JP7373705B2 - 回路基板、電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、回路基板及びそれを有する電子機器に関する。

特許文献１は、センサと電子部品とが実装された回路基板において、電子部品で発生した熱がセンサに伝導するのを遮るスリットを形成した構造を開示している。

特開２０１５－１１１０９３号公報

本開示は、機器の筐体に固定される回路基板、及びそれを有する電子機器において、回路基板上の所定回路部で発生した熱の機器筐体への伝導を抑制しつつ、所定回路部に起因する電磁ノイズの発生を抑制することを目的とする。

本開示において、熱及び電磁ノイズを発生する所定回路部が配置され、導電性を有するネジで導電性を有する筐体に固定される回路基板が提供される。

回路基板は、
絶縁性を有する板状の基材を含む絶縁体層と、
絶縁体層の少なくとも一方の面に配置された、グランド部を含む回路パターンを有する導体層と、
絶縁体層及びグランド部を貫通しており、ネジが挿通されるネジ挿通孔と、を有する。

グランド部は、ネジ挿通孔と所定回路部との間に配置されたスリットを有している。

グランド部は、グランド部のうちスリットとネジ挿通孔との間の部分と、グランド部のうちスリットと所定回路部との間の部分とを電気的に接続するグランドブリッジを有している。

本開示において、本開示の回路基板と、
上記の筐体と、を備えた、電子機器が提供される。

本開示によれば、回路基板上の所定回路部で発生した熱の筐体への伝導を抑制しつつ、所定回路部に起因する電磁ノイズの発生を抑制できる。

図１は、実施の形態１における回路基板を備えたコンピュータの斜視図である。 図２は、筐体内に配置された回路基板を模式的に示した平面図である。 図３は、図２の矢印Ｚ２で示した部分の拡大図である。 図４は、図３のＺ３１－Ｚ３１線による断面図である。 図５は、図３のＺ３２－Ｚ３２線による断面図である。 図６は、電磁ノイズの測定結果を示した図である。 図７は、実施の形態２における回路基板を備えたコンピュータについての図４相当の断面図である。 図８は、実施の形態２における回路基板を備えたコンピュータについての図５相当の断面図である。 図９は、実施の形態３における回路基板を備えたコンピュータについての図３相当の平面図である。 図１０は、図９のＺ９１－Ｚ９１線による断面図である。 図１１は、実施の形態４におけるコンピュータについての図２相当の平面図である。

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。

なお、発明者は、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。

（実施の形態１）
以下、図面を参照して実施の形態１を説明する。

［１－１．構成等］
図１は、実施の形態１における回路基板を備えたコンピュータの斜視図である。コンピュータ１００は、本開示における電子機器の一例である。

コンピュータ１００は、筐体１１０と、表示部１２０と、回路基板２００とを有する。

筐体１１０は、導電性を有する金属やマグネシウム合金などの合金を利用して形成されている。

表示部１２０は、画像や映像を表示する。表示部１２０は、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイにより構成される。表示部１２０には、タッチパネルが備えられてもよい。

回路基板２００は、筐体１１０内に配置される。

図２は、筐体１１０内に配置された回路基板２００を模式的に示した平面図である。

回路基板２００には、１個あるいは複数の電子部品でそれぞれ構成された回路部３０１、３０２、３０３やその他の種々の部品が実装されている。また、回路基板２００には、配線やグランド部などを含む回路パターンが形成されている。回路パターンは、例えば銅箔により形成される。なお、配線については記載を省略している。回路部３０１、３０２、３０３のうち、回路部３０１は、動作時に比較的大きな熱を発生させるものとする。回路部３０１、３０２、３０３以外の回路や部品については図示を省略している。

回路部３０１は、電源回路部であり、所定回路部の一例である。電源回路部は、例えばＡＣ／ＤＣコンバータやＤＣ／ＤＣコンバータであり、トランジスタ、集積回路、コンデンサなどを利用して構成される。電源回路部は、数百ＭＨｚの駆動周波数で駆動され、動作時に電力変換ロス等に伴う比較的大きな熱を発生する発熱源となる。また、電源回路部は、上述のような高い周波数で駆動されることで、電磁ノイズ（ＥＭＩノイズ（Electro-magnetic Interference Noise））の発生源となる。

なお、本開示における所定回路部としての回路部３０１は、ＣＰＵ、ＭＰＵなどの演算処理回路部であってもよい。演算処理回路部は、例えば数ＧＨｚの駆動周波数で駆動され、動作時に大きな電力を消費し、比較的大きな熱を発生する発熱源となる。また、演算処理回路部は、上述のような高い周波数で駆動されることで、電磁ノイズ（ＥＭＩノイズ）の発生源となる。

図２に示す回路基板２００は、長方形形状を有し、長方形の４隅付近においてネジ挿通孔２０１、２０２、２０３、２０４を有する。回路基板２００は、ネジ４０１、４０２、４０３、４０４を利用して筐体１１０に固定される。

図３は、図２の矢印Ｚ２で示した部分の拡大図である。図４は、図３のＺ３１－Ｚ３１線による断面図である。図５は、図３のＺ３２－Ｚ３２線による断面図である。

図４に示すように、回路基板２００は、絶縁性を有する板状の基材で形成された絶縁体層２００Ｂと、絶縁体層２００Ｂの一方の面に銅箔などの導体により形成された導体層２００Ａと、を有する。導体層２００Ａには、信号線やグランド部２００ｇを有する回路パターンが形成されている。ここで、グランド部２００ｇは、銅箔などの導体であって、コンピュータ１００が動作したときにグランドとして機能する部分である。図４では、導体層２００Ａの回路パターンのうち、グランド部２００ｇのみを示している。

図４に示すように、回路基板２００には、ネジ４０１が挿通されるネジ挿通孔２０１が形成されている。ネジ挿通孔２０１は、絶縁体層２００Ｂ及び導体層２００Ａのグランド部２００ｇを貫通するように形成されている。ネジ挿通孔２０１に挿通されたネジ４０１の先端部が、筐体１１０の内面に設けられたボス１１１のネジ孔１２１に螺合される。このとき、回路基板２００がネジ４０１の頭部４０１ａの座面とボス１１１の頂面とで挟まれて筐体１１０に固定され、ネジ４０１の頭部４０１ａの座面がグランド部２００ｇに圧接される。ネジ４０１は、金属などの導電性を有するネジ４０１である。これにより、回路基板２００が筐体１１０に固定された状態のとき、グランド部２００ｇと筐体１１０とがネジ４０１を介して電気的に接続される。

上述したように、回路部３０１は比較的大きな熱を発生する。回路部３０１で発生した熱は、回路基板２００を介してネジ４０１に伝導され、さらにネジ４０１を介して筐体１１０に伝導される。そのため、筐体１１０においてネジ４０１に近い部分の筐体外面の温度がその周囲と比べて相対的に高くなり、筐体外面に触れた利用者が違和感を持つ可能性がある。

この課題に対処するため、本実施の形態の回路基板２００では、ボス１１１付近の筐体外面の温度を所定温度以上に上昇させないように、ネジ挿通孔２０１の周囲のグランド部２００ｇはスリット２１１を有している。スリット２１１は、ネジ挿通孔２０１と回路部３０１との間に配置されている。所定温度は、筐体外面に触れた利用者に違和感を持たせにくい温度である。

図３に示すように、スリット２１１は、ネジ挿通孔２０１の中心Ｃｅを中心とする円弧状（扇状）の形状を有する。スリット２１１の円弧の角度範囲θは、回路部３０１からネジ挿通孔２０１へのグランド部２００ｇを介した熱伝導を阻害するように、回路部３０１からネジ挿通孔２０１への熱の到来経路ＴＨ１に基づいて設定される。到来経路ＴＨ１は、例えば、回路部３０１の中心とネジ挿通孔２０１の中心Ｃｅとを結ぶ仮想線Ｌ１を挟んでその両側に一定の幅Ｓ１を有するものと仮定する。この場合、幅Ｓ１は、例えば回路部３０１における仮想線Ｌ１に垂直の方向の到来経路ＴＨ１の長さとなる。また、スリット２１１の角度範囲θは、１２０°程度となる。なお、到来経路ＴＨ１の幅は、回路部３０１が発生する熱量に応じて適宜に変更してもよい。

ここで、回路基板２００のグランド部２００ｇにスリット２１１を形成すると、回路部３０１のグランド電流の筐体１１０へのリターンパスがスリット２１１を迂回するパスとなる。そのため、スリット２１１を形成しない場合と比べ、リターンパスが長くなる。そのため、回路部３０１に起因する電磁ノイズが発生（増大）しやすくなる。

これを解決するため、本実施の形態では、回路基板２００を以下のように構成している。すなわち、図５に示すように、グランド部２００ｇは、部分２００ｇａと、部分２００ｇｂとを、電気的に接続するグランドブリッジ２５１を有している。ここで、部分２００ｇａは、グランド部２００ｇのうちスリット２１１とネジ挿通孔２０１との間の部分である。また、部分２００ｇｂは、グランド部２００ｇのうちスリット２１１と回路部３０１との間の部分である。グランドブリッジ２５１は、例えば、銅箔などの導体により形成される。

図３に示すように、グランドブリッジ２５１は、回路部３０１とネジ挿通孔２０１とを結ぶ仮想線Ｌ１上に設けられる。これにより、回路部３０１のグランド電流は、スリット２１１を迂回することなく、グランドブリッジ２５１を介してネジ４０１に到達することができる。つまり、回路部３０１のグランド電流のリターンパスを短くできる。そのため、スリット２１１を設けた場合でも、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。

グランドブリッジ２５１の幅Ｗ１は、回路部３０１により生じるＭＨｚ帯の電磁ノイズが一定程度抑制される範囲で、できるだけ小さい幅に、設定されている。幅Ｗ１をこのようにできるだけ小さく設定するのは、グランドブリッジ２５１を介したネジ４０１への熱の伝導をできるだけ抑制するためである。ＭＨｚ帯の電磁ノイズを抑制する場合、グランドブリッジ２５１の幅Ｗ１は例えば１ｍｍ程度の幅とする。また、グランドブリッジ２５１の幅Ｗ１は、ネジ挿通孔２０１の直径Ｄ１よりも小さくてもよい。

図６は、電磁ノイズの測定結果を示した図である。

実線はグランドブリッジ２５１を設けた場合の電磁ノイズレベルの周波数特性を示し、破線はグランドブリッジ２５１を設けない場合の電磁ノイズレベルの周波数特性を示す。なお、グランドブリッジ２５１を設けない場合の破線については、グランドブリッジ２５１を設けた場合に対して有意な差が存在する部分のみを示している。これらの特性は、ＶＣＣＩにより定められた所定の測定方法にしたがって測定した。グランドブリッジ２５１を設けた場合には、グランドブリッジ２５１を設けない場合と比べ、特に５００ＭＨｚ～７００ＭＨｚの範囲に含まれる電磁ノイズレベルのピークを約１０ｄＢ低減できた。

このように、本実施の形態における回路基板２００及びコンピュータ１００によれば、回路基板２００上の回路部３０１で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。

［１－２．効果等］
本実施の形態の回路基板２００は、熱及び電磁ノイズを発生する回路部３０１（所定回路部の一例）が配置され、導電性を有するネジ４０１で導電性を有する筐体１１０に固定される回路基板２００である。

回路基板２００は、
絶縁性を有する板状の基材を含む絶縁体層２００Ｂと、
絶縁体層２００Ｂの少なくとも一方の面に配置された、グランド部２００ｇを含む回路パターンを有する導体層２００Ａと、
絶縁体層２００Ｂ及びグランド部２００ｇを貫通しており、ネジ４０１が挿通されるネジ挿通孔２０１と、を有する。

グランド部２００ｇは、ネジ挿通孔２０１と回路部３０１との間に配置されたスリット２１１を有している。

グランド部２００ｇは、グランド部２００ｇのうちスリット２１１とネジ挿通孔２０１との間の部分２００ｇａと、グランド部２００ｇのうちスリット２１１と回路部３０１との間の部分２００ｇｂとを電気的に接続するグランドブリッジ２５１を有している。

これにより、回路基板２００上の回路部３０１で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。

本実施の形態の回路基板２００において、
グランドブリッジ２５１は、回路部３０１とネジ挿通孔２０１とを結ぶ仮想線Ｌ１上に設けられる。

これにより、回路部３０１からネジ挿通孔２０１へのグランド電流のリターンパスを短くできる。そのため、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を効果的に抑制できる。

本実施の形態の回路基板２００において、
スリット２１１は、ネジ挿通孔２０１の中心Ｃｅを中心とする円弧形状を有する。

円弧形状の角度範囲θは、回路部３０１が発生した熱がグランド部２００ｇを介してネジ挿通孔２０１へ伝導することを阻害するように、回路部３０１からのネジ挿通孔２０１への熱の到来経路ＴＨ１（伝導経路）に基づいて設定される。

これにより、回路部３０１からネジ挿通孔２０１へのグランド部２００ｇを介した熱伝導を、回路部３０１からのネジ挿通孔２０１への熱の到来経路に応じて適切に阻害できる。

本実施の形態の回路基板２００において、
回路部３０１は、電源回路部（所定回路部の一例）である。

これにより、電源回路部で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、電源回路部に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。電源回路部は、回路基板２００に配置される回路や電子部品の中でも、発熱量が相対的に多く、かつ電磁ノイズを発生させやすい。そのような電源回路部に関して上述の効果が得られる。

なお、回路部３０１は、演算処理回路部（所定回路部の一例）であってもよい。

これにより、演算処理回路部で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、演算処理回路部に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。演算処理回路部は、回路基板２００に配置される回路や電子部品の中でも、発熱量が相対的に多く、かつ電磁ノイズを発生させやすい。そのような演算処理回路部に関して上述の効果が得られる。

本実施の形態のコンピュータ１００（電子機器の一例）は、
回路基板２００と、
筐体１１０と、を備える。

これにより、コンピュータ１００において、回路基板２００上の回路部３０１で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。

（実施の形態２）
実施の形態２について、実施の形態１との相違点を中心として説明する。

［２－１．構成等］
図７は、実施の形態２における回路基板を備えたコンピュータについての図４相当の断面図である。図８は、実施の形態２における回路基板を備えたコンピュータについての図５相当の断面図である。

本実施の形態における回路基板２００では、導体層２００Ａと絶縁体層２００Ｂとが交互にそれぞれ複数層設けられている。図８では、３層の絶縁体層２００Ｂ－１、２００Ｂ－２、２００Ｂ－３と、４層の導体層２００Ａ－１、２００Ａ－２、２００Ａ－３、２００Ａ－４が設けられた例を示している。４層の導体層２００Ａ－１、２００Ａ－２、２００Ａ－３、２００Ａ－４のグランド部２００ｇにはそれぞれスリット２１１が形成されている。各導体層２００Ａ－１、２００Ａ－２、２００Ａ－３、２００Ａ－４のグランド部２００ｇは、互いにスルーホールビア（図示せず）などを介して接続されている。また、図８に示すように、グランドブリッジ２５１は、導体層２００Ａ－１、２００Ａ－２、２００Ａ－３、２００Ａ－４のスリット２１１のうち、回路基板２００の一方の表面を形成する導体層２００Ａ－１のスリット２１１と、回路基板２００の他方の表面を形成する導体層２００Ａ－４のスリット２１１に対してのみ設けられている。全てのスリット２１１に対してグランドブリッジを設けることも可能であるが、グランドブリッジ２５１を介した筐体１１０への熱伝導を少なくするために、上記の２層に対してのみグランドブリッジ２５１を設けている。なお、２層にのみグランドブリッジを設けることは一例であり、１層のみ、あるいは３層以上にグランドブリッジを設けてもよい。また、上記のように一方及び他方の表面を形成する導体層でなく、中間の導体層を含む任意の導体層にグランドブリッジを設けてもよい。いずれの導体層にグランドブリッジを設けるかは、熱と電磁ノイズの大きさとのバランスを考慮して設定すればよい。

本実施の形態によれば、回路部３０１のグランド電流は、上記一方及び他方の表面２個のグランドブリッジ２５１を介してネジ４０１に到達することができる。そのため、スリット２１１を設けた場合でも、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生をより効果的に抑制できる。

このように、本実施の形態によれば、回路基板２００を上述のように構成している。これにより、コンピュータ１００において、回路基板２００上の回路部３０１で発生した熱の筐体１１０への伝導を抑制しつつ、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）を抑制できる。

［２－２．効果等］
本実施の形態の回路基板２００において、
複数の絶縁体層２００Ｂと複数の導体層２００Ａとが交互にそれぞれ設けられている。

グランドブリッジ２５１は、複数の導体層２００Ａのうち導体層２００Ａ－１、２００Ａ－４（少なくとも１つの所定の導体層の一例）に設けられている。

このように所定の導体層にグランドブリッジ２５１を設けている。これにより、回路基板２００上の回路部３０１で発生した熱の筐体１１０への伝導の抑制と、回路部３０１に起因する電磁ノイズの発生（増大）の抑制とを、これらのバランスをとりつつ実現できる。

なお、図７、図８では、回路基板が、３層の絶縁体層２００Ｂ－１、２００Ｂ－２、２００Ｂ－３と、４層の導体層２００Ａ－１、２００Ａ－２、２００Ａ－３、２００Ａ－４とを有する例を示した。しかし、これは一例であり、本開示では、絶縁体層及び導体層の層数はこれより多くても少なくてもよい。また、この場合においても、前述したように、グランドブリッジを設ける層は、回路基板の一方の表面を形成する導体層や、回路基板の他方の表面を形成する導体層でなく、その他の層であってもよい。また、グランドブリッジを設ける層の数は、回路基板上の所定回路部で発生した熱の筐体への伝導の抑制と、電磁ノイズの発生（増大）の抑制とのバランスを考慮して適宜設定すればよい。

（実施の形態３）
実施の形態３について、実施の形態１との相違点を中心として説明する。

［３－１．構成等］
図９は、実施の形態３における回路基板を備えたコンピュータについての図３相当の平面図である。図１０は、図９のＺ９１－Ｚ９１線による断面図である。

本実施の形態３における回路基板２００では、実施の形態１の構成に加え、グランドブリッジ２５１上に、抵抗部品３１０が配置されている。その他の構成は実施の形態１と同じである。抵抗部品３１０は、０Ω抵抗である。本実施の形態によると、グランドブリッジ２５１を利用して抵抗部品３１０を設置することが可能となる。さらに、グランド電流のリターンパスとなるグランドブリッジ２５１部分の抵抗をより低くできる。

［３－２．効果等］
本実施の形態の回路基板２００は、
グランドブリッジ２５１上に配置された抵抗部品３１０を有する。

これにより、グランドブリッジ２５１を利用して抵抗部品３１０を設置することが可能となる。さらに、グランド電流のリターンパスとなるグランドブリッジ２５１部分の抵抗をより低くできる。

（実施の形態４）
実施の形態４について、実施の形態１との相違点を中心として説明する。

［４－１．構成等］
図１１は、実施の形態４におけるコンピュータ１００についての図２相当の平面図である。

実施の形態１～３では、回路部３０１、３０２、３０３のうち、回路部３０１のみが動作時に比較的大きな熱を発生させるものとして説明した。実施の形態４では、回路部３０１だけでなく回路部３０２、３０３も動作時に比較的大きな熱を発生させる場合について説明する。この場合、回路部３０２、３０３の近傍のネジ４０２、４０３のネジ挿通孔２０２、２０３の周囲にもスリット２１２、２１３を設ける。

スリット２１２の円弧の角度範囲は、実施の形態１同様、回路部３０２からネジ挿通孔２０２へのグランド部２００ｇを介した熱伝導を阻害するように、回路部３０２からネジ挿通孔２０２への熱の到来経路ＴＨ２に基づいて設定される。

スリット２１３の円弧の角度範囲は、回路部３０３からネジ挿通孔２０３へのグランド部２００ｇを介した熱伝導を阻害するように、回路部３０３からネジ挿通孔２０３への熱の到来経路ＴＨ３に基づいて設定される。

また、実施の形態４では、回路部３０１だけでなく回路部３０２も動作時に比較的大きなレベルの電磁ノイズの発生源となる部品であるとする。この場合、スリット２１２にもグランドブリッジ２５２を設ける。

グランドブリッジ２５２は、回路部３０２とネジ挿通孔２０２とを結ぶ仮想線Ｌ２上に設けられる。これにより、回路部３０２のグランド電流は、スリット２１２を迂回することなく、グランドブリッジ２５２を介してネジ４０２に到達できる。つまり、回路部３０２のグランド電流のリターンパスを短くできる。そのため、スリット２１２を設けた場合でも、回路部３０２に起因する電磁ノイズの発生（増大）を適切に抑制できる。

グランドブリッジ２５２の幅Ｗ２は、回路部３０２により生じるＭＨｚ帯の電磁ノイズが一定程度抑制される範囲で、できるだけ小さい幅に、設定される。幅Ｗ２をこのようにできるだけ小さく設定するのは、グランドブリッジ２５２を介したネジ４０２への熱の伝導をできるだけ抑制するためである。ＭＨｚ帯の電磁ノイズを抑制する場合、グランドブリッジ２５２の幅は例えば１ｍｍ程度の幅とする。

（他の実施形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態１～４を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態１～４で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。そこで、以下、他の実施の形態を例示する。
（１）前記実施の形態では、本開示における回路基板を電子機器に適用した場合について説明した。しかし、本開示における回路基板は、電子機器だけでなく、発熱源及び電磁ノイズ発生源となる部品類が配置された回路基板を有する種々の機器に適用可能である。
（２）前記実施の形態では、本開示における電子機器をタブレット型のコンピュータに適用した場合について説明した。しかし、本開示の電子機器は、タブレット型のコンピュータだけでなく、ノートブック型のコンピュータ、スマートフォン、ブルーレイレコーダ、携帯型ゲーム機器、デジタルカメラなど、発熱源及び電磁ノイズ発生源となる電子部品などが実装される回路基板を有する種々の電子機器に適用可能である。
（３）前記実施の形態では、１個のスリットに対して１個のグランドブリッジを設けた例を説明した。しかし、１個のネジ挿通孔の１個のスリットの周囲に２個以上の所定回路部が存在する場合がある。この場合、１個のスリットに対して所定回路部の数に応じた数のグランドブリッジを設けてもよい。各グランドブリッジは、例えば、各所定回路部とネジ挿通孔とを結ぶ仮想線上に設ければよい。
（４）前記実施の形態では、グランドブリッジは直線状の形状を有する。しかし、本開示において、グランドブリッジは直線状でなく、曲線状、Ｌ字状、Ｚ字状などどのような形状でもよい。また、前記実施の形態では、グランドブリッジは円弧状のスリットの周方向ほぼ中心付近を通っているが、所定回路部との位置関係や熱の発生量に応じて、円弧状のスリットの周方向いずれか一方側にかたよって設けられてもよい。
（５）前記実施の形態では、長方形形状を有する回路基板の４隅付近にネジ挿通孔を設けた例を示した。しかし、本開示では、回路基板の形状やネジ挿通孔の位置は任意である。その場合、スリット及びグランドブリッジは、例えば所定回路部に最も近いネジ挿通孔に設ければよい。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

本開示は、発熱源及び電磁ノイズ発生源となる部品類が配置される回路基板を有する機器において広く利用可能である。

１００ コンピュータ
１１０ 筐体
１１１ ボス
１２１ ネジ孔
１２０ 表示部
２００ 回路基板
２００Ａ 導体層
２００Ａ－１ 導体層
２００Ａ－２ 導体層
２００Ａ－３ 導体層
２００Ａ－４ 導体層
２００Ｂ 絶縁体層
２００Ｂ－１ 絶縁体層
２００Ｂ－２ 絶縁体層
２００Ｂ－３ 絶縁体層
２００ｇ グランド部
２００ｇａ 部分
２００ｇｂ 部分
２０１ ネジ挿通孔
２０２ ネジ挿通孔
２０３ ネジ挿通孔
２０４ ネジ挿通孔
２１１ スリット
２１２ スリット
２１３ スリット
２５１ グランドブリッジ
２５２ グランドブリッジ
３０１ 回路部
３０２ 回路部
３０３ 回路部
３１０ 抵抗部品
４０１ ネジ
４０２ ネジ
４０３ ネジ
４０４ ネジ

Claims (8)

1. 熱及び電磁ノイズを発生する所定回路部が配置され、導電性を有するネジで導電性を有する筐体に固定される回路基板であって、
   絶縁性を有する板状の基材を含む複数の絶縁体層と、
   前記絶縁体層の少なくとも一方の面に配置された、グランド部を含む回路パターンを有する複数の導体層と、
   前記複数の絶縁体層及び前記複数の導体層のグランド部を貫通しており、前記ネジが挿通されるネジ挿通孔と、を有し、
   前記複数の絶縁体層と前記複数の導体層とが交互にそれぞれ設けられ、
   前記グランド部は、前記ネジ挿通孔と前記所定回路部との間に配置されたスリットを有しており、
   前記グランド部は、前記グランド部のうち前記スリットと前記ネジ挿通孔との間の部分と、前記グランド部のうち前記スリットと前記所定回路部との間の部分とを電気的に接続するグランドブリッジを有し、
   前記スリットと前記グランドブリッジは、前記回路基板の表面を形成する同一の導体層にのみ形成されている、
   回路基板。
2. 前記グランドブリッジは、前記所定回路部と前記ネジ挿通孔とを結ぶ仮想線上に設けられる、
   請求項１に記載の回路基板。
3. 前記グランドブリッジ上に配置された抵抗部品を有する、
   請求項１に記載の回路基板。
4. 前記スリットは、前記ネジ挿通孔の中心を中心とする円弧形状を有し、
   前記円弧形状の角度範囲は、前記所定回路部が発生した熱が前記グランド部を介して前記ネジ挿通孔へ伝導することを阻害するように、前記所定回路部からの前記ネジ挿通孔への前記熱の伝導経路に基づいて設定される、
   請求項１に記載の回路基板。
5. 前記所定回路部は、演算処理回路部である、
   請求項１に記載の回路基板。
6. 前記所定回路部は、電源回路部である、
   請求項１に記載の回路基板。
7. 前記グランドブリッジの幅は、前記ネジ挿通孔の直径よりも小さい、
   請求項１に記載の回路基板。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の回路基板と、
   前記筐体と、を備える、
   電子機器。

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