JP7401247B2 - 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)下記式(1)で表される有機ケイ素化合物と、下記式(2)で表される直鎖状シロキサン及び下記式(3)で表される環状シロキサンのうち少なくとも一方との付加反応物であって、1分子中にSiH基を2個以上有する付加反応物、
(B)アルケニル基を1分子中に2個以上有する化合物、
(C)ヒドロシリル化反応触媒
(A)下記式(1)で表される有機ケイ素化合物と、下記式(2)で表される直鎖状シロキサン及び下記式(3)で表される環状シロキサンのうち少なくとも一方との付加反応物であって、1分子中にSiH基を2個以上有する付加反応物、
(B)アルケニル基を1分子中に2個以上有する化合物、
(C)ヒドロシリル化反応触媒
[(A)成分]
本発明の硬化性組成物における(A)成分は、後述の(B)成分とヒドロシリル化反応を起こす架橋剤として機能する。
本発明の硬化性組成物における(A)成分は、上記式(2)で表される直鎖状シロキサン及び/又は上記式(3)で表される環状シロキサン中に含まれるアルケニル基1モルに対して、上記式(1)で表される化合物を、過剰量、好ましくは1モルを越え10モル以下、より好ましくは1.5モルを越え5モル以下混合して両者の存在下でヒドロシリル化反応を行う事により得ることができる。
本発明の硬化性組成物における(B)成分は、アルケニル基を1分子中に2個以上有する化合物である。
本発明の(C)成分であるヒドロシリル化反応触媒は、上記(A)成分の調製に用いられるものと同様のものが使用できる。
本発明の硬化性組成物には、上記(A)~(C)成分に加え、必要に応じて酸化防止剤、無機充填剤、接着性向上剤等の成分を配合してもよい。
本発明の硬化性組成物の硬化物中には、上記(B)成分中の付加反応性炭素-炭素二重結合が未反応のまま残存している場合があり、それが大気中の酸素により酸化されることで硬化物が着色する原因となり得る。そこで、必要に応じ、本発明の硬化性組成物に酸化防止剤を配合することにより、このような着色を未然に防止することができる。
本発明の硬化性組成物の粘度や、本発明の硬化性組成物から得られる硬化物の硬度等を調整したり、強度を向上させたり、蛍光体の分散を良くするために、ナノシリカや、溶融シリカ、結晶性シリカ、酸化チタン、ナノアルミナ、アルミナ等の無機充填剤を添加しても良い。
本発明の硬化性組成物には、接着性向上剤を配合してもよい。接着性向上剤としては、シランカップリング剤やそのオリゴマー、シランカップリング剤と同様の反応性基を有するポリシロキサン等が例示される。
また、ポットライフを確保するために、1-エチニルシクロヘキサノール、3,5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール等の付加反応制御剤を配合することができる。
本発明の硬化性組成物を硬化して本発明の硬化物とする。前記硬化物は、硬度、靭性が高く、短波長領域の光透過性に優れる。なお、本発明の硬化性組成物の硬化条件については、特に制限されないが、60~180℃、5~180分の条件とすることが好ましい。
本発明では更に、上記の硬化性組成物から得られる硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置を提供する。
攪拌装置、冷却管、滴下ロートおよび温度計を備えた1Lの4つ口フラスコに、1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(北興化学工業株式会社製)660g(3.4モル)、5%Ptカーボン粉末(エヌ・イーケムキャット株式会社製)0.30gを加え、オイルバスを用いて85℃に加熱した。これにヘキサビニルジシロキサン(北興化学工業株式会社製)を47g(0.2モル)滴下した。滴下終了後、90~100℃の間で3時間撹拌した。撹拌終了後25℃に戻し、1H-NMRスペクトル測定にてビニル基のピーク消失を確認した。活性炭を11g加え1時間撹拌後、Ptカーボン粉末、及び活性炭を濾別し、減圧濃縮により余剰の1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを除去することで、(A-1)成分240g(無色透明、23℃における粘度:49Pa・s)を得た。
攪拌装置、冷却管、滴下ロートおよび温度計を備えた1Lの4つ口フラスコに、1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(北興化学工業株式会社製)496g(2.6モル)、5%Ptカーボン粉末(エヌ・イーケムキャット株式会社製)0.24gを加え、オイルバスを用いて85℃に加熱した。これに1,3,5-トリメチル-1,3,5-トリビニルシクロトリシロキサン(信越化学工業株式会社製)を78g(0.3モル)滴下した。滴下終了後、90~100℃の間で5時間撹拌した。撹拌終了後25℃に戻し、1H-NMRスペクトル測定にてビニル基のピーク消失を確認した。活性炭を9g加え1時間撹拌後、Ptカーボン粉末、及び活性炭を濾別し、濃縮により余剰の1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを除去することで、(A-2)成分220g(無色透明、23℃における粘度:2.9Pa・s)を得た。
攪拌装置、冷却管、滴下ロートおよび温度計を備えた500mLの4つ口フラスコに、1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(北興化学工業株式会社製)175g(0.9 モル)、5%Ptカーボン粉末(エヌ・イーケムキャット株式会社製)0.11gを加え、オイルバスを用いて85℃に加熱した。これにジメチルジフェニルジビニルジシロキサン(北興化学工業株式会社製)を93g(0.3モル)滴下した。滴下終了後、90~100℃の間で5時間撹拌した。撹拌終了後25℃に戻し、1H-NMRスペクトル測定にてビニル基のピーク消失を確認した。活性炭を4.0g加え1時間撹拌後、Ptカーボン粉末、及び活性炭を濾別し、濃縮により余剰の1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを除去することで、(A-3)成分182g(無色透明、23℃における粘度:1.5Pa・s)を得た。
表1に示す組成比(数値は質量部を表す)で下記の各成分を混合し、組成物中のアルケニル基に対するSiH基のモル比([SiH基]/[アルケニル基])が1.1となるように硬化性組成物を調製した。下記の例において、オルガノポリシロキサンの構成単位を表す記号は以下のとおりである。
MVi:(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2
MH:H(CH3)2SiO1/2
D2Φ:(C6H5)2SiO2/2
TΦ:(C6H5)SiO3/2
(A-1)上記合成例1で得られた付加反応物
(A-2)上記合成例2で得られた付加反応物
(A-3)上記合成例3で得られた付加反応物
比較成分
(A-4)MH 3TΦ 1で表される分岐状オルガノポリシロキサン
(B-1)MVi 2D2Φ 1で表される直鎖状オルガノポリシロキサン
(B-2)ビスフェノールAジアリルエーテル(北興化学工業株式会社製:製品名「BPA-AE」)
白金1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のポリシロキサン希釈品(白金含有量:1重量%)
上記実施例および比較例で得られた硬化性組成物について、下記手法に従い、その硬化物の性能を評価した。なお、比較例2については架橋剤と主剤((B)成分)が相溶せず、硬化物を得ることが出来なかった。
ガラス板で組んだ型の中に硬化性組成物を流し込み、150℃で4時間硬化を行い、硬化物を得た。ASTM D 2240に準じて、各硬化物の硬度(Shore DまたはType A)を23℃で測定した結果を表2に示す。なお、ShoreD硬度は2mm厚の硬化物にて測定し、値の前にDを付記した。また、TypeA硬度は6mm厚の硬化物にて測定し、値の前にAを付記した。
上記硬度測定と同様に調製した2mm厚の硬化物について、各硬化物の400nm光透過率を分光光度計を用いて測定した。測定結果を表2に示す。
上記硬度測定と同様に、実施例1,3,5及び比較例1では2mm厚の硬化物を作成し、実施例2,4,6では0.3mm厚の硬化物を作成した。それぞれの硬化物を直径1mmの金属棒に沿って23℃で直角に折り曲げた時の状態を、〇(割れずに曲がる)、×(割れる)で評価した。
上記硬度測定と同様に調製した2mm厚の硬化物について、各硬化物の伸び、及び引張強度をJIS-K-6249:2003に準じて23℃で測定した。測定結果を表2に示す。なお、実施例2,4,6の硬化物については硬度が非常に高く、伸び、引張強度は測定不能であった。
5…ボンディングワイヤ、 6…硬化性組成物の硬化物。
Claims (5)
- 下記(A)、(B)及び(C)を含む硬化性組成物。
(A)下記式(1)で表される有機ケイ素化合物と、下記式(2)で表される直鎖状シロキサン及び下記式(3)で表される環状シロキサンのうち少なくとも一方との付加反応物であって、1分子中にSiH基を2個以上有し、
上記式(1)で表される前記有機ケイ素化合物は、1,4-ビス(ジメチルシリル)ベンゼンであり、上記式(2)で表される前記直鎖状シロキサンは、ヘキサビニルジシロキサン又はジメチルジフェニルジビニルジシロキサンであり、上記式(3)で表される前記環状シロキサンは、1,3,5-トリメチル-1,3,5-トリビニルシクロトリシロキサンである、付加反応物
(B)MVi 2D2Φ 1で表される直鎖状オルガノポリシロキサン(MViは、(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2であり、D2Φは、(C6H5)2SiO2/2である)又はビスフェノールAジアリルエーテル
(C)ヒドロシリル化反応触媒 - 請求項1に記載の硬化性組成物を硬化してなることを特徴とする硬化物。
- 厚さ2mmにおける波長400nmの光透過率(25℃)が80%以上であることを特徴とする請求項2に記載の硬化物。
- ASTM D 2240に規定の硬さがデュロメータAで30以上であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の硬化物。
- 請求項2~4のいずれか1項に記載の硬化物により半導体素子が被覆されたものであることを特徴とする半導体装置。
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