JP7349897B2 - 半導体基板用浸漬液組成物 - Google Patents

Description

本開示は、半導体基板用浸漬液組成物に関する。

近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコンウェーハ（ベアウェーハ）の表面欠陥（ＬＰＤ：Ｌｉｇｈｔ ｐｏｉｎｔ ｄｅｆｅｃｔｓ）や表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。

シリコンウェーハの品質を向上する目的で、シリコンウェーハの研磨は多段階で行われている。研磨後のシリコンウェーハ表面に研磨くずや砥粒等由来のパーティクルが残留していると、表面欠陥発生の原因となる。通常、研磨後のシリコンウェーハは、ウェーハ表面に残留するパーティクルを除去するため洗浄工程へと運ばれるが、洗浄工程に運ばれるまでの間、クエン酸を含む水溶液中で保管されている。これは、シリコンウェーハを大気中で保管すると、パーティクルがウェーハ表面に固着してしまい、洗浄工程での除去が難しくなるからである。

研磨後のウェーハ表面に残留するパーティクルを除去する方法としては、例えば、特許文献１には、シリコンウェーハ等の半導体基板上に半導体素子を形成する際に使用される、有機あるいは無機の微細な異物及び油分の除去に有効な、発泡性の少ない洗浄剤組成物として、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸から選ばれる少なくとも１種をモノマー成分とし、該モノマー成分を全モノマー成分の使用量の２０モル％以上用いて得られる、重量平均分子量が５００～１５万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物が開示されている。

特開平１１－１８１４９４号公報

近年、半導体デバイスの性能向上に伴い、半導体の配線幅がより微細化してきている。それに伴い、半導体ウェーハ（半導体基板）表面に残留するパーティクル数の更なる低減が要求されており、ウェーハ表面に残留するパーティクルをより効果的に除去する方法や組成物が求められている。

そこで、本開示は、一態様において、半導体基板に対する濡れ性を向上でき、ウェーハ表面上の残留物を低減できる浸漬液組成物、及び該浸漬液組成物を用いた半導体基板の製造方法を提供する。

本開示は、一態様において、下記ポリマーＡ（成分Ａ）を含む、半導体基板用浸漬液組成物に関する。
ポリマーＡ：下記式（Ｉ）で表されるモノマーａ１又はその無水物由来の構成単位ａ１と、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーａ２由来の構成単位ａ２とを含むポリマー又はその塩。
〔式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、又は－(ＣＨ₂)_pＣＯＯＭ²を示し、Ｍ¹及びＭ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属（１／２原子）、又はアンモニウム基を示し、ｐは０以上２以下の整数を示す。〕
〔式（ＩＩ）中、Ｒ⁴及びＲ⁵はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｒは０以上２以下の整数を示し、ＡＯは炭素数２以上１８以下のアルキレンオキシ基を示し、ｍはＡＯの平均付加モル数であって、１以上３００以下の数を示し、Ｘは水素原子又は炭素数１以上１８以下のアルキル基を示す。〕

本開示は、その他の態様において、下記工程（１）及び（２）を含む、半導体基板の製造方法に関する。
（１）研磨された半導体基板を、本開示の浸漬液組成物に浸漬させる工程。
（２）工程（１）で得られた半導体基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。

本開示によれば、一態様において、半導体基板に対する濡れ性を向上でき、ウェーハ表面上の残留物を低減できる浸漬液組成物を提供できる。

本開示は、一態様において、研磨された半導体基板を、特定のポリマーを含む浸漬液組成物に浸漬させることで、濡れ性を向上でき、表面欠陥の発生原因となるウェーハ表面上の残留物を低減できるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、上記ポリマーＡ（成分Ａ）を含む、半導体基板用浸漬液組成物（以下、「本開示の浸漬液組成物」ともいう）に関する。

本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
一般的に、半導体基板の製造において、研磨機と洗浄機は一体型ではないため、研磨機から洗浄機まで搬送する必要がある。洗浄機でウェーハ表面に付着したパーティクルを効率よく除去するためには、洗浄する前に、ウェーハ表面に付着している残留物の量を減らすことや、残留物がウェーハ表面から剥がれやすくしておくことが考えられる。
本開示では、ポリマーＡ中のアルキレンオキシ基［式（ＩＩ）の－（ＣＨ₂）_rＯ（ＡＯ）_m－Ｘ］とカルボン酸ユニット［式（Ｉ）中のＣＯＯＭ¹］の双方がウェーハに吸着することにより、半導体基板に対する濡れ性を向上でき、ウェーハ表面に付着しているパーティクルが剥がれやすくなると考えられる。浸漬液組成物中でカルボン酸ユニットが解離している場合、解離したカルボン酸ユニットによる電荷反発により、パーティクルのウェーハ表面への再付着を抑制できると考えられる。このようにして、表面欠陥の原因となるパーティクルがウェーハ表面から除去されると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

本開示において、「半導体基板用浸漬液組成物」は、半導体基板の製造工程で用いられる基板を浸漬して保管するための浸漬液組成物、研磨液組成物を用いて研磨された基板を洗浄工程の前に浸漬して保管するための浸漬液組成物、又は、研磨液組成物を用いて研磨された基板を無機物洗浄を行う前に浸漬して保管するための浸漬液組成物を含みうる。本開示において、「半導体基板」は、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコンウェーハ又はポリシリコンウェーハである。

［ポリマーＡ（成分Ａ）］
本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、下記ポリマーＡ（以下、単に「成分Ａ」ともいう）を含む。成分Ａは、１種又は２種以上の組合せでもよい。

ポリマーＡは、下記式（Ｉ）で表されるモノマーａ１又はその無水物由来の構成単位ａ１（以下、単に「構成単位ａ１」ともいう）と、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーａ２由来の構成単位ａ２（以下、単に「構成単位ａ２」ともいう）とを含むポリマー又はその塩である。構成単位ａ１は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。構成単位ａ２は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

（モノマーａ１）
モノマーａ１は、下記式（Ｉ）で表されるモノマーである。

式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、又は－(ＣＨ₂)_pＣＯＯＭ²を示し、Ｍ¹及びＭ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属（１／２原子）、又はアンモニウム基を示し、ｐは０以上２以下の整数を示す。

式（Ｉ）において、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基及び－(ＣＨ₂)_pＣＯＯＭ²から選ばれる少なくとも１種であって、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、Ｒ¹及びＲ³は水素原子、Ｒ²は水素原子またはメチル基が好ましく、Ｒ¹及びＲ³は水素原子、Ｒ²はメチル基がより好ましい。
式（Ｉ）において、Ｍ¹及びＭ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アル
カリ土類金属（１／２原子）、又はアンモニウム基を示し、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、アルカリ金属が好ましく、ナトリウム及びカリウムがより好ましい。アンモニウム基としては、「ＮＨ₄ ⁺」で表される基（アンモニウム基）、有機アンモニウム基が挙げられる。
式（Ｉ）において、ｐは０以上２以下の整数であって、濡れ性向上の観点、及び、ウ
ェーハ表面上の残留物低減の観点から、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

式（Ｉ）で表されるモノマーａ１は無水物であってもよい。

モノマーａ１としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等及びそれらの無水物並びにそれらの塩が挙げられ、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及び無水マレイン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも一方がより好ましく、アクリル酸がさらに好ましい。塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、有機アンモニウム塩等が挙げられ、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、アルカリ金属塩が好ましく、ナトリウム塩及びカリウム塩がより好ましい。

（モノマーａ２）
モノマーａ２は、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーである。

式（ＩＩ）中、Ｒ⁴及びＲ⁵はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｒは０以上２以下の整数を示し、ＡＯは炭素数２以上１８以下のアルキレンオキシ基を示し、ｍはＡＯの平均付加モル数であって、１以上３００以下の数を示し、Ｘは水素原子又は炭素数１以上１８以下のアルキル基を示す。

式（ＩＩ）において、ＡＯは、炭素数２以上１８以下のアルキレンオキシ基を示し、該アルキレンオキシ基は直鎖状及び分岐状のいずれの形態であってもよい。ＡＯは１種であっても２種以上であってもよい。ＡＯが２種以上のとき、その付加形式はランダム状であってもブロック状であってもよい。アルキレンオキシ基の炭素数としては、炭素数２以上１８以下であって、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、炭素数２以上１２以下が好ましく、炭素数２又は３がより好ましい。ＡＯとしては、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、オキシエチレン（ＥＯ）基及びオキシプロピレン（ＰＯ）基から選ばれる少なくとも一方が好ましく、オキシエチレン（ＥＯ）基がより好ましい。
式（ＩＩ）において、ｍは、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、１以上であって、５以上が好ましく、１０以上がより好ましく、１５以上が更に好ましく、そして、３００以下であって、１５０以下が好ましく、１００以下がより好ましく、４０以下が更に好ましい。より具体的には、ｍは、１以上３００以下の数であって、５以上１５０以下が好ましく、１０以上１００以下がより好ましく、１５以上４０以下が更に好ましい。
式（ＩＩ）において、Ｘは、水素原子又は炭素数１以上１８以下のアルキル基を示し、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、水素原子又は炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。該アルキル基は、直鎖状及び分岐状のいずれの形態であってもよい。炭素数１以上１８以下のアルキル基としては、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。

モノマーａ２としては、式（ＩＩ）中のｒが０の場合、例えば、ポリエチレングリコールビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、エトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、プロポキシポリエチレングリコールビニルエーテル、ポリプロピレングリコールビニルエーテル、メトキシポリプロピレングリコールビニルエーテル、エトキシポリプロピレングリコールビニルエーテル、プロポキシポリプロピレングリコールビニルエーテル、ポリエチレングリコールイソプロペニルエーテル、ポリプロピレングリコールイソプロペニルエーテル等が挙げられる。

モノマーａ２としては、式（ＩＩ）中のｒが１の場合、例えば、ポリエチレングリコールアリルエーテル、メトキシポリエチレングリコールアリルエーテル、エトキシポリエチレングリコールアリルエーテル、プロポキシポリエチレングリコールアリルエーテル、ポリプロピレングリコールアリルエーテル、メトキシポリプロピレングリコールアリルエーテル、エトキシポリプロピレングリコールアリルエーテル、プロポキシポリプロピレングリコールアリルエーテル、ポリエチレングリコール－２－メチルアリルエーテル、ポリプロピレングリコール－２－メチルアリルエーテル、ポリエチレングリコール－２－ブテニルエーテル、ポリプロピレングリコール－２－ブテニルエーテル等が挙げられる。

モノマーａ２としては、式（ＩＩ）中のｒが２の場合、例えば、ポリエチレングリコール－３－ブテニルエーテル、メトキシポリエチレングリコール－３－ブテニルエーテル、エトキシポリエチレングリコール－３－ブテニルエーテル、プロポキシポリエチレングリコール－３－ブテニルエーテル、ポリプロピレングリコール－３－ブテニルエーテル、メトキシポリプロピレングリコール－３－ブテニルエーテル、エトキシポリプロピレングリコール－３－ブテニルエーテル、プロポキシポリプロピレングリコール－３－ブテニルエーテル、ポリエチレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、メトキシポリエチレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、エトキシポリエチレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、プロポキシポリエチレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、ポリプロピレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、メトキシポリプロピレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、エトキシポリプロピレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル、プロポキシポリプロピレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル等が挙げられる。

成分Ａの全構成単位中における構成単位ａ１と構成単位ａ２とのモル比（ａ１／ａ２）は、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、５０／５０以上が好ましく、６０／４０以上がより好ましく、６５／３５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、９９／１以下が好ましく、９５／５以下がより好ましく、９０／１０以下が更に好ましい。より具体的には、モル比（ａ１／ａ２）は、５０／５０以上９９／１以下が好ましく、６０／４０以上９５／５以下がより好ましく、６５／３５以上９０／１０以下が更に好ましい。

成分Ａは、構成単位ａ１及び構成単位ａ２以外の他の構成単位をさらに含有することができる。他の構成単位としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、アクリルアミド類、酢酸ビニル、スチレン、オレフィン、ビニルアルコール、アリルアルコール、アリルアルコールのポリアルキレンオキサイド付加物等から選ばれる少なくとも１種の化合物由来の構成単位が挙げられる。本開示において、成分Ａの全構成単位中における構成単位ａ１及び構成単位ａ２の合計含有量は、本開示の効果を発現させる観点から、８５モル％以上が好ましく、９０モル％以上がより好ましく、９７モル％以上が更に好ましく、９９モル％以上が更に好ましく、１００モル％が更に好ましい。

成分Ａは、例えば、モノマーａ１及びモノマーａ２を含むモノマー混合物を溶液重合法で重合させる等、公知の方法で得ることができる。溶液重合に用いられる溶媒としては、水；トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素；エタノール、２－プロパノール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル；等が挙げられる。重合に用いられる重合開始剤としては、公知のラジカル開始剤を用いることができ、例えば、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム塩）、過酸化水素水、ペルオキソ二硫酸ナトリウム等が挙げられる。重合の際、連鎖移動剤をさらに用いることができ、例えば、２－メルカプトエタノール、β－メルカプトプロピオン酸等のチオール系連鎖移動剤；１，２－プロパンジオール等の連鎖移動剤兼溶媒が挙げられる。本開示において、成分Ａの全構成単位中の各構成単位の含有量は、重合に用いるモノマー全量に対する各モノマーの使用量の割合とみなすことができる。

成分Ａを構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。

成分Ａが、モノマーａ１由来の塩生成基（－ＣＯＯＨ、－（ＣＨ₂）_pＣＯＯＨ）を有している場合、中和剤により中和して用いることができる。中和剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。なお、ここで用いた中和剤は後述するアルカリ剤（成分Ｃ）とは異なり、成分Ｃには含まれない。

成分Ａの重量平均分子量は、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、５，０００以上であって、１０,０００以上が好ましく、２０,０００以上がより好ましく、２５,０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００，０００以下であって、８０，０００以下が好ましく、７０,０００以下がより好ましく、６０,０００以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの重量平均分子量は、５，０００以上１００，０００以下であって、１０，０００以上８０，００００以下が好ましく、２０，０００以上７０，０００以下がより好ましく、２５，０００以上６０，０００以下が更に好ましい。本開示において重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ポリエチレングリコール換算）によるものであり、具体的には、実施例に記載の方法により測定できる。

本開示の浸漬液組成物における成分Ａの含有量は、濡れ性向上の観点、及び、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの含有量は、０．００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上２質量％以下が更に好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０１質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。

［水（成分Ｂ）］
本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、水（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含む。成分Ｂとしては、例えば、超純水、純水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。本開示の浸漬液組成物中における成分Ｂの含有量は、成分Ａ及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の浸漬液組成物における成分Ｂの含有量は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、９９．９９質量％以下が好ましく、９９．９８質量％以下がより好ましく、９９．９７質量％以下がさらに好ましい。

［アルカリ剤（成分Ｃ）］
本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、アルカリ剤（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｃとしては、一又は複数の実施形態において、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア；水酸化カリウム及び水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物；等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。ヒドロキシアルキルアミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノールアミン、メチルジプロパノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミン等が挙げられる。第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリン等が挙げられる。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｃとしては、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、ヒドロキシアルキルアミン及び第四級アンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種が好ましく、アンモニア及びヒドロキシルアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、アンモニア及びモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が更に好ましい。

本開示の浸漬液組成物における成分Ｃの含有量は、ウェーハ表面上の残留物低減とウェーハ濡れ性の両立の観点から、０．００００１質量％以上が好ましく、０．０００１質量％以上がより好ましく、０．００１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２．０質量％以下が好ましく、０．３質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましく、０．０７質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｃの含有量は、０．００００１質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．００００１質量％以上０．３質量％以下がより好ましく、０．００００１質量％以上０．１質量％以下が更に好ましく、０．００００１質量％以上０．０７質量％以下が更に好ましく、０．００００１質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。

［有機酸（成分Ｄ）］
本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、有機酸（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有することができる。
成分Ｄとしては、例えば、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、マレイン酸、酢酸、イタコン酸、コハク酸、酒石酸、マロン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、乳酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリメチルホスホン酸、及びホスホノブタントリカルボン酸から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。これらのなかでも、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、成分Ｄとしては、クエン酸、リンゴ酸、マレイン酸、酒石酸及びＨＥＤＰから選ばれる少なくとも１種が好ましく、リンゴ酸、マレイン酸、及びＨＥＤＰから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

本開示の浸漬液組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．００００１質量％以上が好ましく、０．００００５質量％以上がより好ましく、０．０００１質量％以上が更に好ましく、そして、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０．０３質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｄの含有量は、０．００００１質量％以上０．１質量％以下が好ましく、０．００００５質量％以上０．０５質量％以下がより好ましく、０．０００１質量％以上０．０３質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せの場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の浸漬液組成物における成分Ａと成分Ｄとの質量比（Ａ／Ｄ）は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．０１以上が好ましく、０．０３以上がより好ましく、０．０５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１,０００,０００以下が好ましく、１,０００以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｄ）は、０．０１以上１，０００，０００以下が好ましく、０．０３以上１，０００以下がより好ましく、０．０５以上１０以下が更に好ましい。

本開示の浸漬液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分を含有することができる。その他の成分としては、例えば、ｐＨ調整剤、キレート剤、防腐剤、アルコール類等が挙げられる。

本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、ナトリウムを実質的に含まない。すなわち、本開示の浸漬液組成物中のナトリウムの含有量は１ｐｐｍ以下である。例えば、ナトリウムを含む浸漬液組成物を陽イオン交換樹脂に接触させて金属除去処理を行い、浸漬液組成物中のナトリウム含有量を１ｐｐｍ以下に調整することができる。

本開示の浸漬液組成物は、成分Ａ、成分Ｂ、及び、所望により上述した任意成分（成分Ｃ、成分Ｄ、その他の成分）を公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ及び水を配合する工程を含む、浸漬液組成物の製造方法に関する。成分Ａが複数種類のポリマーの組合せである場合、成分Ａは、複数種類のポリマーをそれぞれ配合することにより得ることができる。ここで、「配合する」とは、成分Ａ及び水、並びに必要に応じて上述した任意成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示において、浸漬液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の浸漬液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。

本開示において、「浸漬液組成物における各成分の含有量」は、浸漬液組成物の使用時、例えば、浸漬液組成物を半導体基板の浸漬に使用する時点における前記各成分の含有量をいう。

本開示において、浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、濃縮物として製造され、使用時に、必要に応じて希釈して使用してもよい。浸漬液組成物の濃縮物は、使用時に各成分の含有量が上述した含有量となるように水で希釈して使用することができる。本開示において浸漬液組成物の濃縮物の「使用時」とは、一又は複数の実施形態において、浸漬液組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。

本開示の浸漬液組成物のｐＨは、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、そして、同様の観点から、１１以下が好ましく、１０以下がより好ましく、９以下が更に好ましく、５以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の浸漬液組成物のｐＨは、１以上１１以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上９以下が更に好ましく、２以上９以下が更に好ましく、２以上５以下が更に好ましい。本開示において、浸漬液組成物のｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。

本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、半導体基板の製造工程で用いることができる。例えば、本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨された半導体基板の表面処理に用いられる。本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤又はリンス剤として使用されるものではない。半導体基板としては、例えば、単結晶シリコンウェーハ又はポリシリコンウェーハが挙げられる。すなわち、本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコンウェーハ又はポリシリコンウェーハ用の浸漬液組成物である。

［半導体基板の製造方法］
本開示は、その他の態様において、下記工程（１）及び（２）を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。
（１）研磨された半導体基板を、本開示の浸漬液組成物に浸漬させる工程（以下、「浸漬工程」ともいう）。
（２）工程（１）で得られる半導体基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）。

［工程（１）：浸漬工程］
工程（１）は、研磨された半導体基板を、本開示の浸漬液組成物に浸漬させる工程（浸漬工程）である。工程（１）は、一又は複数の実施形態において、研磨された半導体基板を本開示の浸漬液組成物に浸漬し、工程（２）に運ばれるまで保管する工程であってもよい。したがって、本開示の浸漬液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨された半導体基板の保管に用いることができる。

工程（１）において、浸漬液組成物の温度（浸漬温度）は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、１０℃以上が好ましく、１３℃以上がより好ましく、１５℃以上が更に好ましく、１８℃超が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０℃以下が好ましく、３０℃以下がより好ましく、２５℃以下が更に好ましい。より具体的には、浸漬温度は、１０℃以上４０℃以下が好ましく、１３℃以上４０℃以下が好ましく、１５℃以上４０℃以下が更に好ましく、１８℃超４０℃以下が更に好ましく、１８℃超３０℃以下が更に好ましく、１８℃超２５℃以下が更に好ましい。

工程（１）において、研磨された半導体基板の浸漬液組成物への浸漬時間は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．１分以上が好ましく、１分以上がより好ましく、５分以上が更に好ましく、１０分以上が更により好ましい、そして、同様の観点から、１４４０分以下が好ましく、７２０分以下がより好ましく、３６０分以下が好ましく、１８０分以下が更に好ましい。より具体的には、浸漬時間は、０．１分以上１４４０分以下が好ましく、５分以上７２０分以下がより好ましく、１０分以上３６０分以下が更に好ましく、１０分以上１８０分以下が更に好ましい。

［工程（２）：洗浄工程］
工程（２）は、工程（１）で得られた半導体基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程（洗浄工程）である。洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、有機化合物を実質的に含まないことが好ましい。ここで、洗浄剤組成物が有機化合物を実質的に含まないとは、洗浄剤組成物中の有機化合物の含有量が０．１質量％以下、好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは実質的に０質量％であることをいう。工程（２）で用いられる洗浄剤組成物の一実施形態としては、例えば、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤が挙げられる。

工程（２）の洗浄は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、無機物洗浄が好ましく、例えば、一般的に用いられているＲＣＡ洗浄やＳＣＲＯＤ洗浄を用いることができる。
ここで、ＲＣＡ洗浄とは、基本的には、ウェーハ表面に付着したパーティクルの除去に使用されるＳＣ１洗浄、及び、ウェーハ表面に付着した重金属の除去に使用されるＳＣ２洗浄を含み、必要に応じて、ウェーハ表面に付着した有機物の除去に使用されるＳＰＭ洗浄、及び、ウェーハ表面の不要な酸化膜の除去に使用されるＤＨＦ洗浄を含むものである。ＳＣＲＯＤ洗浄は、パーティクルの除去や重金属の除去に使用されるものである。ＲＣＡ洗浄及びＳＣＲＯＤ洗浄の洗浄方法としては、例えば、浸漬洗浄法や枚葉洗浄法が挙げられる。
ＳＣ１洗浄では、例えば、アンモニアと過酸化水素と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣ２洗浄では、例えば、塩酸と過酸化水素水と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＰＭ洗浄では、例えば、硫酸と過酸化水素水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＤＨＦ洗浄では、例えば、フッ酸と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣＲＯＤ洗浄では、オゾン水やフッ酸が用いられる。
上述した洗浄の各洗浄工程の後に、水でリンスし、乾燥する工程が含まれていてもよい。

本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記浸漬工程の前に、研磨液組成物を用いて半導体基板を研磨する工程（研磨工程）を含むことができる。前記研磨工程は、一又は複数の実施形態において、最終の研磨工程及び／又は仕上げ研磨工程であることが好ましい。研磨液組成物の一実施形態としては、シリカ等の砥粒を含む研磨液組成物が挙げられる。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

１．ポリマーＡ１～Ａ６（成分Ａ又は非成分Ａ）の調製
表１に示すポリマーＡ１～Ａ６の調製には、下記原料を用いた。

＜モノマーａ１＞
ＭＡＡ：メタクリル酸（東京化成工業株式会社製）
ＡＡ：アクリル酸（富士フィルム和光純薬工業株式会社製）

＜モノマーａ２＞
（モノマーａ２－１）
メトキシポリエチレングリコールアリルエーテル（平均分子量１５００、ＥＯ平均付加モル数３２）、ユニオックスＰＫＡ－５０１０（日油株式会社製）
（モノマーａ２－２）
ポリエチレングリコール－３－メチル－３－ブテニルエーテル（ＥＯ平均付加モル数５０）
（モノマーａ２－３）
ポリエチレングリコールアリルエーテル（ＥＯ平均付加モル数２５）

＜重合連鎖移動剤＞
２－メルカプトエタノール（東京化成工業株式会社製）
β－メルカプトプロピオン酸（東京化成工業株式会社製）
＜重合連鎖移動剤兼溶媒＞
１，２－プロパンジオール（富士フィルム和光純薬工業株式会社製）
＜重合開始剤＞
ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム）（ナカライテスク株式会社製）
過酸化水素水（３０～３５．５質量％水溶液、ナカライテスク株式会社製）
ペルオキソ二硫酸ナトリウム（ナカライテスク株式会社製）
＜中和剤＞
水酸化ナトリウム（４８質量％ＮａＯＨ、旭硝子株式会社製）
なお、中和剤に用いた水酸化ナトリウムは、成分Ｃに含まれない。

［ポリマーＡ１の製造例］
攪拌機付反応容器に水：９０．５ｇ（５．０モル）を仕込み、攪拌しながら窒素置換し、窒素雰囲気中で７５℃まで昇温した。ＭＡＡ：６３．７ｇ（０．６５モル）とモノマーａ２－１：５２５ｇ（０．３５モル）（質量比＝１１／８９、モル比＝６５／３５）、水：１６１ｇ（８．９モル）を混合溶解したものと、１０質量％過硫酸アンモニウム水溶液：３７．０ｇをそれぞれ同時に反応系に２時間かけて滴下した。次に１０質量％過硫酸アンモニウム水溶液：１４．８ｇを３０分かけて滴下し、３時間同温度（７５℃）で熟成した。熟成終了後、４８質量％水酸化ナトリウム水溶液を１０８ｇ加えて中和し、その後、カラムに陽イオン交換樹脂（イオン交換樹脂：三菱ケミカル製 DIAION SK1BH）を１００ｍｌ充填し、熟成終了後の中和物を固形分濃度が３０質量％となるように水で希釈したものを空間速度ＳＶ値が４．０となる条件でイオン交換処理することにより、ナトリウム含有量が１ｐｐｍ以下のポリマーＡ１（３０質量％水溶液）を得た。

［ポリマーＡ２の製造例］
攪拌機付反応容器に水：２３４ｇ（１３．０モル）、モノマーａ２－２：５４６ｇ（０．２４モル）を仕込み、攪拌しながら窒素置換し、窒素雰囲気中で６５℃まで昇温し、過酸化水素水８．６ｇを滴下した。次にＡＡ：５４．４ｇ（０．７６モル）及び水：４５．６ｇ（２．５モル）を混合溶解したものと、β－メルカプトプロピオン酸：８．０ｇ、Ｌ－アスコルビン酸３．３ｇ及び水：３８．８ｇを混合溶解したものを、それぞれ同時に反応系に２時間かけて滴下した。その後、１時間同温度（６５℃）で熟成した。熟成終了後、４８質量％水酸化ナトリウム水溶液を６２．９ｇ加えて中和し、その後、カラムに陽イオン交換樹脂（イオン交換樹脂：三菱ケミカル製 DIAION SK1BH）を１００ｍｌ充填し、熟成終了後の中和物を固形分濃度が３０質量％となるように水で希釈したものを空間速度ＳＶ値が４．０となる条件でイオン交換処理することにより、ナトリウム含有量が１ｐｐｍ以下のポリマーＡ２（３０質量％水溶液）を得た（ＡＡ／モノマーａ２－２質量比＝９／９１、モル比＝７６／２４）。

［ポリマーＡ３の製造例］
攪拌機付反応容器に水：１９３ｇ（１０．７モル）、１，２－プロパンジオール：２９５ｇ（３．９モル）、ＡＡ：５．０ｇ（０．０６９モル）、モノマーａ２－３：１５０ｇ（０．１３モル）を仕込み、攪拌しながら窒素置換し、窒素雰囲気中で８５℃まで昇温した。ＡＡ：４９．７ｇ（０．６９モル）とモノマーａ２－３：１５０ｇ（０．１３モル）及び水：５０．３ｇ（２．８モル）を混合溶解したものと、ペルオキソ二硫酸ナトリウム：５．３ｇ及び水：２１．２ｇを混合溶解したものを、それぞれ同時に反応系に７５分かけて滴下した。次に、ＡＡ：４５．１ｇ（０．６３モル）、ペルオキソ二硫酸ナトリウム：４．８ｇ及び水：３０．３ｇを混合溶解したものを、それぞれ同時に反応系に１３５分かけて滴下した。その後、３時間同温度（８５℃）で熟成した。熟成終了後、４８質量％水酸化ナトリウム水溶液を５２．２ｇ加えて中和し、その後、カラムに陽イオン交換樹脂（イオン交換樹脂：三菱ケミカル製 DIAION SK1BH）を１００ｍｌ充填し、熟成終了後の中和物を固形分濃度が２０質量％となるように水で希釈したものを空間速度ＳＶ値が４．０となる条件でイオン交換処理することにより、ナトリウム含有量が１ｐｐｍ以下のポリマーＡ３（２０質量％溶液）を得た（ＡＡ／モノマーａ２－３質量比＝２５／７５、モル比＝８４／１６）。

［ポリマーＡ４］
アクリル酸／ポリエチレングリコールアクリル酸エステル（ＥＯ平均付加モル数５、重量平均分子量３，０００、花王社製）
［ポリマーＡ５］
ポリアクリル酸（重量平均分子量２０，０００、ナカライテスク社製）
［ポリマーＡ６］
ポリエチレングリコール（重量平均分子量２０，０００、富士フィルム和光純薬工業社製）

［重量平均分子量の測定］
ポリマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下「ＧＰＣ」ともいう）法を用いて下記条件で測定した。測定結果を表１に示した。
［ＧＰＣ条件］
カラム：Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー株式会社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ₃ＣＮ＝９／１（体積比）
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出：ＲＩ
サンプルサイズ：０．５ｍｇ／ｍＬ
標準物質：ポリエチレングリコール換算

２.浸漬液組成物の調製
表２及び表３に示す各成分を混合し、実施例１～１０及び比較例１～６の浸漬液組成物を調製した。ｐＨ調整には、クエン酸、アンモニアを用いた。表２及び表３における各成分の含有量は、浸漬液組成物の使用時における各成分の含有量（質量％、有効分）である。調製した実施例１～１０及び比較例３の浸漬液組成物中のナトリウム含有量は１ｐｐｍ以下であった。

浸漬液組成物の調製において、ポリマー（成分Ａ又は非成分Ａ）として、上述したものを使用した。成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄには、下記のものを使用した。
（成分Ｂ）
水：超純水
（成分Ｃ）
ＮＨ₃：アンモニア［関東化学社製、２９質量％アンモニア水］
ＭＥＡ：モノエタノールアミン［富士フィルム和光純薬工業社製］
（成分Ｄ）
クエン酸［扶桑化学工業社製］
リンゴ酸［扶桑化学工業社製］
マレイン酸［富士フィルム和光純薬工業社製］

［浸漬液組成物のｐＨ］
浸漬液組成物の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜電波工業社製、「ＨＭ－３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を浸漬液組成物へ浸漬して１分後の数値である。

［浸漬液組成物中のナトリウム含有量］
浸漬液組成物中のナトリウム含有量の測定は、ＩＣＰ質量分析装置（Agilent社製、型名：7700ｓ、ＩＣＰ－ＭＳ）にて内標準法で定量を行い、同時に実施した操作ブランク値を差し引いて含有量を求めた。

３．浸漬による評価
［浸漬による除去性（Ｓｉ溶出量）］
下記の評価用シリコンウェーハを用い、浸漬によるウェーハ表面の残留物の除去性の評価を以下のようにして行った。
＜評価用シリコンウェーハ＞
単結晶シリコンウェーハ［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
ポリシリコンウェーハ［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満の上にＳｉＯ₂膜を４４００Å分プラズマＣＶＤ法により堆積させ、続いてポリシリコン膜を８０００Å同じくプラズマＣＶＤ法により堆積させたウェーハ］
＜浸漬による除去性の評価方法＞
（１）４ｃｍ×４ｃｍにカットした評価用シリコンウェーハを、１質量％フッ酸水溶液でシリコン撥水処理した。
（２）シリカ粒子（コロイダルシリカ、平均二次粒子径７０ｎｍ、扶桑化学社製の「PL-3」）、ＨＥＣ（重量平均分子量８０万、住友精化社製の「CF-V」）、アンモニア及び超純水を混合して研磨液組成物を調製した。研磨液組成物中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．３質量％、ＨＥＣが０．０１５質量％、アンモニアが０．０１５質量％であり、その残余が超純水である。研磨液組成物のｐＨは、１０．７であった。
（３）調製した研磨液組成物（温度２５℃）１００ｍＬにシリコン撥水処理したシリコンウェーハを１分間浸漬した。
（４）研磨液組成物中からシリコンウェーハを引き上げ、流水で５秒間水洗いした。
（５）水洗いしたシリコンウェーハ（表面積０．００１６ｍ²）を、調製した各浸漬液組成物（温度２５℃）０．１Ｌに３０分間浸漬した。
（６）浸漬液組成物からシリコンウェーハを静かに取り出し、浸漬液組成物中のＳｉ濃度（ｐｐｂ）を、核誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ－ＭＳ、アジレント製、７７００Ｓ）を用いて測定した。測定結果を表２～３に示した。なお、表２は、単結晶シリコンウェーハ表面の残留物の除去性の評価結果を示し、表３は、ポリシリコンウェーハ表面の残留物の除去性の評価結果を示す。浸漬液組成物中のＳｉ濃度が高いほど、ウェーハ表面から残留物が除去され、ウェーハ表面上の残留物が低減されたと判断できる。

［浸漬による濡れ性］
各浸漬液組成物のシリコンウェーハに対する濡れ性を目視で確認したところ、実施例１～１０の浸漬液組成物は、成分Ａを含有しない系（水のみ、及び、比較例１～４）に比べて、シリコンウェーハに対する濡れ性が向上していることを確認した。

４．研磨工程、浸漬工程及び洗浄工程後の表面欠陥の評価
［清浄性（ＬＰＤ）］
下記の評価用シリコンウェーハを用い、ウェーハ表面の表面欠陥（ＬＰＤ）の評価を以下のようにして行った。
＜評価用シリコンウェーハ＞
単結晶シリコンウェーハ［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
ポリシリコンウェーハ［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満の上にＳｉＯ₂膜を４４００Å分プラズマＣＶＤ法により堆積させ、続いてポリシリコン膜を８０００Å同じくプラズマＣＶＤ法により堆積させたウェーハ］
＜仕上げ研磨工程＞
シリカ粒子（コロイダルシリカ、平均二次粒子径７０ｎｍ、扶桑化学社製の「PL-3」）、ＨＥＣ（重量平均分子量８０万、住友精化社製の「CF-V」）、アンモニア及び超純水を混合して仕上げ研磨用研磨液組成物を調製した。研磨液組成物中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．３質量％、ＨＥＣが０．０１５質量％、アンモニアが０．０１５質量％であり、その残余が超純水である。仕上げ研磨用研磨液組成物のｐＨは、１０．５であった。
調製した仕上げ研磨液組成物を用いて、評価用シリコンウェーハを下記仕上げ研磨条件で仕上げ研磨を行った。当該仕上げ研磨に先だって評価用シリコンウェーハに対し市販の研磨液組成物を用いて予め粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハの表面粗さ（Ｈａｚｅ）は、５．１３ｐｐｍ（ＤＷＯ）及び９．７７ｐｐｍ（ＤＮＮ）であった。Ｈａｚｅの測定値は、後述する表面欠陥の測定と同じ方法を用いて測定したものである。
（仕上げ研磨条件）
研磨機：片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レ コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０ｕｍ、開口径：６０ｕｍ）
シリコンウェーハ研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ²
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／ｃｍ²
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
＜浸漬工程＞
研磨工程後の直径２００ｍｍシリコンウェーハを、調製した各浸漬液組成物（温度２５℃）５Ｌに３０分間浸漬した。
＜洗浄工程＞
浸漬工程後のシリコンウェーハに対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテスク株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコンウェーハを回転させた。
＜表面欠陥（ＬＰＤ）の測定＞
測定機器：表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：洗浄後のウェーハ表面上の粒径が４５ｎｍ以上のパーティクル数を測定することによって評価した。表面欠陥（ＬＰＤ）の評価結果は、数値が小さいほど表面欠陥が少なく、清浄性に優れていることを示す。表面欠陥（ＬＰＤ）の測定は、各々３枚のシリコンウェーハに対して行い、各々平均値を算出した。単結晶シリコンウェーハ表面の表面欠陥（ＬＰＤ）の評価結果を表２に、ポリシリコンウェーハ表面の表面欠陥（ＬＰＤ）の」評価結果を表３に示した。表２において、実施例１～９及び比較例１～４の結果は、比較例１を１００とした相対値を示した。表３において、実施例１０及び比較例５～６の結果は、比較例６を１００とした相対値を表３に示した。

表２に示されるように、ポリマーＡ（成分Ａ）を含む浸漬液組成物を用いた実施例１～９は、ポリマーＡ（成分Ａ）を含まない比較例１～４に比べて、研磨された単結晶シリコンウェーハ表面上の残留物の除去性が向上していた。さらに、表面欠陥（ＬＰＤ）が低減されていた。
表３に示されるように、ポリマーＡ（成分Ａ）を含む浸漬液組成物を用いた実施例１０は、ポリマーＡ（成分Ａ）を含まない比較例５～６に比べて、研磨されたポリシリコンウェーハ表面上の残留物の除去性が向上していた。さらに、表面欠陥（ＬＰＤ）が低減されていた。

本開示によれば、研磨されたシリコンウェーハ表面上の残留物を低減できるため、表面欠陥が低減されたシリコンウェーハを製造でき、半導体基板の量産において有用である。

Claims (11)

1. 下記ポリマーＡ（成分Ａ）を含む、半導体基板用浸漬液組成物であって、
   前記半導体基板用浸漬液組成物が単結晶シリコンウェーハ又はポリシリコンウェーハ用の浸漬液組成物である、浸漬液組成物。
   ポリマーＡ：下記式（Ｉ）で表されるモノマーａ１又はその無水物由来の構成単位ａ１と、下記式（ＩＩ）で表されるモノマーａ２由来の構成単位ａ２とを含むポリマー又はその塩。
   

   

   〔式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、又は－(ＣＨ₂)_pＣＯＯＭ²を示し、Ｍ¹及びＭ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属（１／２原子）、又はアンモニウム基を示し、ｐは０以上２以下の整数を示す。〕
   

   

   〔式（ＩＩ）中、Ｒ⁴及びＲ⁵はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｒは０以上２以下の整数を示し、ＡＯは炭素数２以上１８以下のアルキレンオキシ基を示し、ｍはＡＯの平均付加モル数であって、１以上３００以下の数を示し、Ｘは水素原子又は炭素数１以上１８以下のアルキル基を示す。〕
2. 成分Ａの全構成単位中における構成単位ａ１と構成単位ａ２とのモル比（ａ１／ａ２）は、５０／５０以上９９／１以下である、請求項１に記載の浸漬液組成物。
3. 成分Ａの全構成単位中における構成単位ａ１及び構成単位ａ２の合計含有量は、８５モル％以上である、請求項１又は２に記載の浸漬液組成物。
4. 成分Ａの重量平均分子量は、５，０００以上１００，０００以下である、請求項１から３のいずれかに記載の浸漬液組成物。
5. ナトリウム含有量が１ｐｐｍ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の浸漬液組成物。
6. アルカリ剤（成分Ｃ）をさらに含有する、請求項１から５のいずれかに記載の浸漬液組成物。
7. 成分Ａの含有量は０．００１質量％以上１０質量％以下である、請求項１から６のいずれかに記載の浸漬液組成物。
8. ｐＨが１以上５以下である、請求項１から７のいずれかに記載の浸漬液組成物。
9. 有機酸（成分Ｄ）をさらに含有する、請求項１から８のいずれかに記載の浸漬液組成物。
10. 下記工程（１）及び（２）を含む、半導体基板の製造方法。
    （１）研磨された半導体基板を、請求項１から９のいずれかに記載の浸漬液組成物に浸漬させる工程。
    （２）工程（１）で得られた半導体基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
11. 工程（２）で用いられる洗浄剤組成物は、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも1種を含む無機物洗浄剤である、請求項１０に記載の半導体基板の製造方法。