JP7336540B2 - 荷電粒子線装置及び検査装置 - Google Patents
荷電粒子線装置及び検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7336540B2 JP7336540B2 JP2021572189A JP2021572189A JP7336540B2 JP 7336540 B2 JP7336540 B2 JP 7336540B2 JP 2021572189 A JP2021572189 A JP 2021572189A JP 2021572189 A JP2021572189 A JP 2021572189A JP 7336540 B2 JP7336540 B2 JP 7336540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- image data
- sample
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2814—Measurement of surface topography
- H01J2237/2816—Length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/282—Determination of microscope properties
- H01J2237/2826—Calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/3045—Deflection calibration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Claims (15)
- 荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線をサンプル上に集束させる複数のレンズと、前記荷電粒子線を前記サンプル上で走査する偏向器とを含む荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子線と前記サンプルとの相互作用により放出される二次荷電粒子を検出して検出信号を出力する検出器と、
前記サンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号に基づく第1の画像データを補正して第2の画像データを生成する演算部とを有し、
前記偏向器は、第1の方向への前記荷電粒子線の走査を、前記第1の方向と直交する第2の方向に位置をずらしながら繰り返すことにより、前記荷電粒子線を前記サンプル上で2次元に走査し、
前記演算部は、前記第1の画像データから抽出されるn個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第1の信号プロファイルと前記検出器における信号処理遅延に相当する窓関数のパワースペクトル密度P(f)(f:空間周波数)とを用いて前記第2の画像データを生成し、
前記演算部は、補正用データ領域を含むサンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力された前記検出信号に基づき、前記補正用データ領域に相当する第3の画像データから前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出し、
前記演算部は、前記第3の画像データから抽出されるm個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第3の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数A(i,f)(i=1~m)のパワースペクトル密度を算出し、m個の前記フーリエ係数A(i,f)のパワースペクトル密度の平均をとることにより、前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出する荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線をサンプル上に集束させる複数のレンズと、前記荷電粒子線を前記サンプル上で走査する偏向器とを含む荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子線と前記サンプルとの相互作用により放出される二次荷電粒子を検出して検出信号を出力する検出器と、
前記サンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号に基づく第1の画像データを補正して第2の画像データを生成する演算部とを有し、
前記偏向器は、第1の方向への前記荷電粒子線の走査を、前記第1の方向と直交する第2の方向に位置をずらしながら繰り返すことにより、前記荷電粒子線を前記サンプル上で2次元に走査し、
前記演算部は、前記第1の画像データから抽出されるn個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第1の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数B(k,f)(k=1~n)と前記検出器における信号処理遅延に相当する窓関数のパワースペクトル密度P(f)からフーリエ係数B’(k,f)を算出し、前記フーリエ係数B’(k,f)を逆フーリエ変換して得られるn個の第2の信号プロファイルに基づき前記第2の画像データを生成し、
前記フーリエ係数B’(k,f)と前記フーリエ係数B(k,f)及び前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)とは、
前記演算部は、補正用データ領域を含むサンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力された前記検出信号に基づき、前記補正用データ領域に相当する第3の画像データから前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出し、
前記演算部は、前記第3の画像データから抽出されるm個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第3の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数A(i,f)(i=1~m)のパワースペクトル密度を算出し、m個の前記フーリエ係数A(i,f)のパワースペクトル密度の平均をとることにより、前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出する荷電粒子線装置。 - 請求項1または2において、
前記第1の信号プロファイルと前記第3の信号プロファイルとは、データ数、隣接するデータのそれぞれの画像における間隔、及び前記間隔を前記荷電粒子線が走査するのに要する時間が等しい荷電粒子線装置。 - 請求項1または2において、
前記第1の画像データと前記第3の画像データとは、前記第1の方向の画素サイズ、前記第1の方向の画像サイズ、及び画像データを取得したときの前記第1の方向への前記荷電粒子線の走査速度が等しい荷電粒子線装置。 - 請求項1または2において、
前記補正用データ領域は、前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号の信号強度の期待値が均一である荷電粒子線装置。 - 請求項1または2において、
前記補正用データ領域は、前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号の信号強度に影響するサンプルの表面及び内部において、材料及び形状が一定な領域である荷電粒子線装置。 - 請求項1または2において、
前記演算部は、前記補正用データ領域を含むサンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力された前記検出信号に基づく第4の画像データから前記補正用データ領域として推奨する推奨領域を抽出し、
前記推奨領域は、前記第4の画像データを構成する画素の信号強度に対してあらかじめ設定したフィルタを適用して前記第4の画像データを構成する画素ごとの指標値を求め、前記指標値に基づき抽出される荷電粒子線装置。 - 複数の検査箇所においてサンプル上に形成されたパターンを検査する検査装置であって、
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線をサンプル上に集束させる複数のレンズと、前記荷電粒子線を前記サンプル上で走査する偏向器とを含む荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子線と前記サンプルとの相互作用により放出される二次荷電粒子を検出して検出信号を出力する検出器と、
前記サンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号に基づく第1の画像データを補正して第2の画像データを生成する演算部と、
前記検出器における信号処理遅延に相当する窓関数のパワースペクトル密度P(f)を複数記憶する記憶装置とを有し、
前記偏向器は、第1の方向への前記荷電粒子線の走査を、前記第1の方向と直交する第2の方向に位置をずらしながら繰り返すことにより、前記荷電粒子線を前記サンプル上で2次元に走査し、
前記演算部は、前記第1の画像データから抽出されるn個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第1の信号プロファイルと前記記憶装置から呼び出された第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)(f:空間周波数)とを用いて前記第2の画像データを生成し、前記第2の画像データに基づき前記第1の画像データに撮像されたパターンの良否を判定し、
前記演算部は、あらかじめ定められた複数の撮像条件ごとに補正用データ領域を含むサンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力された前記検出信号に基づき、前記補正用データ領域に相当する複数の第3の画像データからそれぞれ複数の前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出して、前記記憶装置に撮像条件とともに記憶し、
前記演算部は、前記第3の画像データから抽出されるm個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第3の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数A(i,f)(i=1~m)のパワースペクトル密度を算出し、m個の前記フーリエ係数A(i,f)のパワースペクトル密度の平均をとることにより、前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出する検査装置。 - 複数の検査箇所においてサンプル上に形成されたパターンを検査する検査装置であって、
荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線をサンプル上に集束させる複数のレンズと、前記荷電粒子線を前記サンプル上で走査する偏向器とを含む荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子線と前記サンプルとの相互作用により放出される二次荷電粒子を検出して検出信号を出力する検出器と、
前記サンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号に基づく第1の画像データを補正して第2の画像データを生成する演算部と、
前記検出器における信号処理遅延に相当する窓関数のパワースペクトル密度P(f)を複数記憶する記憶装置とを有し、
前記偏向器は、第1の方向への前記荷電粒子線の走査を、前記第1の方向と直交する第2の方向に位置をずらしながら繰り返すことにより、前記荷電粒子線を前記サンプル上で2次元に走査し、
前記演算部は、前記第1の画像データから抽出されるn個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第1の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数B(k,f)(k=1~n)と前記記憶装置から呼び出された第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)からフーリエ係数B’(k,f)を算出し、前記フーリエ係数B’(k,f)を逆フーリエ変換して得られるn個の第2の信号プロファイルに基づき前記第2の画像データを生成し、
前記フーリエ係数B’(k,f)と前記フーリエ係数B(k,f)及び前記第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)とは、
前記演算部は、あらかじめ定められた複数の撮像条件ごとに補正用データ領域を含むサンプル上で前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力された前記検出信号に基づき、前記補正用データ領域に相当する複数の第3の画像データからそれぞれ複数の前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出して、前記記憶装置に撮像条件とともに記憶し、
前記演算部は、前記第3の画像データから抽出されるm個の前記第1の方向の信号強度分布に相当する第3の信号プロファイルをフーリエ変換したフーリエ係数A(i,f)(i=1~m)のパワースペクトル密度を算出し、m個の前記フーリエ係数A(i,f)のパワースペクトル密度の平均をとることにより、前記窓関数のパワースペクトル密度P(f)を算出する検査装置。 - 請求項8または9において、
前記演算部は、前記第1の信号プロファイルと前記第3の信号プロファイルとの間で、データ数、隣接するデータのそれぞれの画像における間隔、及び前記間隔を前記荷電粒子線が走査するのに要する時間が等しくなるよう、前記第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)を前記記憶装置から呼び出す検査装置。 - 請求項8または9において、
前記演算部は、前記第1の画像データと前記第3の画像データとの間で、前記第1の方向の画素サイズ、前記第1の方向の画像サイズ、及び画像データを取得したときの前記第1の方向への前記荷電粒子線の走査速度が等しくなるよう、前記第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)を前記記憶装置から呼び出す検査装置。 - 請求項11において、
前記演算部は、さらに前記第1の画像データを取得したときの前記荷電粒子線の加速電圧と前記第3の画像データを取得したときの前記荷電粒子線の加速電圧とが等しくなるよう、前記第1の窓関数のパワースペクトル密度P(f)を前記記憶装置から呼び出す検査装置。 - 請求項8または9において、
前記補正用データ領域は、前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号の信号強度の期待値が均一である検査装置。 - 請求項8または9において、
前記補正用データ領域は、前記荷電粒子線を2次元に走査し、前記検出器から出力される前記検出信号の信号強度に影響するサンプルの表面及び内部において、材料及び形状が一定な領域である検査装置。 - 請求項8において、
前記演算部は、前記第1の画像データに撮像されたパターンと前記第2の画像データにおける補正されたパターンとをモニタに表示する検査装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/002115 WO2021149188A1 (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 荷電粒子線装置及び検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021149188A1 JPWO2021149188A1 (ja) | 2021-07-29 |
JP7336540B2 true JP7336540B2 (ja) | 2023-08-31 |
Family
ID=76991835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021572189A Active JP7336540B2 (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 荷電粒子線装置及び検査装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12237145B2 (ja) |
JP (1) | JP7336540B2 (ja) |
KR (1) | KR20220103140A (ja) |
TW (1) | TWI769662B (ja) |
WO (1) | WO2021149188A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4474805A1 (en) * | 2023-05-15 | 2024-12-11 | Jeol Ltd. | Analysis device and analysis method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177064A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 |
JP2012142211A (ja) | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及びその検出信号の補正方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02236938A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Hitachi Ltd | 画像復元方法並びに走査型電子顕微鏡及びパターン外観検査装置及び走査像検出装置 |
JP3749107B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2006-02-22 | ファブソリューション株式会社 | 半導体デバイス検査装置 |
US6815693B2 (en) * | 2000-02-18 | 2004-11-09 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods including proximity-effect correction |
WO2011016208A1 (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
KR20210021369A (ko) * | 2018-07-13 | 2021-02-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Sem 이미지 향상 방법들 및 시스템들 |
-
2020
- 2020-01-22 KR KR1020227020459A patent/KR20220103140A/ko active Pending
- 2020-01-22 JP JP2021572189A patent/JP7336540B2/ja active Active
- 2020-01-22 US US17/791,013 patent/US12237145B2/en active Active
- 2020-01-22 WO PCT/JP2020/002115 patent/WO2021149188A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-01-13 TW TW110101217A patent/TWI769662B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177064A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 |
JP2012142211A (ja) | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及びその検出信号の補正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021149188A1 (ja) | 2021-07-29 |
KR20220103140A (ko) | 2022-07-21 |
TWI769662B (zh) | 2022-07-01 |
JPWO2021149188A1 (ja) | 2021-07-29 |
US20240297012A1 (en) | 2024-09-05 |
TW202129685A (zh) | 2021-08-01 |
US12237145B2 (en) | 2025-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8106357B2 (en) | Scanning electron microscope and method for processing an image obtained by the scanning electron microscope | |
JP5202071B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法 | |
US20110187847A1 (en) | Scanning type charged particle microscope device and method for processing image acquired with scanning type charged particle microscope device | |
WO2011089911A1 (ja) | 荷電粒子線顕微鏡及びそれを用いた測定方法 | |
TWI494537B (zh) | A pattern measuring method, a device condition setting method of a charged particle beam device, and a charged particle beam device | |
TWI836541B (zh) | 非暫時性電腦可讀媒體及用於監測檢測系統中之束的系統 | |
JP4500099B2 (ja) | 電子顕微鏡装置システム及び電子顕微鏡装置システムを用いた寸法計測方法 | |
US6274876B1 (en) | Inspection apparatus and method using particle beam and the particle-beam-applied apparatus | |
US10943762B2 (en) | Inspection system, image processing device and inspection method | |
WO2012140874A1 (ja) | 荷電粒子顕微鏡装置および画像撮像方法 | |
WO2016143467A1 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びそれを用いた画像の形成方法 | |
JP7336540B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び検査装置 | |
WO2017159360A1 (ja) | 荷電粒子ビームの評価方法、荷電粒子ビームの評価のためのコンピュータープログラム、及び荷電粒子ビームの評価装置 | |
WO2018061135A1 (ja) | パターン計測装置、及びコンピュータープログラム | |
DE112017007862B4 (de) | Ladungsträgerstrahlvorrichtung | |
JP2014106388A (ja) | 自動合焦点検出装置及びそれを備える荷電粒子線顕微鏡 | |
TWI611162B (zh) | 相對臨界尺寸之量測的方法及裝置 | |
JP5775948B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡装置および画像撮像方法 | |
JP2012142299A (ja) | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 | |
JP2010182424A (ja) | 荷電粒子線の光軸調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
JP6162813B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びその補正フィルタ設定方法 | |
JP6858722B2 (ja) | 電子ビーム装置及び試料検査方法 | |
JP7288997B2 (ja) | 電子ビーム観察装置、電子ビーム観察システム、電子ビーム観察装置における画像補正方法及び画像補正のための補正係数算出方法 | |
CN112840433B (zh) | 用于选择性sem自动聚焦的系统和方法 | |
JP2013251212A (ja) | 走査型電子顕微鏡および画像評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7336540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |