JP7377182B2 - 磁気記録ヘッドおよびその製造方法、磁気記録装置ならびに磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
ライトギャップ(write gap)を含む磁性膜を有し、
上記ライトギャップにおいて、記録面側ギャップ幅は裏面側ギャップ幅より狭く、かつ
上記ライトギャップの記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有する磁気記録ヘッド、
に関する。
上記磁気記録ヘッドの製造方法であって、
基板上に非磁性材料部を形成すること、
上記基板上に上記非磁性材料部を覆うように磁性膜を形成すること、
上記磁性膜のライトギャップを形成すべき部分にイオンビーム加工によって開口部を形成すること、
を含み、かつ
上記イオンビーム加工される部分は、上記磁性膜と上記基板との間に上記非磁性材料部を有する製造方法、
に関する。
本発明の一態様は、ライトギャップを含む磁性膜を有し、上記ライトギャップにおいて、記録面側ギャップ幅は裏面側ギャップ幅より狭く、かつ上記ライトギャップの記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有する磁気記録ヘッドに関する。
これに対し、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、例えば後述するような製造方法を採用することによって、記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有しつつ、記録面側ギャップ幅が裏面側ギャップ幅より狭い磁気記録ヘッドの提供が可能になることを新たに見出した。かかる磁気記録ヘッドでは、裏面側で発生する磁場が高強度になりやすく、相対的に記録面側に磁束が集束しやすいと考えられる。このことが、記録能力向上に寄与すると推察される。ただし、本発明は、本明細書に記載の推察に限定されるものではない。
上記磁気記録ヘッドでは、少なくとも1つのライトギャップが、好ましくはすべてのライトギャップが、記録面側幅狭ライトギャップであり、記録面側ギャップ幅が裏面側ギャップ幅より狭い。
先に記載したように磁気記録ヘッドに含まれるすべての記録面側幅狭ライトギャップでの測定値の算術平均として算出されるライトギャップの記録面側ギャップ幅は、例えば0.1μm以上であることができ、記録能力の更なる向上の観点からは、0.2μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましい。また、かかるライトギャップの記録面側ギャップ幅は、例えば2.0μm以下であることができ、記録能力の更なる向上の観点からは、1.5μm以下であることが好ましく、1.3μm以下であることがより好ましい。また、上記磁気記録ヘッドに含まれる各記録面側幅狭ライトギャップについて、先に記載したように3箇所での測定値の算術平均として求められる記録面側ギャップ幅も、上記範囲であることができ、上記範囲であることが好ましい。
一方、上記磁気記録ヘッドにおいて、先に記載したように磁気記録ヘッドに含まれるすべての記録面側幅狭ライトギャップでの測定値の算術平均として算出されるライトギャップの裏面側ギャップ幅は、例えば1.0μm以上であることができ、記録能力の更なる向上の観点からは、2.0μm以上であることが好ましく、5.0μm以上であることがより好ましい。また、かかるライトギャップの裏面側ギャップ幅は、例えば25.0μm以下であることができ、記録能力の更なる向上の観点からは、20.0μm以下であることが好ましく、15.0μm以下であることがより好ましい。また、上記磁気記録ヘッドに含まれる各記録面側幅狭ライトギャップについて、先に記載したように3箇所での測定値の算術平均として求められる裏面側ギャップ幅も、上記範囲であることができ、上記範囲であることが好ましい。
また、先に記載したようにすべての記録面側幅狭ライトギャップでの測定値の算術平均として算出されるライトギャップの裏面側ギャップ幅とすべての記録面側幅狭ライトギャップでの測定値の算術平均として算出されるライトギャップの記録面側ギャップ幅との比(裏面側ギャップ幅/記録面側ギャップ幅)は、1.0超であることができ、1.5以上であることが好ましく、2.0以上であることがより好ましく、5.0以上であることが更に好ましい。また、上記の比は、例えば60.0以下であることができ、50.0以下であることが好ましく、40.0以下であることがより好ましく、30.0以下であることが更に好ましく、20.0以下であることが一層好ましい。また、上記磁気記録ヘッドに含まれる各記録面側幅狭ライトギャップについて、先に記載したように3箇所での測定値の算術平均として求められる裏面側ギャップ幅と記録面側ギャップ幅との比(裏面側ギャップ幅/記録面側ギャップ幅)も、上記範囲であることができ、上記範囲であることが好ましい。
上記磁気記録ヘッドでは、少なくとも1つのライトギャップが、好ましくはすべてのライトギャップが、記録面側幅狭ライトギャップであって、記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有する。イオンビーム加工によれば、例えば米国特許第6269533号明細書(特許文献1)に記載されているように繊細なギャップ形成が可能であるものの、単にイオンビーム加工するのみでは、先に記載したように、記録面側ギャップ幅が裏面側ギャップ幅より広くなるため記録能力は低下してしまうと考えられる。これに対し、上記磁気記録ヘッドは、記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有するものの記録面側ギャップ幅が裏面側ギャップ幅より狭いライトギャップを含むことによって、高い記録能力を発揮することができる。そのようなライトギャップを形成するための方法について、詳細は後述する。
以下、上記磁気記録ヘッドの構成例を図面を参照して説明する。ただし、図面に示す形態は例示であって、かかる形態に本発明は限定されない。
上記磁気記録ヘッドは、基板上に非磁性材料部を形成すること、上記基板上に上記非磁性材料部を覆うように磁性膜を形成すること、上記磁性膜のライトギャップを形成すべき部分にイオンビーム加工によって開口部を形成すること、を含む製造方法によって製造することができる。上記イオンビーム加工される部分は、上記磁性膜と上記基板との間に上記非磁性材料部を有する。かかる製造方法によれば、記録面側のギャップ端部にイオンビーム加工により形成された開口部を有するとともに裏面側のギャップ端部に非磁性材料部を有するライトギャップを有する磁気記録ヘッドを製造することができる。
本発明の一態様は、上記磁気記録ヘッドを含む磁気記録装置に関する。
本発明の一態様は、磁気記録媒体に上記磁気記録ヘッドによってサーボパターンを形成することを含む、サーボパターンを有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
サーボパターンの形成のためには、例えば図12に示すサーボライターを用いることができる。ただし、これに限定されない。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
磁気記録媒体には、テープ状の磁気記録媒体(即ち磁気テープ)とディスク状の磁気テープ(即ち磁気ディスク)とがある。また、磁気記録媒体は、一般に塗布型と金属薄膜型とに大別される。上記磁気記録ヘッドによってサーボパターンが形成される磁気記録媒体は、磁気テープまたは磁気ディスクであることができ、磁気テープであることが好ましい。また、上記磁気記録媒体は、塗布型磁気記録媒体であってもよく、金属薄膜型磁気記録媒体であってもよい。磁気記録媒体は、通常、非磁性支持体と強磁性粉末を含む磁性層とを有し、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有することができ、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に非磁性粉末を含むバックコート層を有することもできる。塗布型磁気記録媒体において、磁性層、非磁性層およびバックコート層は、結合剤を含み、1種以上の添加剤を任意に含むことができる。金属薄膜型磁気記録媒体は、例えば、スパッタ法によって形成された磁性層を有することができる。
測定対象の磁気記録媒体から振動試料型磁力計に導入可能なサイズのサンプル片を切り出す。振動試料型磁力計を用いて、最大印加磁界3979kA/m、測定温度296K、磁界掃引速度8.3kA/m/秒にて、サンプル片の垂直方向(磁性層表面と直交する方向)に磁界を印加し、印加した磁界に対するサンプル片の磁化強度を測定する。測定値は、振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。磁化強度がゼロになる印加磁界より保磁力(垂直方向保磁力)を求める。測定温度はサンプル片の温度である。サンプル片の周囲の雰囲気温度を296Kにすることにより、温度平衡が成り立つことによってサンプル片の温度を296K(測定温度)にすることができる。
ヘッドAとして、図8、図9および図10Aに示す例の磁気記録ヘッドを作製した。
コア部201の材料はマンガン亜鉛系フェライトであり、基板202の材料はケイ素酸化物である。
基板202上に、スパッタリングのターゲットとしてSiO2を使用してケイ素酸化物の連続層をスパッタ法によって成膜した後、リソグラフィプロセスによってパターニングを行い、ケイ素酸化物のパターンNを形成した(図11(a))。
その後、基板202上にケイ素酸化物のパターンNを覆うように磁性膜(Ta含有窒化鉄系合金(Fe含有率:80原子%以上)の連続層)をスパッタ法によって成膜した(図11(b))。
成膜後、FIB加工の加工対象領域を指定するために、記録面側の磁性膜表面において走査イオン顕微鏡(SIM)で撮像を行いSIM像を得た。このSIM像を用いて加工対象領域を指定し、指定した領域において集束イオンビーム装置によってFIB加工を行い、磁性膜のライトギャップを形成すべき部分(磁性膜と基板との間にケイ素酸化物のパターンNが含まれる部分)に開口部を形成した(図11(c))。FIB加工は、以下の条件で行った。
集束イオンビーム装置:日立ハイテク社製FB-2200
加速電圧:30kV
集束レンズ:有り
アパーチャー径:80μm
Dwell Time(1pixelあたりの照射時間):5μsec
こうして、図5に示す配置で合計10本のライトギャップWGを有する磁気記録ヘッドを作製した。「/」の形状の5本のライトギャップは同じ条件で作製し、「\」の形状の5本のライトギャップは同じ条件で作製した。
ライトギャップにおける記録面側ギャップ幅aは、FIB加工の加工条件によって調整できる。
磁性膜の厚みbは、スパッタ法の成膜条件を変えることにより調整できる。
裏面側ギャップ幅cは、パターニングによって形成するケイ素酸化物のパターンの幅に対応するため、パターニング条件によって調整できる。
非磁性材料部の厚みdは、ケイ素酸化物の連続層を成膜する際のスパッタ法の成膜条件を変えることにより調整できる。
上記の1つ以上を変えた点以外はヘッドAの作製と同様にして、ヘッドB~Nを作製した。
1層目のケイ素酸化物のパターンをヘッドAの作製と同様に行った後、そのパターンの上にケイ素酸化物をスパッタ法によってパターン状に形成した点以外、ヘッドAの作製と同様にして、図10Bに示す例のライトギャップを有するヘッドOを作製した。
ケイ素酸化物の連続層の成膜およびパターニングを行うことなく、基板202上に直接磁性膜を成膜した点以外、ヘッドAの作製と同様にして、ヘッドPを作製した。
<記録面側ギャップ幅a>
ヘッドA~Pの各ヘッドを記録面側から観察し、レーザー顕微鏡(Keyence社製VK-8700)によって10本のライトギャップについて、それぞれ、中央部付近と、一方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、他方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、の3箇所において、アジマス角方向に直交する方向における記録面側の末端部におけるギャップ幅(即ちFIB加工によって形成された開口部の記録面側の末端部における開口幅)を測定した。測定条件は、対物レンズ倍率:150倍、 XY方向の測定ステップ:0.01μm、とした。
10本のライトギャップについて得られた測定値(合計で10×3=30)の算術平均を求めた。算出された値を記録面側ギャップ幅aとして表1に示す。
また、10本のライトギャップでは、各ライトギャップについて3箇所での測定により得られた測定値の算術平均も表1に示す値であった。
ヘッドA~Pの各ヘッドの断面試料を作製し、作製した断面試料において、磁性膜のライトギャップを有さない部分の無作為に選択した1箇所において厚みをSEMによって、以下の条件で測定した。後述のSEMを用いた測定条件としても、以下の条件を採用した。測定された値を、磁性膜の厚みbとして表1に示す。
装置:日立ハイテク社製s-4800
加速電圧:5kV
倍率:100~2000倍の範囲内で測定対象物がSEMの観察視野内に一般的に適切に収まる倍率を選定
測定:SEMに表示されるスケールバーとの比較から測定
ヘッドA~Oの各ヘッドにおいて、10本のライトギャップについて、それぞれ、中央部付近と、一方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、他方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、の3箇所において、アジマス角方向に直交する方向で断面を露出させて断面試料を作製し、これら断面試料を用いてアジマス角方向に直交する方向における裏面側の末端部におけるギャップ幅(即ち非磁性材料部の幅(図10中のc))をSEMによって測定した。
ヘッドPにおいては、10本のライトギャップについて、それぞれ、中央部付近と、一方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、他方の末端部の近傍(末端部から10μm程度の箇所)と、の3箇所において、アジマス角方向に直交する方向で断面を露出させて断面試料を作製し、これら断面試料を用いてアジマス角方向に直交する方向における裏面側の末端部におけるギャップ幅(即ちFIB加工によって形成された開口部の裏面側の末端部における開口幅)をSEMによって測定した。
10本のライトギャップについて得られた測定値(合計で10×3=30)の算術平均を求めた。算出された値を裏面側ギャップ幅cとして表1に示す。
また、10本のライトギャップでは、各ライトギャップについて3箇所での測定により得られた測定値の算術平均も表1に示す値であった。
ヘッドA~Oについて、非磁性材料部の厚みdを以下の方法によって求めた。
各ヘッドにおいて、10本のライトギャップについて、それぞれ、無作為に選択した1箇所において断面試料を作製し、この断面試料において、非磁性材料部(ケイ素酸化物)の厚みをSEMによって測定した。
10本のライトギャップについて得られた測定値(合計で10×1=10)の算術平均を求めた。算出された値を非磁性材料部の厚みdとして表1に示す。
また、10本のライトギャップでは、各ライトギャップについて上記1箇所での測定により得られた測定値も表1に示す値であった。
表1に示すヘッドと磁気テープとの組み合わせで、飽和記録の可否を評価するための記録試験を行った。試験では、図12に示す構成のサーボライターを磁気テープの搬送のために使用し、再生ヘッドとしてはLTO-Gen(Generation)8ドライブで用いられている再生ヘッドを使用した。パルス電流の値を10mAから50mAまで連続的に上昇させた際に磁気テープから得られる再生信号を測定し、パルス電流の値を上昇させても再生信号の振幅が増加せず、わずかに減少し始めたことをもって、飽和記録されたと判定する。飽和記録されたと判定された場合を「OK」、判定されなかった場合を「NG」として、表1に試験結果を示す。
各磁気テープからサンプル片を切り出した。このサンプル片について、振動試料型磁力計として玉川製作所製TM-TRVSM5050-SMSL型を用いて、先に記載した方法によって垂直方向保磁力を求めた。
ヘッドA~Oにおいて、10本のライトギャップは、ライトギャップの記録面側のギャップ端部にFIB加工により形成された開口部を有する。この開口部は、裏面側まで貫通している貫通穴である。上記で作製した断面試料をSEM観察したところ、各ライトギャップのFIB加工により形成された貫通穴の断面形状は、記録面側から裏面側に向かって開口幅が狭くなる逆テーパー形状であった。ただし、非磁性材料部が設けられているため、10本のライトギャップでは、いずれも、記録面側ギャップ幅が裏面側ギャップ幅より狭い。かかるヘッドA~Oは、表1に示すように、ヘッドPでは飽和記録不可(比較試験例1)であった保磁力以上の保磁力を有する磁気テープに飽和記録可能であった。
また、表1に示す結果において、垂直方向保磁力がより高い磁気テープに対しても飽和記録可能であるヘッドほど、記録能力が高いということができる。
尚、ヘッドA~Pにおいて、記録面側の磁性膜表面のFIB加工によって形成された開口部近傍を光学顕微鏡で観察したところ、FIB加工の加工対象領域を指定するために走査イオン顕微鏡(SIM)で撮像を行った際のイオン照射によって変質した部分(所謂焼け跡)が確認された。
Claims (15)
- ライトギャップを含む磁性膜を有し、
前記ライトギャップにおいて、記録面側ギャップ幅は裏面側ギャップ幅より狭く、かつ
前記ライトギャップの記録面側のギャップ端部に開口部を有し、かつ
前記ライトギャップは裏面側のギャップ端部に非磁性材料部を含む磁気記録ヘッド。 - サーボライトヘッドである、請求項1に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記ライトギャップの記録面側ギャップ幅は0.2μm以上1.5μm以下である、請求項1または2に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記ライトギャップの裏面側ギャップ幅は2.0μm以上20.0μm以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記磁性膜の厚みは1.0μm以上10.0μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記磁性膜の厚みに対して前記非磁性材料部の厚みは5%以上90%以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記非磁性材料部を構成する非磁性材料はケイ素酸化物である、請求項1~6のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。
- 前記磁性膜は窒化鉄系合金膜である、請求項1~7のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッド。
- 請求項1~8のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッドを含む磁気記録装置。
- サーボライターである、請求項9に記載の磁気記録装置。
- 請求項1~8のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッドの製造方法であって、
基板上に非磁性材料部を形成すること、
前記基板上に前記非磁性材料部を覆うように磁性膜を形成すること、
前記磁性膜のライトギャップを形成すべき部分にイオンビーム加工によって開口部を形成すること、
を含み、かつ
前記イオンビーム加工される部分は、前記磁性膜と前記基板との間に前記非磁性材料部を有する、前記製造方法。 - 前記イオンビーム加工は集束イオンビーム加工である、請求項11に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
- 磁気記録媒体に請求項1~8のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッドによってサーボパターンを形成することを含む、サーボパターンを有する磁気記録媒体の製造方法。
- 前記サーボパターンはタイミングベースサーボパターンである、請求項13に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録媒体の垂直方向保磁力は2800Oe以上である、請求項13または14に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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