）をハッチング処理し、Ｘ－Ｘ線に沿わないが、Ｘ－Ｘ線の面方向一方側において視認される部材をハッチ処理なしで描画する。

この変形例では、基板２２は、絶縁板２０および端子２９を備える。

絶縁板２０は、面方向に延びる略平板形状を有する。

端子２９は、絶縁板２０の厚み方向一方面２５に配置されている。端子２９は、平面視において、電子素子２１の周端縁に沿って延びる。また、端子２９は、所定厚みＴ０を有する。端子２９は、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の端子２９のそれぞれは、電子素子２１の複数の電極（図示せず）のそれぞれに対応して設けられている。

端子２９の厚みＴ０は、第１隙間８１の厚みＴ１より、薄い。具体的には、端子２９の厚みＴ０の下限は、例えば、５μｍ、好ましくは、１５μｍである。端子２９の厚みＴ０の上限は、例えば、１００μｍ、好ましくは、５０μｍである。

端子２９は、電子素子２１の電極（図示せず）と、バンプ３３を介して、電気的に接続されている。

バンプ３３は、複数の端子２９に対応して複数設けられている。複数のバンプ３３のそれぞれは、電子素子２１の電極（図示せず）のそれぞれと、端子２９のそれぞれの間に配置される。バンプ３３の材料は、上記した第１バンプ３１の材料と同様である。バンプ３３の厚みＴ２は、上記した第２バンプ３２の厚みＴ２と同一である。バンプ３３の厚みＴ２は、絶縁板２０の厚み方向一方面２５と、電子素子２１の厚み方向他方面２８とが平行である場合に、第１隙間８１の厚みＴ１から、端子２９の厚みＴ０を差し引いた値（Ｔ２－Ｔ０）に相当する。

第２隙間８２は、電子素子２１および端子２９間にバンプ２３が介在することにより形成される隙間である。そのため、第２隙間８２の厚みＴ２は、バンプ３３の厚みＴ２と同一である。第２隙間８２は、電子素子２１の厚み方向他方面２８と、端子２９の厚み方向一方面３０との間の空間である。なお、第２隙間８２は、平面視において、電子素子２１の側端縁７５と部分的に重複する。詳しくは、第２隙間８２は、厚み方向に投影したときに、電子素子２１および端子２９が重なる領域のうち、バンプ３３を除く領域である。

第１隙間８１は、第２隙間８２の厚みＴ１より厚い厚みＴ２を有する。第１隙間８１は、第２隙間８２に連通する。具体的には、第１隙間８１の厚みＴ２は、第２隙間８２の厚みＴ１と、端子２９の厚みＴ０との合計厚みである。また、第１隙間８１は、電子素子２１の厚み方向他方面２８と、絶縁板２０の厚み方向一方面２５との間（間隙、あるいは、空洞）である。また、第１隙間８１は、厚み方向に投影したときに、電子素子２１および絶縁板２０が重なる領域のうち、端子２９を除く領域である。また、第１隙間８１は、電子素子２１の側端縁７５と部分的に重複する。

第１隙間８１および第２隙間８２は、電子素子２１の側端縁７５の全部と重複する。

図４Ａ～図５に示す変形例によれば、封止用樹脂シート１は、電子素子２１および絶縁板２０間の第１隙間８１への硬化体５１の進入長さと、電子素子２１および端子２９間の第２隙間８２への硬化体５１の進入長さを揃え（近似させ）ることができ、１つの電子素子２１において第１隙間８１に対応する部分と、第２隙間８２に対応する部分との特性を影響を精度よくコントロールできながら、第１隙間８１の外端縁および第２隙間８２の外端縁に対する封止性に優れる。つまり、１つの電子素子２１における複数の隙間に対する封止性に優れる。

また、封止用樹脂シート１を、サイズが異なる第１隙間８１および第２隙間８２を有する１つの電子素子２１に配置し、これを加熱して硬化体４１を形成するときに、サイズが異なる第１隙間８１および第２隙間８２への硬化体４１の進入量を制御して、１つの電子素子２１の第１隙間８１および第２隙間８２のそれぞれの外側を均一に封止することができる。

従って、高い機能を有する電子素子２１を備える電子素子パッケージ５０を製造することができる。

また、封止用多層樹脂シート１１における第２封止用樹脂シート１２は、多層であってもよい。

また、素子の一例として、電子素子２１を挙げたが、半導体素子を挙げることもできる。

以下に調製例、比較調製例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら調製例、比較調製例、実施例および比較例に限定されない。
また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

調製例および比較調製例で使用した各成分を以下に示す。

層状ケイ酸塩化合物：ホージュン社製のエスベンＮＸ（表面がジメチルジステアリルアンモニウムで変性された有機化ベントナイト）
主剤：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ－８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、潜在性硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）
アクリル樹脂：根上工業社製のＨＭＥ－２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー（アクリル系ポリマー）、重量平均分子量：６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：－３０℃、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
第１フィラー：ＦＢ－８ＳＭ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径７．０μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ－ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ－５０３）で表面処理した無機フィラー。無機フィラーの１００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理した無機粒子。

カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０、粒子径５０ｎｍ

調製例１～調製例７および比較調製例１～比較調製例２
表１に記載の配合処方に従って、熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製した。ワニスを剥離シートの表面に塗布した後、１２０℃で、２分間乾燥させて、厚み６５μｍの封止用樹脂シート１を作製した。封止用樹脂シート１は、Ｂステージであった。

調製例８
表２に記載の配合処方に従って、熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製した。ワニスを剥離シートの表面に塗布した後、１２０℃で、２分間乾燥させて、厚み１９５μｍの第２封止用樹脂シート１２を作製した。第２封止用樹脂シート１２は、Ｂステージであった。

実施例１～７および比較例１～比較例２
表３に示すような調製例の組合せで、封止用樹脂シートと第２封止用樹脂シートとを張り合わて、厚み２６０μｍの封止用多層樹脂シート１１を作製した。

評価
上記した試験１～試験２のそれぞれを実施して、第１進入長さＸ１、および、第２進入長さＸ２のそれぞれを求め、続いて、Ｘ２／Ｘ１を求めた。その結果を表３に示す。

そして、下記の基準１および基準２に従って、封止用多層樹脂シート１１を評価した。
結果を表４に示す。

＜基準１＞
○：下記式（１）を満足する。
×：下記式（１）を満足しない。
Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （１）

＜基準２＞
○：Ｘ１が、５０μｍ以下である。
○：Ｘ１が、５０μｍ超過である。

＜基準３＞
○：Ｘ２が、正数である。
△：Ｘ２が、負数である。

１ 封止用樹脂シート
１１ 封止用多層樹脂シート
２０ 絶縁板
２１ 電子素子
２３ バンプ
２６ 隙間
２９ 端子
３１ 封止体
４１ 硬化体
６１ サンプルシート
７２ ガラス基板
７４ ダミー素子実装基板
７５ 側端縁
８１ 第１隙間
８２ 第２隙間
９１ 第１素子
９２ 第２素子
Ｔ１ 厚み（第１隙間）
Ｔ２ 厚み（第２隙間）
Ｘ１ 第１進入長さ
Ｘ２ 第２進入長さ

Claims (9)

1. 熱硬化性樹脂を含有し、素子を封止するための封止用樹脂シートであり、
   下記の＜試験１＞により求められる第１進入長さＸ１、および、下記の＜試験２＞により求められる第２進入長さＸ２が、下記式（１）を満足することを特徴とする、封止用樹脂シート。
   Ｘ１－Ｘ２≦３０μｍ （１）
   ＜試験１＞
   ステップＡ：前記封止用樹脂シートから、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み２６０μｍのサンプルシートを形成する。
   ステップＢ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミー素子が、厚みＴ５０μｍのバンプを介してガラス基板に実装されたダミー素子実装基板を準備する。
   ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミー素子実装基板における前記ダミー素子を、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で封止して、前記サンプルシートから封止体を形成する。
   ステップＤ：前記ステップＣの後に、前記封止体を、１５０℃、大気圧下、１時間加熱により熱硬化させて、前記封止体から硬化体を形成する。
   ステップＥ：前記ステップＤの後に、前記ダミー素子の側端縁を基準として、前記側端縁から前記ダミー素子と前記ガラス基板との間の隙間に前記硬化体が進入する前記第１進入長さＸ１を測定する。
   ＜試験２＞
   前記バンプの厚みＴを５０μｍから２０μｍに変更する以外は、前記試験１と同様にステップＢを実施し、続いて、前記ステップＣ～前記ステップＥを実施して、前記硬化体が前記隙間に進入する前記第２進入長さＸ２を実施する。
2. 前記第１進入長さＸ１が、５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用樹脂シート。
3. 前記素子は、基板に実装され、前記基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間が隔てられており、
   前記素子は、第１素子および第２素子を含み、
   前記複数の隙間は、
   前記第１素子および前記基板の間に位置する第１隙間と、
   前記第２素子および前記基板の間に位置し、前記第１隙間より厚み方向長さが短い第２隙間とを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用樹脂シート。
4. 前記素子は、基板に実装され、前記基板に対して厚み方向長さが互いに異なる複数の隙間が隔てられており、
   前記基板は、絶縁板と、前記絶縁板の一方面に配置される端子とを備え、
   前記複数の隙間は、
   前記素子および前記絶縁板の間に位置する第１隙間と、
   前記素子および前記端子の間に位置する第２隙間とを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用樹脂シート。
5. 前記素子を封止するときに、前記封止用樹脂シートが前記素子に接触する請求項１～４に記載の封止用樹脂シートと、
   前記素子を封止するときに、前記封止用樹脂シートに対して前記素子の反対側に位置し、熱硬化性樹脂を含有する第２封止用樹脂シートと
   を厚み方向に順に備えることを特徴とする、封止用多層樹脂シート。
6. 厚み方向における一方面を有する基板と、
   前記基板の前記一方面に実装され、前記基板の前記一方面に対して第１隙間Ｔ１が隔てられる第１電子素子と、
   前記基板の前記一方面に実装され、前記基板の前記一方面に対して、前記第１隙間Ｔ１より狭い第２隙間Ｔ２が隔てられる第２電子素子と、
   前記基板の前記一方面に配置され、前記第１電子素子と前記第２電子素子とを封止する、請求項１～４のいずれか一項に記載の封止用樹脂シートの硬化体と、
   を備えることを特徴とする、電子素子パッケージ。
7. 厚み方向における一方面を有する基板と、
   前記基板の前記一方面に実装され、前記基板の前記一方面に対して第１隙間Ｔ１が隔てられる第１電子素子と、
   前記基板の前記一方面に実装され、前記基板の前記一方面に対して、前記第１隙間Ｔ１より狭い第２隙間Ｔ２が隔てられる第２電子素子と、
   前記基板の前記一方面に配置され、前記第１電子素子と前記第２電子素子とを封止する、請求項５に記載の封止用多層樹脂シートの硬化体と、
   を備えることを特徴とする、電子素子パッケージ。
8. 前記第２隙間Ｔ２に対する前記第１隙間Ｔ１の比（Ｔ１／Ｔ２）の下限は、１．１であることを特徴とする、請求項６または７に記載の電子素子パッケージ。
9. 前記第２隙間Ｔ２に対する前記第１隙間Ｔ１の比（Ｔ１／Ｔ２）の上限は、１００であることを特徴とする、請求項６～８のいずれか一項に記載の電子素子パッケージ。
   

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