JP6898963B2 - 磁気テープ装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気テープ装置に関する。

磁気記録媒体へのデータの記録および／または記録されたデータの読み取り（再生）を行う磁気記録再生装置は、磁気ディスク装置と磁気テープ装置に大別される。磁気ディスク装置の代表例はＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）である。磁気ディスク装置では、磁気記録媒体として磁気ディスクが使用される。一方、磁気テープ装置では、磁気記録媒体として磁気テープが使用される。

磁気ディスク装置および磁気テープ装置のいずれにおいても、記録トラック幅を狭小化することは記録容量を高めるため（高容量化）に好ましい。他方、記録トラック幅を狭小化するほど、再生時に読取対象トラックの信号に隣接トラックの信号が混入し易くなるため、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）等の再生品質を維持することは困難になる。この点に関し、近年、複数の読取素子（「再生素子」とも呼ばれる。）によって記録トラックの信号を二次元的に読み取ることにより、再生品質の向上を図ることが提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。こうして再生品質を向上できれば、記録トラック幅を狭小化しても再生品質を維持することができるため、記録トラック幅の狭小化により記録容量を高めることが可能となる。

特開２０１６−１１０６８０号公報 特開２０１１−１３４３７２号公報 米国特許第７７５５８６３号明細書

特許文献１および２では、磁気ディスク装置に関する検討が行われている。一方、磁気テープは、近年、大容量のデータを長期間保存するためのデータストレージメディアとして注目されている。しかし、磁気テープ装置は、一般に、磁気テープと読取素子とが接触し摺動することによってデータ読取（再生）が行われる摺動型の装置である。そのため、再生時に読取素子と読取対象トラックとの相対位置が変動し易く、再生品質の向上は、磁気ディスク装置と比べてより困難な傾向がある。特許文献３には、磁気テープ装置（テープドライブ）に関する記載はあるものの、磁気テープ装置における再生品質向上のための具体的な手段は示されていない。

本発明の一態様は、再生品質の向上が可能な磁気テープ装置を提供する。

本発明の一態様は、
磁気テープと、
読取素子ユニットと、
抽出部と、
を含み、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθ（以下、単に「ｃｏｓθ」とも記載する。）は、０．８５以上１．００以下であり、
上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータをリニアスキャン方式で各々読み取る複数の読取素子を有し、
上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して、上記磁気テープと上記読取素子ユニットとの位置のずれ量に応じた波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出し、
上記ずれ量は、上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボ素子が読み取ることにより得られた結果に応じて定められる、磁気テープ装置、
に関する。

一態様では、上記複数の読取素子の互いの一部は、上記磁気テープの走行方向で重なっていることができる。

一態様では、上記特定トラック領域は、上記読取対象トラックと上記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとを含む領域であることができ、上記複数の読取素子の各々は、上記磁気テープとの位置関係が変化した場合に、上記読取対象トラックおよび上記隣接トラックの双方に対して、共に跨っていることができる。

一態様では、上記複数の読取素子は、上記磁気テープの幅方向に、近接した状態で並べて配置されていることができる。

一態様では、上記磁気テープの幅方向において、上記複数の読取素子は、上記読取対象トラック内に収まっていることができる。

一態様では、上記波形等化処理は、上記ずれ量に応じて定められるタップ係数を用いて行われ得る。

一態様では、上記複数の読取素子の各々について、上記読取対象トラックとの重複領域と上記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとの重複領域との比が上記ずれ量から特定され得て、特定された上記比に応じて上記タップ係数が定められ得る。

一態様では、上記サーボ素子により行われる読取動作に同期して、上記読取素子ユニットの読取動作が行われ得る。

一態様では、上記抽出部は、２次元ＦＩＲ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタを有することができ、上記２次元ＦＩＲフィルタは、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して上記波形等化処理を施すことにより得られた各結果を合成することによって、上記読取結果から上記読取対象トラックに由来するデータを抽出することができる。

一態様では、上記複数の読取素子は一対の読取素子であることができる。

一態様では、上記六方晶フェライト粉末の活性化体積は、１６００ｎｍ^３以下であることができる。

本発明の一態様によれば、磁気テープに記録されたデータを高い再生品質で再生可能な磁気テープ装置を提供することができる。

磁気テープ読取装置の全体構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープ読取装置に含まれる読取ヘッドと磁気テープとの平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。 読取素子ユニットと磁気テープとの平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。 トラック領域と読取素子対との平面視の概略構成の一例を示す概略平面図である。 単一読取素子データと第１条件下での第１合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例を示すグラフである。 単一読取素子データと第２条件下での第２合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例を示すグラフである。 磁気テープ読取装置の電気系のハードウェアの要部構成の一例を示すブロック図である。 ずれ量の算出方法の説明に供する概念図である。 磁気テープ読取処理の流れの一例を示すフローチャートである。 抽出部の２次元ＦＩＲフィルタで行われる処理の説明に供する概念図である。 読取素子ユニットが読取対象トラックと第２のノイズ混入源トラックとに跨っている状態の一例を示す概略平面図である。 読取素子ユニットの第１の変形例を示す概略平面図である。 読取素子ユニットの第２の変形例を示す概略平面図である。 ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ−Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのサーボパターン配置例を示す。 サーボパターンのエッジ形状に関する角度αの説明図である。 サーボパターンのエッジ形状に関する角度αの説明図である。 サーボパターンのエッジ形状の一例を示す。 サーボパターンの一例を示す。 サーボパターンの一例を示す。 サーボパターンの一例を示す。 ｃｏｓθに関する角度θの説明図である。 ｃｏｓθに関する角度θの説明図である。 第１の従来例の説明に供する概念図である。 第２の従来例の説明に供する概念図である。 単一読取素子から得られる再生信号の２次元像の一例を示す図である。

本発明の一態様にかかる磁気テープ装置は、磁気テープと、読取素子ユニットと、抽出部と、を含む。

磁気テープからのデータの読み取りに関して、図２３に示す従来例では、長尺状の読取ヘッド２００が、長手方向に沿って複数の読取素子２０２を備えている。磁気テープ２０４には、複数のトラック２０６が形成されている。読取ヘッド２００は、長手方向が磁気テープ２０４の幅方向に一致するように配置されている。また、複数の読取素子２０２の各々は、複数のトラック２０６の各々に対して１対１の関係で割り当てられており、対向する位置のトラック２０６からデータを読み取る。

しかし、磁気テープ２０４は、通常、経時、環境、およびテンションの変動等に起因して伸縮する。磁気テープ２０４の幅方向に磁気テープが伸縮すると、読取ヘッド２００において、長手方向の両端に配置された読取素子２０２の中心は、トラック２０６の中心からずれてしまう。磁気テープ２０４が幅方向に伸縮することにより変形すると、特に、複数の読取素子２０２のうち、読取ヘッド２００の両端に近い読取素子２０２ほど、オフトラックの影響を大きく受けてしまう。オフトラックの影響を小さくするためには、例えば、トラック２０６の幅に余裕を持たせるという方法が考えられる。しかし、トラック２０６の幅を広げるほど、磁気テープ２０４の記録容量は小さくなってしまう。

また、一例として図２４に示す従来例のように、読取ヘッド２００には、通常、サーボ素子２０８が設けられている。磁気テープ２０４に対して、磁気テープ２０４の走行方向に沿って予め付与されたサーボパターンは、サーボ素子２０８によって読み取られる。そして、サーボ素子２０８によってサーボパターンが読み取られて得られたサーボ信号から、制御装置（図示省略）によって、例えば、一定の時間間隔で、読取素子２０２が磁気テープ２０４上のどの位置を走行しているかが特定される。これにより、磁気テープ２０４の幅方向のＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｒｒｏｒ Ｓｉｇｎａｌ）が制御装置によって検出される。

このように、制御装置により読取素子２０２の走行位置が特定されると、特定された走行位置に基づいて、制御装置により、読取ヘッド用のアクチュエータ（図示省略）に対して帰還制御が行われることにより、磁気テープ２０４の幅方向のトラッキングが実現される。

しかし、トラッキングが行われたとしても、急峻な振動およびジッタの高周波成分等は、ＰＥＳが増大する要因となり、読取対象トラックから読み取られたデータの再生品質の低下に繋がってしまう。
これに対し、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置において、読取素子ユニットは、磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータをリニアスキャン方式で各々読み取る複数の読取素子を有し、上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して、上記磁気テープと上記読取素子ユニットとの位置のずれ量に応じた波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出する。これにより、上記磁気テープ装置によれば、読取対象トラックからリニアスキャン方式で単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、読取対象トラックから読み取られるデータの再生品質を高めることができる。その結果、良好な再生品質を確保できるずれ量（トラックオフセット量）の許容量を大きくすることができる。
また、上記のずれ量は、サーボパターンの読み取りにより検出される。しかしサーボパターンの読み取りにより検出されるずれ量と実際に生じているずれ量との誤差が大きいと、磁気テープの各箇所で読み取られた読取結果に対して、上記のずれ量に応じた波形等化処理が、必ずしも最適な波形等化処理とは言えない場合がある。これに対し、サーボパターンの読み取りにより検出されるずれ量と実際に生じているずれ量との誤差を小さくすることができれば、各箇所で読み取られた読取結果に対して、より適した波形等化処理を施すことが可能となる。その結果、上記の波形等化処理によって良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくすることができる。
以上のように、良好な再生品質を確保できるずれ量の許容量を大きくできることは、トラックマージン（記録トラック幅−再生素子幅）を小さくしても高い再生品質（例えば高ＳＮＲ、低エラーレート等）での再生を可能にすることに寄与し得る。そしてトラックマージンを小さくできることは、記録トラック幅を小さくして磁気テープの幅方向に配置可能な記録トラック数を増すこと、即ち高容量化に寄与し得る。
以上の点に関して、上記磁気テープ装置においてデータの読み取りが行われる磁気テープのｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であることは、サーボパターンを読み取って読取素子の位置を特定する精度を高めることに寄与すると考えられる。このことが、サーボパターンの読み取りにより検出されるずれ量と実際に生じているずれ量との誤差を小さくすることにつながると推察される。この点については更に後述する。

以下、上記磁気テープ装置について、更に詳細に説明する。以下では、上記磁気テープ装置について図面を参照して説明することがある。ただし上記磁気テープ装置は、図面に示す態様に限定されるものではない。

［磁気テープ装置の構成および磁気テープ読取処理］
一例として図１に示すように、磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１２、搬送装置１４、読取ヘッド１６、および制御装置１８を備えている。

磁気テープ装置１０は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴから読取ヘッド１６を用いてデータをリニアスキャン方式で読み取る装置である。データの読み取りとは、データの再生とも言うことができる。

制御装置１８は、磁気テープ装置１０の全体を制御する。一態様では、制御装置１８により行われる制御は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって実現され得る。また、一態様では、制御装置１８により行われる制御は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）によって実現され得る。また、制御装置１８により行われる制御は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、およびＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を含むコンピュータによって実現されてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、およびコンピュータのうちの２つ以上の組み合わせにより、上記制御が実現されてもよい。

搬送装置１４は、磁気テープＭＴを順方向および逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ２０、巻取リール２２、巻取モータ２４、複数のガイドローラＧＲ、および制御装置１８を備えている。

磁気テープカートリッジ１２内には、カートリッジリールＣＲが設けられている。カートリッジリールＣＲには磁気テープＭＴが巻き掛けられている。送出モータ２０は、制御装置１８の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内のカートリッジリールＣＲを回転駆動させる。制御装置１８は、送出モータ２０を制御することで、カートリッジリールＣＲの回転方向、回転速度、および回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ２０を回転させる。送出モータ２０の回転速度および回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

巻取モータ２４は、制御装置１８の制御下で、巻取リール２２を回転駆動させる。制御装置１８は、巻取モータ２４を制御することで、巻取リール２２の回転方向、回転速度、および回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ２４を回転させる。巻取モータ２４の回転速度および回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ２０および巻取モータ２４の各々の回転速度および回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド１６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータシミュレーションおよび／または実機試験等により得られた張力の範囲を指す。

磁気テープＭＴをカートリッジリールＣＲに巻き戻す場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ２０および巻取モータ２４を回転させる。

一態様では、送出モータ２０および巻取モータ２４の回転速度および回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されている。また、一態様では、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール２２との間において読取ヘッド１６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

読取ヘッド１６は、読取部２６およびホルダ２８を備えている。読取部２６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ２８によって保持されている。

一例として図２に示すように、磁気テープＭＴは、トラック領域３０およびサーボパターン３２を備えている。サーボパターン３２は、磁気テープＭＴに対する読取ヘッド１６の位置の検出に用いられるパターンである。サーボパターン３２は、テープ幅方向の両端部に、第１既定角度（例えば、９５度）の第１斜線３２Ａと、第２既定角度（例えば、８５度）の第２斜線３２Ｂとが磁気テープＭＴの走行方向に沿って一定のピッチ（周期）で交互に配置されたパターンである。ここで言う「テープ幅方向」とは、磁気テープＭＴの幅方向を指す。

トラック領域３０は、読取対象とされるデータが書き込まれた領域であり、磁気テープＭＴのテープ幅方向の中央部に形成されている。ここで言う「テープ幅方向の中央部」とは、例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２と他端部のサーボパターン３２との間の領域を指す。以下では、説明の便宜上、「磁気テープＭＴの走行方向」を単に「走行方向」と称する。

読取部２６は、サーボ素子対３６および複数の読取素子ユニット３８を備えている。ホルダ２８は、テープ幅方向に長尺状に形成されており、ホルダ２８の長手方向の全長は、磁気テープＭＴの幅よりも長い。サーボ素子対３６は、ホルダ２８の長手方向の両端部に配置されており、複数の読取素子ユニット３８は、ホルダ２８の長手方向の中央部に配置されている。

サーボ素子対３６は、サーボ素子３６Ａおよび３６Ｂを備えている。サーボ素子３６Ａは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されており、サーボ素子３６Ｂは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の他端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されている。

ホルダ２８において、サーボ素子３６Ａとサーボ素子３６Ｂとの間には、複数の読取素子ユニット３８がテープ幅方向に沿って配置されている。トラック領域３０は、複数のトラックをテープ幅方向に等間隔に備えており、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、複数の読取素子ユニット３８の各々がトラック領域３０内の各トラックに対向して配置されている。

よって、読取部２６と磁気テープＭＴとが磁気テープＭＴの長手方向に沿って直線状に相対移動することにより、トラック領域３０内の各トラックのデータは、複数の読取素子ユニット３８のうちの位置が対応する読取素子ユニット３８の各々によってリニアスキャン方式で読み取られる。また、リニアスキャン方式では、読取素子ユニット３８の読取動作と同期して、サーボ素子対３６によってサーボパターン３２が読み取られる。すなわち、リニアスキャン方式の一態様では、複数の読取素子ユニット３８とサーボ素子対３６によって磁気テープＭＴに対する読み取りが並行して行われる。

ここで、上記の「トラック領域３０内の各トラック」とは、「磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを各々含む複数の特定トラック領域の各々」に含まれるトラックを指す。

上記の「磁気テープ装置１０がデフォルトの状態」とは、磁気テープＭＴが変形することなく、かつ、磁気テープＭＴと読取ヘッド１６との位置関係が正しい位置関係にある状態を指す。ここで、「正しい位置関係」とは、例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の中心と読取ヘッド１６の長手方向の中心とが一致する位置関係を指す。

一態様において、複数の読取素子ユニット３８の各々は同じ構成である。以下では、説明の便宜上、複数の読取素子ユニット３８のうちの１つを例に挙げて説明する。一例として図３に示すように、読取素子ユニット３８は、一対の読取素子を備えている。図３に示す例において、「一対の読取素子」とは、第１読取素子４０および第２読取素子４２を指す。第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々は、トラック領域３０のうち読取対象トラック３０Ａを含む特定トラック領域３１からデータを読み取る。

図３に示す例では、説明の便宜上、１つの特定トラック領域３１を示している。実際には、通常、トラック領域３０には、複数の特定トラック領域３１が存在し、各々の特定トラック領域３１に読取対象トラック３０Ａが含まれている。そして、複数の特定トラック領域３１の各々に対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。具体的には、複数の特定トラック領域３１の各々の読取対象トラック３０Ａに対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。

特定トラック領域３１とは、隣接する３つのトラックを指す。隣接する３つのトラックのうちの１つ目のトラックは、トラック領域３０のうちの読取対象トラック３０Ａである。隣接する３つのトラックのうちの２つ目のトラックは、読取対象トラック３０Ａに隣接する隣接トラックの１つである第１のノイズ混入源トラック３０Ｂである。隣接する３つのトラックのうちの３つ目のトラックは、読取対象トラック３０Ａに隣接する隣接トラックの１つである第２のノイズ混入源トラック３０Ｃである。読取対象トラック３０Ａは、トラック領域３０において読取素子ユニット３８に対向する位置のトラックである。すなわち、読取対象トラック３０Ａとは、換言すると、読取素子ユニット３８のデータの読取対象とされたトラックを指す。

第１のノイズ混入源トラック３０Ｂは、読取対象トラック３０Ａに対してテープ幅方向の一側方に隣接しており、読取対象トラック３０Ａから読み取られたデータに混入するノイズの混入源となるトラックである。第２のノイズ混入源トラック３０Ｃは、読取対象トラック３０Ａに対してテープ幅方向の他側方に隣接しており、読取対象トラック３０Ａから読み取られたデータに混入するノイズの混入源となるトラックである。以下では、説明の便宜上、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに「隣接トラック」と称する。

一態様では、トラック領域３０内において、テープ幅方向に一定の間隔で複数の特定トラック領域３１が配置されている。例えば、トラック領域３０内において、テープ幅方向に一定の間隔で３２個の特定トラック領域３１が配置されており、各特定トラック領域３１に対して読取素子ユニット３８が１つずつ割り当てられている。

第１読取素子４０と第２読取素子４２とは、走行方向で近接した状態で、かつ、走行方向で一部が重なる位置に配置されている。磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、第１読取素子４０は、読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとを跨ぐ位置に配置されている。磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、第２読取素子４２は、読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとを跨ぐ位置に配置されている。

磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、平面視において、第１読取素子４０のうちの読取対象トラック３０Ａと対向している部分の面積は、第１読取素子４０のうちの第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと対向している部分の面積よりも大きい。一方、磁気テープ装置１０のデフォルトの状態で、平面視において、第２読取素子４２のうちの第１のノイズ混入源トラック３０Ｂと対向している部分の面積は、第１読取素子４０のうちの読取対象トラック３０Ａと対向している部分の面積よりも大きい。

第１読取素子４０によって読み取られたデータに対しては後述の第１等化器７０（図７参照）によって波形等化処理が施される。第２読取素子４２によって読み取られたデータに対しては後述の第２等化器７２（図７参照）によって波形等化処理が施される。第１等化器７０および第２等化器７２の各々によって波形等化処理が施されて得られた各データは、加算器４４によって加算されることで合成される。

図３では、読取素子ユニット３８が第１読取素子４０および第２読取素子４２を有する態様を例に説明している。ただし、例えば、一対の読取素子のうちの１つの読取素子のみ（以下、単一読取素子とも称する）を用いても、読取素子ユニット３８から得られる再生信号に相当する信号が得られる。

この場合、例えば、一例として図８に示すように、単一読取素子から得られる再生信号を、再生信号と同期してサーボ素子対３６によって取得されたサーボ信号から算出されるトラック上の平面位置に割り当てる。そして、これをテープ幅方向に単一読取素子を移動させながら繰り返すことで、再生信号の２次元像（以下、単に「２次元像」と称する）を得る。ここで、２次元像、または、２次元像の一部を構成する再生信号（例えば、複数のトラックの位置に相当する再生信号）は、読取素子ユニット３８から得られる再生信号に相当する信号である。

図２５には、ループ状にした磁気テープＭＴ（以下、「ループテープ」とも称する）を、ループテスタを用いて得た再生信号の２次元像の一例が示されている。ここで、ループテスタとは、例えば、ループテープを単一読取素子に対して繰り返し接触させた状態で搬送させる装置を指す。ループテスタと同様に２次元像を得るためには、リールテスタを用いてもよいし、実際のテープドライブを用いてもよい。ここで言う「リールテスタ」とは、例えば、磁気テープＭＴをリール形態で搬送させる装置を指す。

このように、近接した位置に複数の読取素子を搭載した読取素子ユニットを有しない従来型の磁気テープ用ヘッドを用いたとしても、本明細書に記載の技術に係る効果を定量的に評価することができる。本明細書に記載の技術に係る効果を定量的に評価するための指標の一例として、ＳＮＲ、エラーレート等が挙げられる。

図４〜図６には、本発明者らが実験して得られた結果が示されている。一例として図４に示すように、トラック領域４９上には読取素子対５０が配置されている。トラック領域４９は、テープ幅方向に隣接する第１トラック４９Ａ、第２トラック４９Ｂ、および第３トラック４９Ｃを含む。読取素子対５０は、第１読取素子５０Ａおよび第２読取素子５０Ｂからなる。第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとは、テープ幅方向で近接する位置に配置されている。また、第１読取素子５０Ａは、読取対象トラックである第２トラック４９Ｂに対向し、かつ、第２トラック４９Ｂに収まるように配置されている。また、第２読取素子５０Ｂは、第２トラック４９Ｂの一側方に隣接する第１トラック４９Ａに対向し、かつ、第１トラック４９Ａに収まるように配置されている。

図５には、単一読取素子データと第１条件下での第１合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例が示されている。また、図６には、単一読取素子データと第２条件下での第２合成データとの各々に関するＳＮＲとトラックオフセットとの相関の一例が示されている。

ここで、単一読取素子データとは、図３に示す第１読取素子４０と同様に、第１読取素子５０Ａによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第１条件とは、読取素子ピッチが７００ｎｍ（ナノメートル）との条件を指す。第２条件とは、読取素子ピッチが５００ｎｍとの条件を指す。読取素子ピッチとは、一例として図４に示すように、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとのテープ幅方向のピッチを指す。トラックオフセットとは、一例として図４に示すように、第２トラック４９Ｂのテープ幅方向の中心と第１読取素子５０Ａのトラック幅方向の中心とのずれ量を指す。

第１合成データとは、第１条件下で各々得られた第１波形等化処理済みデータと第２波形等化処理済みデータとが加算されることで合成されたデータを指す。第１波形等化処理済みデータとは、図３に示す第１読取素子４０と同様に、第１読取素子５０Ａによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第２波形等化処理済みデータとは、図３に示す第２読取素子４２と同様に、第２読取素子５０Ｂによって読み取られたデータに対して波形等化処理が施されて得られたデータを指す。第２合成データとは、第２条件下で各々得られた第１波形等化処理済みデータと第２波形等化処理済みデータとが加算されることで合成されたデータを指す。

図５に示す第１合成データのＳＮＲと図６に示す第２合成データのＳＮＲとを比較すると、第１合成データのＳＮＲは、トラックオフセットが−０．４μｍ（マイクロメートル）〜０．２μｍ辺りで急激に下落してグラフの途中で溝が生じているのに対し、第２合成データのＳＮＲは、第１合成データのＳＮＲのグラフのように途中で急激に下落することはない。第１合成データのＳＮＲおよび第２合成データのＳＮＲの各々は、単一読取素子データのＳＮＲよりも高く、特に、第２合成データのＳＮＲは、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりも高い。

本発明者らは、図５および図６に示す実験結果から、第１読取素子５０Ａのみによりデータの読み取りが行われる場合に比べ、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとをテープ幅方向に近接させた状態でデータの読み取りを行わせることが好ましいことを知見した。ここで言う「近接させた状態」とは、例えば、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとが、接触することなく、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりもＳＮＲが高くなるようにテープ幅方向に並べて配置された状態を指す。

一態様では、一例として図３に示すように、読取素子ユニット３８において、第１読取素子４０と第２読取素子４２とが走行方向に対して互いの一部をオーバーラップさせることで磁気テープＭＴに含まれるトラックの高密度化を実現している。

一例として図７に示すように、磁気テープ装置１０は、アクチュエータ６０、抽出部６２、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）変換器６４、６６、６８、復号部６９、およびコンピュータ７３を備えている。

制御装置１８は、サーボ素子対３６に対してＡ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ）変換器６８を介して接続されている。Ａ／Ｄ変換器６８は、サーボ素子対３６に含まれるサーボ素子３６Ａおよび３６Ｂによってサーボパターン３２が読み取られて得られたアナログ信号をデジタル信号に変換することで得たサーボ信号を制御装置１８に出力する。

制御装置１８は、アクチュエータ６０に接続されている。アクチュエータ６０は、読取ヘッド１６に取り付けられており、制御装置１８の制御下で、動力を読取ヘッド１６に付与することにより、読取ヘッド１６をテープ幅方向に変動させる。アクチュエータ６０は、例えば、ボイスコイルモータを含んでおり、読取ヘッド１６に付与される動力は、磁石のエネルギーを媒体として、コイルに流れる電流に基づく電気エネルギーが運動エネルギーに変換されることによって得られる動力である。

ここでは、アクチュエータ６０にボイスコイルモータが搭載されている態様を挙げている。ただし、上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されず、例えば、ボイスコイルモータに代えて圧電素子を採用することも可能である。また、ボイスコイルモータおよび圧電素子を併用することも可能である。

磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量は、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取って得た結果であるサーボ信号に応じて定められる。制御装置１８は、アクチュエータ６０を制御することにより、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量に応じた動力を読取ヘッド１６に付与することによって、読取ヘッド１６をテープ幅方向に変動させ、読取ヘッド１６の位置を正常な位置に調整する。ここで、正常な位置とは、例えば、図３に示すように、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態での読取ヘッド１６の位置を指す。

以下では、説明の便宜上、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置のずれ量を単に「ずれ量」と称する。ずれ量は、例えば、図８に示すように、距離Ｂに対する距離Ａの割合に基づいて算出される。距離Ａとは、隣接する第１斜線３２Ａと第２斜線３２Ｂとがサーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。距離Ｂとは、隣接する２つの第１斜線３２Ａがサーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。

抽出部６２は、制御装置１８および２次元ＦＩＲフィルタ７１を備えている。２次元ＦＩＲフィルタ７１は、加算器４４、第１等化器７０、および第２等化器７２を備えている。

第１等化器７０は、Ａ／Ｄ変換器６４を介して第１読取素子４０に接続されている。また、第１等化器７０は、制御装置１８および加算器４４の各々に接続されている。第１読取素子４０によって特定トラック領域３１から読み取られたデータはアナログ信号であり、Ａ／Ｄ変換器６４は、第１読取素子４０によって特定トラック領域３１から読み取られたデータをデジタル信号に変換することで得た第１読取信号を第１等化器７０に出力する。

第２等化器７２は、Ａ／Ｄ変換器６６を介して第２読取素子４２に接続されている。また、第２等化器７２は、制御装置１８および加算器４４の各々に接続されている。第２読取素子４２によって特定トラック領域３１から読み取られたデータはアナログ信号であり、Ａ／Ｄ変換器６６は、第２読取素子４２によって特定トラック領域３１から読み取られたデータをデジタル信号に変換することで得た第２読取信号を第２等化器７２に出力する。なお、第１読取信号および第２読取信号は、「読取素子毎の読取結果」の一例である。

第１等化器７０は、入力された第１読取信号に対して、波形等化処理を施す。例えば、第１等化器７０は、入力された第１読取信号に対して、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第１の演算処理済み信号を出力する。

第２等化器７２は、入力された第２読取信号に対して、波形等化処理を施す。例えば、第２等化器７２は、入力された第２読取信号に対して、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第２の演算処理済み信号を出力する。

第１等化器７０および第２等化器７２の各々は、第１の演算処理済み信号および第２の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。加算器４４は、第１等化器７０から入力された第１の演算処理済み信号と、第２等化器７２から入力された第２の演算処理済み信号とを加算することで合成し、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。

第１等化器７０および第２等化器７２の各々は、１次元ＦＩＲフィルタである。

一態様では、ＦＩＲフィルタ自体は、正負を含む実数値の系列であり、系列の行数はタップ数と称され、数値自体はタップ係数と称される。また、一態様では、波形等化とは、読取信号に対して、上記の実数値の系列、すなわち、タップ係数を畳み込み演算（積和算）する処理を指す。ここで言う「読取信号」とは、第１読取信号および第２読取信号の総称を指す。また、一態様では、等化器とは、読取信号またはその他の入力信号に対し、タップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号を出力する処理を実行する回路を指す。また、一態様では、加算器とは、単純に２つの系列を加算する回路を指す。２つの系列の重み付けは、第１等化器７０および第２等化器７２で用いられるＦＩＲフィルタの数値、すなわち、タップ係数に反映される。

制御装置１８は、第１等化器７０および第２等化器７２の各々のＦＩＲフィルタに対して、ずれ量に応じたタップ係数を設定することにより、第１等化器７０および第２等化器７２の各々に対して、ずれ量に応じた波形等化処理を実行させる。

制御装置１８は、対応テーブル１８Ａを備えている。対応テーブル１８Ａでは、第１等化器７０および第２等化器７２の各々について、タップ係数とずれ量とが対応付けられている。タップ係数とずれ量との組み合わせは、例えば、実機の試験およびシミュレーションのうちの少なくとも一方が実施された結果に基づいて、加算器４４によって最良の合成データが得られるタップ係数とずれ量との組み合わせとして予め得られた組み合わせである。ここで言う「最良の合成データ」とは、読取対象トラックデータに相当するデータを指す。

ここで、「読取対象トラックデータ」とは、「読取対象トラック３０Ａに由来するデータ」を指す。「読取対象トラック３０Ａに由来するデータ」とは、換言すると、読取対象トラック３０Ａに書き込まれているデータに相当するデータを指す。読取対象トラック３０Ａに書き込まれているデータに相当するデータの一例としては、読取対象トラック３０Ａから読み出されたデータであって、隣接トラックからのノイズ成分が混入されていないデータが挙げられる。

上記では、対応テーブル１８Ａを例示している。他の態様では、対応テーブル１８Ａに代えて、演算式を採用してもよい。ここで言う「演算式」とは、例えば、独立変数をずれ量とし、従属変数をタップ係数とした演算式を指す。

上記では、タップ係数とずれ量との組み合わせが規定された対応テーブル１８Ａからタップ係数が導出される態様が挙げられている。他の態様では、例えば、タップ係数と比との組み合わせが規定された対応テーブルまたは演算式からタップ係数が導出されてもよい。ここで言う「比」とは、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々についての、読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比を指す。比は、制御装置１８により、ずれ量から算出されることで特定され、特定された比に応じて、タップ係数が定められる。

復号部６９は、加算器４４から入力された合成データを復号し、復号して得た復号信号をコンピュータ７３に出力する。コンピュータ７３は、復号部６９から入力された復号信号に対して各種処理を施す。

次に、抽出部６２によって実行される磁気テープ読取処理について、図９を参照して説明する。以下では、説明の便宜上、サンプリングの時期が到来すると、サーボ信号が制御装置１８に入力されることを前提として説明する。ここで、サンプリングとは、サーボ信号のサンプリングに限らず、読取信号のサンプリングも意味する。すなわち、一態様では、トラック領域３０が走行方向に沿ってサーボパターン３２と並行して形成されているので、サーボ素子対３６の読取動作に同期して読取素子ユニット３８の読取動作が行われる。

図９に示す処理では、先ず、ステップ１００で、制御装置１８は、サンプリングの時期が到来したか否かを判定する。ステップ１００において、サンプリングの時期が到来した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップ１０２へ移行する。ステップ１００において、サンプリングの時期が到来していない場合は、判定が否定されて、ステップ１００の判定が再び行われる。

ステップ１０２で、第１等化器７０は、第１読取信号を取得し、第２等化器７２は、第２読取信号を取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１０４へ移行する。

ステップ１０４で、制御装置１８は、サーボ信号を取得し、取得したサーボ信号からずれ量を算出し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１０６へ移行する。

ステップ１０６で、制御装置１８は、第１等化器７０および第２等化器７２の各々の第１〜第３タップについて、ステップ１０４の処理で算出したずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａから導出する。すなわち、本ステップ１０６の処理が実行されることで、第１等化器７０の一例である１次元ＦＩＲフィルタと第２等化器７２の一例である１次元フィルタとの組み合わせとして最適な組み合わせが定められる。ここで言う「最適な組み合わせ」とは、例えば、後述のステップ１１２の処理が実行されることで出力される合成データを、読取対象トラックデータに相当するデータにする組み合わせを指す。

次のステップ１０８で、制御装置１８は、ステップ１０６の処理で導出したタップ係数を第１等化器７０および第２等化器７２の各々に対して設定し、その後、磁気テープ読取処理はステップ１１０へ移行する。

ステップ１１０で、第１等化器７０は、ステップ１０２の処理で取得した第１読取信号に対して波形等化処理を施すことで、第１の演算処理済み信号を生成する。第１等化器７０は、生成した第１の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。第２等化器７２は、ステップ１０２の処理で取得した第２読取信号に対して波形等化処理を施すことで、第２の演算処理済み信号を生成する。第２等化器７２は、生成した第２の演算処理済み信号を加算器４４に出力する。

次のステップ１１２で、加算器４４は、一例として図１０に示すように、第１等化器７０から入力された第１の演算処理済み信号と、第２等化器７２から入力された第２の演算処理済み信号とを加算することで合成する。そして、加算器４４は、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。

図３に示す例のように読取素子ユニット３８が特定トラック領域３１上に配置されている場合、本ステップ１１２の処理が実行されることにより、合成データとして、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータが出力される。つまり、ステップ１０２〜ステップ１１２の処理が実行されることにより、抽出部６２によって、読取対象トラック３０Ａに由来するデータのみが抽出される。

磁気テープＭＴのテープ幅方向が伸縮したり、磁気テープＭＴおよび読取ヘッド１６の少なくとも一方に対して振動が付与されたりした場合に、読取素子ユニット３８が、一例として図３に示す位置から図１１に示す位置に変位することがある。図１１に示す例では、第１読取素子４０と第２読取素子４２とが、読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとの双方に対して、共に跨る位置に配置される。この場合、ステップ１０２〜ステップ１１２の処理が実行されることで、第２のノイズ混入源トラック３０Ｃからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータが合成データとして復号部６９に出力される。

次のステップ１１４で、制御装置１８は、磁気テープ読取処理を終了する条件（以下、「終了条件」と称する）を満たしたか否かを判定する。終了条件とは、例えば、磁気テープＭＴの全てが巻取リール２２によって巻き取られたとの条件、磁気テープ読取処理を強制終了する指示が外部から与えられたとの条件等を指す。

ステップ１１４において、終了条件を満たしていない場合は、判定が否定されて、磁気テープ読取処理はステップ１００へ移行する。ステップ１１４において、終了条件を満たした場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理が終了する。

以上説明したように、磁気テープ装置１０の一態様では、近接した状態で配置された第１読取素子４０および第２読取素子４２により、特定トラック領域３１からデータが各々読み取られる。そして、抽出部６２により、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々に対して、ずれ量に応じた波形等化処理が施されることで、第１読取信号および第２読取信号から、読取対象トラック３０Ａに由来するデータが抽出される。従って、磁気テープ装置１０は、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの再生品質の低下を抑制することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、第１読取素子４０および第２読取素子４２の互いの一部が走行方向で重なっている。従って、磁気テープ装置１０は、複数の読取素子の互いの全体が走行方向で重なっている場合に比べ、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの再生品質を高めることができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、特定トラック領域３１は、読取対象トラック３０Ａ、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂ、および第２のノイズ混入源トラック３０Ｃを含み、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々は、磁気テープＭＴとの位置関係が変化した場合に、読取対象トラック３０Ａおよび隣接トラックの双方に対して、共に跨っている。従って、磁気テープ装置１０は、読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式で単一の読取素子のみによってデータが読み取られる場合に比べ、テープ幅方向において読取対象トラック３０Ａから隣接トラックに入り込むことにより第１読取素子４０および第２読取素子４２のうちの一方の読取素子で生じるノイズ成分を、テープ幅方向において読取対象トラック３０Ａから隣接トラックに入り込んでいる他方の読取素子の読取結果を利用して低減することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、波形等化処理で用いられるタップ係数はずれ量に応じて定められる。従って、磁気テープ装置１０は、タップ係数がずれ量とは関連性のないパラメータに応じて定められる場合に比べ、テープ幅方向において隣接トラックから読取対象トラック３０Ａに入り込むことで生じるノイズ成分を、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置関係の変化に追従して即時的に低減することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々について、読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比がずれ量から特定され、特定された比に応じてタップ係数が定められる。これにより、磁気テープ装置１０は、複数の読取素子の各々についての読取対象トラック３０Ａとの重複領域と隣接トラックとの重複領域との比とは関連性のないパラメータに応じてタップ係数が定められる場合に比べ、磁気テープＭＴと読取素子ユニット３８との位置関係が変化したとしても、ノイズ成分を正確に低減することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、ずれ量は、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取ることで得た結果に応じて定められる。これにより、磁気テープ装置１０は、磁気テープＭＴにサーボパターン３２が付与されていない場合に比べ、容易にずれ量を定めることができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、サーボ素子対３６の読取動作に同期して読取素子ユニット３８の読取動作が行われる。これにより、磁気テープ装置１０は、サーボパターンとデータとを同期して読み取ることができない磁気ディスクおよびヘリカルスキャン方式の磁気テープに比べ、磁気テープの幅方向において隣接トラックから読取対象トラックに入り込むことで生じるノイズ成分を即時的に低減することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、抽出部６２が２次元ＦＩＲフィルタ７１を有している。そして、２次元ＦＩＲフィルタ７１により、第１読取信号および第２読取信号の各々に対して波形等化処理が施されることで得られた各結果を合成することで、第１読取信号および第２読取信号から読取対象トラック３０Ａに由来するデータが抽出される。これにより、磁気テープ装置１０は、１次元ＦＩＲフィルタのみを用いる場合に比べ、第１読取信号および第２読取信号から読取対象トラック３０Ａに由来するデータを迅速に抽出することができる。また、磁気テープ装置１０は、行列演算を行う場合に比べ、より少ない演算量での演算を実現することができる。

また、磁気テープ装置１０の一態様では、一対の読取素子として第１読取素子４０および第２読取素子４２が採用されている。これにより、磁気テープ装置１０は、３つ以上の読取素子を用いる場合に比べ、読取素子ユニット３８の小型化に寄与することができる。読取素子ユニット３８が小型化されることにより、読取部２６および読取ヘッド１６も小型化可能となる。また、磁気テープ装置１０は、隣接する読取素子ユニット３８同士で接触するという事態の発生も抑制することができる。

更に、磁気テープ装置１０の一態様では、複数の読取素子ユニット３８の各々により、複数の特定トラック領域３１の各々に含まれる対応する読取対象トラック３０Ａからリニアスキャン方式でデータが読み取られる。これにより、磁気テープ装置１０は、複数の読取対象トラック３０Ａの各々から単一の読取素子ユニット３８のみによってデータが読み取られる場合に比べ、複数の読取対象トラック３０Ａからのデータの読み取りを迅速に完遂することができる。

上記の態様では、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々が、読取対象トラック３０Ａおよび第１のノイズ混入源トラック３０Ｂの双方に対して、共に跨るように設けられている、ただし、上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。図１２に示す例では、上記で説明した読取素子ユニット３８に代えて読取素子ユニット１３８が採用されている。読取素子ユニット１３８は、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２を備えている。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子１４０のテープ幅方向の中心は、読取対象トラック３０Ａのテープ幅方向の中心ＣＬと一致している。また、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２は、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃに食み出すことなく、読取対象トラック３０Ａに収まっている。更に、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、上記実施形態で説明した第１読取素子４０および第２読取素子４２と同様に、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２の各々は、走行方向で互いの一部が重なるように設けられている。

一例として図１２に示すように第１読取素子１４０および第２読取素子１４２が読取対象トラック３０Ａから食み出ることなく読取対象トラック３０Ａに対面している状態であっても、読取素子ユニット１３８と磁気テープＭＴとの位置関係が変化することがある。すなわち、読取素子ユニット１３８が読取対象トラック３０Ａと第１のノイズ混入源トラック３０Ｂとに跨る場合と読取素子ユニット１３８が読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとに跨る場合とがある。これらの場合であっても、上述したステップ１０２〜ステップ１１２の処理が実行されることにより、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂまたは第２のノイズ混入源トラック３０Ｃからのノイズ成分が除去された読取対象トラックデータに相当するデータを得ることが可能となる。

また、第１読取素子１４０および第２読取素子１４２が走行方向で互いの一部が重なる位置に配置されているので、読取対象トラック３０Ａのうち、第１読取素子１４０では読み取ることができない部分から第２読取素子１４２がデータを読み出すことができる。この結果、第１読取素子１４０が単一で読取対象トラック３０Ａからデータを読み取る場合に比べ、読取対象トラックデータの信頼性を高めることができる。

また、一例として図１１に示すように、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第１読取素子４０および第２読取素子４２の各々が、読取対象トラック３０Ａおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃの双方に対して、共に跨る位置に配置されるようにしてもよい。

また、上記では、第１読取素子４０および第２読取素子４２を含む読取素子ユニット３８を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。図１３に示す例では、読取素子ユニット３８に代えて読取素子ユニット２３８が採用されている。読取素子ユニット２３８は、読取素子ユニット３８に比べ、第３読取素子２４４を有する点が異なる。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４は、第１読取素子４０との間で、走行方向で互いの一部が重なる位置に配置されている。また、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４は、読取対象トラック３０Ａおよび第２のノイズ混入源トラック３０Ｃに跨る位置に配置されている。

この場合、第１読取素子４０に対して第１等化器７０を割り当て、第２読取素子４２に第２等化器７２を割り当てた場合と同様に、第３読取素子２４４に対しても第３等化器（図示省略）を割り当てる。第３等化器も、上記で説明した第１等化器および第２等化器と同様の機能を有しており、第３読取素子２４４によって読み取られて得られた第３読取信号に対して波形等化処理を施す。そして、第３等化器は、第３読取信号に対して、例えばタップ係数を畳み込み演算し、演算処理後の信号である第３の演算処理済み信号を出力する。加算器４４は、第１読取信号に対応する第１の演算処理済み信号と、第２読取信号に対応する第２の演算処理済み信号と、第３読取信号に対応する第３の演算処理済み信号とを加算することで合成し、合成して得た合成データを復号部６９に出力する。

図１３に示す例では、磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４が読取対象トラック３０Ａと第２のノイズ混入源トラック３０Ｃとに跨った位置に配置されているが、本開示の技術はこれに限定されない。磁気テープ装置１０がデフォルトの状態で、第３読取素子２４４が読取対象トラック３０Ａから食み出すことなく読取対象トラック３０Ａに対面する位置に配置されるようにしてもよい。

また、上記では、読取素子ユニット３８を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、読取素子ユニット３８に代えて、図４に示す読取素子対５０が採用されてもよい。この場合、第１読取素子５０Ａおよび第２読取素子５０Ｂは、テープ幅方向で近接する位置に配置されるようにする。また、第１読取素子５０Ａと第２読取素子５０Ｂとが、接触することなく、一例として図６に示すように、トラックオフセットの全範囲において、単一読取素子データのＳＮＲよりもＳＮＲが高くなるようにテープ幅方向に並べて配置されるようにする。

図４に示す例では、例えば、第１読取素子５０Ａが平面視で第２トラック４９Ｂ内に納まっており、第２読取素子５０Ｂが平面視で第１トラック４９Ａ内に収まっている。

また、上記では、サーボ素子対３６を例示した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、サーボ素子対３６に代えて、サーボ素子３６Ａおよび３６Ｂのうちの１つを採用してもよい。

また、上記では、トラック領域３０内において、複数の特定トラック領域３１がテープ幅方向に一定の間隔で配列されている態様について説明した。ただし上記磁気テープ装置は、かかる態様に限定されない。例えば、複数の特定トラック領域３１のうち、隣接する２つの特定トラック領域３１において、一方の特定トラック領域３１と他方の特定トラック領域３１とがテープ幅方向において１トラック分だけ重複するようにテープ幅方向に配列させるようにしてもよい。この場合、一方の特定トラック領域３１に含まれる一方の隣接トラック（例えば、第１のノイズ混入源トラック３０Ｂ）が他方の特定トラック領域３１では読取対象トラック３０Ａになる。また、一方の特定トラック領域３１に含まれる読取対象トラック３０Ａは、他方の特定トラック領域３１では隣接トラック領域（例えば、第２のノイズ混入源トラック３０Ｃ）になる。

以上説明した磁気テープ装置の構成および磁気テープ読取処理はあくまでも例示である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップの削除、新たなステップの追加、処理順序の入れ替え等が可能であることは言うまでもない。
また、上記磁気テープ装置は、磁気テープに記録されたデータの読み取り（再生）を行うことができ、更に、磁気テープへのデータの記録を行うための構成を有することもできる。

［磁気テープ］
次に、上記磁気テープ装置においてデータの読み取りが行われる磁気テープの詳細について説明する。

＜ｃｏｓθ＞
上記磁気テープにおいて、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる磁性層の表面に対する六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは、０．８５以上１．００以下である。サーボパターンを読み取って読取素子の位置を特定する精度が低下する原因は、サーボライトヘッドによって磁化（サーボパターンを形成）する時に磁性層上の意図しない箇所も磁化されてしまうことにあると考えられる。そして、上記の意図しない箇所の磁化は、磁性層に磁気的な歪が発生することによって生じやすくなると推察される。これに対し、ｃｏｓθを０．８５以上にすることにより、磁性層に磁気的な歪が発生することを抑制することが可能になると考えられる。これにより、サーボパターンの読み取りによって読取素子の位置を特定する精度を高めることができ、その結果、サーボパターンの読み取りにより検出されるずれ量と実際に生じているずれ量との誤差を小さくすることが可能になると推察される。このことが、各箇所で読み取られた読取結果に対して、より適した波形等化処理を施すことを可能とすることに寄与すると考えられる。ｃｏｓθは、好ましくは０．８９以上であり、より好ましくは０．９０以上であり、更に好ましくは０．９２以上であり、一層好ましくは０．９５以上である。一方、ｃｏｓθは、磁性層の表面に対して、後述のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子がいずれも平行に存在している場合に最大値の１．００となる。サーボライトヘッドによって磁化（サーボパターンを形成）する時に磁性層上の意図しない箇所も磁化されてしまうことをより一層抑制する観点からは、ｃｏｓθの値は大きいほど好ましいと考えられる。したがって、上記磁気テープにおいて、ｃｏｓθの上限は、１．００以下である。ｃｏｓθは、例えば０．９９以下であってもよい。ただし、上記の通り、ｃｏｓθの値は大きいほど好ましいと考えられるため、ｃｏｓθは０．９９を超えてもよい。

（ｃｏｓθの算出方法）
ｃｏｓθとは、走査透過型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；以下、「ＳＴＥＭ」とも記載する。）を用いて行われる断面観察によって求められる。本発明および本明細書におけるｃｏｓθとは、以下の方法により測定し算出される値とする。

（１）ｃｏｓθを求める対象の磁気テープの無作為に定めた位置から切り出し断面観察用試料を作製する。断面観察用試料の作製は、ガリウムイオン（Ｇａ^＋）ビームを用いるＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）加工によって行う。かかる作製方法の具体例は、実施例について後述する。
（２）作製した断面観察用試料をＳＴＥＭ観察し、ＳＴＥＭ像を撮像する。ＳＴＥＭ像は、同一の断面観察用試料において、撮像する範囲が重複しないように選択する点以外は無作為に選択した位置において撮像し、合計１０画像得る。上記ＳＴＥＭ像は、加速電圧３００ｋＶおよび撮像倍率４５００００倍で撮像されるＳＴＥＭ−ＨＡＡＤＦ（Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ）像であり、１画像に、磁性層の厚み方向の全領域が含まれるように撮像する。磁性層の厚み方向の全領域とは、断面観察用試料において観察される磁性層表面から磁性層と隣接する層または非磁性支持体との界面までの領域である。磁性層（の）表面との語は、磁気テープの磁性層側表面と同義で用いるものとする。上記の隣接する層とは、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが磁性層と非磁性支持体との間に後述する非磁性層を有する場合には非磁性層である。一方、ｃｏｓθを求める対象の磁気テープが非磁性支持体上に直接磁性層を有する場合には、上記界面とは磁性層と非磁性支持体との界面である。
（３）こうして得られた各ＳＴＥＭ像において、磁性層表面を表す線分の両端を結ぶ直線を、基準線として定める。上記の線分の両端とは、例えば、ＳＴＥＭ像を、断面観察用試料の磁性層側が画像の上方に位置し非磁性支持体側が下方に位置するように撮像した場合には、ＳＴＥＭ像の画像（通常、形状は長方形または正方形）の左辺と上記線分との交点とＳＴＥＭ像の右辺と上記線分との交点とを結ぶ直線である。
（４）上記ＳＴＥＭ像において観察される六方晶フェライト粒子の中で、アスペクト比が．１．５〜６．０の範囲であり、かつ、長軸方向の長さが１０ｎｍ以上である六方晶フェライト粒子（一次粒子）の長軸方向と上記基準線とがなす角度θを測定し、測定された角度θについて、ｃｏｓθを、単位円に基づくｃｏｓθとして算出する。かかるｃｏｓθの算出を、各ＳＴＥＭ像において、上記アスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の中から無作為に抽出した３０個の粒子について行う。
（５）以上の測定および算出を、１０画像それぞれにおいて行い、各画像の３０個の六方晶フェライト粒子について、即ち１０画像の合計で３００個の六方晶フェライト粒子について求められたｃｏｓθの値を算術平均する。こうして求められる算術平均を、走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる磁性層表面に対する六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθとする。

ここで、上記ＳＴＥＭ像において観察される「アスペクト比」とは、六方晶フェライト粒子の「長軸方向の長さ／短軸方向の長さ」の比をいうものとする。
「長軸方向」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部のうち、基準線との距離が近い方の端部から遠い方の端部を結んだときの方向を意味する。一方の端部と他方の端部を結んだ線分が基準線に対して平行である場合には、基準線と平行な方向が長軸方向となる。
「長軸方向の長さ」とは、ＳＴＥＭ像において観察される１個の六方晶フェライト粒子の像の中で、最も距離が離れている端部を結んで作成される線分の長さを意味する。一方、「短軸方向の長さ」とは、上記粒子の像の外縁と上記長軸方向に対する垂線との２つの交点を結んだ線分の中で、最も長い線分の長さを意味する。
また、基準線と上記粒子の長軸方向の傾きとがなす角度θとは、長軸方向が基準線に対して平行な角度を０°とし、０°以上９０°以下の範囲で定めるものとする。以下に、角度θについて、図面に基づき更に説明する。

図２１および図２２は、角度θの説明図である。図２１および図２２中、符号３０１は、上記の最も距離が離れている端部を結んで作成される線分（長軸方向の長さ）を示し、符号３０２は基準線を示し、符号３０３は線分（符号３０１）の延長線を示す。この場合、基準線３０２と延長線３０３とのなす角度としては、図２１および図２２に示すようにθ１およびθ２を取り得る。ここでは、θ１およびθ２の中で、より小さな角度を採用し、これを角度θとするものとする。したがって、図２１に示す態様では、θ１を角度θとし、図２２に示す態様では、θ２を角度θとするものとする。θ１＝θ２の場合は、即ち角度θ＝９０°の場合である。単位円に基づくｃｏｓθは、θ＝０°の場合に１．００、θ＝９０°の場合に０となる。

（ｃｏｓθの調整方法）
上記磁気テープは、非磁性支持体上に、磁性層形成用組成物を塗布する工程を経て作製することができる。そして、ｃｏｓθの調整方法としては、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することが挙げられる。この点に関しては、六方晶フェライト粉末の磁性層形成用組成物における分散性を高めるほど、この磁性層形成用組成物を用いて形成される磁性層において、上記範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子が、磁性層表面に対して、より平行に近い状態に配向し易くなると考えられる。分散性を高めるための手段としては、以下の方法（１）および（２）のいずれか一方または両方が挙げられる。
（１）分散条件の調整
（２）分散剤の利用
また、磁性層に研磨剤を含む磁気テープについては、分散性を高めるための手段としては、六方晶フェライト粉末と研磨剤を別分散させることも挙げられる。別分散とは、より詳しくは、六方晶フェライト粉末と、結合剤と、溶媒と、を含む磁性液（ただし、研磨剤を実質的に含まない）を、研磨剤および溶媒を含む研磨剤液と混合する工程を経て磁性層形成用組成物を調製する方法である。このように研磨剤と六方晶フェライト粉末とを別分散した後に混合することによって、磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散性を高めることができる。上記の「研磨剤を実質的に含まない」とは、上記磁性液の構成成分として添加しないことを意味するものであって、意図せず混入した不純物として微量の研磨剤が存在することは許容されるものとする。また、上記方法（１）および（２）のいずれか一方または両方を、上記の別分散と組み合わせることも好ましい。この場合、磁性液における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することにより、磁性液を研磨剤液と混合する工程を経て得られる磁性層形成用組成物における六方晶フェライト粉末の分散状態を制御することができる。

例えば、分散剤の一態様としては、ポリエステル鎖含有化合物を挙げることができ、その重量平均分子量は、１，０００以上８０，０００以下であることが好ましい。ポリエステル鎖含有化合物の一態様としては、特開２０１６−１７７８５１号公報に記載の一般式１で表される化合物を挙げることができる。また、ポリエステル鎖含有化合物は、一態様では、ポリアルキレンイミン鎖を少なくとも１つ有することができる。ポリエステル鎖の一態様としては、特開２０１６−１７７８５１号公報に記載の式２−Ａで表されるポリエステル鎖および式２−Ｂで表されるポリエステル鎖を挙げることができる。

以上の各種調整方法および分散剤の詳細については、特開２０１６−１７７８５１号公報の段落００３８〜０１４４および特開２０１７−２２４３６５号公報の段落００４５〜０１３６を参照できる。

次に、上記磁気テープに含まれる磁性層等について、更に詳細に説明する。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末である。六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、磁化反転の単位である活性化体積を採用することができる。一態様では、上記磁性層に含まれる六方晶フェライト粉末の活性化体積は、１６００ｎｍ^３以下であることができ、１５００ｎｍ^３以下または１４００ｎｍ^３以下であってもよい。一般に、活性化体積が小さいほど高密度記録化に適していると言うことができる。一方、磁化の安定性の観点からは、上記六方晶フェライト粉末の活性化体積は、８００ｎｍ^３以上であることが好ましく、１０００ｎｍ^３以上であることがより好ましく、１２００ｎｍ^３以上であることが更に好ましい。

「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０^−１Ｊ／ｍ^３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ^３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ^３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ^−１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］

以上記載した活性化体積は、粉末として存在する六方晶フェライト粉末については、粉末そのものを測定用試料として用いて求めることができる。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶フェライト粉末については、磁性層から粉末を採取し測定用試料を得ることができる。測定用試料の採取は、例えば以下の方法により行うことができる。
１．磁性層表面にヤマト科学製プラズマリアクターで１〜２分間表面処理を施し、磁性層表面の有機物成分（結合剤等）を灰化して取り除く。
２．シクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒を浸したろ紙を金属棒のエッジ部に貼り付け、その上で上記１．の処理後の磁性層表面をこすり、磁性層成分を磁気テープからろ紙へ転写し剥離する。
３．上記２．で剥離した成分をシクロヘキサノン、アセトン等の有機溶媒の中に振るい落とし（ろ紙ごと有機溶媒の中に入れ超音波分散機で振るい落とす）、有機溶媒を乾燥させ剥離成分を取り出す。
４．上記３．で振るい落とした成分を十分洗浄したガラス試験管に入れ、その中にｎ−ブチルアミンを、例えば２０ｍｌ程度加えてガラス試験管を密閉する。（ｎ−ブチルアミンは、灰化せず残留した有機物成分を分解できる量加える。）
５．ガラス試験管を内温１７０℃で２０時間以上加熱し、有機物成分を分解する。
６．上記５．の分解後の沈殿物を純水で十分に洗浄後乾燥させ、粉末を取り出す。
７．上記６．で採取した粉末にネオジム磁石を近づけ吸着した粉末（即ち六方晶フェライト粉末）を取り出す。
以上の工程により、磁性層から活性化体積を測定するための六方晶フェライト粉末を採取することができる。上記処理によって六方晶フェライト粉末が受けるダメージはほとんどないため、上記方法により、磁性層に含まれていた状態の六方晶フェライト粉末について活性化体積の測定が可能である。

本発明および本明細書において、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味するものとし、集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。以上の点は、非磁性粉末等の、本発明および本明細書における各種粉末についても同様とする。六方晶フェライト粉末を構成する粒子（六方晶フェライト粒子）を、「六方晶フェライト粒子」または単に「粒子」とも呼ぶ。
先に記載したＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子の中で、先に記載したアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、ＳＴＥＭ像において観察される全六方晶フェライト粒子に対する粒子数基準の割合として、例えば５０％以上であることができる。また、上記割合は、例えば９５％以下であることができ、９５％超であることもできる。六方晶フェライト粉末のその他の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０および特開２０１５−１２７９８５号公報の段落００２９〜００８４を参照できる。

本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。

以下に、六方晶フェライト粉末の一態様である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５〜５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５〜５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５〜４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０〜４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５〜４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。

上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。

希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５−９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０〜２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。

磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０^６／４π［Ａ／ｍ］である。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０〜１５．０原子％の範囲であることができる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５〜５．０原子％の範囲であることができる。

六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ_１２Ｏ_１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５〜１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０〜５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。

磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は少なくとも結合剤であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤）
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。樹脂はホモポリマーであってもコポリマー（共重合体）であってもよい。磁性層に含まれる結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選択したものを単独で用いることができ、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２９〜００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、特記しない限り、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ（内径））×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

また、結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気テープの製造工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。

（添加剤）
磁性層には、強磁性粉末および結合剤が含まれ、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。また、非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上するための分散剤として挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６−１２６８１７号公報の段落００３０〜００３３、００３５および００３６を参照できる。非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６−１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４、００３５および００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤は、非磁性層に含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。

以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。

＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。

＜バックコート層＞
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤、任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６−３３１６２５号公報の段落００１８〜００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目〜第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。

＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．０〜６．０μｍである。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは０．１５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。

非磁性層の厚みは、例えば０．１〜１．５μｍであり、０．１〜１．０μｍであることが好ましい。

バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１〜０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。

磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において厚み方向の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜製造工程＞
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含む。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶媒の一種または二種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気テープを製造するためには、従来の公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。また、ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下の磁気テープを得るための手段の１つとして、分散条件を強化すること（例えば分散時間の長時間化、分散に用いる分散ビーズの小径化および／または高充填化、分散剤の利用等）も好ましい。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。磁気テープの製造方法の詳細については、例えば特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５１〜００５７も参照できる。配向処理については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下である磁気テープを得るための手段の１つとして、垂直配向処理を行うことが好ましい。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける磁気テープの搬送速度によって磁性層形成用組成物の塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。

上記磁気テープの磁性層には、サーボパターンが形成される。磁性層へのサーボパターンの形成は、サーボパターン記録ヘッド（「サーボライトヘッド（ｓｅｒｖｏ ｗｒｉｔｅ ｈｅａｄ）」とも呼ばれる。）により、磁性層の特定の位置を磁化することにより行われる。トラッキングを可能とするためのサーボパターンの形状および磁性層における配置は公知であり、サーボライトヘッドにより磁化する領域（サーボパターンを形成する位置）は規格により定められている。上記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンについては、公知技術を適用することができる。例えば、トラッキングの方式としては、タイミングベースサーボ方式と振幅ベースサーボ方式が知られている。上記磁気テープの磁性層に形成され得るサーボパターンは、いずれの方式のトラッキングを可能とするサーボパターンでもよい。また、タイミングベースサーボ方式でのトラッキングを可能とするサーボパターンと振幅ベースサーボ方式でのトラッキングを可能とするサーボパターンとが磁性層に形成されていてもよい。

磁気テープでは、通常、データは磁気テープのデータバンド上に記録される。これによりデータバンドにトラックが形成される。詳しくは、磁気テープには、通常、サーボパターンを有する領域（「サーボバンド」と呼ばれる。）が長手方向に沿って複数本存在する。データバンドは、２本のサーボバンドに挟まれた領域である。例えば、図２中のトラック領域３０がデータバンドである。データの記録はデータバンド上で行われ、データバンドには複数のトラックが長手方向に沿って形成される。一例として、例えば、業界標準規格であるＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープには、タイミングベースサーボ方式でのトラッキングが可能なサーボパターンが形成される。タイミングベースサーボ方式でのトラッキングのためには、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンが磁性層に形成される。サーボヘッドが異なる形状の２つのサーボパターンを再生した（読み取った）時間間隔と、サーボヘッドが同種の形状の２つのサーボパターンを再生した時間間隔と、により、サーボヘッドの位置が認識される。こうして認識されたサーボヘッドの位置に基づき、トラッキングが行われる。詳しくは、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープのテープ製造時に、図１４に示すようにテープ幅方向に対して傾斜した複数のサーボパターンが、サーボバンド上に形成される。図１４中、サーボバンド上のサーボフレームＳＦは、サーボサブフレーム１（ＳＳＦ１）およびサーボサブフレーム２（ＳＳＦ２）から構成される。サーボサブフレーム１は、Ａバースト（図１４中、符号Ａ）およびＢバースト（図１４中、符号Ｂ）から構成される。ＡバーストはサーボパターンＡ１〜Ａ５から構成され、ＢバーストはサーボパターンＢ１〜Ｂ５から構成される。一方、サーボサブフレーム２は、Ｃバースト（図１４中、符号Ｃ）およびＤバースト（図１４中、符号Ｄ）から構成される。ＣバーストはサーボパターンＣ１〜Ｃ４から構成され、ＤバーストはサーボパターンＤ１〜Ｄ４から構成される。このような１８本のサーボパターンが５本と４本のセットで、５、５、４、４、の配列で並べられたサブフレームに配置され、サーボフレームを識別するために用いられる。図１４には、説明のために１つのサーボフレームを示した。ただし、実際には、タイミングベースサーボ方式のトラッキングが行われる磁気テープの磁性層では、各サーボバンドに、複数のサーボフレームが走行方向に配置されている。図１４中、矢印は走行方向を示している。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープは、通常、磁性層の各サーボバンドに、テープ長１ｍあたり５０００以上のサーボフレームを有する。サーボ素子は、磁気テープ装置内で搬送される磁気テープの磁性層表面と接触し摺動しながら、複数のサーボフレームにおいて順次サーボパターンの読み取りを行う。以下、タイミングベースサーボ方式でのトラッキングが可能なサーボパターンを、「タイミングベースサーボパターン」という。

サーボライトヘッドによって磁化（サーボパターンを形成）する時に磁性層上の意図しない箇所も磁化されてしまうことが抑制されていることは、例えば、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状の磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ_９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ_０．１との差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）（以下、単に「差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）」とも記載する。）により評価することができる。タイミングベースサーボパターンは、磁性層に二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンとして形成される。一例では、二種以上の異なる形状の複数のサーボパターンが、同種の形状の複数のサーボパターンごとに連続して一定の間隔をもって配置される。他の一例では、異なる種類のサーボパターンが交互に配置される。サーボパターンが同種の形状であることに関しては、サーボパターンのエッジ形状の位置ずれは不問とする。タイミングベースサーボ方式でのトラッキングが可能なサーボパターンの形状およびサーボバンド上での配置は公知であり、図１４に示されているサーボパターンがその具体例である。本発明および本明細書において、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状は、磁気信号（データ）を記録する際の磁気テープ走行方向（以下、単に「走行方向」とも記載する。）に対して下流側に位置するエッジ（端辺）の形状とする。例えば図１４中、矢印の進行方向側が上流側であり、反対側が下流側である。

以下に、タイミングベースサーボパターンの磁気力顕微鏡観察により特定されるエッジ形状、このエッジ形状の磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅の累積分布関数９９．９％の値Ｌ_９９．９と上記累積分布関数０．１％の値Ｌ_０．１との差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）、および理想形状について説明する。
以下では、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延び、磁気テープの幅方向に対して角度αで傾斜した直線状サーボパターンを主に例に取り説明する。上記の角度αとは、磁気信号（データ）を記録する際の磁気テープの走行方向に対して下流側に位置するサーボパターンのエッジのテープ幅方向の端部２箇所を結ぶ線分と磁気テープの幅方向とのなす角度をいうものとする。この点を含め、以下に更に説明する。

図１５および図１６は、角度αの説明図である。図１４に示すサーボパターンにおいて、サーボパターンＡ１〜Ａ５、Ｃ１〜Ｃ４のように走行方向の上流側に向けて傾斜しているサーボパターンについては、下流側のエッジＥ_Ｌの端部２箇所を結ぶ線分（図１５中、破線Ｌ１）とテープ幅方向（図１５中、破線Ｌ２）とのなす角度を角度αとする。一方、サーボパターンＢ１〜Ｂ５、Ｄ１〜Ｄ４のように走行方向の下流側に向けて傾斜しているサーボパターンについては、下流側のエッジＥ_Ｌの端部２箇所を結ぶ線分（図１６中、破線Ｌ１）とテープ幅方向（図１６中、破線Ｌ２）とのなす角度を角度αとする。この角度αは、一般にアジマス角と呼ばれ、サーボバンド上に磁化領域（サーボパターン）を形成する際のサーボライトヘッドの設定により定められる。

サーボバンド上に磁化領域（サーボパターン）を形成する際、サーボパターンが理想的に形成されたならば、上記の磁気テープの幅方向に対して角度αで傾斜したサーボパターンのエッジ形状は、上記のエッジ端部２箇所を結ぶ線分（図１５および図１６中、破線Ｌ１）の形状と一致する。即ち直線になる。したがって、エッジ上の各箇所において、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅（以下、単に「位置ずれ幅」とも記載する。）はゼロになる。しかし、図１７に一例を示すようにサーボパターンのエッジ形状が理想形状からずれてしまい、この位置ずれ幅が大きく、かつエッジ各箇所での位置ずれ幅の値のばらつきが大きいことは、サーボパターンを読み取って読取素子の位置を特定する精度を低下させる要因になると考えられる。これに対し、上記の差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）は、サーボパターンのエッジ各位置で理想形状からの位置ずれ幅が小さく、かつエッジ各箇所での位置ずれ幅の値のばらつきが小さいことの指標となり得る値である。

差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）は、以下の方法により求められる値である。
サーボパターンが形成された磁気テープの磁性層表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ；Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察する。測定範囲は、サーボパターンが５本含まれる範囲とする。例えば、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットテープでは、測定範囲を９０μｍ×９０μｍとすることにより、ＡバーストまたはＢバーストの５本のサーボパターンを観察することができる。測定範囲を１００ｎｍピッチで測定（粗測定）することによりサーボパターン（磁化領域）を抽出する。
その後、サーボパターンの、走行方向に対して下流側に位置するエッジにおいて磁化領域と非磁化領域との境界を検出するために、上記境界近傍において５ｎｍピッチで測定を行い磁気プロファイルを得る。得られた磁気プロファイルが、磁気テープの幅方向に対して角度α傾斜している場合には、解析ソフトにより磁気テープ幅方向に沿うように（α＝０°となるように）回転補正する。その後、解析ソフトにより、５ｎｍピッチで測定された各プロファイルのピーク値の位置座標を算出する。このピーク値の位置座標は、磁化領域と非磁化領域との境界の位置を示している。位置座標は、例えば、走行方向をｘ座標、幅方向をｙ座標とするｘｙ座標系により特定される。
理想形状が直線であって直線上のある位置の位置座標が（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）である場合を例に取ると、実際に求められたエッジ形状（上記境界の位置座標）が理想形状と一致していたならば、算出される位置座標は、（ｘ，ｙ）＝（ａ，ｂ）となる。この場合、位置ずれ幅はゼロである。これに対し、実際に求められたエッジ形状が理想形状からずれていたならば、上記境界のｙ＝ｂの位置のｘ座標は、ｘ＝ａ＋ｃまたはｘ＝ａ―ｃとなる。ｘ＝ａ＋ｃとは、例えば走行方向に対して上流側に幅ｃずれている場合であり、ｘ＝ａ−ｃとは、例えば走行方向に対して下流側に幅ｃ（即ち上流側を基準にすると−ｃ）ずれている場合である。ここでｃが、位置ずれ幅である。即ち、理想形状からのｘ座標の位置ずれ幅の絶対値が、磁気テープの長手方向における理想形状からの位置ずれ幅である。こうして、５ｎｍピッチでの測定により求められた走行方向の下流側のエッジ各箇所での位置ずれ幅を求める。
各サーボパターンについて得られた値から、解析ソフトにより累積分布関数を得る。得られた累積分布関数から、累積分布関数９９．９％の値Ｌ_９９．９と０．１％の値Ｌ_０．１とを求め、求められた値から各サーボパターンについて差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を求める。
以上の測定を、異なる３箇所の測定範囲で行う（測定数Ｎ＝３）。
各サーボパターンについて得られた差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）の算術平均を、磁気テープについての上記の差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）と定義する。

本明細書におけるサーボパターンのエッジ形状の「理想形状」とは、位置ずれなくサーボパターンが形成された場合のエッジ形状をいう。例えば、一態様では、上記サーボパターンは、磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的または不連続に延びる直線状サーボパターンである。サーボパターンについての「直線状」とは、エッジ形状の位置ずれは不問として、パターン形状として曲線部分を含まないことをいう。「連続的」とは、傾斜角度の変曲点なく、かつ途切れることなく、テープ幅方向の一方から他方に向かって延びることをいう。磁気テープの幅方向の一方から他方に向かって連続的に延びるサーボパターンの一例は、図１４に示したサーボパターンである。これに対し、「不連続」とは、傾斜角度の変曲点が１つ以上あるか、および／または、１箇所以上で途切れて延びていることをいう。傾斜角度の変曲点はあるが途切れずに延びる形状は、いわゆる折れ線形状である。傾斜角度の変曲点が１つで途切れることなくテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図１８に示すサーボパターンである。一方、傾斜角度の変曲点なく１箇所で途切れてテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図１９に示すサーボパターンである。また、傾斜角度の変曲点が１つで、１箇所で途切れてテープ幅方向の一方から他方に向かって延びる不連続なサーボパターンの一例は、図２０に示すサーボパターンである。
テープ幅方向の一方から他方に向かって連続的に延びる直線状サーボパターンについて、エッジ形状の「理想形状」とは、直線状のサーボパターンの走行方向の下流側のエッジの端部２箇所を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば図１４に示した直線状サーボパターンについては、図１５または図１６中のＬ１で示した直線の形状である。一方、不連続に延びる直線状サーボパターンについては、理想形状とは、傾斜角度の変曲点がある形状については、傾斜角度が同じ部分の一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。また、１箇所以上で途切れて延びている形状については、連続的に延びている各部分のそれぞれの一端から他端を結ぶ線分の形状（直線形状）である。例えば、図１８に示すサーボパターンについては、ｅ１とｅ２とを結ぶ線分、およびｅ２とｅ３とを結ぶ線分である。図１９に示すサーボパターンについては、ｅ４とｅ５とを結ぶ線分、およびｅ６とｅ７とを結ぶ線分である。図２０に示すサーボパターンについては、ｅ８とｅ９とを結ぶ線分、およびｅ１０とｅ１１とを結ぶ線分である。

上記では、直線状サーボパターンを例に説明した。ただし、サーボパターンはエッジ形状の理想形状が曲線形状のサーボパターンであってもよい。例えば走行方向に対して下流側のエッジ形状が理想的には部分円弧形状のサーボパターンについては、この部分円弧の位置座標に対して、走行方向に対して下流側のエッジ形状の磁気力顕微鏡により求められる位置座標により求められる位置ずれ幅から、差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を求めることができる。

以上の測定で用いる磁気力顕微鏡としては、市販の、または公知の構成の磁気力顕微鏡を周波数変調（ＦＭ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）モードで用いる。磁気力顕微鏡のプローブとしては、例えば、Ｎａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ−ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を用いることができる。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０〜５０ｎｍの範囲とする。
また、上記解析ソフトとしては、市販の解析ソフト、または公知の演算式を組み込んだ解析ソフトを用いることができる。

上記の差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）は、１８０ｎｍ以下であることができ、１７０ｎｍ以下、１６０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１４０ｎｍ以下、１３０ｎｍ以下、１２０ｎｍ以下、１１０ｎｍ以下、または１００ｎｍ以下であることができる。また、差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）は、例えば５０ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、または７０ｎｍ以上であることができる。差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）は、サーボパターンを形成するために用いるサーボライトヘッドの種類（具体的には漏れ磁界）により制御することができる。サーボライトヘッドとしては、例えば漏れ磁界が１５０〜４００ｋＡ／ｍ、好ましくは２００〜４００ｋＡ／ｍの範囲のサーボライトヘッドを用いることができる。ただし、磁性層に含まれる六方晶フェライト粉末の活性化体積が小さくなるほど、サーボライトヘッドの能力を高めるのみでは、差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を小さくすることが容易ではなくなる傾向がある。これは、活性化体積が小さいことに起因して、磁性層における六方晶フェライト粉末の粒子の配列が歪み易く、磁性層に磁気的な歪が生じやすいことが理由ではないかと推察される。ただし、推察に過ぎない。これに対し、ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下の磁気テープは、磁性層に含まれる六方晶フェライト粉末の活性化体積が小さいとしても、差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を小さくすること、例えば１８０ｎｍ以下にすることが容易である。この点は、タイミングベースサーボパターン以外のサーボパターンについても当てはまり得る。即ち、ｃｏｓθが０．８５以上１．００以下であることは、サーボライトヘッドによって磁化（サーボパターンを形成）する時に磁性層上の意図しない箇所も磁化されてしまうことを抑制することに寄与し得る。

タイミングベースサーボシステムでは、例えば、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対のサーボパターン（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）がサーボ素子によって読み取られることにより、サーボ信号が得られる。

一態様では、特開２００４−３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボパターンのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボパターンのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。

なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対のサーボパターン（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。

また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボパターンの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。

上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボパターンの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。

サーボライトヘッドは、上記一対のサーボパターンに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。 各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１〜１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。

磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。

形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２−５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いたパターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いたパターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。

以上説明した磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に装着される。磁気テープカートリッジの構成は公知である。磁気テープカートリッジの一態様については、図１中の磁気テープカートリッジ１２に関する先の記載を参照できる。

一態様によれば、以下の磁気テープも提供される。
非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは、０．８５以上１．００以下である磁気テープ。

一態様によれば、以下の磁気テープも提供される。
データの記録および記録されたデータの読み取りのために使用される磁気テープであって、
非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
上記磁性層は、サーボパターンを有し、
上記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末であり、
走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる上記磁性層の表面に対する上記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは、０．８５以上１．００以下である磁気テープ。
一態様では、上記データの読み取りは、読取素子ユニットにより行われ得る。
一態様では、上記読取素子ユニットは、上記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータをリニアスキャン方式で各々読み取る複数の読取素子を有することができる。
一態様では、上記読取素子毎の読取結果は、抽出部によって抽出され得る。
一態様では、上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出することができる。
一態様では、上記抽出部は、上記読取素子毎の読取結果の各々に対して、上記磁気テープと上記読取素子ユニットとの位置のずれ量に応じた波形等化処理を施すことにより、上記読取結果から、上記読取対象トラックに由来するデータを抽出することができる。

上記磁気テープ、読取素子ユニットおよび抽出部が取り得る具体的態様については、先の記載を参照できる。

以下に、本発明を実施例に基づき説明する。ただし、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。

以下に記載の平均粒子サイズは、特開２０１６−１７７８５１号公報の段落００２７〜００３０に記載の方法により測定された値である。測定は、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行った。

［実施例１〜７、比較例１〜６］
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ^２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ−８０；モース硬度９）１００．０部に対し、３．０部の２，３−ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ_３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ−４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物（研磨剤液）を得た。

２．磁性層形成用組成物処方
（磁性液）
六方晶フェライト粉末 １００．０部
（種類：バリウムフェライト、活性化体積：表１参照）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １４．０部
（重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ）
分散剤 表１参照
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １５０．０部
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（シリカゾル（突起形成剤液））
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ１００ｎｍ） ２．０部
メチルエチルケトン １．４部
（その他成分）
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）） ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン ２００．０部
メチルエチルケトン ２００．０部

表１記載の分散剤の合成方法等の詳細は、後述する。

３．非磁性層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄 １００．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ ２０ｎｍ
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 １８．０部
（重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ）
ステアリン酸 １．０部
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン ３００．０部

４．バックコート層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄 ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
平均針状比：７
ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体 １３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 ６．０部
フェニルホスホン酸 ３．０部
メチルエチルケトン １５５．０部
ステアリン酸 ３．０部
ブチルステアレート ３．０部
ポリイソシアネート ５．０部
シクロヘキサノン ３５５．０部

５．各層形成用組成物の調製
（１）磁性層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
上記の磁性液成分をバッチ式縦型サンドミルにおいて分散メディアとしてビーズを用いてビーズ分散することにより、磁性液を調製した。具体的には、各段階（１段階目および２段階目、または１〜３段階目）のビーズ分散として、それぞれ表１に示すビーズ径を有するジルコニアビーズを用いて表１に示す分散滞留時間で分散処理を行った。ビーズ分散では、各段階終了後にそれぞれフィルター（孔径５μｍ）を用いて得られた分散液をろ過した。各段階のビーズ分散において、分散メディアの充填率は、５０〜８０体積％程度とした。
こうして得られた磁性液を、上記の研磨剤液、シリカゾル、その他成分および仕上げ添加溶媒と混合し、上記サンドミルを用いて５分間ビーズ分散した後、更にバッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間超音波分散を行った。次いで、フィルタ（孔径０．５μｍ）を用いて得られた混合液をろ過し、磁性層形成用組成物を調製した。
上記のビーズ分散時のサンドミルにおける先端周速は、７〜１５ｍ／秒の範囲とした。
（２）非磁性層形成用組成物の調製
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、シクロヘキサノンおよびメチルエチルケトンを除いた上記の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いてビーズ分散（分散メディア：ジルコニアビーズ（ビーズ径：０．１ｍｍ）、分散滞留時間：２４時間）して分散液を得た。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで撹拌した。次いで、フィルタ（孔径０．５μｍ）を用いて得られた分散液をろ過し、非磁性層形成用組成物を調製した。
（３）バックコート層形成用組成物の調製
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた上記の各種成分をオープンニーダにより混練および希釈した。その後、得られた混合液に対して横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％およびローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディゾルバーで撹拌した。次いで、フィルタ（孔径１μｍ）を用いて得られた分散液をろ過し、バックコート層形成用組成物を調製した。

６．磁気テープの作製およびタイミングベースサーボパターンの形成
厚み５．０μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが１．０μｍとなるように上記５．（２）で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した。次いで、非磁性層上に乾燥後の厚みが０．１μｍとなるように上記５．（１）で調製した磁性層形成用組成物を塗布した。表１に垂直配向処理「有」と記載した実施例および比較例については、塗布した磁性層形成用組成物が未乾状態にあるうちに、磁場強度０．３Ｔの磁場を塗布面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後乾燥させ、磁性層を形成した。表１に垂直配向処理「無」と記載した比較例については上記垂直配向処理を行わずに塗布した磁性層形成用組成物を乾燥させ、磁性層を形成した。
その後、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した面とは反対側の面に、乾燥後の厚みが０．５μｍとなるように上記５．（３）で調製したバックコート層形成用組成物を塗布および乾燥させて、積層体を得た。
その後、得られた積層体に対して、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いてカレンダ処理速度１００ｍ／分、線圧２９４ｋＮ／ｍ（３００ｋｇ／ｃｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃で表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境下で３６時間加熱処理を行った。加熱処理した積層体を、スリッターを用いて１／２インチ（０．０１２７メートル）幅に裁断し、磁気テープを作製した。
作製した磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボライトヘッド（漏れ磁界：表１参照）によって、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを磁性層に形成した。これにより、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターン（タイミングベースサーボパターン）を有する磁気テープを得た。サーボライトヘッドは、漏れ磁界の値が大きいほどサーボパターンを記録する能力は高いと言うことができる。実施例、比較例では、漏れ磁界の異なる２種のサーボライトヘッドを用いた。

表１に記載の分散剤１〜４は、特開２０１７−２２４３６５号公報に記載の分散剤１〜４である。分散剤１〜４の合成方法等の詳細については、特開２０１７−２２４３６５号公報の段落０１７２〜０１８６に記載されている。
比較例４および５では、分散剤１〜４に代えて、２，３−ジヒドロキシナフタレンを用いた。

［評価方法］
（１）活性化体積の測定
活性化体積の測定用試料として、磁性層形成用組成物の調製に用いた六方晶バリウムフェライト粉末と同じ粉末ロット内の粉末を使用した。測定は、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いてＨｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで行い、先に記載した関係式から活性化体積を算出した。測定は２３℃±１℃の環境で行った。算出された活性化体積を表１に示す。

（２）ｃｏｓθの測定
実施例および比較例の各磁気テープから断面観察用試料を切り出し、この試料を用いて上述した方法でｃｏｓθを求めた。実施例および比較例の各磁気テープについて求められたｃｏｓθを表２に示す。実施例および比較例の各磁気テープにおいて、ＳＴＥＭ像で観察された全六方晶フェライト粒子に対して、ｃｏｓθの測定対象とされる先に記載した範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子の占める割合は、粒子数基準で８０〜９５％程度であった。

ｃｏｓθの測定に用いる断面観察用試料は、以下の方法により作製した。

（ｉ）保護膜付試料の作製
以下の方法により、保護膜（カーボン膜と白金膜との積層膜）付試料を作製した。
ｃｏｓθを求める対象の磁気テープから、磁気テープの幅方向１０ｍｍ×長手方向１０ｍｍのサイズの試料を剃刀を用いて切り出した。試料について以下に記載する幅方向とは、切り出す前の磁気テープにおいて幅方向であった方向をいうものとする。長手方向についても同様である。
切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。
上記試料の磁性層表面に、真空蒸着によりカーボン膜（厚み８０ｎｍ）を形成し、形成したカーボン膜表面にスパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。カーボン膜の真空蒸着および白金膜のスパッタリングは、それぞれ下記条件で行った。
＜カーボン膜の真空蒸着条件＞
蒸着源：カーボン（直径０．５ｍｍのシャープペンシルの芯）
真空蒸着装置のチャンバー内真空度：２×１０^−３Ｐａ以下
電流値：１６Ａ
＜白金膜のスパッタリング条件＞
ターゲット：Ｐｔ
スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
電流値：１５ｍＡ

（ｉｉ）断面観察用試料の作製
上記（ｉ）で作製した保護膜付試料から、ガリウムイオン（Ｇａ^＋）ビームを用いるＦＩＢ加工によって薄膜状の試料を切り出した。切り出しは、以下の２回のＦＩＢ加工により行った。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶとした。
１回目のＦＩＢ加工では、保護膜表面から深さ約５μｍの領域までを含む保護膜付試料の長手方向の一方の端部（即ち保護膜付試料の幅方向の一方の側面を含む部分）を切り出した。切り出された試料には、保護膜から非磁性支持体の一部までが含まれる。
次いで、切り出された試料の切り出し面側（即ち、切り出しにより露出した試料断面側）にマイクロプローブを取り付け、２回目のＦＩＢ加工を行った。２回目のＦＩＢ加工では、切り出し面側とは逆の面（即ち、上記の幅方向の一方の側面）側にガリウムイオンビームを当てて試料の切り出しを行った。２回目のＦＩＢ加工における切り出し面を、ＳＴＥＭ観察用のメッシュの端面に貼り合わせて試料を固定した。固定後、マイクロプローブを除去した。
更に、メッシュに固定された試料からマイクロプローブを除去した面に、上記と同様の加速電圧でガリウムイオンビームを当ててＦＩＢ加工を行い、メッシュに固定された試料を更に薄膜化した。
こうして作製されたメッシュに固定された断面観察用試料を走査透過型電子顕微鏡により観察して、先に記載した方法によりｃｏｓθを求めた。こうして求められたｃｏｓθを、表２に示す。

（３）角型比（ＳＱ；Ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ Ｒａｔｉｏ）の評価
参照値として、作製した各磁気テープについて、角型比を振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて磁場強度１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）で測定した。測定結果を表２に示す。比較例４および５で分散剤１〜４に代えて使用した２，３−ジヒドロキシナフタレンは、特開２０１２−２０３９５５号公報において角型比の調整のための添加剤として用いられている化合物である。
角型比は、磁性層における強磁性粉末の存在状態（配向状態）の指標として知られている。しかし、後述の表２に示されているように、角型比を制御することはｃｏｓθを制御することにはつながらない。角型比は、飽和磁化に対する残留磁化の比を表す値であって、六方晶フェライト粉末に含まれる粒子の形状およびサイズに関わらず、全ての粒子を対象として測定される。これに対し、ｃｏｓθとは、先に記載の範囲のアスペクト比および長軸方向の長さを有する六方晶フェライト粒子を選択して測定される値である。このような違いがあることが、角型比を制御することはｃｏｓθを制御することにはつながらない理由と考えられる。

（４）差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）の測定および算出
実施例および比較例の各磁気テープについて、以下の方法により差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を求めた。
磁気力顕微鏡としてＢｒｕｋｅｒ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００を周波数変調モードで使用し、プローブとしてＮａｎｏｗｏｒｌｄ社製ＳＳＳ−ＭＦＭＲ（公称曲率半径１５ｎｍ）を使用して、サーボパターンを形成した磁気テープの磁性層表面の９０μｍ×９０μｍの測定範囲で、１００ｎｍピッチで粗測定を行いサーボパターン（磁化領域）を抽出した。磁気力顕微鏡観察時の磁性層表面とプローブ先端との間の距離は、２０ｎｍとした。上記測定範囲には、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがい形成されたＡバーストの５本のサーボパターンが含まれるため、これら５本のサーボパターンが抽出された。
上記磁気力顕微鏡およびプローブを用いて、各サーボパターンの走行方向に対して下流側のエッジについて、磁化領域と非磁化領域との境界近傍を５ｎｍピッチで測定し磁気プロファイルを得た。得られた磁気プロファイルは、角度α＝１２°で傾斜していたため、解析ソフトにより角度α＝０°となるように回転補正を行った。
測定は、磁性層表面の異なる３箇所で行った。各測定範囲には、それぞれＡバーストの５本のサーボパターンが含まれていた。
その後、解析ソフトを用いて先に記載した方法により差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を求めた。解析ソフトとしては、ＭａｔｈＷｏｒｋｓ製ＭＡＴＬＡＢを使用した。こうして求められた差分（Ｌ_９９．９−Ｌ_０．１）を、表２に示す。

（５）性能評価
（ｉ）実施例および比較例の各磁気テープの磁性層に対して、ＩＢＭ社製ＴＳ１１５５テープドライブに搭載されている記録再生ヘッドを用いて、速度：６ｍ／ｓ、線記録密度：６００ｋｂｐｉ（２５５ｂｉｔＰＲＢＳ）およびトラックピッチ：２μｍの記録条件にて、データの記録を行った。上記の単位ｋｂｐｉは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。上記のＰＲＢＳは、Ｐｓｅｕｄｏ Ｒａｎｄｏｍ Ｂｉｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅの略称である。
上記記録により、各磁気テープの磁性層に、２つの隣接トラックの間、即ち第１のノイズ混入源トラックと第２のノイズ混入源トラックとの間に、読取対象トラックが位置する特定トラック領域が形成される。
（ｉｉ）近接した状態で配置された２つの読取素子を有する読取素子ユニットを用いてデータ読取を行うモデル実験として、以下のデータ読取を行った。以下のモデル実験では、磁性層表面と読取素子とが接触し摺動することによってデータ読取が行われた。
単一の読取素子を有する磁気ヘッドを、読取対象トラックのテープ幅方向の中心と読取素子のトラック幅方向の中心とが一致するように配置した状態で読取を開始し、１回目のデータ読取を行った。この１回目のデータ読取中、サーボ素子によってサーボパターンを読み取り、タイミングベースサーボ方式のトラッキングも行った。また、サーボパターン読取動作に同期して読取素子によりデータ読取動作が行われた。
次いで同一の磁気ヘッドをテープ幅方向（一方の隣接トラック側）に５００ｎｍずらして、２回目のデータ読取を１回目のデータ読取と同様に行った。上記の２回のデータ読取は、それぞれ再生素子幅：０．２μｍ、速度：４ｍ／ｓ、サンプリングレート：ビットレートの１．２５倍の読取条件で行った。
１回目のデータ読取で得られた読取信号を等化器に入力し、１回目のデータ読取における磁気テープと磁気ヘッド（読取素子）との位置のずれ量に応じた波形等化処理を施した。この波形等化処理は、次のように行われる処理である。一定周期で形成されているサーボパターンをサーボ素子によって読み取ることにより得られた位置のずれ量から、読取素子と読取対象トラックとの重複領域と、読取素子と隣接トラックとの重複領域との比を特定する。この特定された比から演算式を用いて導出されたタップ係数を読取信号に対して畳み込み演算することにより、波形等化処理を行う。上記演算式は、ＥＰＲ４（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ ｃｌａｓｓ４）を基本波形（ターゲット）とする演算式である。２回目のデータ読取で得られた読取信号についても、同様に波形等化処理を施した。
上記の波形等化処理が施された２つの読取信号の位相合わせ処理（以下、「２次元信号処理」と記載する。）を行うことにより、近接した状態で配置された２つの読取素子（読取素子ピッチ＝５００ｎｍ）を有する読取素子ユニットにより得られるであろう読取信号を得た。こうして得られた読取信号について、信号検出点でのＳＮＲを算出した。
（ｉｉｉ）上記の（ｉｉ）を、１回目のデータ読取開始時の読取素子の位置を、読取対象トラックのテープ幅方向の中心から０．１μｍ間隔で第１のノイズ混入源トラック側および第２のノイズ混入源トラック側にそれぞれトラックオフセットさせながら繰り返し、トラック位置に対するＳＮＲのエンベローブを得た。
表２中、「２次元信号処理」の欄に「有」と記載されている実施例および比較例については、上記方法によりＳＮＲのエンベローブを得た。
表２中、「２次元信号処理」の欄に「無」と記載されている比較例については、上記の２回目のデータ読取を行わずに１回目のデータ読取結果（即ち単一素子のみでのデータ読取結果）に関してＳＮＲのエンベローブを得た。
（ｉｖ）比較例１のＳＮＲのエンベローブを参照エンベローブとし、参照エンベローブにおけるトラックセンターのＳＮＲからＳＮＲが−３ｄＢ低下したところを、ＳＮＲ下限値として設定した。各エンベローブにおいて、この下限値以上で最大のトラックオフセット量を、許容可能トラックオフセット量とした。実施例および比較例のそれぞれについて、比較例１の許容可能トラックオフセット量に対する許容可能トラックオフセット量の増加率を、「許容可能トラックオフセット量増加率」として求めた。

以上の結果を、表２に示す。

表２に示すように、実施例によれば、２０％以上の許容可能トラックオフセット量増加率を実現することができた。
上記方法により求められる許容可能トラックオフセット量が大きいことは、トラックマージンを小さくしても高い再生品質での再生を可能にするうえで有利である。この点から、許容トラックオフセット量増加率が２０％以上であることは好ましい。

本発明の一態様は、高密度記録されたデータを高い再生品質で再生することが望まれる磁気記録用途において有用である。

Claims (11)

1. 磁気テープと、
   読取素子ユニットと、
   抽出部と、
   を含み、
   前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、
   前記磁性層は、サーボパターンを有し、
   前記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末であり、
   走査透過型電子顕微鏡を用いて行われる断面観察によって求められる前記磁性層の表面に対する前記六方晶フェライト粉末の傾きｃｏｓθは、０．８５以上１．００以下であり、
   前記読取素子ユニットは、前記磁気テープに含まれるトラック領域のうちの読取対象トラックを含む特定トラック領域からデータをリニアスキャン方式で各々読み取る複数の読取素子を有し、
   前記抽出部は、前記読取素子毎の読取結果の各々に対して、前記磁気テープと前記読取素子ユニットとの位置のずれ量に応じた波形等化処理を施すことにより、前記読取結果から、前記読取対象トラックに由来するデータを抽出し、
   前記ずれ量は、前記磁気テープの磁性層が有するサーボパターンをサーボ素子が読み取ることにより得られた結果に応じて定められる、磁気テープ装置。
2. 前記複数の読取素子の互いの一部は、前記磁気テープの走行方向で重なっている、請求項１に記載の磁気テープ装置。
3. 前記特定トラック領域は、前記読取対象トラックと前記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとを含む領域であり、
   前記複数の読取素子の各々は、前記磁気テープとの位置関係が変化した場合に、前記読取対象トラックおよび前記隣接トラックの双方に対して、共に跨っている、請求項２に記載の磁気テープ装置。
4. 前記複数の読取素子は、前記磁気テープの幅方向に、近接した状態で並べて配置されている、請求項１に記載の磁気テープ装置。
5. 前記磁気テープの幅方向において、前記複数の読取素子は、前記読取対象トラック内に収まっている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
6. 前記波形等化処理は、前記ずれ量に応じて定められるタップ係数を用いて行われる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
7. 前記複数の読取素子の各々について、前記読取対象トラックとの重複領域と前記読取対象トラックに隣接している隣接トラックとの重複領域との比が前記ずれ量から特定され、特定された前記比に応じて前記タップ係数が定められる、請求項６に記載の磁気テープ装置。
8. 前記サーボ素子により行われる読取動作に同期して、前記読取素子ユニットの読取動作が行われる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
9. 前記抽出部は、２次元ＦＩＲフィルタを有し、
   前記２次元ＦＩＲフィルタは、前記読取素子毎の読取結果の各々に対して前記波形等化処理を施すことにより得られた各結果を合成することによって、前記読取結果から前記読取対象トラックに由来するデータを抽出する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
10. 前記複数の読取素子は一対の読取素子である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
11. 前記六方晶フェライト粉末の活性化体積は、１６００ｎｍ^３以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。

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