JP7175210B2 - 排気装置、処理システム及び処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、排気装置、処理システム及び処理方法に関する。

半導体装置の製造プロセスでは、ガス供給系及び真空排気系が接続された処理容器内に半導体ウエハを収容して所定の処理を行う処理装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。ところで、複数の同じ仕様の処理装置を用いて処理を行う場合、複数の処理装置間の排気性能にばらつきが存在すると、処理装置ごとの処理結果に違いが生じる虞がある。

特開２００３－２１８０９８号公報

本開示は、処理装置間の機差を低減できる技術を提供する。

本開示の一態様による排気装置は、複数の処理装置の各々に設けられる排気装置であって、複数の前記処理装置の各々は、処理容器と、前記処理容器に接続された排気配管とを有し、前記排気装置は、前記排気配管に設けられた第１の圧力調整部と、前記第１の圧力調整部の下流側に設けられた第２の圧力調整部と、前記第１の圧力調整部の上流側に設けられた第１の真空計と、前記第１の圧力調整部と前記第２の圧力調整部との間に設けられた第２の真空計と、を有し、前記第２の圧力調整部は、前記処理容器内に所定流量で不活性ガスが供給された状態において、前記第２の真空計により検出される圧力が予め定められた設定値となるように前記排気配管のコンダクタンスを調整するように構成され、前記所定流量及び前記設定値は、それぞれ複数の前記処理装置間で共通の値である。

本開示によれば、処理装置間の機差を低減できる。

一実施形態の処理システムの構成例を示す図 一実施形態の処理装置の構成例を示す図 排気ボックスの一例を示す図 コンダクタンス調整処理の流れの一例を示す図 ゼロ点補正処理の流れの一例を示す図 高圧処理の流れの一例を示す図

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

〔処理システム〕
図１を参照し、一実施形態の処理システムについて説明する。図１は、一実施形態の処理システムの構成例を示す図である。

図１に示されるように、一実施形態の処理システムは、同じ仕様の処理装置１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）を複数備える。処理装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄは、例えばそれぞれ処理容器内において、複数の基板に対して一括で処理を実行する装置である。ただし、処理装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄは、例えば処理容器内に基板を１枚ずつ収容して処理を実行する装置であってもよい。以下、処理装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄの各々を、処理装置１とも称する。

〔処理装置〕
図２を参照し、図１の処理システムが備える処理装置１の構成例について説明する。図２は、一実施形態の処理装置１の構成例を示す図である。図２に示されるように、処理装置１は、処理部１０、加熱部３０、ガス導入部５０、排気部７０、制御部９０を有する。

処理部１０は、基板の一例である半導体ウエハ（以下単に「ウエハＷ」という。）に対し、成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を施す。処理部１０は、処理容器１１、マニホールド１２、インジェクタ１３、排気ポート１４等を有する。

処理容器１１は、縦長の鉛直方向に延びた形状を有する。処理容器１１は、例えば石英、炭化珪素等の耐熱材料により形成される。処理容器１１は、例えば円筒体の内管１１ａと、内管１１ａの外側に同心的に載置された有天井の外管１１ｂとの２重管構造を有する。ただし、処理容器１１は、１重管構造であってもよい。

マニホールド１２は、例えばベースプレート（図示せず）に固定される。マニホールド１２は、例えばステンレス鋼により形成され、処理容器１１の下端を気密に保持する。

インジェクタ１３は、マニホールド１２に取り付けられる。インジェクタ１３は、例えばＬ字状に屈曲した石英管であり、処理容器１１内に各種のガスを導入する。各種のガスは、例えば成膜ガス、エッチングガス等の処理ガスやパージガスを含む。成膜ガスは、処理容器１１内に収容されたウエハＷに対して膜を形成する際に用いられるガスであり、その種類は特に限定されないが、例えば金属含有ガス、半導体ガス、酸化ガス、還元ガスが挙げられる。エッチングガスは、処理容器１１内に収容されたウエハＷ又はウエハＷに形成された膜をエッチングする際に用いられるガスであり、その種類は特に限定されないが、例えばハロゲン含有ガスが挙げられる。パージガスは、処理容器１１内をパージする際に用いられるガスであり、その種類は特に限定されないが、例えば不活性ガスが挙げられる。

排気ポート１４は、マニホールド１２に形成されており、処理容器１１内のガスを排気する。

マニホールド１２の下端には、炉口１５が形成されている。炉口１５には、例えばステンレス鋼により形成された円板状の蓋体１６が設けられている。

蓋体１６は、昇降機構１７により昇降可能に設けられており、炉口１５を気密に封止する。蓋体１６の上には、例えば石英により形成された保温筒１８が設置されている。保温筒１８の上には、多数枚のウエハＷを水平状態で所定間隔を有して多段に保持する、例えば石英により形成されたウエハボート１９が載置されている。

ウエハボート１９は、昇降機構１７を用いて、蓋体１６を上昇させることで処理容器１１内へと搬入され、処理容器１１内に収容される。また、ウエハボート１９は、蓋体１６を下降させることで、処理容器１１内から搬出される。ウエハボート１９は、長手方向に複数のスロット（支持溝）を有し、ウエハＷはそれぞれ水平状態で上下に間隔を置いてスロットに積載される。ウエハボート１９に載置される複数のウエハＷは、１つのバッチを構成し、バッチ単位で各種の処理が施される。

加熱部３０は、処理容器１１内のウエハＷを所定の温度に加熱する。加熱部３０は、ヒータ３１を有する。ヒータ３１は、処理容器１１の周囲に設けられ、例えば円筒形状を有する。ヒータ３１は、例えば抵抗発熱体であってよい。

ガス導入部５０は、インジェクタ１３に対して各種のガスを導入する。ガス導入部５０は、供給配管５１、流量制御器（図示せず）、開閉バルブ（図示せず）等を有する。供給配管５１は、各種のガスの供給源（図示せず）とインジェクタ１３とを接続し、各種のガスの供給源からインジェクタ１３にガスを導入する。流量制御器は、供給配管５１の途中に設けられており、供給配管５１内を流れるガスの流量を制御する。流量制御器は、例えばマスフローコントローラであってよい。開閉バルブは、供給配管５１の途中に設けられており、供給配管５１内を流れるガスのインジェクタ１３への供給・遮断を制御する。

排気部７０は、排気ポート１４を介して処理容器１１内を排気する。排気部７０は、排気配管７１、排気装置７２、排気ボックス７３等を有する。排気配管７１は、排気ポート１４と排気装置７２とを接続する。排気装置７２は、例えばドライポンプ、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを有し、排気配管７１を介して処理容器１１内を排気する。排気ボックス７３は、排気配管７１の途中に設けられており、真空バルブ、真空計等を有する。

図３は、処理装置１における排気ボックス７３の一例を示す図である。図３に示されるように、排気ボックス７３は、排気配管７１の途中に上流側（処理容器１１側）から順に設けられた、一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２、上流側真空バルブＶＬ１、二次側真空計ＶＧ３、下流側真空バルブＶＬ２を有する。

一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２は、排気配管７１における上流側真空バルブＶＬ１よりも上流側に設けられており、排気配管７１における上流側真空バルブＶＬ１よりも上流側の部位の圧力を検出する。排気配管７１における上流側真空バルブＶＬ１よりも上流側の部位は排気ポート１４を介して処理容器１１内と連通しており、処理容器１１内の圧力と略同じ圧力である。したがって、一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２は、排気配管７１内の圧力を検出することにより、処理容器１１内の圧力を検出する。一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２は、処理容器１１内において所定の処理が行わる際に、処理容器１１内の圧力を検出し、検出値を制御部９０に出力する。一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２の種類は、特に限定されないが、例えば隔膜真空計であってよい。一次側真空計ＶＧ１は、例えば１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０^３Ｐａ）以下の圧力を検出する真空計である。一次側真空計ＶＧ２は、例えば１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０^３Ｐａ）～１０００Ｔｏｒｒ（１．３×１０^５Ｐａ）の範囲の圧力を検出する真空計である。なお、一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２は、一つの真空計により構成されていてもよい。

上流側真空バルブＶＬ１は、排気配管７１における一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２よりも下流側に設けられており、排気配管７１のコンダクタンスを調整することにより、排気配管７１を流れるガスの流量を制御する。上流側真空バルブＶＬ１の種類は、特に限定されないが、例えばバタフライバルブであってよい。なお、上流側真空バルブＶＬ１は、制御部９０からの制御指令に応じて排気配管７１のコンダクタンスを調整する。

二次側真空計ＶＧ３は、排気配管７１における上流側真空バルブＶＬ１と下流側真空バルブＶＬ２との間に設けられており、排気配管７１における上流側真空バルブＶＬ１と下流側真空バルブＶＬ２との間の部位の圧力を検出する。二次側真空計ＶＧ３は、例えば隔離弁Ｖｓを介して排気配管７１に接続されており、隔離弁Ｖｓが開いている場合に排気配管７１の圧力を検出し、検出値を制御部９０に出力する。ただし、隔離弁Ｖｓは設けられていなくてもよい。二次側真空計ＶＧ３の種類は、特に限定されないが、例えば隔膜真空計であってよい。二次側真空計ＶＧ３は、例えば一次側真空計ＶＧ１と同様に、１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０^３Ｐａ）以下の圧力を検出する真空計である。

下流側真空バルブＶＬ２は、排気配管７１における二次側真空計ＶＧ３よりも下流側に設けられており、排気配管７１のコンダクタンスを調整することにより、排気配管７１を流れるガスの流量を制御する。下流側真空バルブＶＬ２の種類は、特に限定されないが、例えばバタフライバルブであってよい。なお、下流側真空バルブＶＬ２は、制御部９０からの制御指令に応じて排気配管７１のコンダクタンスを制御する。

制御部９０は、処理装置１の各部の動作を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。処理装置１の各部の動作を制御するコンピュータのプログラムは、媒体に記憶され、所定の読み取り装置により記憶部へ読み込まれ、制御部９０内にインストールされる。媒体は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクであってよい。

例えば、制御部９０は、処理容器１１内において所定の処理を行う前に、二次側真空計ＶＧ３により検出される圧力が予め定めた設定値となるように下流側真空バルブＶＬ２の開度を調整する。具体的には、制御部９０は、二次側真空計ＶＧ３により検出される圧力が予め定めた設定値よりも大きい場合、下流側真空バルブＶＬ２のコンダクタンスが高くなるように下流側真空バルブＶＬ２の開度を大きくする。これにより、排気装置７２の排気性能が経時的に劣化した場合であっても、排気部７０のコンダクタンスを略一定に維持できる。このとき、制御部９０は、処理容器１１内の温度を一定に維持し、処理容器１１内に不活性ガスを供給した状態で下流側真空バルブＶＬ２を調整することが好ましい。なお、設定値は、例えば排気装置７２を交換した直後や排気装置７２をメンテナンスした直後に設定される。また、設定値は、同じ仕様の処理装置１間で共通の値であることが好ましい。これにより、同じ仕様の処理装置１間において排気部７０のコンダクタンスを略同じに調整でき、処理装置１間の機差を低減できる。

また、制御部９０は、処理容器１１内において成膜処理を行う際に、隔離弁Ｖｓを閉じるように制御する。これにより、排気配管７１と二次側真空計ＶＧ３との連通が遮断されるので、成膜処理の際に生じる反応生成物等が二次側真空計ＶＧ３に付着することを防止できる。その結果、二次側真空計ＶＧ３のゼロ点がシフトすることを抑制できる。

また、制御部９０は、処理容器１１内を所定の圧力以上に制御する場合、下流側真空バルブＶＬ２のコンダクタンスが小さくなるように下流側真空バルブＶＬ２の開度を小さくした後、処理容器１１内が所望の圧力となるように上流側真空バルブＶＬ１を調整する。これにより、上流側真空バルブＶＬ１による圧力制御の際に開度が小さくなりすぎて、圧力制御の精度が低下することを抑制できる。なお、所定の圧力は、例えば上流側真空バルブＶＬ１が使用可能な圧力範囲に応じて定められる。

以上に説明したように、一実施形態では、処理容器１１に接続された排気配管７１に、一次側真空計ＶＧ１、ＶＧ２、上流側真空バルブＶＬ１、二次側真空計ＶＧ３及び下流側真空バルブＶＬ２がこの順序で設けられている。これにより、複数の同じ仕様の処理装置１間で、二次側真空計ＶＧ３により検出される圧力が予め定めた共通の設定値となるように下流側真空バルブＶＬ２を調整できる。その結果、複数の同じ仕様の処理装置１間において排気部７０のコンダクタンスを略同じに調整でき、処理装置１間の機差を低減できる。

ところで、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）プロセスでは、短い周期で第１反応ガスの供給、第１反応ガスの排気、第２反応ガスの供給及び第２反応ガスの排気を繰り返す。そのため、真空バルブの応答性の問題で、圧力制御を用いずに、開度制御や全開を用いる場合がある。この場合、処理容器１１内の圧力は排気部７０の排気性能に依存する。そのため、処理装置１間における排気部７０の排気性能が異なると、処理装置１間において処理容器１１内の圧力にバラツキが生じ、ウエハＷに形成される膜の厚さや膜質にバラツキが生じる。

しかしながら、一実施形態では、複数の同じ仕様の処理装置１間において排気部７０のコンダクタンスを略同じに調整できる。そのため、ＡＬＤプロセスにおいて開度制御や全開を用いる場合であっても、処理装置１間において処理容器１１内の圧力にバラツキが生じることを抑制できる。その結果、ウエハＷに形成される膜の厚さや膜質のバラツキを低減できる。

〔処理装置の動作〕
図４を参照し、処理装置１の動作（処理方法）の一例として、制御部９０が処理装置１の各部の動作を制御することにより、排気部７０のコンダクタンスを調整する処理（以下「コンダクタンス調整処理」という。）について説明する。コンダクタンス調整処理は、制御部９０が成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を実行する信号を受信した場合に実行される。図４は、コンダクタンス調整処理の流れの一例を示す図である。

ステップＳ４１では、制御部９０は、処理容器１１内に所定流量で不活性ガスを供給するようにガス導入部５０を制御する。また、制御部９０は、処理容器１１内が一定の温度に維持されるように加熱部３０を制御する。

ステップＳ４２では、制御部９０は、二次側真空計ＶＧ３により検出される圧力が予め定めた設定値となるように下流側真空バルブＶＬ２の開度を調整し、調整後の開度に固定する。

ステップＳ４３では、制御部９０は、隔離弁Ｖｓを閉じる。

ステップＳ４４では、制御部９０は、処理装置１の各部の動作を制御することにより、所定の処理を開始させる。所定の処理が終了した後、制御部９０は、コンダクタンス調整処理を終了させる。

以上のコンダクタンス調整処理では、制御部９０は、所定の処理ごとに、二次側真空計ＶＧ３により検出される圧力が予め定めた設定値となるように下流側真空バルブＶＬ２の開度を調整する。これにより、所定の処理ごとに排気部７０のコンダクタンスを略同じに調整できるので、排気装置７２の排気性能が経時的に劣化した場合であっても、排気部７０のコンダクタンスを略一定に維持できる。そのため、ＡＬＤプロセスにおいて開度制御や全開を用いる場合であっても、バッチ間で処理容器１１内の圧力にバラツキが生じることを抑制できる。その結果、バッチ間でウエハＷに形成される膜の厚さや膜質のバラツキが生じることを抑制できる。

また、前述のコンダクタンス調整処理を、複数の同じ仕様の処理装置１で行うことにより、同じ仕様の処理装置１間において排気部７０のコンダクタンスを略同じに調整でき、処理装置１間の機差を低減できる。

図５を参照し、処理装置１の動作（処理方法）の一例として、制御部９０が処理装置１の各部の動作を制御することにより、一次側真空計ＶＧ１のゼロ点を補正する処理（以下「ゼロ点補正処理」という。）について説明する。ゼロ点補正処理は、制御部９０が成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を実行する信号を受信した場合に実行される。図５は、ゼロ点補正処理の流れの一例を示す図である。

ステップＳ５１からステップＳ５３までは、コンダクタンス調整処理のステップＳ４１からステップＳ４３までと同様であるので、説明を省略する。

ステップＳ５４では、処理容器１１内への不活性ガスの供給を停止するようにガス導入部５０を制御する。

ステップＳ５５では、制御部９０は、一次側真空計ＶＧ１の圧力値が二次側真空計ＶＧ３の圧力値と等しくなるように一次側真空計ＶＧ１のゼロ点を補正する。なお、ゼロ点の補正は、オペレータにより実行されてもよい。

ステップＳ５６では、制御部９０は、処理装置１の各部の動作を制御することにより、所定の処理を開始させる。所定の処理が終了した後、制御部９０は、ゼロ点補正処理を終了させる。

以上のゼロ点補正処理では、所定の処理ごとに、一次側真空計ＶＧ１の圧力値が二次側真空計ＶＧ３の圧力値と等しくなるように一次側真空計ＶＧ１のゼロ点を補正する。これにより、例えば成膜処理により一次側真空計ＶＧ１に膜が付着した場合であっても、処理容器１１内の圧力を精度よく調整できる。その結果、安定したプロセス性能が得られる。

ところで、例えば０．２Ｔｏｒｒの成膜ステップにおいて、一次側真空計ＶＧ１のゼロ点が５ｍＴｏｒｒシフトしている場合を考える。この場合、本来であれば処理容器１１内が０．２Ｔｏｒｒに調整された状態で成膜が行われるところ、０．１９５Ｔｏｒｒ又は０．２０５Ｔｏｒｒに調整された状態で成膜が行われることになる。そのため、形成される膜の厚さが設計膜厚からずれてしまう。特に、成膜ステップとエッチングステップとを交互に繰り返すプロセスにおいては、設計膜厚からのずれが膜厚の面内均一性を悪化させる。しかし、上記のゼロ点補正処理では、この課題を解決できる。

図６を参照し、処理装置１の動作（処理方法）の一例として、制御部９０が処理装置１の各部の動作を制御することにより、処理容器１１内を所定の圧力以上の高圧に調整して行う処理（以下「高圧処理」という。）について説明する。高圧処理は、制御部９０が成膜処理、エッチング処理等の所定の処理を実行する信号を受信した場合に実行される。図６は、高圧処理の流れの一例を示す図である。

ステップＳ６１では、制御部９０は、受信した所定の処理を実行する信号に基づいて、該所定の処理における設定圧力が所定の圧力以上であるか否かを判定する。ステップＳ６１において、制御部９０が、所定の処理における設定圧力が所定の圧力以上であると判定した場合、処理をステップＳ６２へ進める。一方、ステップＳ６１において、制御部９０が、所定の処理における設定圧力が所定の圧力未満であると判定した場合、処理をステップＳ６３へ進める。

ステップＳ６２では、制御部９０は、設定圧力に応じて下流側真空バルブＶＬ２の開度が小さくなるように下流側真空バルブＶＬ２を制御する。

ステップＳ６３では、制御部９０は、処理装置１の各部の動作を制御することにより、所定の処理を開始させる。所定の処理が終了した後、制御部９０は、高圧処理を終了させる。

以上の高圧処理では、制御部９０が、所定の処理における設定圧力が所定の圧力以上であると判定した場合、設定圧力に応じて下流側真空バルブＶＬ２の開度が小さくなるように下流側真空バルブＶＬ２を制御する。これにより、上流側真空バルブＶＬ１を用いて圧力制御を行う際に上流側真空バルブＶＬ１の開度が小さくなりすぎて、圧力制御の精度が低下することを抑制できる。

ところで、例えば上流側真空バルブＶＬ１を用いて圧力制御を行う際の設定圧力が高い場合を考える。この場合、上流側真空バルブＶＬ１の開度が使用可能な範囲の下限値（例えば５％）を下回ることがある。その結果、処理容器１１内を設定圧力に調整できないか、又は処理容器１１内の圧力が安定しない状態となる。しかし、上記の高圧処理では、この課題を解決できる。

なお、上記の実施形態において、上流側真空バルブＶＬ１は第１の圧力調整部の一例であり、下流側真空バルブＶＬ２は第２の圧力調整部の一例である。また、一次側真空計ＶＧ１は第１の真空計の一例であり、二次側真空計ＶＧ３は第２の真空計の一例である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 処理装置
１１ 処理容器
７１ 排気配管
９０ 制御部
ＶＬ１ 上流側真空バルブ
ＶＬ２ 下流側真空バルブ
ＶＧ１ 一次側真空計
ＶＧ３ 二次側真空計

Claims (8)

1. 複数の処理装置の各々に設けられる排気装置であって、
   複数の前記処理装置の各々は、処理容器と、前記処理容器に接続された排気配管とを有し、
   前記排気装置は、
   前記排気配管に設けられた第１の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部の下流側に設けられた第２の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部の上流側に設けられた第１の真空計と、
   前記第１の圧力調整部と前記第２の圧力調整部との間に設けられた第２の真空計と、
   を有し、
   前記第２の圧力調整部は、前記処理容器内に所定流量で不活性ガスが供給された状態において、前記第２の真空計により検出される圧力が予め定められた設定値となるように前記排気配管のコンダクタンスを調整するように構成され、
   前記所定流量及び前記設定値は、それぞれ複数の前記処理装置間で共通の値である、
   排気装置。
2. 前記第２の圧力調整部は、前記処理容器内において成膜を行う前に調整される、
   請求項１に記載の排気装置。
3. 前記第２の真空計は、隔離弁を介して前記排気配管に接続されている、
   請求項１又は２に記載の排気装置。
4. 前記隔離弁は、前記処理容器内において成膜を行う際に閉じられる、
   請求項３に記載の排気装置。
5. 前記第２の圧力調整部は、前記処理容器内を一定の温度に維持した状態で調整される、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の排気装置。
6. 前記処理容器内を所定の圧力以上に制御する場合、前記第２の圧力調整部のコンダクタンスが小さくなるように前記第２の圧力調整部が調整された後、前記処理容器内が所望の圧力となるように前記第１の圧力調整部が調整される、
   請求項２乃至５のいずれか一項に記載の排気装置。
7. 処理容器に接続された排気配管に設けられた第１の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部の上流側に設けられた第１の真空計と、
   前記第１の圧力調整部の下流側に設けられた第２の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部と前記第２の圧力調整部との間に設けられた第２の真空計と、
   を有する処理装置を複数備え、
   前記第２の圧力調整部は、前記処理容器内に所定流量で不活性ガスが供給された状態において、前記第２の真空計により検出される圧力が予め定められた設定値となるように前記排気配管のコンダクタンスを調整するように構成され、
   前記所定流量及び前記設定値は、それぞれ複数の前記処理装置間で共通の値である、
   処理システム。
8. 処理容器に接続された排気配管に設けられた第１の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部の上流側に設けられた第１の真空計と、
   前記第１の圧力調整部の下流側に設けられた第２の圧力調整部と、
   前記第１の圧力調整部と前記第２の圧力調整部との間に設けられた第２の真空計と、
   を有する処理装置を複数用いた処理方法であって、
   前記処理容器内に所定流量で不活性ガスが供給された状態において、前記第２の真空計により検出される圧力が予め定めた設定値となるように前記第２の圧力調整部を調整することを含み、
   前記所定流量及び前記設定値は、それぞれ複数の前記処理装置間で共通の値である、
   処理方法。

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